JPH05226061A

JPH05226061A - 保安機構付放電型サージ吸収素子

Info

Publication number: JPH05226061A
Application number: JP5896192A
Authority: JP
Inventors: Yoshito Kasai; 良人河西
Original assignee: Okaya Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1992-02-12
Filing date: 1992-02-12
Publication date: 1993-09-03
Anticipated expiration: 2012-03-26
Also published as: JP2594862B2

Abstract

(57)【要約】【目的】外形をコンパクトに納めると共に、過電流の
連続した通電を確実に遮断して、素子の溶融や該素子を
組み込んだ回路基板の焼損等を防止する。【構成】絶縁基板４と、絶縁基板４の表面６を気密に
覆い、放電ガスが充填される放電空間42を形成する蓋部
材８と、絶縁基板４の表面６に微小放電間隙10を隔てて
対向するよう被着形成される第１及び第２のトリガ放電
電極膜12，13と、主放電間隙14を隔てて対向するよう被
着形成され、第１及び第２のトリガ放電電極膜12，13と
それぞれ電気的に接続される第１及び第２の主放電電極
膜16，18とを有してなり、第１の主放電電極膜16に第１
の発熱抵抗膜20を接続すると共に、第１の発熱抵抗膜20
の抵抗値が、連続した過電流の通電による自己発熱を契
機として、絶縁基板４を砕裂するに十分な発熱量が得ら
れる値まで上昇するように、第１の発熱抵抗膜20の抵抗
温度係数を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電話回線等に印加さ
れる誘導雷等のサージを吸収することにより、電子機器
が損傷することを防止する放電型サージ吸収素子に係
り、特に、素子を偏平化すると共に、連続した過電流の
通電を確実に遮断することのできる保安機構付放電型サ
ージ吸収素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、誘導雷等のサージから電子機器の
電子回路を保護するためのサージ吸収素子として、電圧
非直線特性を有する高抵抗体素子よりなるバリスタや、
放電間隙を気密容器内に収容したアレスタ等が広く使用
されている。

【０００３】上記バリスタは、サージ吸収の応答性に優
れるものの、単位面積当たりの電流耐量が比較的小さ
く、したがって大きなサージ電流を効率よく吸収するこ
とが困難である。また、上記アレスタはその放電間隙に
アーク放電を生成することにより、電流耐量を大きくす
ることができるのであるが、サージの印加からアーク放
電までに要する時間が長く、その応答性に問題がある。

【０００４】そこで、図４及び図５に示すように、略円
柱状の絶縁体ａの表面に導電性薄膜ｂを被着させたうえ
で、この導電性薄膜ｂに幅が０．１mm程度の微小放電間
隙ｃを周回状に形成して導電性薄膜ｂを分割すると共
に、絶縁体ａの両端に主放電間隙ｄを隔てて放電電極
ｅ，ｅを嵌着して上記導電性薄膜ｂ，ｂと放電電極ｅ，
ｅとを接続し、これを放電ガスと共に気密容器ｆ内に封
入して外部端子ｇ，ｇを導出したサージ吸収素子ｈが提
案されている。

【０００５】上記サージ吸収素子ｈに、このサージ吸収
素子ｈの定格電圧以上のサージが印加された場合、まず
微小放電間隙ｃを隔てた導電性薄膜ｂ，ｂ間に電位差が
生じ、これにより微小放電間隙ｃに電子が放出されて沿
面放電が発生する。次いで、この沿面放電に伴って生ず
る電子のプライミング効果によってグロー放電へと移行
する。そして、このグロー放電がサージ電流の増加によ
って主放電間隙ｄへと転移し、主放電としてのアーク放
電に移行してサージを吸収する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、上記サー
ジ吸収素子ｈは、微小放電間隙ｃに生ずる元来応答速度
の速い沿面放電をトリガ放電として利用するものである
ため、上記アレスタに比べて高い応答性を実現できると
共に、主放電間隙ｄに生ずる主放電たるアーク放電によ
ってサージを吸収するものであるため、上記バリスタに
比べて大きな電流耐量を実現できる。

【０００７】しかしながら、上記従来のサージ吸収素子
ｈにあっては、図４に示すように、気密容器ｆが嵩張る
略円筒形状をなしているため、各種電子機器内部に実装
する際に相当のスペースを確保する必要があり、近年に
おける電子機器の小型化の要請に反するものであった。

【０００８】また、電力線との接触事故や、このような
事態を想定したＵＬやＣＳＡ等の安全規格による過電圧
試験によって、上記サージ吸収素子ｈの定格電圧以上の
過電圧が連続して印加された場合には、主放電間隙ｄに
生ずる主放電による過電流の通電が持続状態となる。そ
して、この過電流の連続した通電に伴う発熱によって気
密容器ｆが溶融し、サージ吸収素子ｈが組み込まれた回
路基板を焼損させることとなり、その結果、上記過電圧
試験の合格基準を充足し得ないのは勿論のこと、実際の
使用状況下においては火災の原因となるおそれもあっ
た。

【０００９】本発明は、上記従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、外形がコンパクトに納まると共に、過
電流の連続した通電を遮断することで焼損事故を未然に
防止し、各種安全規格に適合する保安機構付放電型サー
ジ吸収素子を実現することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る保安機構付放電型サージ吸収素子は、
絶縁基板と、該絶縁基板の表面を気密に覆い、該表面と
の間に放電ガスが充填される放電空間を形成する蓋部材
と、上記絶縁基板の表面に微小放電間隙を隔てて対向す
るよう被着形成される第１及び第２のトリガ放電電極膜
と、上記絶縁基板の表面に主放電間隙を隔てて対向する
よう被着形成され、上記第１及び第２のトリガ放電電極
膜とそれぞれ電気的に接続される第１及び第２の主放電
電極膜とを有してなり、該第１及び第２の主放電電極膜
の少なくとも一方に、上記絶縁基板の表面に被着形成さ
れた発熱抵抗膜を接続すると共に、該発熱抵抗膜の抵抗
値が、連続した過電流の通電による自己発熱を契機とし
て、上記絶縁基板を砕裂するに十分な発熱量が得られる
値まで上昇するように、該発熱抵抗膜の抵抗温度係数を
設定するよう構成した。

【００１１】また、絶縁基板と、該絶縁基板の表面を気
密に覆い、該表面との間に放電ガスが充填される放電空
間を形成する蓋部材と、上記絶縁基板の表面に微小放電
間隙を隔てて対向するよう被着形成される第１及び第２
のトリガ放電電極膜と、上記絶縁基板の表面に主放電間
隙を隔てて対向するよう被着形成され、上記第１及び第
２のトリガ放電電極膜とそれぞれ電気的に接続される第
１及び第２の主放電電極膜とを有してなり、少なくとも
第１のトリガ放電電極膜と第１の主放電電極膜とを、上
記絶縁基板の表面に被着形成された発熱抵抗膜を介して
電気的に接続すると共に、該発熱抵抗膜の抵抗値が、連
続した過電流の通電による自己発熱を契機として、上記
絶縁基板を砕裂するに十分な発熱量が得られる値まで上
昇するように、該発熱抵抗膜の抵抗温度係数を設定する
よう構成した。

【００１２】上記発熱抵抗膜の抵抗温度係数は、その初
期抵抗値（連続した過電流の通電によって発熱抵抗膜が
発熱する前の、平常時における抵抗値）、予想される過
電流の電流値、或いは絶縁基板の割れ易さ等を基に、実
験を通じて具体的に決定される。例えば、発熱抵抗膜の
初期抵抗値を比較的に高く設定してもよい場合には、そ
の抵抗温度係数をそれほど高く設定しなくとも、当初か
ら十分な発熱量が得られるため、絶縁基板を砕裂し得
る。ところが、この種のサージ吸収素子は、後述のよう
に、保護すべき電子回路に対して並列に接続されるた
め、初期抵抗値が高いとサージ印加時の残留電圧が大き
くなり、その分大きな電圧が電子回路側に印加されるこ
ととなる。したがって、その初期抵抗値はできるだけ小
さくすべきとの要請がある。

【００１３】そこで、例えば、発熱抵抗膜の初期抵抗値
を０．１Ω乃至５Ωという低い範囲に設定すると共に、
その抵抗温度係数を２５００ｐｐｍ／゜Ｃ乃至４０００
ｐｐｍ／゜Ｃという非常に高い範囲に設定することによ
り、通常の瞬間的なサージの印加に対しては低い抵抗値
を維持できると共に、過電流が連続的に流れた場合に
は、その抵抗値が急激に上昇して絶縁基板を砕裂するこ
とができる。なお、一般的な抵抗体の抵抗温度係数は２
００ｐｐｍ／゜Ｃ程度と低いため、発熱してもその抵抗
値はほとんど変化しない。したがって、これによって上
記発熱抵抗膜を形成した場合には、初期抵抗値を５Ω乃
至１００Ωという高い範囲で設定する必要がある。

【００１４】なお、上記「連続した過電流」における
「連続した」という表現は、「一定時間継続した」を意
味するものであり、「連続した過電流」には、直流電流
のみならず、時間の経過と共に電流値が変化する交流電
流も当然に含まれるものである。以下においても同様で
ある。

【００１５】

【作用】絶縁基板の表面に、トリガ放電電極膜と、主放
電電極膜及び発熱抵抗膜とを被着形成するよう構成した
ので、保安機構付放電型サージ吸収素子の形状は全体的
に偏平化し、小型化することが容易となる。

【００１６】上記保安機構付放電型サージ吸収素子は、
電子機器の電子回路に通じる通信ライン等を構成する線
路間に、該電子回路に対して並列に接続される。そし
て、上記線路に、保安機構付放電型サージ吸収素子の定
格電圧（保安機構付放電型サージ吸収素子の動作電圧の
ことであり、具体的には、微小放電間隙の直流放電開始
電圧）以上のサージが瞬間的に印加されると、まず微小
放電間隙を隔てトリガ放電電極膜間に電位差が生じ、こ
れにより微小放電間隙に電子が放出されて沿面放電が発
生する。ついで、この沿面放電は、放電にともなって生
ずる電子のプライミング効果によってグロー放電へと移
行する。そして、このグロー放電がサージ電流の増加に
よって主放電間隙へと転移し、さらにアーク放電に移行
してサージを吸収するものである。

【００１７】また、電力線との接触事故や、このような
事態を想定した過電圧試験によって、上記保安機構付放
電型サージ吸収素子の定格電圧以上の過電圧が連続して
印加された場合には、上記微小放電間隙及び主放電間隙
で放電が持続し、この放電を通じて連続した過電流が流
れることとなる。この連続した過電流の通電によって上
記発熱抵抗膜が発熱し、この自己発熱を契機としてその
抵抗値が急激に上昇し、その発熱量も相乗的に増加する
ため、最終的に上記絶縁基板は熱歪みによって砕裂す
る。この結果、放電空間内の放電ガスに空気が流入し、
放電が消失して過電流の通電が遮断されるので、上記保
安機構付放電型サージ吸収素子の溶融やこれを組み込ん
だ回路基板の焼損等を防止することができる。

【００１８】なお、上記絶縁基板における相対向する両
側端縁に脚部を突設することにより、素子を回路基板等
に実装した際に、上記脚部によって上記絶縁基板の中心
部分が浮いた状態で支持される。そのため、絶縁基板の
砕裂が極めて容易となるのみならず、砕裂した部分が下
方に陥没して通電路が完全に遮断されるため、確実に過
電流の通電を遮断することができる。

【００１９】

【実施例】以下に本発明を、図示の実施例に基づいて説
明する。図１及び図１のＡ−Ａ断面図である図２に示す
ように、本実施例に係る第１の保安機構付放電型サージ
吸収素子２は、厚さ０．４〜１．０mmのアルミナ等のセ
ラミックからなる絶縁基板４と、該絶縁基板４の表面６
を覆う蓋部材８と、上記表面６に幅１０〜１００μｍの
微小放電間隙10を隔てて被着形成される第１のトリガ放
電電極膜12及び第２のトリガ放電電極膜13と、同表面６
に幅０．２〜１０mmの主放電間隙14を隔てて被着形成さ
れる第１の主放電電極膜16及び第２の主放電電極膜18と
を有してなる。上記第１及び第２のトリガ放電電極膜1
2，13と第１及び第２の主放電電極膜16，18とは、上記
微小放電間隙10と主放電間隙14とが並列接続されるよう
に、それぞれ電気的に接続されている。また、上記第１
の主放電電極膜16には、第１の発熱抵抗膜20が接続され
る。さらに、上記絶縁基板４の裏面24における左側端縁
及び右側端縁には、裏面24に対して略垂直方向に突出
し、上記第１及び第２のトリガ放電電極膜12，13の通電
方向と略直交する方向に延びる脚部26，26が、上記絶縁
基板４と一体的に形成される。上記絶縁基板４の表面６
から脚部26，26の側面28，28にかけては、第１の外部端
子薄膜30及び第２の外部端子薄膜32が被着形成されてお
り、第１の外部端子薄膜30は上記第１の発熱抵抗膜20
に、また、第２外部端子薄膜32は上記第２の主放電電極
膜18にそれぞれ接続される。

【００２０】上記第１及び第２の主放電電極膜16，18
は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），六硼化
ランタン（ＬａＢ₆），二ケイ化モリブデン（ＭｏＳ
ｉ₂），二酸化チタン（ＴｉＯ₂）等の耐スパッタ性を
有する導電物質や、４２−６合金，４２合金等の金属薄
板によって形成される。また、上記第１及び第２の外部
端子薄膜30，32は、ともに銀・パラジウム（Ａｇ・Ｐ
ｄ）やニッケル（Ｎｉ）系ペースト等の電気的良導体に
よって形成される。

【００２１】上記第１の発熱抵抗膜20は、ルテニウム
（Ｒｕ）系ペースト等によって形成され、その膜厚は１
０〜２５μｍ程度に設定される。この第１の発熱抵抗膜
20の抵抗温度係数及び初期抵抗値は、上記ルテニウム
（Ｒｕ）系ペーストに所定の貴金属材料を所定量混入す
ることによって適宜設定することが可能であり、ここで
は抵抗温度係数が２５００ｐｐｍ／゜Ｃ〜４０００ｐｐ
ｍ／゜Ｃの範囲に、また初期抵抗値が０．１Ω〜５Ωの
範囲に設定されている。

【００２２】上記第１及び第２のトリガ放電電極膜12，
13は、ルテニウム（Ｒｕ）系ペースト等によって形成さ
れ、その先端部には、タングステン（Ｗ），モリブデン
（Ｍｏ），六硼化ランタン（ＬａＢ₆），二ケイ化モリ
ブデン（ＭｏＳｉ₂），二酸化チタン（ＴｉＯ₂）等よ
りなる耐スパッタ性を有する導電性保護膜34，34が形成
されており、第１及び第２のトリガ放電電極膜12，13の
スパッタによる微小放電間隙10の絶縁劣化を防止し、寿
命特性の向上を図っている。さらに、第１及び第２のト
リガ放電電極膜12，13の表面には、露出部における沿面
放電を防止するために、非結晶化ガラス等からなる絶縁
膜36，36が被覆されている。

【００２３】上記蓋部材８は、ガラスやセラミック等の
絶縁物質からなり、該蓋部材８の各側面38は３〜１０mm
程度の高さを有している。該側面38と絶縁基板４の表面
６とを低融点ガラス等からなる封着材40によって固着す
ることにより、絶縁基板４の表面６と蓋部材８との間
に、上記側面38の高さに相応した高さを有する、気密の
放電空間42が形成される。該放電空間42内には、ヘリウ
ム（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ），アルゴン（Ａｒ），キセ
ノン（Ｘｅ）等の希ガスの単体もしくは混合物を主体と
する放電ガスが封入される。なお、上記のように側面38
を有する蓋部材８を用いる代わりに、平板状の蓋部材を
用い、絶縁基板４との間にスペーサー等を配して放電空
間を形成するよう構成してもよい。

【００２４】上記構成を有する第１の保安機構付放電型
サージ吸収素子２を電子機器のプリント回路基板等に実
装した状態で、上記第１及び第２の外部端子薄膜30，32
を介して外部からサージを瞬間的に印加すると、まず微
小放電間隙10を隔てた第１及び第２のトリガ放電電極膜
12，13間に電位差が生じ、これにより微小放電間隙10に
電子が放出されて沿面放電が発生する。ついで、この沿
面放電は、放電にともなって生ずる電子のプライミング
効果によってグロー放電へと移行する。そして、このグ
ロー放電がサージ電流の増加によって主放電間隙14へと
転移し、さらにアーク放電に移行してサージを吸収す
る。

【００２５】電力線との接触事故や、このような事態を
想定した過電圧試験によって、第１の保安機構付放電型
サージ吸収素子２の定格電圧以上の過電圧が連続して印
加された場合には、上記微小放電間隙10及び主放電間隙
14で放電が持続し、該放電を通じて連続した過電流が上
記第１の発熱抵抗膜20に流れることとなる。この連続し
た過電流の通電によって第１の発熱抵抗膜20が発熱し、
該自己発熱を契機としてその抵抗値が急激に上昇する。
このため、その発熱量も相乗的に増加し、最終的に上記
絶縁基板４は熱歪みを起こし、上記脚部26，26と平行す
る方向に砕裂する。この結果、放電空間42内の放電ガス
に空気が流入し、放電が消失して過電流の通電が遮断さ
れる。

【００２６】上記のように、第１の発熱抵抗膜20の初期
抵抗値を０．１Ω乃至５Ωと比較的低く設定したため、
瞬間的なサージ印加による残留電圧を低く抑えることが
できる。また、その抵抗温度係数を２５００ｐｐｍ／゜
Ｃ乃至４０００ｐｐｍ／゜Ｃと高く設定したため、初期
抵抗値を上記のように低く設定しても、過電圧が連続し
て印加された場合には、確実に絶縁基板を砕裂し得る。

【００２７】絶縁基板４の裏面24には脚部26，26が形成
されているため、回路基板等に実装した場合に、絶縁基
板４の裏面24が回路基板の表面に密着することなく、上
記脚部26，26によって絶縁基板４の中央付近が回路基板
から浮いた状態で支持されるため、絶縁基板４の砕裂が
容易となる。また、砕裂した部分が下方に陥没するの
で、通電路が寸断され、過電流の通電をより確実に遮断
できる。

【００２８】なお、上記実施例においては、第１の主放
電電極膜16にのみ第１の発熱抵抗膜20を接続したが、こ
れに限られるものではなく、第１及び第２の主放電電極
膜16，18のそれぞれに発熱抵抗膜を接続するよう構成し
ても良い。

【００２９】図３は、本発明に係る他の実施例である、
第２の保安機構付放電型サージ吸収素子62を示すもので
ある。この第２の保安機構付放電型サージ吸収素子62
は、絶縁基板４と、該絶縁基板４の表面６を覆う蓋部材
８と、上記表面６に微小放電間隙10を隔てて被着形成さ
れる第３のトリガ放電電極膜64及び第４のトリガ放電電
極膜66と、同表面６に主放電間隙14を隔てて被着形成さ
れる第３の主放電電極膜68及び第４の主放電電極膜70
と、同表面６に被着形成される第２の発熱抵抗膜72及び
第３の発熱抵抗膜74とを有してなる。上記第３及び第４
のトリガ放電電極膜64，66と、第３及び第４の主放電電
極膜68，70とは、上記第２及び第３の発熱抵抗膜72，74
を介してそれぞれ電気的に接続されている。また、上記
第３及び第４のトリガ放電電極膜64，66の先端部には導
電性保護膜34，34が、さらにその表面には絶縁膜36，36
が形成されている。上記絶縁基板４の裏面24における左
側端縁及び右側端縁には、脚部26，26が上記絶縁基板４
と一体的に形成される。そして、上記絶縁基板４の表面
６から脚部26，26の側面28，28にかけては、第３の外部
端子薄膜76及び第４の外部端子薄膜78が被着形成されて
おり、該第３及び第４の外部端子薄膜76，78は、上記第
３及び第４の主放電電極膜68，70にそれぞれ接続され
る。

【００３０】しかして、上記第２の保安機構付放電型サ
ージ吸収素子62に定格電圧以上の過電圧が連続して印加
された場合には、上記微小放電間隙10及び主放電間隙14
で放電が持続し、該放電を通じて連続した過電流が上記
第２及び第３の発熱抵抗膜72，74に流れることとなる。
この連続した過電流の通電によって第２及び第３の発熱
抵抗膜72，74が発熱し、該自己発熱を契機としてその抵
抗値が急激に上昇する。このため、その発熱量も相乗的
に増加し、最終的に上記絶縁基板４は熱歪みを起こし、
上記脚部26，26と平行する方向に２箇所で砕裂する。

【００３１】なお、上記においては、発熱抵抗膜として
第２及び第３の発熱抵抗膜72，74を用いるよう構成した
が、これに限られるものではなく、例えば、第３の主放
電電極膜68と第３のトリガ放電電極膜64とを第２の発熱
抵抗膜72を介して電気的に接続すると共に、第４の主放
電電極膜70と第４のトリガ放電電極膜66とを、第３の発
熱抵抗膜74を用いることなく、直接に接続するよう構成
してもよい。絶縁基板４が、少なくとも１箇所で砕裂す
れば、過電流の通電を遮断できるからである。

【００３２】

【発明の効果】上記のように、本発明に係る保安機構付
放電型サージ吸収素子は、絶縁基板と、該絶縁基板を覆
う蓋部材と、上記絶縁基板の表面に被着形成されるトリ
ガ放電電極膜、主放電電極膜及び発熱抵抗膜とからなる
よう構成したので、その外形を偏平化することができ
る。その結果、部品収容スペースの少ない小型の機器内
に収容することが可能になる等、保安機構付放電型サー
ジ吸収素子の使用用途を拡大し、その利用価値を高める
ことができる。

【００３３】また、発熱抵抗膜の抵抗値が、連続した過
電流の通電による自己発熱を契機として、絶縁基板を砕
裂するに十分な発熱量を得られる値まで上昇するよう
に、発熱抵抗膜の抵抗温度係数を設定したため、電力線
との接触事故や各種過電圧試験によって保安機構付放電
型サージ吸収素子の定格電圧以上の過電圧が連続して印
加された場合に、該過電圧による過電流によって上記発
熱抵抗膜が発熱し、上記絶縁基板が砕裂する。その結
果、放電空間内の放電ガスに空気が流入し、これにより
放電が消失して過電流の通電が確実に遮断されるので、
保安機構付放電型サージ吸収素子の溶融やこれを組み込
んだ回路基板の焼損等を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の保安機構付放電型サージ吸
収素子の実施例を示す分解斜視図である。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】本発明に係る第２の保安機構付放電型サージ吸
収素子の実施例を示す分解斜視図である。

【図４】従来のサージ吸収素子の概略斜視図である。

【図５】従来のサージ吸収素子の概略断面図である。

【符号の説明】２第１の保安機構付放電型サージ吸収素子４絶縁基板６絶縁基板の表面８蓋部材 10 微小放電間隙 12 第１のトリガ放電電極膜 13 第２のトリガ放電電極膜 14 主放電間隙 16 第１の主放電電極膜 18 第２の主放電電極膜 20 第１の発熱抵抗膜 24 絶縁基板の裏面 26 脚部 42 放電空間 62 第２の保安機構付放電型サージ吸収素子 64 第３のトリガ放電電極膜 66 第４のトリガ放電電極膜 68 第３の主放電電極膜 70 第４の主放電電極膜 72 第２の発熱抵抗膜 74 第３の発熱抵抗膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板と、該絶縁基板の表面を気密に
覆い、該表面との間に放電ガスが充填される放電空間を
形成する蓋部材と、上記絶縁基板の表面に微小放電間隙
を隔てて対向するよう被着形成される第１及び第２のト
リガ放電電極膜と、上記絶縁基板の表面に主放電間隙を
隔てて対向するよう被着形成され、上記第１及び第２の
トリガ放電電極膜とそれぞれ電気的に接続される第１及
び第２の主放電電極膜とを有してなり、該第１及び第２
の主放電電極膜の少なくとも一方に、上記絶縁基板の表
面に被着形成された発熱抵抗膜を接続すると共に、該発
熱抵抗膜の抵抗値が、連続した過電流の通電による自己
発熱を契機として、上記絶縁基板を砕裂するに十分な発
熱量が得られる値まで上昇するように、該発熱抵抗膜の
抵抗温度係数を設定したことを特徴とする保安機構付放
電型サージ吸収素子。
【請求項２】絶縁基板と、該絶縁基板の表面を気密に
覆い、該表面との間に放電ガスが充填される放電空間を
形成する蓋部材と、上記絶縁基板の表面に微小放電間隙
を隔てて対向するよう被着形成される第１及び第２のト
リガ放電電極膜と、上記絶縁基板の表面に主放電間隙を
隔てて対向するよう被着形成され、上記第１及び第２の
トリガ放電電極膜とそれぞれ電気的に接続される第１及
び第２の主放電電極膜とを有してなり、少なくとも上記
第１のトリガ放電電極膜と第１の主放電電極膜とを、上
記絶縁基板の表面に被着形成された発熱抵抗膜を介して
電気的に接続すると共に、該発熱抵抗膜の抵抗値が、連
続した過電流の通電による自己発熱を契機として、上記
絶縁基板を砕裂するに十分な発熱量が得られる値まで上
昇するように、該発熱抵抗膜の抵抗温度係数を設定した
ことを特徴とする保安機構付放電型サージ吸収素子。
【請求項３】上記発熱抵抗膜の抵抗温度係数を２５０
０ｐｐｍ／゜Ｃ乃至４０００ｐｐｍ／゜Ｃの範囲に設定
したことを特徴とする、請求項１または２に記載の保安
機構付放電型サージ吸収素子。
【請求項４】上記発熱抵抗膜の初期抵抗値を０．１Ω
乃至５Ωの範囲に設定したことを特徴とする、請求項１
乃至３の何れかに記載の保安機構付放電型サージ吸収素
子。
【請求項５】上記絶縁基板における相対向する両側端
縁に脚部を突設したことを特徴とする、請求項１乃至４
の何れかに記載の保安機構付放電型サージ吸収素子。