JP2555621B2 - Inverter energy recovery circuit - Google Patents

Inverter energy recovery circuit

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JP2555621B2
JP2555621B2 JP62214761A JP21476187A JP2555621B2 JP 2555621 B2 JP2555621 B2 JP 2555621B2 JP 62214761 A JP62214761 A JP 62214761A JP 21476187 A JP21476187 A JP 21476187A JP 2555621 B2 JP2555621 B2 JP 2555621B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体スイッチ素子のオン・オフ動作に
伴ってスナバ回路に蓄積されるエネルギーを電源側へ回
収する、インバータのエネルギー回収回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an energy recovery circuit for an inverter, which recovers energy stored in a snubber circuit along with the on / off operation of a semiconductor switch element to a power supply side.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図はインバータの従来例を示す回路図である。こ
の第4図において、半導体スイッチ素子としてのゲート
ターンオフサイリスタ(以下ではGTOサイリスタと略記
する)10には帰還ダイオード11が、またGTOサイリスタ2
0には帰還ダイオード21がそれぞれ逆並列接続されてい
るので、これら両GTOサイリスタ10と20とを直列に接続
してその両端に直流電源2を接続する。このようなGTO
サイリスタの直列回路の2組または3組を相互に並列接
続して直流電源に接続することにより、直流を単相交流
あるいは3相交流に変換するインバータが構成されるの
であるが、この第4図においては、その第1相のみを図
示している。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example of an inverter. In FIG. 4, a feedback diode 11 is provided in a gate turn-off thyristor (hereinafter abbreviated as GTO thyristor) 10 as a semiconductor switching element, and a GTO thyristor 2 is provided.
Since the feedback diode 21 is connected in antiparallel to 0, both of these GTO thyristors 10 and 20 are connected in series, and the DC power supply 2 is connected to both ends thereof. GTO like this
By connecting two or three sets of series circuits of thyristors in parallel to each other and connecting them to a DC power supply, an inverter for converting DC into single-phase AC or three-phase AC is constructed. In the figure, only the first phase is illustrated.

GTOサイリスタ10をオン・オフ動作させると同時に、G
TOサイリスタ20をこれとは逆位相でオフ・オン動作させ
ることで、両GTOサイリスタ10と20との結合点から交流
を取出すことができるのであるが、このようなGTOサイ
リスタ10あるいは20のスイッチング動作に伴って、回路
の配線インダクタンスの蓄積エネルギーが変化速度のき
わめて大きい電圧となって印加されることにより、当該
GTOサイリスタ10あるいは20を破損させるおそれがある
ので、第1コンデンサ12と第1ダイオード13および抵抗
14で構成するスナバ回路をGTOサイリスタ10に並列に接
続し、同じく第1コンデンサ22と第1ダイオード23およ
び抵抗24で構成するスナバ回路をGTOサイリスタ20に並
列接続することで、第1コンデンサ12または22にこのエ
ネルギーを蓄積させ、GTOサイリスタ10,20に印加される
電圧の変化速度を緩和させている。
GTO thyristor 10 is turned on / off and at the same time G
By turning on and off the TO thyristor 20 in the opposite phase to this, it is possible to take out an alternating current from the coupling point of both GTO thyristors 10 and 20, but such a switching operation of the GTO thyristor 10 or 20. As a result, the stored energy of the wiring inductance of the circuit is applied as a voltage with an extremely high rate of change,
Since it may damage the GTO thyristor 10 or 20, the first capacitor 12 and the first diode 13 and the resistor
By connecting the snubber circuit composed of 14 in parallel to the GTO thyristor 10 and connecting the snubber circuit composed of the first capacitor 22, the first diode 23 and the resistor 24 in parallel to the GTO thyristor 20, the first capacitor 12 or This energy is stored in 22 to slow down the rate of change of the voltage applied to the GTO thyristors 10 and 20.

たとえばGTOサイリスタ10がオンに、かつGTOサイリス
タ20がオフになると、配線インダクタンスのエネルギー
は第1ダイオード23を介して第1コンデンサ22に流入
し、この第1コンデンサ22を図示の極性で充電する。次
の瞬間にGTOサイリスタ10が閉路し、かつGTOサイリスタ
20が閉路すると、第1コンデンサ22に蓄積されていた電
荷は、第1コンデンサ22→抵抗24→GTOサイリスタ20→
第1コンデンサ22の経路で放電する。
For example, when the GTO thyristor 10 is turned on and the GTO thyristor 20 is turned off, the energy of the wiring inductance flows into the first capacitor 22 via the first diode 23 and charges the first capacitor 22 with the polarity shown. GTO thyristor 10 closed at the next moment, and GTO thyristor
When 20 is closed, the electric charge accumulated in the first capacitor 22 is stored in the first capacitor 22 → resistor 24 → GTO thyristor 20 →
It discharges in the path of the first capacitor 22.

このように第1コンデンサ12と22とは、GTOサイリス
タ10と20のスイッチング動作に連動して充電と放電とを
繰返すのであるが、この充放電により第1コンデンサ12
と22の蓄積エネルギーを、それぞれ抵抗14と24とにおい
て熱として放散させている。なお第4図における符号3
は平滑コンデンサである。
As described above, the first capacitors 12 and 22 repeat charging and discharging in conjunction with the switching operation of the GTO thyristors 10 and 20.
The stored energy of and 22 is dissipated as heat in resistors 14 and 24, respectively. Incidentally, reference numeral 3 in FIG.
Is a smoothing capacitor.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

インバータをパルス幅変調方式で制御することで、こ
のインバータが出力する交流の波形歪を抑制でき、かつ
制御特性も良好となることから、このようなパルス幅変
調制御インバータが広く使用されるようになったが、制
御特性を一段と向上させるために、当該インバータを構
成しているGTOサイリスタなどの半導体スイッチ素子の
スイッチング周波数は、益々高くなる傾向にある。
By controlling the inverter with the pulse width modulation method, it is possible to suppress the waveform distortion of the alternating current output by the inverter, and the control characteristics become good, so that such a pulse width modulation control inverter is widely used. However, in order to further improve the control characteristics, the switching frequency of semiconductor switching devices such as GTO thyristors that compose the inverter tends to become higher and higher.

このようにスイッチング周波数を高くすると、GTOサ
イリスタ自身のスイッチング損失も増大するが、特にス
ナバ回路で発生する損失が著しく増大し、この損失を熱
として放散させるのに大容量の抵抗が必要であるばかり
でなく、この発生熱を放散させるために特別の工夫が必
要になるなど、装置が大形かつ高価になる欠点を有する
ばかりでなく、装置の効率を著しく低下させる欠点も合
わせて有する。
When the switching frequency is increased in this way, the switching loss of the GTO thyristor itself also increases, but especially the loss generated in the snubber circuit increases significantly, and a large-capacity resistor is required to dissipate this loss as heat. In addition to the drawback that the device becomes large and expensive, such as requiring special measures to dissipate the generated heat, it also has the drawback of significantly reducing the efficiency of the device.

そこで本発明の目的は、インバータを構成している半
導体スイッチ素子のスイッチング動作に伴ってスナバ回
路に蓄積されるエネルギーを電源側へ回収することによ
り、エネルギーの無駄使いを防止して、装置の大形化と
価格の上昇を抑制するとともに、効率を向上させること
にある。
Therefore, an object of the present invention is to prevent waste of energy by collecting energy accumulated in the snubber circuit along with the switching operation of the semiconductor switching element forming the inverter to the power source side, and to prevent the device from becoming large. It is aimed at suppressing formality and price increase and improving efficiency.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するために、本発明のエネルギー回
収回路は、2組の半導体スイッチ素子と帰還ダイオード
との逆並列接続回路を、相互に直列接続して直流電源の
正負極間に接続し、これら半導体スイッチ素子をオン・
オフ動作させることで直流を交流に変換しているインバ
ータにおいて、第1コンデンサと第1ダイオードとの直
列回路を、前記各半導体スイッチ素子に別個に並列接続
し、第2コンデンサと第2ダイオードと第1リアクトル
との直列回路を、前記各第1ダイオードに別個に並列接
続し、他のリアクトルと他のダイオードとの並列回路を
第3コンデンサの両端に別個に接続して得られる直列回
路を、前記直流電源の正負極間に接続し、負極側半導体
スイッチ素子に属する前記第2コンデンサの一端を、第
3ダイオードを介して前記第3コンデンサの正極側端子
に接続し、正極側半導体スイッチ素子に属する前記第2
コンデンサの一端を、第4ダイオードを介して前記第3
コンデンサの負極側端子に接続するものとする。
In order to achieve the above-mentioned object, the energy recovery circuit of the present invention has an anti-parallel connection circuit of two sets of semiconductor switch elements and a feedback diode, which are connected in series to each other and connected between the positive and negative electrodes of a DC power supply, Turn on these semiconductor switch elements
In an inverter that converts direct current into alternating current by performing off operation, a series circuit of a first capacitor and a first diode is separately connected in parallel to each of the semiconductor switching elements, and a second capacitor, a second diode, and a second diode are connected. A series circuit with one reactor is separately connected in parallel to each of the first diodes, and a series circuit obtained by separately connecting a parallel circuit of another reactor and another diode to both ends of a third capacitor, It connects between the positive and negative poles of the DC power supply, and one end of the second capacitor belonging to the negative pole side semiconductor switch element is connected to the positive pole side terminal of the third capacitor via the third diode and belongs to the positive pole side semiconductor switch element. The second
One end of the capacitor is connected to the third diode via a fourth diode.
It shall be connected to the negative terminal of the capacitor.

〔作用〕[Action]

この発明は、スナバ回路のコンデンサに蓄積されたエ
ネルギーを、このスナバ回路が属している半導体スイッ
チ素子が閉路したときに、第2のコンデンサへ移送し、
引続き当該半導体スイッチ素子が開路すると、直流電源
の正負極間に接続されている第3のコンデンサへ、この
第2コンデンサに蓄えられていたエネルギーを移送し、
さらにこの第3コンデンサに移送されたエネルギーを前
記の直流電源へ回生することで、半導体スイッチ素子の
スイッチング動作に伴ってスナバ回路に蓄えられたエネ
ルギーを、無駄に消費することなく直流電源へ回生す
る。
This invention transfers the energy stored in the capacitor of the snubber circuit to the second capacitor when the semiconductor switch element to which the snubber circuit belongs is closed.
When the semiconductor switch element is subsequently opened, the energy stored in the second capacitor is transferred to the third capacitor connected between the positive and negative electrodes of the DC power supply,
Further, by regenerating the energy transferred to the third capacitor to the DC power source, the energy stored in the snubber circuit due to the switching operation of the semiconductor switch element is regenerated to the DC power source without wasting it. .

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の実施例をあらわす回路図であるが、
第4図の従来例回路の場合と同様に、インバータ部分は
1相分のみを示している。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
As in the case of the conventional circuit of FIG. 4, the inverter portion shows only one phase.

この第1図において、半導体スイッチ素子としてのGT
Oサイリスタ10と20とには、それぞれ帰還ダイオード11
と21とが逆並列接続されており、両GTOサイリスタ10と2
0とを直列接続したものを直流電源2の正負極間に接続
することで、インバータの1相分が形成されているの
は、第4図に図示の従来例回路の場合と同じである。さ
らに、第1コンデンサ12と第1ダイオード13との直列回
路をGTOサイリスタ10に並列接続し、また第1コンデン
サ22と第1ダイオード23との直列回路をGTOサイリスタ2
0に並列接続することで、これらGTOサイリスタ10と20が
スイッチング動作した場合の配線インダクタンスのエネ
ルギーを、これら第1コンデンサ12あるいは22に蓄積す
るようにしているのも、第4図に示す従来例回路の場合
と同じである。
In Fig. 1, GT as a semiconductor switch element
A feedback diode 11 is connected to each of the O thyristors 10 and 20.
And 21 are connected in anti-parallel, both GTO thyristors 10 and 2
It is the same as in the case of the conventional circuit shown in FIG. 4 that one phase of the inverter is formed by connecting a series connection of 0 and 0 between the positive and negative electrodes of the DC power supply 2. Furthermore, a series circuit of the first capacitor 12 and the first diode 13 is connected in parallel to the GTO thyristor 10, and a series circuit of the first capacitor 22 and the first diode 23 is connected to the GTO thyristor 2.
By connecting in parallel to 0, the energy of the wiring inductance when these GTO thyristors 10 and 20 perform a switching operation is stored in these first capacitors 12 or 22. The conventional example shown in FIG. It is the same as the case of the circuit.

本発明においては、第1リアクトル15と第2ダイオー
ド16と第2コンデンサ17との直列回路を第1ダイオード
13に並列接続するとともに、第1リアクトル25と第2ダ
イオード26と第2コンデンサ27との直列回路を第1ダイ
オード23に並列接続している。さらにリアクトル31とダ
イオード32との並列回路およびリアクトル34とダイオー
ド35との並列回路を、それぞれ第3コンデンサ33の両端
に接続して構成された回路を、直流電源2の正負極間に
接続し、この第3コンデンサの負極側端子と、正極側に
ある前述の第2コンデンサ17の一端とを、第4ダイオー
ド18と抵抗19との直列回路を介して接続するとともに、
第3コンデンサの正極側端子と、負極側にある第2コン
デンサ27の一端とを、第3ダイオード28と抵抗29との直
列回路を介して接続する。
In the present invention, the series circuit of the first reactor 15, the second diode 16, and the second capacitor 17 is the first diode.
In addition to being connected in parallel to 13, the series circuit of the first reactor 25, the second diode 26, and the second capacitor 27 is connected in parallel to the first diode 23. Further, a circuit configured by connecting a parallel circuit of the reactor 31 and the diode 32 and a parallel circuit of the reactor 34 and the diode 35 to both ends of the third capacitor 33 is connected between the positive and negative electrodes of the DC power supply 2, The negative electrode side terminal of this third capacitor and one end of the above-mentioned second capacitor 17 on the positive electrode side are connected via a series circuit of a fourth diode 18 and a resistor 19, and
The positive terminal of the third capacitor and one end of the second capacitor 27 on the negative side are connected via a series circuit of a third diode 28 and a resistor 29.

上述のように構成されている本発明の実施例回路の動
作は次のとおりである。すなわち、正極側のGTOサイリ
スタ10がオン状態に、また負極側のGTOサイリスタ20が
オフ状態にあると仮定すると、負極側の第1コンデンサ
22は図示の極性でEなる電源電圧に充電されている。こ
こでGTOサイリスタ10がオフとなり、引続いてGTOサイリ
スタ20がオンとなる転流現象により、第1コンデンサ22
の電荷は、第1コンデンサ22→第1リアクトル25→第2
ダイオード26→第2コンデンサ27→GTOサイリスタ20→
第1コンデンサ22の経路で構成される振動回路により、
第2コンデンサ27へ移行し、このとき流れる電流I22
より第2コンデンサ27を図示の極性で充電する。次いで
負極側のGTOサイリスタ20が再びオフ状態になったと
き、このGTOサイリスタ20のアノード側の電位は+Eな
る電位に近ずくので、第2コンデンサ27に蓄積された電
荷は、第3ダイオード28→抵抗29→第3コンデンサ33→
ダイオード35の経路で流れる電流I27により第3コンデ
ンサ33へ移動する。このようにして第3コンデンサ33へ
移された電荷は、最終的には第3コンデンサ33→リアク
トル31→直流電源2→リアクトル34→第3コンデンサ33
の経路により、直流電源2へ回収される。ここで抵抗29
は、第2コンデンサ27の電荷を第3コンデンサ33へ移動
する場合の回路の振動を防止するために挿入したもので
あって、本質的には不要のものである。また抵抗19も同
様の目的のために挿入したものである。なお正極側のGT
Oサイリスタ10の動作に伴って第1コンデンサ12へ蓄積
される電荷も、同様の動作で電源へ回収される。
The operation of the embodiment circuit of the present invention configured as described above is as follows. That is, assuming that the GTO thyristor 10 on the positive electrode side is in the ON state and the GTO thyristor 20 on the negative electrode side is in the OFF state, the first capacitor on the negative electrode side is
22 is charged to the power source voltage E with the polarity shown. At this point, the GTO thyristor 10 turns off, and then the GTO thyristor 20 turns on.
The charge of the first capacitor 22 → first reactor 25 → second
Diode 26 → Second capacitor 27 → GTO thyristor 20 →
By vibrating circuit composed of the path of the first capacitor 22,
The current is transferred to the second capacitor 27, and the current I 22 flowing at this time charges the second capacitor 27 with the polarity shown. Next, when the negative side GTO thyristor 20 is turned off again, the potential on the anode side of the GTO thyristor 20 approaches the potential of + E, so the charge accumulated in the second capacitor 27 becomes the third diode 28 → Resistor 29 → 3rd capacitor 33 →
The current I 27 flowing in the path of the diode 35 moves to the third capacitor 33. The electric charge transferred to the third capacitor 33 in this way is finally the third capacitor 33 → reactor 31 → DC power supply 2 → reactor 34 → third capacitor 33.
It is recovered to the DC power supply 2 by the route of. Resistance here 29
Is inserted in order to prevent vibration of the circuit when the charge of the second capacitor 27 is transferred to the third capacitor 33, and is essentially unnecessary. The resistor 19 is also inserted for the same purpose. The GT on the positive side
The charges accumulated in the first capacitor 12 due to the operation of the O thyristor 10 are also recovered to the power supply by the same operation.

第2図は第1図に示す実施例回路の各部の動作をあら
わしたタイムチャートであって、第2図(イ)は負極側
のGTOサイリスタ20のアノードとカソードとの間の電圧
の変化を、第2図(ロ)は負極側の第1コンデンサ22の
電圧V22の変化を実線で、また第2コンデンサ27の電圧V
27の変化を点線で、第2図(ハ)は負極側の第1コンデ
ンサ22から第2コンデンサ27へ流れる電流I22の変化を
実線で、また第2コンデンサ27から第3コンデンサ33へ
流れる電流I27の変化を点線で、それぞれがあらわして
いる。
FIG. 2 is a time chart showing the operation of each part of the embodiment circuit shown in FIG. 1, and FIG. 2 (a) shows the change in voltage between the anode and cathode of the GTO thyristor 20 on the negative electrode side. 2 (b) shows the change of the voltage V 22 of the first capacitor 22 on the negative side with a solid line, and the voltage V 22 of the second capacitor 27.
27 changes in a dotted line, the current second diagram (c) of flowing a change in current I 22 flowing from the first capacitor 22 on the negative electrode side to the second capacitor 27 in solid lines, and from the second capacitor 27 to the third capacitor 33 Each change in I 27 is indicated by a dotted line.

この第2図であきらかなように、T1なる時刻にGTOサ
イリスタ20がオンすることにより、第1コンデンサ22に
蓄積されていた電荷が第2コンデンサ27へ移行する状況
と、次いでT2なる時刻にこのGTOサイリスタ20がオフし
たときに第2コンデンサ27から第3コンデンサ33の方向
へ電荷が移動していることがわかる。
As is clear from FIG. 2, when the GTO thyristor 20 is turned on at the time T 1 , the charge accumulated in the first capacitor 22 is transferred to the second capacitor 27, and the time T 2 is next. It can be seen that, when the GTO thyristor 20 is turned off, the charge is moving from the second capacitor 27 to the third capacitor 33.

第3図は第1図に示す実施例回路を3相インバータに
適用した場合の回路図であって、第1相ユニット100、
第2相ユニット200および第3相ユニット300は、それぞ
れが第1図に図示のものと同じ回路構成であるが、直流
電源2ならびに、リアクトル31と34・ダイオード32と35
・第3コンデンサ33とで構成された回路のみは、3相に
共通して1組を設けることで十分である。
FIG. 3 is a circuit diagram when the embodiment circuit shown in FIG. 1 is applied to a three-phase inverter.
Each of the second phase unit 200 and the third phase unit 300 has the same circuit configuration as that shown in FIG. 1, except that the DC power supply 2 and the reactors 31 and 34 and the diodes 32 and 35 are provided.
-For the circuit composed of the third capacitor 33, it is sufficient to provide one set in common for the three phases.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明によれば、直流を交流に変換するインバータ
を構成している半導体スイッチ素子がオン・オフ動作を
するのに伴って、当該半導体スイッチ素子に付属してい
るスナバ回路の第1コンデンサに蓄積された電荷を、こ
の半導体スイッチ素子の動作に連動して第2コンデンサ
へ、更に第3コンデンサへと移動させたのち、最終的に
直流電源へこのエネルギーを回生させるように回路を構
成しているので、半導体スイッチ素子のスイッチング周
波数が高くなっても、これに伴って発生する損失は熱と
して放散されることなく、すべて電源へ回収されるの
で、エネルギーの無駄な消費がなく、従って装置の大形
化や、発生熱の処理に必要な消費を回避できるととも
に、装置の効率低下を抑制できる効果を発揮する。
According to the present invention, as the semiconductor switch element forming the inverter for converting direct current into alternating current is turned on / off, the charge is stored in the first capacitor of the snubber circuit attached to the semiconductor switch element. The circuit is configured so that the generated charge is moved to the second capacitor and further to the third capacitor in conjunction with the operation of the semiconductor switch element, and finally this energy is regenerated to the DC power supply. Therefore, even if the switching frequency of the semiconductor switching element becomes high, the loss generated therewith is not dissipated as heat and is entirely recovered by the power supply, so that no waste of energy is consumed, and therefore the size of the device is large. It is possible to avoid the consumption required for shaping and processing of the generated heat and to suppress the decrease in the efficiency of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の実施例をあらわす回路図、第2図は第
1図に示す実施例回路の各部の動作をあらわしたタイム
チャート、第3図は第1図に示す実施例回路を3相イン
バータに適用した場合の回路図である。第4図はインバ
ータの従来例を示す回路図である。 2……直流電源、3……平滑コンデンサ、10,20……半
導体スイッチ素子としてのGTOサイリスタ、11,21……帰
還ダイオード、12,22……第1コンデンサ、13,23……第
1ダイオード、14,19,24,29……抵抗、15,25……第1リ
アクトル、16,26……第2ダイオード、17,27……第2コ
ンデンサ、18……第4ダイオード、28……第3ダイオー
ド、31,34……リアクトル、32,35……ダイオード、33…
…第3コンデンサ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a time chart showing the operation of each part of the embodiment circuit shown in FIG. 1, and FIG. 3 shows the embodiment circuit shown in FIG. It is a circuit diagram at the time of applying to a phase inverter. FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example of an inverter. 2 ... DC power supply, 3 ... Smoothing capacitor, 10, 20 ... GTO thyristor as semiconductor switching element, 11, 21 ... Feedback diode, 12, 22 ... First capacitor, 13, 23 ... First diode , 14,19,24,29 ...... Resistance, 15,25 ...... First reactor, 16,26 ...... Second diode, 17,27 ...... Second capacitor, 18 ...... Fourth diode, 28 ...... 3 diodes, 31,34 …… reactors, 32, 35 …… diodes, 33…
… Third capacitor.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】2組の半導体スイッチ素子と帰還ダイオー
ドとの逆並列接続回路を、相互に直列接続して直流電源
の正負極間に接続し、これら半導体スイッチ素子をオン
・オフ動作させることで直流を交流に変換しているイン
バータにおいて、第1コンデンサと第1ダイオードとの
直列回路を、前記各半導体スイッチ素子に別個に並列接
続し、第2コンデンサと第2ダイオードと第1リアクト
ルとの直列回路を、前記各第1ダイオードに別個に並列
接続し、他のリアクトルと他のダイオードとの並列回路
を第3コンデンサの両端に別個に接続して得られる直列
回路を、前記直流電源の正負極間に接続し、負極側半導
体スイッチ素子に属する前記第2コンデンサの一端を、
第3ダイオードを介して前記第3コンデンサの正極側端
子に接続し、正極側半導体スイッチ素子に属する前記第
2コンデンサの一端を、第4ダイオードを介して前記第
3コンデンサの負極側端子に接続することを特徴とする
インバータのエネルギー回収回路。
1. An anti-parallel connection circuit of two sets of semiconductor switching elements and a feedback diode is connected in series to each other and connected between the positive and negative electrodes of a DC power source, and these semiconductor switching elements are turned on and off. In an inverter that converts direct current into alternating current, a series circuit of a first capacitor and a first diode is separately connected in parallel to each of the semiconductor switch elements, and a second capacitor, a second diode, and a first reactor are connected in series. A circuit is separately connected in parallel to each of the first diodes, and a series circuit obtained by separately connecting a parallel circuit of another reactor and another diode to both ends of the third capacitor is a positive and negative electrode of the DC power supply. One end of the second capacitor connected to the negative side semiconductor switch element,
It connects with the positive electrode side terminal of the said 3rd capacitor via a 3rd diode, and connects one end of the said 2nd capacitor which belongs to a positive electrode side semiconductor switch element to the negative electrode side terminal of the said 3rd capacitor via a 4th diode. An energy recovery circuit for an inverter, which is characterized in that
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