JPH05226552A - Lead frame for resin sealed semiconductor device - Google Patents

Lead frame for resin sealed semiconductor device

Info

Publication number
JPH05226552A
JPH05226552A JP3061392A JP3061392A JPH05226552A JP H05226552 A JPH05226552 A JP H05226552A JP 3061392 A JP3061392 A JP 3061392A JP 3061392 A JP3061392 A JP 3061392A JP H05226552 A JPH05226552 A JP H05226552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
semiconductor device
mold
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3061392A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Yamamoto
健司 山本
Yoshimori Tone
義守 戸根
Yukimitsu Ono
如満 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3061392A priority Critical patent/JPH05226552A/en
Publication of JPH05226552A publication Critical patent/JPH05226552A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To suppress the generation of dam burrs or thin burrs caused by resin on the outside of resin during molding. CONSTITUTION:A polyimide tape 7 with high thermal resistance and flexibility is formed on an inner lead 2 side of mold resin line 9 in a lead frame, and when it is pressed down by a molding die 6 during resin molding, a resin 1 is prevented from exuding, thereby simplifying the following processes.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
用リードフレームに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置を製造する
場合、リードレフームのダイパッドに半導体素子をダイ
ボンディングし、これらをモールド樹脂で樹脂封止して
いる。この封止樹脂、すなわち、モールド形成するに当
たり、樹脂のもれをなくすために、リードフレームのア
ウタリードの途中にダイバーを設けている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a resin-sealed semiconductor device is manufactured, a semiconductor element is die-bonded to a die pad of a lead frame, and these are resin-sealed with a molding resin. A diver is provided in the middle of the outer lead of the lead frame in order to eliminate leakage of the resin when forming the sealing resin, that is, the mold.

【0003】図4(a),(b)はこの種の従来の半導
体装置用リードフレームを示す上面図および断面図であ
る。図4において、1は樹脂封止されたモールド樹脂、
2はリードフレームのインナリード、3は同じくアウタ
リード、4はこのアウタリード3の途中に設けられたタ
イバー、5は前記タイバー4でせき止められたダムバ
リ、6は樹脂封止のためのモールド金型、8は前記モー
ルド金型6とリードフレームとの間にある若干の隙間か
ら樹脂がしみ出して形成された薄バリ、9はモールド樹
脂ライン(モールド樹脂1からリードが外部に露出する
境をいう)である。図4に示すように、アウタリード3
の途中にタイバー4を設け、モールド金型6でリードフ
レームを押え付けることにより、溶融された樹脂がモー
ルド金型6内に注入されたとき、タイバー4でせき止め
られ樹脂封止型半導体パッケージが形成される。このと
き、押え付けられているモールド金型6とリードフレー
ムの間にも若干の隙間があり、樹脂のしみ出しによりモ
ールド樹脂ライン9より外部のリード上面に薄バリ8や
ダムバリ5が形成される。
FIGS. 4A and 4B are a top view and a sectional view showing a conventional lead frame for a semiconductor device of this type. In FIG. 4, 1 is a resin-sealed mold resin,
Reference numeral 2 is an inner lead of the lead frame, 3 is also an outer lead, 4 is a tie bar provided in the middle of the outer lead 3, 5 is a dam burr dammed by the tie bar 4, 6 is a molding die for resin sealing, and 8 is a mold die. Is a thin burr formed by the resin exuding from a slight gap between the molding die 6 and the lead frame, and 9 is a molding resin line (meaning a boundary where the leads are exposed from the molding resin 1 to the outside). is there. As shown in FIG. 4, the outer lead 3
A tie bar 4 is provided in the middle of the process, and the lead frame is pressed down by the mold die 6, so that when the molten resin is injected into the mold die 6, the tie bar 4 dams it and forms a resin-sealed semiconductor package. To be done. At this time, there is a slight gap between the pressed mold 6 and the lead frame, and thin burrs 8 and dam burrs 5 are formed on the upper surface of the lead outside the mold resin line 9 due to resin bleeding. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のリ
ードフレームでは、タイバー4でせき止められたダムバ
リ5の除去(バリ抜き)やアウタリード3の表面にしみ
出した薄バリ8の除去(バリ取り)が必要で、最終的に
アウタリード3の途中にあるタイバー4の除去(タイバ
ーカット)が必要となる。このように、樹脂封止後、多
くの工程(処理)が必要となる問題点があった。
In the conventional lead frame as described above, the dam burr 5 dammed by the tie bar 4 is removed (deburring) and the thin burr 8 exuding on the surface of the outer lead 3 is removed (deburring). ) Is required, and finally the tie bar 4 in the middle of the outer lead 3 needs to be removed (tie bar cut). As described above, there is a problem that many steps (treatments) are required after the resin sealing.

【0005】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、樹脂モールド後の処理工程を簡
略化した半導体装置用リードフレームを得ることを目的
とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a lead frame for a semiconductor device in which the processing steps after resin molding are simplified.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
用リードフレームは、モールド樹脂ラインのインナリー
ド側またはアウタリード側またはモールド樹脂ライン上
にモールド樹脂のしみ出しを防止するための絶縁膜を設
けたものである。
In a lead frame for a semiconductor device according to the present invention, an insulating film for preventing exudation of mold resin is provided on the inner lead side or outer lead side of the mold resin line or on the mold resin line. It is a thing.

【0007】[0007]

【作用】本発明におけるリードフレームは、モールド樹
脂ラインのインナリード側またはアウタリード側または
モールド樹脂ライン上に、耐熱性があり、かつ柔軟性の
ある絶縁物を形成したことから、モールド金型を押え付
けた際に、溶融した樹脂が前記絶縁物によってせき止め
られ、薄バリやダムバリの発生を防止する。
In the lead frame of the present invention, the heat resistant and flexible insulator is formed on the inner lead side or the outer lead side of the mold resin line or on the mold resin line. When applied, the melted resin is dammed by the insulator, preventing thin burrs and dam burrs from occurring.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明について説明する。図1
(a),(b)は本発明の一実施例を示すリードフレー
ムの要部の上面図および断面図である。この実施例は、
モールド樹脂ライン9よりインナリード2側に、耐熱性
があり、かつ柔軟性に優れた絶縁膜、例えばポリイミド
テープ7を設けたもので、モールド樹脂1は前記ポリイ
ミドテープ7でせき止められる。
The present invention will be described below. Figure 1
(A), (b) is the top view and sectional drawing of the principal part of the lead frame which shows one Example of this invention. This example
An insulating film having heat resistance and excellent flexibility, for example, a polyimide tape 7 is provided on the inner lead 2 side of the molding resin line 9, and the molding resin 1 is dammed by the polyimide tape 7.

【0009】なお、上記実施例のポリイミドテープ7に
変えて、シリコン樹脂を設けた場合も同様の効果が得ら
れる。このとき、シリコン樹脂は、シリコン接着剤を固
化させて得られたものでよい。
The same effect can be obtained when a silicone resin is provided instead of the polyimide tape 7 of the above embodiment. At this time, the silicone resin may be obtained by solidifying a silicone adhesive.

【0010】図2(a),(b)は本発明の他の実施例
を示す図で、モールド樹脂ライン9上に図1と同様のポ
リイミドテープ7を具備したもので、モールド樹脂1
は、モールド境のポリイミドテープ7によりせき止めら
れる。
FIGS. 2A and 2B are views showing another embodiment of the present invention, in which the same polyimide tape 7 as that shown in FIG.
Are stopped by the polyimide tape 7 on the mold boundary.

【0011】なお、図2の実施例において、ポリイミド
テープ7をシリコン樹脂に変えた場合も同様の効果が得
られる。
In the embodiment shown in FIG. 2, the same effect can be obtained when the polyimide tape 7 is replaced with a silicone resin.

【0012】図3(a),(b)は本発明のさらに他の
実施例を示す図で、モールド樹脂ライン9よりアウタリ
ード3側に図1,図2の実施例と同様のポリイミドテー
プ7を設けたもので、モールド樹脂1はモールド樹脂1
の外部のポリイミドテープ7でせき止められる。このと
き、このポリイミドテープ7は絶縁体であるため除去す
る必要はない。なお、図3の実施例において、ポリイミ
ドテープ7をシリコン樹脂に変えた場合も同様の効果が
得られる。
FIGS. 3 (a) and 3 (b) are views showing still another embodiment of the present invention. A polyimide tape 7 similar to the embodiment of FIGS. 1 and 2 is provided on the outer lead 3 side from the mold resin line 9. Provided, the mold resin 1 is the mold resin 1
It is stopped by the polyimide tape 7 on the outside. At this time, since this polyimide tape 7 is an insulator, it need not be removed. In the embodiment of FIG. 3, the same effect can be obtained when the polyimide tape 7 is replaced with a silicone resin.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードフレームのモールド樹脂ラインのインナリード側
またはアウタリード側またはモールド樹脂ライン上に耐
熱性で、かつ柔軟性に優れた絶縁膜を設けたことによ
り、タイバーを形成することなくモールド樹脂のしみ出
しを防止できる。したがって、従来例のように、ダムバ
リや薄バリの発生をなくすことができ、それらの除去工
程(処理)を省略できるという効果がある。
As described above, according to the present invention,
Prevents exudation of mold resin without forming a tie bar by providing a heat-resistant and highly flexible insulating film on the inner lead side or outer lead side of the mold resin line of the lead frame or on the mold resin line it can. Therefore, it is possible to eliminate the generation of dam burrs and thin burrs as in the conventional example, and it is possible to omit the removal process (treatment) thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による一実施例の半導体装置用リードフ
レームの要部を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a main part of a lead frame for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明による他の実施例の半導体装置用リード
フレームの要部を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a main part of a lead frame for a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【図3】本発明によるさらに他の実施例の半導体装置用
リードフレームの要部を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a main part of a lead frame for a semiconductor device according to still another embodiment of the present invention.

【図4】従来の半導体装置用リードフレームの要部を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a main part of a conventional lead frame for a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 モールド樹脂 2 インナリード 3 アウタリード 6 モールド金型 7 ポリイミドテープ 8 薄バリ 9 モールド樹脂ライン 1 Mold Resin 2 Inner Lead 3 Outer Lead 6 Mold Die 7 Polyimide Tape 8 Thin Burr 9 Mold Resin Line

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
において、モールド樹脂からリードが外部に露出する境
のモールド樹脂ラインよりインナリード側またはアウタ
リード側または前記モールド樹脂ライン上に絶縁膜を設
けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフ
レーム。
1. In a resin-encapsulated semiconductor device lead frame, an insulating film is provided on the inner lead side, the outer lead side, or the mold resin line of the mold resin line at the boundary where the leads are exposed to the outside from the mold resin. A lead frame for a resin-sealed semiconductor device, which is characterized by:
JP3061392A 1992-02-18 1992-02-18 Lead frame for resin sealed semiconductor device Pending JPH05226552A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3061392A JPH05226552A (en) 1992-02-18 1992-02-18 Lead frame for resin sealed semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3061392A JPH05226552A (en) 1992-02-18 1992-02-18 Lead frame for resin sealed semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05226552A true JPH05226552A (en) 1993-09-03

Family

ID=12308726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3061392A Pending JPH05226552A (en) 1992-02-18 1992-02-18 Lead frame for resin sealed semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05226552A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0657922A1 (en) * 1993-12-10 1995-06-14 Hitachi, Ltd. A packaged semiconductor device and method of its manufacture

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0657922A1 (en) * 1993-12-10 1995-06-14 Hitachi, Ltd. A packaged semiconductor device and method of its manufacture
US5885852A (en) * 1993-12-10 1999-03-23 Hitachi, Ltd. Packaged semiconductor device having a flange at its side surface and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05226552A (en) Lead frame for resin sealed semiconductor device
JPH0745765A (en) Resin sealing method for semiconductor device
JP2532490B2 (en) Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device
JPH05144865A (en) Manufacturing method and device of semiconductor device
JP3185354B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device and resin sealing device for semiconductor device
JPH07308943A (en) Molding device
JP3550006B2 (en) Lead frame and semiconductor device using the same
KR100233002B1 (en) Molder for semiconductor package
JPS6232622A (en) Resin-sealed metal mold for semiconductor device
JP2587542B2 (en) Mold for semiconductor device sealing
JP3564743B2 (en) Mold for sealing semiconductor elements
JP2570157B2 (en) Mold for resin sealing
JPH01191459A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2862033B2 (en) Mold for resin sealing of semiconductor devices
JP2517927B2 (en) Resin encapsulation equipment for semiconductor devices
JPH0256958A (en) Manufacture of resin seal type semiconductor device
JPS63314841A (en) Metal mold for resin seal of semiconductor device
JPH06188279A (en) Molding apparatus
JPH05152487A (en) Lead frame and its manufacturing method and semiconductor device
JPH0397236A (en) Manufacture of resin seal type semiconductor device
JPH03152964A (en) Resin sealed type semiconductor device lead frame
JPH06216293A (en) Leadframe, and manufacture of lsi package using the same
JPH0778922A (en) Resin-sealed semiconductor device
JPH06314716A (en) Resin sealing mold
JPH04186740A (en) Semiconductor sealing mold