JPH0522929A - Snubber circuit - Google Patents

Snubber circuit

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JPH0522929A
JPH0522929A JP19483191A JP19483191A JPH0522929A JP H0522929 A JPH0522929 A JP H0522929A JP 19483191 A JP19483191 A JP 19483191A JP 19483191 A JP19483191 A JP 19483191A JP H0522929 A JPH0522929 A JP H0522929A
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snubber
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capacitors
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Abstract

PURPOSE:To regenerate energy, which is stored in a snubber circuit connected with serially connected self-arc-extinguishing semiconductor devices, in a DC power supply, etc., without consuming the energy by a resistance. CONSTITUTION:Self-arc-extinguoishing semiconductor devices 1a, 1b are connected in series via reactor 3; diodes 2a, 2b are connected in reverse-parallel with respective semiconductor devices and a first serial assembly composed of capacitors 6a, 6b and diodes 7a, 7b for determining the charging polyarity of the capacitors is connected in parallel therewith, and a second serial assembly composed of diode 12 and capacitor 11 is connected between the series connections of the capacitors 6a, 6b and diodes 7a, 7b. Then, energy stored in the reactor 3 and capacitors 6a, 6b is recovered into the capacitor 11 and regenerated in a DC power supply, etc., by a power regenerator 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、直列接続された自己消
弧型半導体素子に接続する保護回路であるスナバ回路に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a snubber circuit which is a protection circuit connected to self-extinguishing type semiconductor elements connected in series.

【0002】[0002]

【従来の技術】自己消弧型半導体素子、例えばGTOサ
イリスタをオンオフ制御する際には、自己消弧型半導体
素子に加わる電圧及び電流の急峻な立ち上りによる素子
破壊を防ぐ為に、必ずスナバ回路と呼ばれる保護回路が
設けられている。以下、自己消弧型半導体素子をGTO
サイリスタ(以下GTOと略す)とした場合に限定して
記述する。
2. Description of the Related Art When a self-arc-extinguishing semiconductor device, for example, a GTO thyristor is on / off controlled, a snubber circuit must be used in order to prevent device breakdown due to a sharp rise of voltage and current applied to the self-arc-extinguishing semiconductor device. A so-called protection circuit is provided. Hereinafter, the self-extinguishing type semiconductor device is referred to as GTO
It will be described only when it is a thyristor (hereinafter abbreviated as GTO).

【0003】図6と図7は従来のスナバ回路とそのスナ
バ回路を直列接続GTOインバータのハーフブリッジに
適用した場合の構成図である。図7において、正側アー
ムはGTO1a、1bとそれに逆並列接続されるフリー
ホイールダイオード2a、2bにより、負側アームはG
TO1c、1dとフリーホイールダイオード2c、2d
により構成されている。正側アームのGTO1a、1b
にかかる電流上昇率を抑制するために、アノードリアク
トル3aとスナバダイオード4a及びスナバ抵抗5aか
ら構成されるスナバ回路を接続している。これを特に直
列スナバ回路と呼ぶ。また、正側アームのGTO1a、
1bの各々にかかる電圧上昇率を抑制するために、スナ
バコンデンサ6a、6bと、スナバダイオード7a、7
b及びスナバ抵抗8a、8bから構成されるスナバ回路
を接続している。これを特に並列スナバ回路と呼ぶ。負
アームのGTO1c、1dについても同様である。ま
た、9はインバータの直流電源であり、点Aは出力端子
である。但し定常状態における電圧分担の為のバランス
抵抗は省力している。
FIG. 6 and FIG. 7 are configuration diagrams when a conventional snubber circuit and the snubber circuit are applied to a half bridge of a series-connected GTO inverter. In FIG. 7, the positive arm is composed of GTOs 1a and 1b and the free wheel diodes 2a and 2b connected in antiparallel to the GTO 1a and 1b.
TO1c, 1d and freewheel diode 2c, 2d
It is composed by. Positive arm GTO 1a, 1b
In order to suppress the current increase rate of the above, a snubber circuit composed of the anode reactor 3a, the snubber diode 4a and the snubber resistor 5a is connected. This is especially called a series snubber circuit. In addition, the positive arm GTO1a,
In order to suppress the voltage increase rate applied to each of the 1b, the snubber capacitors 6a, 6b and the snubber diodes 7a, 7b.
b and a snubber circuit composed of snubber resistors 8a and 8b are connected. This is especially called a parallel snubber circuit. The same applies to the negative arm GTOs 1c and 1d. Further, 9 is a DC power source of the inverter, and point A is an output terminal. However, the balance resistance for voltage sharing in the steady state is omitted.

【0004】次に動作について図7を用いて説明する。
図7の出力端子Aには図示しない誘導性負荷が接続され
ており、その負荷電流I0 は図中矢印の向きに流れてい
るものとする。また、直流電源9の電圧はEとする。さ
て、正アームGTO1a、1bがオンしており、直流電
源9−アノードリアクトル3a−GTO1a−GTO1
b−出力端子Aの経路により負荷電流I0 が流れてい
て、スナバコンデンサ6a、6bの電圧は0、スナバコ
ンデンサ6c、6dの電圧は各々E/2に充電された状
態から、GTO1a、1bを同時にオフさせ、負荷電流
0 を遮断した場合を考える。GTO1a、1bを同時
にオフさせると、遮断された負荷電流I0はスナバダイ
オード7a−スナバコンデンサ6a−スナバダイオード
7b−スナバコンデンサ6b−出力端子Aの経路にバイ
パスされてスナバコンデンサ6a、6bを充電し、その
充電電圧が各々E/2以上になると、フリーホイールダ
イオード2c、2dが導通し、負荷電流I0 はアノード
リアクトル3b−フリーホイールダイオード2d−フリ
ーホイールダイオード2c−出力端子Aの経路により流
れる。
Next, the operation will be described with reference to FIG.
It is assumed that an inductive load (not shown) is connected to the output terminal A of FIG. 7, and the load current I 0 thereof flows in the direction of the arrow in the figure. The voltage of the DC power supply 9 is E. Now, the positive arms GTO1a, 1b are turned on, and the DC power supply 9-anode reactor 3a-GTO1a-GTO1.
b-The load current I 0 is flowing through the path of the output terminal A, the voltages of the snubber capacitors 6a and 6b are 0, and the voltages of the snubber capacitors 6c and 6d are respectively charged to E / 2. Consider a case in which the load current I 0 is cut off by turning off at the same time. When the GTOs 1a and 1b are turned off at the same time, the interrupted load current I 0 is bypassed to the snubber diode 7a-snubber capacitor 6a-snubber diode 7b-snubber capacitor 6b-output terminal A path to charge the snubber capacitors 6a, 6b. When the charging voltage becomes equal to or higher than E / 2, the freewheel diodes 2c and 2d become conductive, and the load current I 0 flows through the path of the anode reactor 3b-freewheel diode 2d-freewheel diode 2c-output terminal A.

【0005】この過程においてスナバダイオード4aが
導通し、アノードリアクトル3aの電流はアノードリア
クトル3a−スナバダイオード4a−スナバ抵抗5a−
アノードリアクトル3aの経路を還流し、アノードリア
クトル3aに蓄えられたエネルギはスナバ抵抗5aで消
費される。また、スナバコンデンサ6c、6dに蓄えら
れていたエネルギはスナバ抵抗8c、8dを通って放
電、消費される。GTO1a、1bをオフした後にGT
O1c、1dを同時にオンした際、スナバコンデンサ6
c、6dにエネルギが残っている場合は、スナバコンデ
ンサ6c−GTO1c−スナバ抵抗8c−スナバコンデ
ンサ6cの経路及びスナバコンデンサ6d−GTO1d
−スナバ抵抗8d−スナバコンデンサ6dの経路により
そのエネルギは全てスナバ抵抗8c、8dで消費され
る。
In this process, the snubber diode 4a becomes conductive, and the current of the anode reactor 3a is changed from the anode reactor 3a-the snubber diode 4a-the snubber resistor 5a-.
Energy stored in the anode reactor 3a that flows back through the path of the anode reactor 3a is consumed by the snubber resistor 5a. Further, the energy stored in the snubber capacitors 6c and 6d is discharged and consumed through the snubber resistors 8c and 8d. GT after turning off GTO1a, 1b
When O1c and 1d are turned on at the same time, the snubber capacitor 6
When energy remains in c and 6d, the snubber capacitor 6c-GTO1c-the snubber resistor 8c-the snubber capacitor 6c path and the snubber capacitor 6d-GTO1d.
-Snubber resistor 8d-Energy is entirely consumed by the snubber resistors 8c and 8d by the path of the snubber capacitor 6d.

【0006】次に、GTO1c、1dを同時にオフした
後にGTO1a、1bを同時にオンした場合を考える。
この時、負荷電流I0 は図中の方向であり、GTO1
c、1dは電流を遮断していない。GTO1a、1bを
同時にオンさせるとスナバコンデンサ6a、6bに蓄え
られていたエネルギはスナバコンデンサ6a−スナバ抵
抗8a−GTO1a−スナバコンデンサ6aの経路及び
スナバコンデンサ6b−スナバ抵抗8b−GTO1b−
スナバコンデンサ6bの経路によりスナバ抵抗8a、8
bで消費され、スナバコンデンサ6c、6dは直流電源
9−アノードリアクトル3a−GTO1a−GTO1b
−スナバコンデンサ6c−スナバダイオード7c−スナ
バコンデンサ6d−スナバダイオード7d−アノードリ
アクトル3b−直流電源9の経路により各々E/2まで
充電される。
Next, consider the case where the GTOs 1c and 1d are simultaneously turned off and then the GTOs 1a and 1b are simultaneously turned on.
At this time, the load current I 0 is in the direction in the figure, and the GTO1
c and 1d do not interrupt the current. When the GTOs 1a and 1b are turned on at the same time, the energy stored in the snubber capacitors 6a and 6b is stored in the snubber capacitor 6a-the snubber resistor 8a-GTO1a-the snubber capacitor 6a and the snubber capacitor 6b-the snubber resistor 8b-GTO1b-.
Snubber resistors 8a, 8
The snubber capacitors 6c and 6d are consumed by the DC power supply 9b and the DC power source 9-anode reactor 3a-GTO1a-GTO1b.
-Snubber capacitor 6c-Snubber diode 7c-Snubber capacitor 6d-Snubber diode 7d-Anode reactor 3b-DC power source 9 is charged up to E / 2.

【0007】また、アノードリアクトル3a、3bに過
剰に蓄えられたエネルギは、アノードリアクトル3a−
スナバ抵抗5a−スナバダイオード4a−アノードリア
クトル3aの経路及びアノードリアクトル3b−スナバ
抵抗5b−スナバダイオード4b−アノードリアクトル
3bの経路によりスナバ抵抗5a、5bで消費されつ
つ、負荷電流I0 は直流電源9−アノードリアクトル3
a−GTO1a−GTO1b−出力端子Aの経路により
流れる。以上は負荷電流I0 が図中矢印の方向に流れて
いる場合の動作についての説明であるが、負荷電流I0
が図中矢印の逆方向に流れている場合の動作は、前述し
た動作と全く対称な為、説明を省略する。
Further, the energy stored excessively in the anode reactors 3a and 3b is the anode reactor 3a-
The load current I 0 is consumed by the snubber resistors 5a and 5b through the snubber resistor 5a, the snubber diode 4a, the anode reactor 3a, and the anode reactor 3b, the snubber resistor 5b, the snubber diode 4b, and the anode reactor 3b. -Anode reactor 3
a-GTO1a-GTO1b-flows through the path of the output terminal A. The above is the load current I 0 is the description of the operation when flowing in the direction of the arrow in the figure, the load current I 0
Since the operation when is flowing in the direction opposite to the arrow in the figure is completely symmetrical to the operation described above, the description thereof will be omitted.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来のスナバ回路は以
上のように構成されており、GTOなどの自己消弧型半
導体素子を用いた電力変換装置に適用した場合、そのオ
ンオフ動作により、スナバ回路内のエネルギ蓄積要素で
あるリアクトル、コンデンサに蓄えられたエネルギは抵
抗で消費されることになり、自己消弧型半導体素子を直
列接続した場合、さらに消費されるエネルギは増大し、
電力変換装置の効率低下要因となり、また、電力変換装
置に備えられる冷却部品或いはその装置が大形化し、電
力変換装置の大形化を招くなどの問題点があった。さら
に、抵抗で消費されるエネルギは自己消弧型半導体素子
のスイッチング周波数に比例するため、電力変換装置の
高周波化が困難であった。
The conventional snubber circuit is configured as described above, and when applied to a power converter using a self-extinguishing type semiconductor element such as GTO, the snubber circuit is turned on and off. The energy stored in the reactor, which is the energy storage element, will be consumed by the resistor, and if self-extinguishing type semiconductor elements are connected in series, the energy consumed will increase,
There is a problem that the efficiency of the power conversion device is reduced and the cooling component or the device included in the power conversion device becomes large in size, which causes the power conversion device to become large in size. Further, since the energy consumed by the resistor is proportional to the switching frequency of the self-arc-extinguishing type semiconductor element, it is difficult to increase the frequency of the power conversion device.

【0009】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、直接接続された自己消弧型半導
体素子に接続するスナバ回路内に蓄えられたエネルギを
抵抗で消費することなく、直流電源等に回生できる機能
を有するスナバ回路を得ることを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and consumes energy stored in a snubber circuit connected to a directly connected self-arc-extinguishing type semiconductor element by a resistor. The purpose is to obtain a snubber circuit which has a function of being able to be regenerated to a DC power supply or the like.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明に係るスナバ回路
は、同時にオンオフ制御される2つの自己消弧型半導体
素子をアノードリアクトルを介して直列に接続し、上記
自己消弧型半導体素子の各々にスナバダイオードとスナ
バコンデンサの直列体を接続し、アノードリアクトルと
2つのスナバコンデンサに蓄えられたエネルギを回収す
るためのコンデンサとダイオードの直列体を接続し、そ
のコンデンサからエネルギを取り出し電源等に回生でき
る電力回生装置を備えたものである。
In the snubber circuit according to the present invention, two self-arc-extinguishing semiconductor elements, which are simultaneously controlled to be turned on and off, are connected in series via an anode reactor, and each of the self-arc-extinguishing semiconductor elements is connected. A series body of a snubber diode and a snubber capacitor is connected to, and a series body of a capacitor and a diode for recovering the energy stored in the anode reactor and the two snubber capacitors is connected, and the energy is extracted from the capacitor and regenerated to a power source or the like. It is equipped with a power regeneration device that can.

【0011】[0011]

【作用】本発明におけるスナバ回路は、同時にオンオフ
される2つの自己消弧型半導体素子に加わる急峻な電
圧、電流の立ち上りを抑制し、スナバ回路を構成するア
ノードリアクトルとスナバコンデンサに蓄えられたエネ
ルギを抵抗で消費することなく、1つのエネルギを回生
するためのコンデンサに回収し、そのコンデンサからエ
ネルギを取り出し、電源等に回生する。
The snubber circuit according to the present invention suppresses the sharp rise of voltage and current applied to two self-arc-extinguishing type semiconductor elements that are turned on and off at the same time, and the energy stored in the anode reactor and the snubber capacitor that form the snubber circuit. Is recovered by a capacitor for regenerating one energy without being consumed by a resistor, the energy is taken out from the capacitor and regenerated by a power source or the like.

【0012】[0012]

【実施例】実施例1.以下、本発明の一実施例を図につ
いて説明する。図1は実施例1に係るスナバ回路の回路
図を示し、図において、1a、1bは同時にオンオフ制
御される自己消弧型半導体素子の一例としてのGTO、
2a、2bはGTO1a、1bに逆並列接続されるフリ
ーホイールダイオード、3はGTO1a、1bに加わる
電流上昇率を抑制するアノードリアクトル、6a、6b
はGTO1a、1bの各々に加わる電圧上昇率を抑制す
るスナバコンデンサ、7a、7bはスナバコンデンサ6
a、6bの充電極性を定めるスナバダイオード、11は
アノードリアクトル3とスナバコンデンサ6a、6bに
蓄えられたエネルギを回収するための回収コンデンサ、
12は回収コンデンサ11の充電極性を定める回収ダイ
オード、13は回収コンデンサ11からエネルギを取り
出して電源等に回生すると共に、回収コンデンサ11を
一定電圧に制御する機能を持つ電力回生装置である。
EXAMPLES Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a snubber circuit according to a first embodiment. In the figure, 1a and 1b are GTOs as an example of a self-arc-extinguishing type semiconductor device that is simultaneously on / off controlled.
Reference numerals 2a and 2b are freewheel diodes antiparallelly connected to the GTOs 1a and 1b. Reference numeral 3 is an anode reactor for suppressing a current increase rate applied to the GTOs 1a and 1b. 6a and 6b.
Is a snubber capacitor that suppresses the rate of voltage increase applied to each of the GTOs 1a and 1b, and 7a and 7b are snubber capacitors 6.
a snubber diode that determines the charging polarity of a and 6b, 11 a recovery capacitor for recovering the energy stored in the anode reactor 3 and the snubber capacitors 6a and 6b,
Reference numeral 12 is a recovery diode that determines the charging polarity of the recovery capacitor 11, and reference numeral 13 is an electric power regeneration device that has a function of extracting energy from the recovery capacitor 11 and regenerating it to a power source or the like, and controlling the recovery capacitor 11 to a constant voltage.

【0013】また、図2は図1のスナバ回路を、直列接
続GTOインバータのハーフブリッジに適用した場合の
構成図であり、上側アームと下側アームは対称な回路と
なっている。なお構成部分に付した符号については、数
字が同じものについては同じ機能を有するものとする。
また、従来と同じ構成の部分には従来と同じ符号を付け
ている。
FIG. 2 is a block diagram when the snubber circuit of FIG. 1 is applied to a half bridge of a series-connected GTO inverter, and the upper arm and the lower arm are symmetrical circuits. In addition, about the code | symbol attached to the component, what has the same number shall have the same function.
Further, the same reference numerals are attached to the parts having the same configurations as the conventional ones.

【0014】以下、図2を用いて本発明のスナバ回路の
動作について説明する。ここでは、出力端子Aに図示し
ない誘導性負荷が接続されており、負荷電流I0 が図中
矢印の方向に流れている場合の動作についてのみ説明
し、負荷電流I0 が図中矢印の逆方向に流れている場合
の動作については前述した場合の動作と全く対称な為、
省略する。なお、直流電源9の電圧はEとし、回収コン
デンサ11a、11bはそれぞれ電力回生装置13a、
13bにより一定電圧eに制御されているものとする。
但し、電圧eは電圧Eの数分の1の値とする。
The operation of the snubber circuit of the present invention will be described below with reference to FIG. Here, only an operation when an inductive load (not shown) is connected to the output terminal A and the load current I 0 is flowing in the direction of the arrow in the figure will be described. The load current I 0 is the reverse of the arrow in the figure. Since the operation when flowing in the direction is completely symmetrical to the operation in the case described above,
Omit it. The voltage of the DC power supply 9 is E, and the recovery capacitors 11a and 11b are the power regeneration device 13a and the power regeneration device 13a, respectively.
It is assumed that the constant voltage e is controlled by 13b.
However, the voltage e is a value that is a fraction of the voltage E.

【0015】今、GTO1a、1bがオンしており、直
流電源9−GTO1a−アノードリアクトル3a−GT
O1b−出力端子Aの経路により負荷電流I0 が流れて
おり、スナバコンデンサ6a、6bの電圧は0、スナバ
コンデンサ6c、6dの電圧は各々E/2に充電された
状態からGTO1a、1bを同時にオフさせ、負荷電流
0 を遮断した場合を考える。GTO1a、1bを同時
にオフさせると、遮断された負荷電流I0 は、スナバコ
ンデンサ6a−スナバダイオード7a−アノードリアク
トル3a−スナバダイオード7b−スナバコンデンサ6
b−出力端子Aの経路にバイパスされて、スナバコンデ
ンサ6a、6bを充電する。それらの充電電圧が電圧e
以上になれば、回収ダイオード12bが導通し、スナバ
コンデンサ6c、6dの放電が始まり、それらに蓄えら
れていたエネルギは回収コンデンサ11bに回収される
ことになる。
Now, the GTOs 1a and 1b are turned on, and the DC power supply 9-GTO1a-anode reactor 3a-GT.
The load current I 0 is flowing through the path of O1b-output terminal A, the voltages of the snubber capacitors 6a and 6b are 0, and the voltages of the snubber capacitors 6c and 6d are E / 2 and the GTO 1a and 1b are simultaneously charged. Consider a case in which the load current I 0 is cut off by turning it off. When the GTOs 1a and 1b are turned off at the same time, the interrupted load current I 0 is the snubber capacitor 6a-snubber diode 7a-anode reactor 3a-snubber diode 7b-snubber capacitor 6
The snubber capacitors 6a and 6b are charged by bypassing the path of the b-output terminal A. Their charging voltage is voltage e
In the above case, the recovery diode 12b becomes conductive, the snubber capacitors 6c and 6d start discharging, and the energy stored in them is recovered in the recovery capacitor 11b.

【0016】この期間中、アノードリアクトル3aの初
期電流がアノードリアクトル3a−スナバダイオード7
b−回収コンデンサ11a−回収ダイオード12a−ス
ナバコンデンサ7aの経路を還流し、アノードリアクト
ル3aに蓄えられていたエネルギは回収コンデンサ11
aに回収されていく。スナバコンデンサ6a、6bが各
々E/2まで充電され、スナバコンデンサ6c、6dは
各々0まで放電されて、負荷電流I0 はフリーホイール
ダイオード2d−アノードリアクトル3b−フリーホイ
ールダイオード2c−出力端子Aの経路により流れるこ
とになる。スナバコンデンサ6a、6bはE/2より高
い電圧値まで充電されるが、アノードリアクトル3aの
電流が0となった後に、フリーホイールダイオード2d
−アノードリアクトル3b−フリーホイールダイオード
2c−スナバコンデンサ6b−回収コンデンサ11a−
回収ダイオード12a−スナバコンデンサ6a−直流電
源9−フリーホイールダイオード2dの経路により、過
充電分のエネルギが放電されてE/2に収まる。その状
態で、GTO1c、1dをオンしても回路状態には変化
はない。
During this period, the initial current of the anode reactor 3a is the anode reactor 3a-snubber diode 7
The energy stored in the anode reactor 3a flows back through the path of b-recovery capacitor 11a-recovery diode 12a-snubber capacitor 7a.
It is collected in a. The snubber capacitors 6a and 6b are charged to E / 2, the snubber capacitors 6c and 6d are discharged to 0, and the load current I 0 is equal to the free wheel diode 2d-anode reactor 3b-free wheel diode 2c-output terminal A. It will flow according to the route. The snubber capacitors 6a and 6b are charged to a voltage value higher than E / 2, but after the current of the anode reactor 3a becomes 0, the freewheel diode 2d
-Anode reactor 3b-Freewheel diode 2c-Snubber capacitor 6b-Recovery capacitor 11a-
Through the path of the recovery diode 12a, the snubber capacitor 6a, the DC power supply 9 and the freewheel diode 2d, the energy for the overcharge is discharged and settled in E / 2. In that state, turning on the GTOs 1c and 1d does not change the circuit state.

【0017】次に、GTO1c、1dを同時にオフした
後にGTO1a、1bを同時にオンした場合を考える。
この時、負荷電流I0 は図中の方向であり、GTO1
c、1dはオフした時に電流を遮断していない。GTO
1a、1bを同時にオンさせると、スナバコンデンサ6
a、6bに蓄えられていたエネルギは、スナバコンデン
サ6a−GTO1a−アノードリアクトル3a−GTO
1b−スナバコンデンサ6b−回収コンデンサ11a−
回収ダイオード12a−スナバコンデンサ6aの経路に
より回収コンデンサ11aに回収される。負荷電流I0
は、直流電源9−GTO1a−アノードリアクトル3a
−GTO1b−出力端子Aの経路により供給されるが、
GTO1a−アノードリアクトル3a−GTO1bの経
路の電流は負荷電流I0 より大きくなり、その電流はス
ナバコンデンサ6c−スナバダイオード7c−アノード
リアクトル3b−スナバコンデンサ6dの経路に分流さ
れ、スナバコンデンサ6c、6dを充電することにな
る。
Next, consider a case where the GTOs 1c and 1d are simultaneously turned off and then the GTOs 1a and 1b are simultaneously turned on.
At this time, the load current I 0 is in the direction in the figure, and the GTO1
c and 1d do not interrupt the current when turned off. GTO
When 1a and 1b are turned on at the same time, the snubber capacitor 6
The energy stored in a and 6b is the snubber capacitor 6a-GTO1a-anode reactor 3a-GTO.
1b-snubber capacitor 6b-recovery capacitor 11a-
The recovery diode 12a and the snubber capacitor 6a are used to recover the recovery capacitor 11a. Load current I 0
Is a DC power supply 9-GTO 1a-anode reactor 3a
-GTO1b-supplied by the path of the output terminal A,
The current in the path of GTO1a-anode reactor 3a-GTO1b becomes larger than the load current I 0 , and the current is shunted to the path of snubber capacitor 6c-snubber diode 7c-anode reactor 3b-snubber capacitor 6d, and snubber capacitors 6c, 6d. Will be charged.

【0018】スナバコンデンサ6c、6dが各々E/2
以上充電されれば、アノードリアクトル3aの電流の負
荷電流I0 以上の電流は、アノードリアクトル3a−ス
ナバダイオード7b−回収コンデンサ11a−回収ダイ
オード12a−スナバダイオード7a−アノードリアク
トル3aの経路に分流され始め、また、アノードリアク
トル3bの電流は、アノードリアクトル3b−スナバダ
イオード7d−回収コンデンサ11b−回収ダイオード
12b−スナバダイオード7c−アノードリアクトル3
bの経路に分流され始め、各々のアノードリアクトル3
a、3bに蓄えられたエネルギは回収コンデンサ11
a、11bに回収される。この期間で、スナバコンデン
サ6c、6dはE/2より高い電圧値まで充電される
が、アノードリアクトル3bの電流が0となった後に、
スナバコンデンサ6d−回収コンデンサ11b−回収ダ
イオード12b−スナバコンデンサ6cの経路により過
充電分のエネルギが放電されてE/2に収まるが、その
放電電流は、直流電源9−GTO1a−アノードリアク
トル3a−GTO1b−出力端子Aの経路より供給され
る負荷電流I0 に重畳される。
The snubber capacitors 6c and 6d are each E / 2.
Once charged, the current equal to or larger than the load current I 0 of the current of the anode reactor 3a begins to be shunted to the path of the anode reactor 3a-snubber diode 7b-recovery capacitor 11a-recovery diode 12a-snubber diode 7a-anode reactor 3a. The current of the anode reactor 3b is as follows: anode reactor 3b-snubber diode 7d-recovery capacitor 11b-recovery diode 12b-snubber diode 7c-anode reactor 3.
It begins to be diverted to the path of b, and each anode reactor 3
The energy stored in a and 3b is the recovery condenser 11
Collected in a and 11b. In this period, the snubber capacitors 6c and 6d are charged to a voltage value higher than E / 2, but after the current of the anode reactor 3b becomes 0,
The energy of the overcharge is discharged by the path of the snubber capacitor 6d-recovery capacitor 11b-recovery diode 12b-snubber capacitor 6c and settles in E / 2. The discharge current is DC power supply 9-GTO1a-anode reactor 3a-GTO1b. It is superimposed on the load current I 0 supplied from the path of the output terminal A.

【0019】以上の動作により、直列接続されたGTO
1a、1b又は1c、1dの電圧上昇率を抑えるスナバ
コンデンサ6a、6b、6c、6dや電流上昇率を抑え
るアノードリアクトル3a、3bに蓄えられたエネルギ
を全て、回収コンデンサ11a、11bに回収すること
ができることを示したが、次に、回収コンデンサ11a
或は11bからエネルギを取り出し、電源9等に回生で
き、さらに、回収コンデンサ11を一定電圧に制御でき
る機能を有する電力回生装置13a、13bの具体的な
回路の一例を示して、このスナバ回路が実現可能である
ことを示す。
With the above operation, the GTOs connected in series are connected.
To recover all the energy stored in the snubber capacitors 6a, 6b, 6c, 6d that suppress the voltage increase rate of 1a, 1b or 1c, 1d and the anode reactors 3a, 3b that suppress the current increase rate to recovery capacitors 11a, 11b. It was shown that the recovery capacitor 11a
Alternatively, the snubber circuit shows an example of a concrete circuit of the power regeneration devices 13a and 13b having a function of extracting energy from 11b, regenerating it to the power source 9 and the like, and further controlling the recovery capacitor 11 to a constant voltage. Show that it is feasible.

【0020】その電力回生回路13の具体例を図3に示
す。図3において、9aはエネルギを回生する直流電
源、14a、14bは自己消弧型半導体素子、15a、
15bはダイオード、16はリアクトルである。なお、
自己消弧型半導体素子14a、14bには一例としてG
TOを適用している。
A specific example of the power regeneration circuit 13 is shown in FIG. In FIG. 3, 9a is a direct current power source for regenerating energy, 14a and 14b are self-extinguishing type semiconductor elements, 15a,
15b is a diode and 16 is a reactor. In addition,
As an example, the self-arc-extinguishing type semiconductor elements 14a and 14b may include G
Applying TO.

【0021】今、電力回生回路13のGTO14a、1
4bを同時にオンすると、回収コンデンサ11−GTO
14b−リアクトル16−GTO14a−回収コンデン
サ11の経路により、回収コンデンサ11に蓄えられた
エネルギがリアクトル16に移される。その後、GTO
14a、14bをオフすると、リアクトル16に流れる
電流は、リアクトル16−ダイオード15a−直流電源
9a−ダイオード15b−リアクトル16の経路を還流
し、リアクトル16に移されたエネルギは直流電源9a
に回生される。この一連の回路動作により、回収コンデ
ンサ11からエネルギを取り出し、直流電源9aに回生
できる。さらに、回収コンデンサ11の電圧制御はGT
O14a、14bのオン時間を制御することにより可能
であることは容易に考えられる。
Now, the GTO 14a, 1 of the power regeneration circuit 13
When 4b are turned on at the same time, the recovery capacitor 11-GTO
The energy stored in the recovery capacitor 11 is transferred to the reactor 16 through the path of 14b-reactor 16-GTO 14a-recovery capacitor 11. Then GTO
When 14a and 14b are turned off, the current flowing in the reactor 16 flows back through the route of the reactor 16-diode 15a-DC power supply 9a-diode 15b-reactor 16, and the energy transferred to the reactor 16 is DC power supply 9a.
Regenerated to. By this series of circuit operations, energy can be extracted from the recovery capacitor 11 and regenerated to the DC power supply 9a. Furthermore, the voltage control of the recovery capacitor 11 is GT
It is easily conceivable that this is possible by controlling the on-time of O14a and 14b.

【0022】このように、本実施例のスナバ回路に備え
られる電力回生回路13としては容易な回路で実現され
るが、その他にも、公知なDC−DCコンバータ回路構
成を適用して実現することが可能である。なお、図3の
直流電圧9aと、図2の直流電源9は必ずしも同じもの
でなくても良い。また、多相インバータを構成した場
合、各ハーフブリッジの回収コンデンサ11a、11b
の上アーム、下アームを共通に接続して2つの電力回生
装置13a、13bを備える構成も容易に考えられる。
As described above, the power regeneration circuit 13 provided in the snubber circuit of this embodiment can be realized by a simple circuit, but in addition, it can be realized by applying a known DC-DC converter circuit configuration. Is possible. The DC voltage 9a in FIG. 3 and the DC power supply 9 in FIG. 2 do not necessarily have to be the same. When a multi-phase inverter is configured, the recovery capacitors 11a and 11b of each half bridge are also included.
A configuration in which the upper arm and the lower arm are connected in common and two power regeneration devices 13a and 13b are provided can be easily considered.

【0023】実施例2.本発明の実施例1では、インバ
ータに適用した場合について説明したが、チョッパに適
用することも可能である。その一実施例として図4に示
す。図4において、17は負荷回路である。図示回路動
作としては、図2に示したインバータの場合と同様であ
る。
Example 2. In the first embodiment of the present invention, the case where it is applied to the inverter has been described, but it is also possible to apply it to the chopper. An example thereof is shown in FIG. In FIG. 4, 17 is a load circuit. The operation of the illustrated circuit is similar to that of the inverter shown in FIG.

【0024】実施例3.本発明の実施例1の図1におい
て、回収コンデンサ11は電力回生装置13によって定
電圧制御されるが、それと同様の効果を得るための別手
段として、変成器を用いることができる。この一実施例
を図5に示す。変成器18の1次巻線との巻数比を設定
することにより、同様の回路動作となる。ただし変成器
18のリセットを考慮すると、図1の回収ダイオード1
1は、自己消弧型半導体素子19に置換し、エネルギ回
生が終了すれば、オフ動作をさせる必要がある。また、
図5の様に変成器18の2次側にダイオードブリッジ1
0を接続して、エネルギを回生する直流電源9bに接続
すれば、図3と同様の効果が得られる。
Example 3. In FIG. 1 of the first embodiment of the present invention, the recovery capacitor 11 is subjected to constant voltage control by the power regenerator 13, but a transformer can be used as another means for obtaining the same effect. An example of this is shown in FIG. The same circuit operation is performed by setting the turn ratio with the primary winding of the transformer 18. However, considering the reset of the transformer 18, the recovery diode 1 of FIG.
1 is replaced with a self-arc-extinguishing type semiconductor element 19, and it is necessary to turn off when energy regeneration is completed. Also,
As shown in FIG. 5, the diode bridge 1 is provided on the secondary side of the transformer 18.
When 0 is connected to the DC power source 9b that regenerates energy, the same effect as in FIG. 3 is obtained.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、自己消
弧型半導体素子に接続するスナバ回路内のエネルギ蓄積
要素であるアノードリアクトルとスナバコンデンサに蓄
えられたエネルギを直流電源等に回生できるように構成
したので、高効率な電力変換装置が得られ、装置に備え
る冷却装置が小形にできると共に装置全体を小形化で
き、さらに、自己消弧型半導体素子の高周波スイッチン
グが可能となるような効果が得られる。
As described above, according to the present invention, the energy stored in the anode reactor and the snubber capacitor, which are the energy storage elements in the snubber circuit connected to the self-extinguishing semiconductor element, is regenerated to the DC power source or the like. Since it is configured so that a highly efficient power conversion device can be obtained, the cooling device provided in the device can be downsized, the entire device can be downsized, and high-frequency switching of the self-arc-extinguishing type semiconductor element is possible. Can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のスナバ回路を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a snubber circuit of the present invention.

【図2】本発明のスナバ回路をインバータハーフブリッ
ジに適用した場合の一実施例を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment in which the snubber circuit of the present invention is applied to an inverter half bridge.

【図3】本発明のスナバ回路に接続される電力回生装置
の一具体例を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of a power regeneration device connected to the snubber circuit of the present invention.

【図4】本発明のスナバ回路をチョッパに適用した場合
の一実施例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an embodiment in which the snubber circuit of the present invention is applied to a chopper.

【図5】本発明のスナバ回路と同様の効果が得られるス
ナバ回路を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a snubber circuit that achieves the same effects as the snubber circuit of the present invention.

【図6】従来のスナバ回路を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional snubber circuit.

【図7】従来のスナバ回路を自己消弧型半導体素子を直
列接続したインバータハーフブリッジに適用した場合を
示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a case where the conventional snubber circuit is applied to an inverter half bridge in which self-extinguishing semiconductor elements are connected in series.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b 自己消弧型半導体素子(GTO) 2a、2b フリーホイールタイオード 3 アノードリアクトル 6a、6b スナバコンデンサ 7a、7b スナバダイオード 9 直流電源 11 回収コンデンサ 12 回収ダイオード 13、13a、13b 電力回生装置 1a, 1b Self-extinguishing type semiconductor device (GTO) 2a, 2b Freewheel thyroid 3 Anode reactor 6a, 6b Snubber capacitor 7a, 7b Snubber diode 9 DC power supply 11 Recovery capacitor 12 Recovery diode 13, 13a, 13b Power regeneration device

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成3年10月7日[Submission date] October 7, 1991

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0003[Name of item to be corrected] 0003

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0003】図6と図7は従来のスナバ回路とそのスナ
バ回路を直列接続GTOインバータのハーフブリッジに
適用した場合の構成図である。図7において、正側アー
ムはGTO1a、1bとそれに逆並列接続されるフリー
ホイールダイオード2a、2bにより、負側アームはG
TO1c、1dとフリーホイールダイオード2c、2d
により構成されている。正側アームのGTO1a、1b
にかかる電流上昇率を抑制するために、アノードリアク
トル3aとスナバダイオード4a及びスナバ抵抗5aか
ら構成されるスナバ回路を接続している。これを特に直
列スナバ回路と呼ぶ。また、正側アームのGTO1a、
1bの各々にかかる電圧上昇率を抑制するために、スナ
バコンデンサ6a、6bと、スナバダイオード7a、7
b及びスナバ抵抗8a、8bから構成されるスナバ回路
を接続している。これを特に並列スナバ回路と呼ぶ。負
アームのGTO1c、1dについても同様である。ま
た、9はインバータの直流電源であり、点Aは出力端子
である。但し定常状態における電圧分担の為のバランス
抵抗は省略している。
FIG. 6 and FIG. 7 are configuration diagrams when a conventional snubber circuit and the snubber circuit are applied to a half bridge of a series-connected GTO inverter. In FIG. 7, the positive arm is composed of GTOs 1a and 1b and the free wheel diodes 2a and 2b connected in antiparallel to the GTO 1a and 1b.
TO1c, 1d and freewheel diode 2c, 2d
It is composed by. Positive arm GTO 1a, 1b
In order to suppress the current increase rate of the above, a snubber circuit composed of the anode reactor 3a, the snubber diode 4a and the snubber resistor 5a is connected. This is especially called a series snubber circuit. In addition, the positive arm GTO1a,
In order to suppress the voltage increase rate applied to each of the 1b, the snubber capacitors 6a, 6b and the snubber diodes 7a, 7b.
b and a snubber circuit composed of snubber resistors 8a and 8b are connected. This is especially called a parallel snubber circuit. The same applies to the negative arm GTOs 1c and 1d. Further, 9 is a DC power source of the inverter, and point A is an output terminal. However, the balance resistance for voltage sharing in the steady state is omitted .

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0005[Correction target item name] 0005

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0005】この過程においてスナバコンデンサ6a,
6bが所定の電圧に充電されれば、スナバダイオード4
aが導通し、アノードリアクトル3aの電流はアノード
リアクトル3a−スナバダイオード4a−スナバ抵抗5
a−アノードリアクトル3aの経路を還流し、アノード
リアクトル3aに蓄えられたエネルギはスナバ抵抗5a
で消費される。また、スナバコンデンサ6c、6dに蓄
えられていたエネルギはスナバ抵抗8c、8dを通って
放電、消費される。GTO1a、1bをオフした後にG
TO1c、1dを同時にオンした際、スナバコンデンサ
6c、6dにエネルギが残っている場合は、スナバコン
デンサ6c−GTO1c−スナバ抵抗8c−スナバコン
デンサ6cの経路及びスナバコンデンサ6d−GTO1
d−スナバ抵抗8d−スナバコンデンサ6dの経路によ
りそのエネルギは全てスナバ抵抗8c、8dで消費され
る。
[0005] The snubber capacitor 6a in this process,
If 6b is charged to a predetermined voltage, Sunabada diode 4
a conducts, and the current of the anode reactor 3a is the anode reactor 3a-snubber diode 4a-snubber resistor 5
The energy stored in the a-anode reactor 3a is returned to the snubber resistor 5a.
Consumed in. Further, the energy stored in the snubber capacitors 6c and 6d is discharged and consumed through the snubber resistors 8c and 8d. After turning off GTO1a and 1b, G
When energy remains in the snubber capacitors 6c and 6d when the TO1c and 1d are simultaneously turned on, the snubber capacitor 6c-GTO1c-the snubber resistor 8c-the snubber capacitor 6c path and the snubber capacitor 6d-GTO1.
All the energy is consumed by the snubber resistors 8c and 8d through the path of the d-snubber resistor 8d-the snubber capacitor 6d.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0024[Correction target item name] 0024

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0024】実施例3.本発明の実施例1の図1におい
て、回収コンデンサ11は電力回生装置13によって定
電圧制御されるが、それと同様の効果を得るための別手
段として、変成器を用いることができる。この一実施例
を図5に示す。変成器18の1次巻線との巻数比を設定
することにより、同様の回路動作となる。ただし変成器
18のリセットを考慮すると、図1の回収ダイオード1
2は、自己消弧型半導体素子19に置換し、エネルギ回
生が終了すれば、オフ動作をさせる必要がある。また、
図5の様に変成器18の2次側にダイオードブリッジ1
0を接続して、エネルギを回生する直流電源9bに接続
すれば、図3と同様の効果が得られる。
Example 3. In FIG. 1 of the first embodiment of the present invention, the recovery capacitor 11 is subjected to constant voltage control by the power regenerator 13, but a transformer can be used as another means for obtaining the same effect. An example of this is shown in FIG. The same circuit operation is performed by setting the turn ratio with the primary winding of the transformer 18. However considering the resetting of the transformer 18, the recovery of Figure 1 diode 1
2 is replaced with the self-arc-extinguishing type semiconductor element 19, and when the energy regeneration is completed, it is necessary to turn it off. Also,
As shown in FIG. 5, the diode bridge 1 is provided on the secondary side of the transformer 18.
When 0 is connected to the DC power source 9b that regenerates energy, the same effect as in FIG. 3 is obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 同時にオンオフ制御される2つの自己消
弧型半導体素子をリアクトルを介して直列に接続すると
共に、上記自己消弧型素子の各々に逆並列にダイオード
を接続し、上記各自己消弧型半導体素子に、コンデンサ
とそのコンデンサの充電極性を定めるダイオードからな
る第1の直列体を並列接続すると共に、これら第1の直
列体のコンデンサとダイオードの直列接続点間にダイオ
ードとコンデンサからなる第2の直列体を接続し、かつ
上記リアクトル及び各第1の直列体にあるコンデンサに
蓄えられるエネルギを第2の直列体にあるコンデンサに
回収すると共に、第2の直列体にあるコンデンサからエ
ネルギを取り出して直流電源等に回生する電力回生装置
を備えたスナバ回路。
Claim: What is claimed is: 1. Two self-arc-extinguishing semiconductor elements that are simultaneously controlled to be turned on and off are connected in series via a reactor, and a diode is connected to each of the self-arc-extinguishing elements in antiparallel. Then, a first series body composed of a capacitor and a diode that determines the charging polarity of the capacitor is connected in parallel to each of the self-extinguishing semiconductor elements, and between the series connection points of the capacitor and the diode of the first series body. Is connected to a second series body composed of a diode and a capacitor, and energy stored in the reactor and the capacitors in the first series bodies is recovered in the capacitors in the second series body, and at the same time, in the second series. A snubber circuit equipped with a power regeneration device that extracts energy from a capacitor in the body and regenerates it into a DC power source.
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