JPH05225073A - データ処理装置及び物理量測定装置 - Google Patents
データ処理装置及び物理量測定装置Info
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- JPH05225073A JPH05225073A JP4141374A JP14137492A JPH05225073A JP H05225073 A JPH05225073 A JP H05225073A JP 4141374 A JP4141374 A JP 4141374A JP 14137492 A JP14137492 A JP 14137492A JP H05225073 A JPH05225073 A JP H05225073A
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＥＥＰＲＯＭのデータの化けや喪失に対して
安定性を向上させると共に速やかな起動が可能になるよ
うに改良したデータ処理装置及び物理量測定装置を提供
するにある。 【構成】 ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは設
定情報に従って動作するデータ処理装置、或いはこれ等
の情報を用いてセンサから出力される物理量の計測値に
対して演算処理をして電気信号を出力する物理量測定装
置において、先のＥＥＰＲＯＭに格納される各情報を２
つのデータブロックに分けて２重に記録し、各データブ
ロックに記録されたデータに対して所定時間おきにそれ
ぞれサムチエックをとり、このサムチエックの値からデ
ータ異常を検出しこの異常からの回復を行い、また各デ
ータブロックに記録されたデータの変更状態を示すＥＥ
ＰＲＯＭに設けられたフラグ領域のフラグから先のデー
タの変更状態を確認するデータ処理装置及び物理量測定
装置である。
安定性を向上させると共に速やかな起動が可能になるよ
うに改良したデータ処理装置及び物理量測定装置を提供
するにある。 【構成】 ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは設
定情報に従って動作するデータ処理装置、或いはこれ等
の情報を用いてセンサから出力される物理量の計測値に
対して演算処理をして電気信号を出力する物理量測定装
置において、先のＥＥＰＲＯＭに格納される各情報を２
つのデータブロックに分けて２重に記録し、各データブ
ロックに記録されたデータに対して所定時間おきにそれ
ぞれサムチエックをとり、このサムチエックの値からデ
ータ異常を検出しこの異常からの回復を行い、また各デ
ータブロックに記録されたデータの変更状態を示すＥＥ
ＰＲＯＭに設けられたフラグ領域のフラグから先のデー
タの変更状態を確認するデータ処理装置及び物理量測定
装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＥＰＲＯＭに格納さ
れた補正情報或いは設定情報に従って動作するデータ処
理装置、及びＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは
設定情報を用いてセンサから出力される物理量の計測値
に対して演算処理をして物理量に対応した電気信号を出
力する物理量測定装置に係り、特に、これ等に使用する
ＥＥＰＲＯＭのデータの化けや喪失に対して安定性を向
上させると共に速やかな起動が可能になるように改良し
たデータ処理装置及び物理量測定装置に関する。
れた補正情報或いは設定情報に従って動作するデータ処
理装置、及びＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは
設定情報を用いてセンサから出力される物理量の計測値
に対して演算処理をして物理量に対応した電気信号を出
力する物理量測定装置に係り、特に、これ等に使用する
ＥＥＰＲＯＭのデータの化けや喪失に対して安定性を向
上させると共に速やかな起動が可能になるように改良し
たデータ処理装置及び物理量測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８はこの種の従来の装置の構成を示す
構成図である。図８は差圧・圧力を測定する場合を例と
した物理量測定装置を示している。１０はカプセルであ
り、１１はアンプである。カプセル１０の中には、例え
ば圧力・差圧測定用として周波数センサＳＮＲ、温度測
定用として温度センサＴＭ１、記憶装置として電気的に
書換え可能なリードオンリメモリＥＥＰＲＯＭ１などが
格納されている。
構成図である。図８は差圧・圧力を測定する場合を例と
した物理量測定装置を示している。１０はカプセルであ
り、１１はアンプである。カプセル１０の中には、例え
ば圧力・差圧測定用として周波数センサＳＮＲ、温度測
定用として温度センサＴＭ１、記憶装置として電気的に
書換え可能なリードオンリメモリＥＥＰＲＯＭ１などが
格納されている。
【０００３】周波数センサＳＮＲには発振器ＯＳ１とＯ
Ｓ２の２つが内蔵され、例えば測定圧力Ｐが内蔵の一対
の振動式センサに印加されることにより、一方のループ
の発振周波数ｆｃが増加し、他方のループの発振周波数
ｆｒが減少するように図示しないダイアフラム上に一対
の振動式センサが配置されている。
Ｓ２の２つが内蔵され、例えば測定圧力Ｐが内蔵の一対
の振動式センサに印加されることにより、一方のループ
の発振周波数ｆｃが増加し、他方のループの発振周波数
ｆｒが減少するように図示しないダイアフラム上に一対
の振動式センサが配置されている。
【０００４】温度センサＴＭ１は、例えば温度に対応し
た周波数信号を出力するセンサが内蔵され、カプセルの
温度に対応する温度信号ＴＳ１を出力する。また、ＥＥ
ＰＲＯＭ１には、少なくとも周波数センサＳＮＲの温度
特性或いは圧力特性などが工場で予め測定されてその結
果がカプセル固有の情報として記録され格納されてい
る。この他に必要に応じて任意のデータが書き込まれ
る。
た周波数信号を出力するセンサが内蔵され、カプセルの
温度に対応する温度信号ＴＳ１を出力する。また、ＥＥ
ＰＲＯＭ１には、少なくとも周波数センサＳＮＲの温度
特性或いは圧力特性などが工場で予め測定されてその結
果がカプセル固有の情報として記録され格納されてい
る。この他に必要に応じて任意のデータが書き込まれ
る。
【０００５】アンプ１１には、センサ計数回路ＣＴ１、
温度計数回路ＣＴ２、温度センサＴＭ２、マイクロプロ
セッサμＰ１、通信回路ＣＭＭ、出力回路ＯＣＴ、電気
的に書換え可能なリードオンリ形のメモリＥＥＰＲＯＭ
２などが内蔵されている。センサ計数回路ＣＴ１は周波
数センサＳＮＲで検出された発振周波数ｆｃと発振周波
数ｆｒを測定してこれらの差である（ｆｃ−ｆｒ）を演
算して測定圧力Ｐに対応する圧力信号を算出してマイク
ロプロセッサμＰ１に出力する。
温度計数回路ＣＴ２、温度センサＴＭ２、マイクロプロ
セッサμＰ１、通信回路ＣＭＭ、出力回路ＯＣＴ、電気
的に書換え可能なリードオンリ形のメモリＥＥＰＲＯＭ
２などが内蔵されている。センサ計数回路ＣＴ１は周波
数センサＳＮＲで検出された発振周波数ｆｃと発振周波
数ｆｒを測定してこれらの差である（ｆｃ−ｆｒ）を演
算して測定圧力Ｐに対応する圧力信号を算出してマイク
ロプロセッサμＰ１に出力する。
【０００６】温度計数回路ＣＴ２は温度センサＴＭ１と
温度センサＴＭ２とからそれぞれカプセルの温度を示す
温度信号ＴＳ１とアンプ１１の温度を示す温度信号ＴＳ
２が周波数信号の形で交互に入力され、これらを計数し
てマイクロプロセッサμＰ１にそれぞれ出力する。
温度センサＴＭ２とからそれぞれカプセルの温度を示す
温度信号ＴＳ１とアンプ１１の温度を示す温度信号ＴＳ
２が周波数信号の形で交互に入力され、これらを計数し
てマイクロプロセッサμＰ１にそれぞれ出力する。
【０００７】マイクロプロセッサμＰ１は入力された周
波数差（ｆｃ−ｆｒ）に対して温度計数回路ＣＴ２から
の各温度信号と、カプセル１０、アンプ１１の温度に対
応する温度補正を実行し、さらにメモリＥＥＰＲＯＭ１
に格納されたカプセル固有の補正係数を用いて補正演算
を実行する。
波数差（ｆｃ−ｆｒ）に対して温度計数回路ＣＴ２から
の各温度信号と、カプセル１０、アンプ１１の温度に対
応する温度補正を実行し、さらにメモリＥＥＰＲＯＭ１
に格納されたカプセル固有の補正係数を用いて補正演算
を実行する。
【０００８】また、マイクロプロセッサμＰ１は、メモ
リＥＥＰＲＯＭ２に格納されている設定レンジなどのデ
ータを用いてスケーリングをしてパルス幅信号ＰＷＭと
して出力回路ＯＣＴに出力する。出力回路ＯＣＴはこの
パルス幅信号ＰＷＭを平滑して電圧信号を得たのち、こ
れを例えば４ｍＡ〜２０ｍＡの電流信号Ｉとして、２本
の伝送線を介して直流電源と受信抵抗とが直列に接続さ
れた図示しない受信回路に伝送する。ＳＥＴは設定器で
あり、レンジ変更などの設定データをマイクロプロセッ
サμＰ１に設定するために使用する。
リＥＥＰＲＯＭ２に格納されている設定レンジなどのデ
ータを用いてスケーリングをしてパルス幅信号ＰＷＭと
して出力回路ＯＣＴに出力する。出力回路ＯＣＴはこの
パルス幅信号ＰＷＭを平滑して電圧信号を得たのち、こ
れを例えば４ｍＡ〜２０ｍＡの電流信号Ｉとして、２本
の伝送線を介して直流電源と受信抵抗とが直列に接続さ
れた図示しない受信回路に伝送する。ＳＥＴは設定器で
あり、レンジ変更などの設定データをマイクロプロセッ
サμＰ１に設定するために使用する。
【０００９】通信回路ＣＭＭはこのマイクロプロセッサ
μＰ１から並列信号として出力されたバースト波状のデ
ジタル信号を直列信号に変換して電流信号Ｉに重畳して
伝送線に送出する。さらに、通信回路ＣＭＭは伝送線か
ら伝送されたバースト波状のデジタルの通信信号を検波
してパルス状のデジタル信号として復元し、バイト単位
の並列信号に変換してマイクロプロセッサμＰ１に伝送
する。マイクロプロセッサμＰ１はこのデジタル信号の
内容にしたがって、メモリＥＥＰＲＯＭ１、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２のデータを変更したり、所定の演算を実行したりす
る。
μＰ１から並列信号として出力されたバースト波状のデ
ジタル信号を直列信号に変換して電流信号Ｉに重畳して
伝送線に送出する。さらに、通信回路ＣＭＭは伝送線か
ら伝送されたバースト波状のデジタルの通信信号を検波
してパルス状のデジタル信号として復元し、バイト単位
の並列信号に変換してマイクロプロセッサμＰ１に伝送
する。マイクロプロセッサμＰ１はこのデジタル信号の
内容にしたがって、メモリＥＥＰＲＯＭ１、ＥＥＰＲＯ
Ｍ２のデータを変更したり、所定の演算を実行したりす
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような装置はメモリＥＥＰＲＯＭ１、ＥＥＰＲＯＭ２に
書き込まれたデータの内容が、例えば喪失したり、或い
はデータの化けなどが発生すると補正演算などに誤差が
発生し出力の安定性を害するという問題がある。
ような装置はメモリＥＥＰＲＯＭ１、ＥＥＰＲＯＭ２に
書き込まれたデータの内容が、例えば喪失したり、或い
はデータの化けなどが発生すると補正演算などに誤差が
発生し出力の安定性を害するという問題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決するための主な構成として、ＥＥＰＲＯＭに格納さ
れた補正情報或いは設定情報に従って動作するデータ処
理装置において、先のＥＥＰＲＯＭに格納される各情報
を２つのデータブロックに分けて２重に記録し、各デー
タブロックに記録されたデータに対して所定時間おきに
それぞれサムチエックをとり、このサムチエックからデ
ータ異常を検出しこの異常からの回復とを行うするよう
にしたものである。
解決するための主な構成として、ＥＥＰＲＯＭに格納さ
れた補正情報或いは設定情報に従って動作するデータ処
理装置において、先のＥＥＰＲＯＭに格納される各情報
を２つのデータブロックに分けて２重に記録し、各デー
タブロックに記録されたデータに対して所定時間おきに
それぞれサムチエックをとり、このサムチエックからデ
ータ異常を検出しこの異常からの回復とを行うするよう
にしたものである。
【００１２】
【作 用】ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは設
定情報を用いて演算処理をする場合に、このＥＥＰＲＯ
Ｍに格納される各情報を２つのデータブロックに分けて
２重に同一のデータを記録してサムチエック値を各デー
タブロックのサムチエックエリアに記憶しておき、各デ
ータブロックに記録されたデータに対して所定時間おき
にそれぞれサムチエックをとる演算を実行して正常なデ
ータブロックのデータで異常なデータブロックのデータ
を上書きして演算の安定性を確保する。
定情報を用いて演算処理をする場合に、このＥＥＰＲＯ
Ｍに格納される各情報を２つのデータブロックに分けて
２重に同一のデータを記録してサムチエック値を各デー
タブロックのサムチエックエリアに記憶しておき、各デ
ータブロックに記録されたデータに対して所定時間おき
にそれぞれサムチエックをとる演算を実行して正常なデ
ータブロックのデータで異常なデータブロックのデータ
を上書きして演算の安定性を確保する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明の１実施例の構成を示すブロック
図である。なお、図８に示す従来の装置と同一の機能を
有する部分には同一の符号を付して適宜にその説明を省
略する。
明する。図１は本発明の１実施例の構成を示すブロック
図である。なお、図８に示す従来の装置と同一の機能を
有する部分には同一の符号を付して適宜にその説明を省
略する。
【００１４】周波数センサＳＮＲ、センサ計数回路ＣＴ
１、温度センサＴＭ１、ＴＭ２、温度計数回路ＣＴ１、
出力回路ＯＣＴ、通信回路ＣＭＭなどの各機能は図８に
記載されたものとほぼ同一の機能を有している。
１、温度センサＴＭ１、ＴＭ２、温度計数回路ＣＴ１、
出力回路ＯＣＴ、通信回路ＣＭＭなどの各機能は図８に
記載されたものとほぼ同一の機能を有している。
【００１５】ここでは、電気的に書換え可能なリードオ
ンリ形のメモリＥＥＰＲＯＭ３とＥＥＰＲＯＭ４の構成
が異なっている。そして、周波数センサＳＮＲ、温度セ
ンサＴＭ１、メモリＥＥＰＲＯＭ３などでカプセル１２
を構成している。また、センサ計数回路ＣＴ１、温度セ
ンサＴＭ２、温度計数回路ＣＴ２、出力回路ＯＣＴ、通
信回路ＣＭＭ、およびＥＥＰＲＯＭ４などでアンプ１３
を構成している。
ンリ形のメモリＥＥＰＲＯＭ３とＥＥＰＲＯＭ４の構成
が異なっている。そして、周波数センサＳＮＲ、温度セ
ンサＴＭ１、メモリＥＥＰＲＯＭ３などでカプセル１２
を構成している。また、センサ計数回路ＣＴ１、温度セ
ンサＴＭ２、温度計数回路ＣＴ２、出力回路ＯＣＴ、通
信回路ＣＭＭ、およびＥＥＰＲＯＭ４などでアンプ１３
を構成している。
【００１６】メモリＥＥＰＲＯＭ３は、その内部が同一
構成のＡブロックとＢブロックの２つに分割され、Ａブ
ロックにはデータ領域３ＤＡとサムチエック領域３ＳＡ
が、Ｂブロックにはデータ領域３ＤＢとサムチエック領
域３ＳＢがそれぞれ設けられている。
構成のＡブロックとＢブロックの２つに分割され、Ａブ
ロックにはデータ領域３ＤＡとサムチエック領域３ＳＡ
が、Ｂブロックにはデータ領域３ＤＢとサムチエック領
域３ＳＢがそれぞれ設けられている。
【００１７】これらのＡブロックのデータ領域３ＤＡと
Ｂブロックのデータ領域３ＤＢには同一のデータが書き
込まれる。そして、Ａブロックでは、所定のサムチエッ
クアルゴリズム、例えばワードの合計値が所定値になる
ようなアルゴリズムにしたがってデータ領域３ＤＡの各
アドレスに格納されたデータに対してサムチエックをと
り、この結果がサムチエック領域３ＳＡに格納される。
Ｂブロックのデータ領域３ＤＢには同一のデータが書き
込まれる。そして、Ａブロックでは、所定のサムチエッ
クアルゴリズム、例えばワードの合計値が所定値になる
ようなアルゴリズムにしたがってデータ領域３ＤＡの各
アドレスに格納されたデータに対してサムチエックをと
り、この結果がサムチエック領域３ＳＡに格納される。
【００１８】Ｂブロックに対しても、同様にして、所定
のサムチエックアルゴリズムにしたがってデータ領域３
ＤＢの各アドレスに格納されたデータに対してサムチエ
ックをとり、この結果がサムチエック領域３ＳＢに格納
される。
のサムチエックアルゴリズムにしたがってデータ領域３
ＤＢの各アドレスに格納されたデータに対してサムチエ
ックをとり、この結果がサムチエック領域３ＳＢに格納
される。
【００１９】また、メモリＥＥＰＲＯＭ４も、その内部
が同一構成のＡブロックとＢブロックの２つに分割さ
れ、Ａブロックにはデータ領域４ＤＡとサムチエック領
域４ＳＡが、Ｂブロックにはデータ領域４ＤＢとサムチ
エック領域４ＳＢがそれぞれ設けられている。そして、
これらのＡブロックのデータ領域４ＤＡとＢブロックの
データ領域４ＤＢにも同一のデータが書き込まれる。
が同一構成のＡブロックとＢブロックの２つに分割さ
れ、Ａブロックにはデータ領域４ＤＡとサムチエック領
域４ＳＡが、Ｂブロックにはデータ領域４ＤＢとサムチ
エック領域４ＳＢがそれぞれ設けられている。そして、
これらのＡブロックのデータ領域４ＤＡとＢブロックの
データ領域４ＤＢにも同一のデータが書き込まれる。
【００２０】次に、以上のように構成された実施例の動
作について図２に示すフローチャートを用いて説明す
る。図２ではメモリＥＥＰＲＯＭ３について説明する
が、メモリＥＥＰＲＯＭ４についても同様である。
作について図２に示すフローチャートを用いて説明す
る。図２ではメモリＥＥＰＲＯＭ３について説明する
が、メモリＥＥＰＲＯＭ４についても同様である。
【００２１】所定時間が経過すると、マイクロプロセッ
サμＰ２は、ステップ１でメモリチエックを開始して、
ステップ２に移行する。ステップ２では、メモリＥＥＰ
ＲＯＭ３のＡブロックの所定のサムチエック演算プログ
ラムにしたがってサムチエックを演算する。この結果、
正常と判断されればステップ３に移行する。
サμＰ２は、ステップ１でメモリチエックを開始して、
ステップ２に移行する。ステップ２では、メモリＥＥＰ
ＲＯＭ３のＡブロックの所定のサムチエック演算プログ
ラムにしたがってサムチエックを演算する。この結果、
正常と判断されればステップ３に移行する。
【００２２】ステップ３では、メモリＥＥＰＲＯＭ３の
Ｂブロックのサムチエック演算プログラムにしたがって
サムチエックが実行される。その結果、正常と判断され
ればステップ４に移行して、次回のサムチエックまで待
機する。
Ｂブロックのサムチエック演算プログラムにしたがって
サムチエックが実行される。その結果、正常と判断され
ればステップ４に移行して、次回のサムチエックまで待
機する。
【００２３】ステップ２で、異常と判断されればステッ
プ５に移行する。ステップ５はメモリＥＥＰＲＯＭ３の
Ｂブロックのサムチエックを実行する。この結果、正常
と判断されればステップ６に移行して、データ領域３Ｄ
Ｂの各アドレスに格納されたデータをデータ領域３ＤＡ
にコピーして、ステップ７に移行して終了する。
プ５に移行する。ステップ５はメモリＥＥＰＲＯＭ３の
Ｂブロックのサムチエックを実行する。この結果、正常
と判断されればステップ６に移行して、データ領域３Ｄ
Ｂの各アドレスに格納されたデータをデータ領域３ＤＡ
にコピーして、ステップ７に移行して終了する。
【００２４】また、ステップ５で異常と判断されればス
テップ８に移行する。この場合は、ＡブロックもＢブロ
ックも共にサムチエックの結果が異常になったことを意
味するので、メモリＥＥＰＲＯＭ３自体が異常と判断さ
れ、外部にアラームを出力して、ステップ９に移行して
終了する。
テップ８に移行する。この場合は、ＡブロックもＢブロ
ックも共にサムチエックの結果が異常になったことを意
味するので、メモリＥＥＰＲＯＭ３自体が異常と判断さ
れ、外部にアラームを出力して、ステップ９に移行して
終了する。
【００２５】ステップ３で異常と判断された場合は、ス
テップ１０に移行して、データ領域３ＤＡの各アドレス
に格納されたデータをデータ領域３ＤＢにコピーして、
ステップ１１に移行して終了する。
テップ１０に移行して、データ領域３ＤＡの各アドレス
に格納されたデータをデータ領域３ＤＢにコピーして、
ステップ１１に移行して終了する。
【００２６】以上のようにして、一対のブロックのうち
何れかが異常と判断された場合は正常な側のブロックか
ら異常ブロック側に正常データを上書し、双方とも異常
の場合はメモリＥＥＰＲＯＭ異常としてアラームを外部
に発する。
何れかが異常と判断された場合は正常な側のブロックか
ら異常ブロック側に正常データを上書し、双方とも異常
の場合はメモリＥＥＰＲＯＭ異常としてアラームを外部
に発する。
【００２７】次に，電源投入後の処理について図３を用
いて説明する。図３は図１に示す実施例における電源投
入後或いは設定変更後のマイクロプロセッサの処理手順
を示すフロー図である。図３（ａ）は電源投入後の処理
手順を示すフロー図、図３（ｂ）は設定変更後の処理手
順を示すフロー図である。
いて説明する。図３は図１に示す実施例における電源投
入後或いは設定変更後のマイクロプロセッサの処理手順
を示すフロー図である。図３（ａ）は電源投入後の処理
手順を示すフロー図、図３（ｂ）は設定変更後の処理手
順を示すフロー図である。
【００２８】図３（ａ）に示すように、設定器ＳＥＴか
ら例えばＡブロックの設定データ（Ａ）を変更すると、
まずＡブロックのサム値を計算する。この後、Ａブロッ
クの設定データ（Ａ）をＢブロックにコピーする処理を
して、通常の処理に移行する。したがって、例えばＡブ
ロックのデータ（Ａ）を設定変更した直後に電源をオフ
にしたりするとＡブロックのデータ（Ａ）とＢブロック
のデータ（Ｂ）との間にデータの食い違いが生じる。
ら例えばＡブロックの設定データ（Ａ）を変更すると、
まずＡブロックのサム値を計算する。この後、Ａブロッ
クの設定データ（Ａ）をＢブロックにコピーする処理を
して、通常の処理に移行する。したがって、例えばＡブ
ロックのデータ（Ａ）を設定変更した直後に電源をオフ
にしたりするとＡブロックのデータ（Ａ）とＢブロック
のデータ（Ｂ）との間にデータの食い違いが生じる。
【００２９】そこで、電源を投入すると図３（ｂ）に示
すように、マイクロプロセッサμＰ２はＥＥＰＲＯＭ
３、４の各Ａ、Ｂブロックのデータ領域を読みに行き、
各々のデータのサムを計算し、これ等の値が食い違う場
合は、サム値の正しい方のデータを他方のブロックにコ
ピーする処理をする。この後で、通常の処理に移行する
処理をする。
すように、マイクロプロセッサμＰ２はＥＥＰＲＯＭ
３、４の各Ａ、Ｂブロックのデータ領域を読みに行き、
各々のデータのサムを計算し、これ等の値が食い違う場
合は、サム値の正しい方のデータを他方のブロックにコ
ピーする処理をする。この後で、通常の処理に移行する
処理をする。
【００３０】このように、図１に示す構成では、電源を
オンにしたときに、ＡブロックとＢブロックの全データ
を照合することとなるので、立ち上げ時の処理に時間が
かかる。
オンにしたときに、ＡブロックとＢブロックの全データ
を照合することとなるので、立ち上げ時の処理に時間が
かかる。
【００３１】図４は電源投入後の処理開始の時間短縮を
図るように改良した第２の実施例を示すブロック図であ
る。図１に示す構成要素と同一の機能を有する構成要素
の部分には同一の符号を付して適宜にその説明を省略す
る。
図るように改良した第２の実施例を示すブロック図であ
る。図１に示す構成要素と同一の機能を有する構成要素
の部分には同一の符号を付して適宜にその説明を省略す
る。
【００３２】カプセル１４には、周波数センサＳＮＲ、
温度センサＴＭ１の他に電気的に書き替え可能なリード
オンリ形のメモリＥＥＰＲＯＭ５が設けられている。一
方、アンプ１５には、センサ計数回路ＣＴ１、ＣＴ２、
温度センサＴＭ２、マイクロプロセッサμＰ２、出力回
路ＯＣＴ、通信回路ＣＭＭの他にメモリＥＥＰＲＯＭ６
が設けられている。
温度センサＴＭ１の他に電気的に書き替え可能なリード
オンリ形のメモリＥＥＰＲＯＭ５が設けられている。一
方、アンプ１５には、センサ計数回路ＣＴ１、ＣＴ２、
温度センサＴＭ２、マイクロプロセッサμＰ２、出力回
路ＯＣＴ、通信回路ＣＭＭの他にメモリＥＥＰＲＯＭ６
が設けられている。
【００３３】メモリＥＥＰＲＯＭ５はＡブロックとＢブ
ロックとに分けられており、Ａブロックにはデータ領域
５ＤＡ、サムチエック領域５ＳＡの他にデータ領域５Ｄ
Ａのデータの変更状態を示すフラッグを格納するフラッ
グ領域５ＦＡが設けられている。同様に、Ｂブロックに
もデータ領域５ＤＢ、サムチエック領域５ＳＢの他にデ
ータ領域５ＤＢのデータの変更状態を示すフラッグを格
納するフラッグ領域５ＦＢが設けられている。
ロックとに分けられており、Ａブロックにはデータ領域
５ＤＡ、サムチエック領域５ＳＡの他にデータ領域５Ｄ
Ａのデータの変更状態を示すフラッグを格納するフラッ
グ領域５ＦＡが設けられている。同様に、Ｂブロックに
もデータ領域５ＤＢ、サムチエック領域５ＳＢの他にデ
ータ領域５ＤＢのデータの変更状態を示すフラッグを格
納するフラッグ領域５ＦＢが設けられている。
【００３４】メモリＥＥＰＲＯＭ６も、ＡブロックとＢ
ブロックとに分けられており、Ａブロックにはデータ領
域６ＤＡ、サムチエック領域６ＳＡの他にデータ領域６
ＤＡのデータの変更状態を示すフラッグを格納するフラ
ッグ領域６ＦＡが設けられている。同様に、Ｂブロック
にもデータ領域６ＤＢ、サムチエック領域６ＳＢの他に
データ領域６ＤＢのデータの変更状態を示すフラッグを
格納するフラッグ領域６ＦＢが設けられている。
ブロックとに分けられており、Ａブロックにはデータ領
域６ＤＡ、サムチエック領域６ＳＡの他にデータ領域６
ＤＡのデータの変更状態を示すフラッグを格納するフラ
ッグ領域６ＦＡが設けられている。同様に、Ｂブロック
にもデータ領域６ＤＢ、サムチエック領域６ＳＢの他に
データ領域６ＤＢのデータの変更状態を示すフラッグを
格納するフラッグ領域６ＦＢが設けられている。
【００３５】これらのメモリＥＥＰＲＯＭ５、メモリＥ
ＥＰＲＯＭ６には各種の設定データなどが格納されてお
り、そのデータの状態はマイクロプロセッサμＰ２によ
り制御されている。
ＥＰＲＯＭ６には各種の設定データなどが格納されてお
り、そのデータの状態はマイクロプロセッサμＰ２によ
り制御されている。
【００３６】いま、設定器ＳＥＴ或いは通信回路ＣＭＭ
を介して外部から、例えば設定変更の要求があると、マ
イクロプロセッサμＰ２はこの設定変更の要求の内容
を、内蔵するリードオンリメモリ等を介して解読し、メ
モリＥＥＰＲＯＭ５側、メモリＥＥＰＲＯＭ６側、或い
はこれ等の双方の変更かを判別して、例えばメモリＥＥ
ＰＲＯＭ５のデータの変更を実行することとなる。この
場合の処理手順を図５（ａ）に示す。
を介して外部から、例えば設定変更の要求があると、マ
イクロプロセッサμＰ２はこの設定変更の要求の内容
を、内蔵するリードオンリメモリ等を介して解読し、メ
モリＥＥＰＲＯＭ５側、メモリＥＥＰＲＯＭ６側、或い
はこれ等の双方の変更かを判別して、例えばメモリＥＥ
ＰＲＯＭ５のデータの変更を実行することとなる。この
場合の処理手順を図５（ａ）に示す。
【００３７】先ず、Ｂブロックのデータと異なる値とし
て書き込むので、Ａブロックのフラッグ領域６ＦＡの状
態フラッグを変更する（ステップ１）。この後、ステッ
プ２に移行し、データ領域５ＤＡのデータを変更する。
次に、ステップ３でこのデータのサム値を計算しサムチ
エック領域５ＳＡに書き込む。
て書き込むので、Ａブロックのフラッグ領域６ＦＡの状
態フラッグを変更する（ステップ１）。この後、ステッ
プ２に移行し、データ領域５ＤＡのデータを変更する。
次に、ステップ３でこのデータのサム値を計算しサムチ
エック領域５ＳＡに書き込む。
【００３８】この後，ステップ４でＡブロックのデータ
値、サム値、状態フラグをＢブロックのデータ領域５Ｄ
Ｂ、サムチエック領域５ＳＢ、フラッグ領域５ＦＢにそ
れぞれコピーする。これにより設定変更が完了し、通常
の処理に移行する。
値、サム値、状態フラグをＢブロックのデータ領域５Ｄ
Ｂ、サムチエック領域５ＳＢ、フラッグ領域５ＦＢにそ
れぞれコピーする。これにより設定変更が完了し、通常
の処理に移行する。
【００３９】次に、電源が投入されると、図５（ｂ）の
フロー図に示すように、フラッグ領域６ＦＡと６ＦＢに
書き込まれたＡブロックとＢブロックの状態フラグを読
取りこれ等を照合する。そして、これ等の状態フラグが
一致していれば通常処理に移行するが、不一致のときは
ＡブロックとＢブロックのサム値をチエックして正しい
方のブロックを他方にブロックにコピーする処理を実行
する。従って，この処理手順によれば、状態フラグをチ
エックするだけで通常処理に移行できるので速やかに起
動させることができる。
フロー図に示すように、フラッグ領域６ＦＡと６ＦＢに
書き込まれたＡブロックとＢブロックの状態フラグを読
取りこれ等を照合する。そして、これ等の状態フラグが
一致していれば通常処理に移行するが、不一致のときは
ＡブロックとＢブロックのサム値をチエックして正しい
方のブロックを他方にブロックにコピーする処理を実行
する。従って，この処理手順によれば、状態フラグをチ
エックするだけで通常処理に移行できるので速やかに起
動させることができる。
【００４０】図６はメモリ構成の他の例を示す構成図で
ある。図４に示す実施例では、メモリＥＥＰＲＯＭ５、
６として各Ａ、Ｂブロックにフラグ領域を設けたが、図
６に示すメモリＥＥＰＲＯＭ７の場合は、データ領域７
ＤＡ，７ＤＢ、サムチエック領域７ＳＡ、７ＳＢの他の
２重化していない領域にフラッグ領域７ＦＸを設ける構
成としたものである。
ある。図４に示す実施例では、メモリＥＥＰＲＯＭ５、
６として各Ａ、Ｂブロックにフラグ領域を設けたが、図
６に示すメモリＥＥＰＲＯＭ７の場合は、データ領域７
ＤＡ，７ＤＢ、サムチエック領域７ＳＡ、７ＳＢの他の
２重化していない領域にフラッグ領域７ＦＸを設ける構
成としたものである。
【００４１】この場合は、データ変更中のときは状態フ
ラッグを１とし、データ変更が完了したときは状態フラ
ッグをゼロとして電源投入のときのチエックを実行する
ようにしたものである。この処理を採用するときは、１
回の設定変更で同じ状態フラッグを２回書き替えること
になるので、変更回数の少ないシステムに採用すると有
効である。
ラッグを１とし、データ変更が完了したときは状態フラ
ッグをゼロとして電源投入のときのチエックを実行する
ようにしたものである。この処理を採用するときは、１
回の設定変更で同じ状態フラッグを２回書き替えること
になるので、変更回数の少ないシステムに採用すると有
効である。
【００４２】図７はメモリ構成のさらに他の例を示す構
成図である。この場合はＡブロックとＢブロックとを別
のメモリＥＥＰＲＯＭ８と９にデバイスを２重化したも
のである。
成図である。この場合はＡブロックとＢブロックとを別
のメモリＥＥＰＲＯＭ８と９にデバイスを２重化したも
のである。
【００４３】メモリＥＥＰＲＯＭ８はＡブロックとし
て、メモリＥＥＰＲＯＭ８はＢブロックとして用い、メ
モリＥＥＰＲＯＭ８にはデータ領域８ＤＡ、フラッグ領
域８ＦＡ、サムチエック領域８ＳＡを、メモリＥＥＰＲ
ＯＭ９にはデータ領域８ＤＢ、フラッグ領域８ＦＢ、サ
ムチエック領域８ＳＢをそれぞれ設けたものである。
て、メモリＥＥＰＲＯＭ８はＢブロックとして用い、メ
モリＥＥＰＲＯＭ８にはデータ領域８ＤＡ、フラッグ領
域８ＦＡ、サムチエック領域８ＳＡを、メモリＥＥＰＲ
ＯＭ９にはデータ領域８ＤＢ、フラッグ領域８ＦＢ、サ
ムチエック領域８ＳＢをそれぞれ設けたものである。
【００４４】
【発明の効果】以上、実施例と共に具体的に説明したよ
うに本発明によれば、第１、第２請求項による発明のと
きは、ＥＥＰＲＯＭに格納される各情報を２つのデータ
ブロックに分けて２重に記録し、各データブロックに記
録されたデータに対して所定時間おきにそれぞれサムチ
エックをとり、このサムチエックの値からデータ異常を
検出するようにしたので、ＥＥＰＲＯＭに記録されたデ
ータの化け、喪失などがあってもこれを検出して回復さ
せることことができ、信頼性を向上させることができ
る。また、第３、第４請求項による発明のときは、設定
データの信頼性向上のため、メモリＥＥＰＲＯＭのデー
タの２重化を図ったときにも、状態フラッグを設けるこ
とにより電源投入のときのシステムの立ち上がり時間を
短縮することができる。
うに本発明によれば、第１、第２請求項による発明のと
きは、ＥＥＰＲＯＭに格納される各情報を２つのデータ
ブロックに分けて２重に記録し、各データブロックに記
録されたデータに対して所定時間おきにそれぞれサムチ
エックをとり、このサムチエックの値からデータ異常を
検出するようにしたので、ＥＥＰＲＯＭに記録されたデ
ータの化け、喪失などがあってもこれを検出して回復さ
せることことができ、信頼性を向上させることができ
る。また、第３、第４請求項による発明のときは、設定
データの信頼性向上のため、メモリＥＥＰＲＯＭのデー
タの２重化を図ったときにも、状態フラッグを設けるこ
とにより電源投入のときのシステムの立ち上がり時間を
短縮することができる。
【図１】本発明の１実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】図１に示す実施例の動作を説明するフローを示
すフローチャート図である。
すフローチャート図である。
【図３】図１に示す実施例の起動手順を説明するフロー
チャート図である。
チャート図である。
【図４】本発明の他の１実施例の構成を示すブロック図
である。
である。
【図５】図４に示す実施例の動作を説明するフローを示
すフローチャート図である。
すフローチャート図である。
【図６】図４に示す実施例のメモリ構成の第２の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図７】図４に示す実施例のメモリ構成の第３の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図８】従来の物理量測定装置の構成を示すブロック図
である。
である。
１０、１２、１４ カプセル １１、１３、１５ アンプ ＳＮＲ 周波数センサ ＴＭ１、ＴＭ２ 温度センサ ＣＴ１ センサ計数回路 ＣＴ２ 温度計数回路 μＰ１、μＰ２ マイクロプロセッサ ＯＣＴ 出力回路 ＣＭＭ 通信回路 ＥＥＰＲＯＭ１〜９ メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 共栄 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは
設定情報に従って動作するデータ処理装置において、前
記ＥＥＰＲＯＭに格納される各情報を２つのデータブロ
ックに分けて２重に記録し、各データブロックに記録さ
れたデータに対して所定時間おきにそれぞれサムチエッ
クをとり、このサムチエックからデータ異常を検出しこ
の異常からの回復を行うことを特徴とするデータ処理装
置。 - 【請求項２】ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは
設定情報を用いてセンサから出力される物理量の計測値
に対して演算処理をして前記物理量に対応した電気信号
を出力する物理量測定装置において、前記ＥＥＰＲＯＭ
に格納される各情報を２つのデータブロックに分けて２
重に記録し、各データブロックに記録されたデータに対
して所定時間おきにそれぞれサムチエックをとり、この
サムチエックからデータ異常を検出しこの異常からの回
復を行うことを特徴とする物理量測定装置。 - 【請求項３】ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは
設定情報に従って動作するデータ処理装置において、前
記ＥＥＰＲＯＭに格納される各情報を２つのデータブロ
ックに分けて２重に記録し、各データブロックに記録さ
れたデータに対してそれぞれサムチエックをとり、前記
各データブロックに記録されたデータの変更状態を示す
前記ＥＥＰＲＯＭに設けられたフラグ領域のフラグから
前記データの変更状態を確認することを特徴とするデー
タ処理装置。 - 【請求項４】ＥＥＰＲＯＭに格納された補正情報或いは
設定情報を用いてセンサから出力される物理量の計測値
に対して演算処理をして前記物理量に対応した電気信号
を出力する物理量測定装置において、前記ＥＥＰＲＯＭ
に格納される各情報を２つのデータブロックに分けて２
重に記録し、各データブロックに記録されたデータに対
してそれぞれサムチエックをとると共に前記各データブ
ロックに記録されたデータの変更状態を示す前記ＥＥＰ
ＲＯＭに設けられたフラグ領域のフラグから前記データ
の変更状態を確認することを特徴とする物理量測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4141374A JPH05225073A (ja) | 1991-11-08 | 1992-06-02 | データ処理装置及び物理量測定装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29310891 | 1991-11-08 | ||
| JP3-293108 | 1991-11-08 | ||
| JP4141374A JPH05225073A (ja) | 1991-11-08 | 1992-06-02 | データ処理装置及び物理量測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225073A true JPH05225073A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=26473615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4141374A Pending JPH05225073A (ja) | 1991-11-08 | 1992-06-02 | データ処理装置及び物理量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225073A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003196114A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Meidensha Corp | 内部データの管理・確認方法 |
| JP2007072695A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Of Networks:Kk | フラッシュメモリへの冗長保存方法及びプログラム |
| JP2009210308A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 計測装置 |
| JP2011070675A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Samsung Sdi Co Ltd | バッテリーパック、及びデータフラッシュの動作の制御方法 |
| JP2011198224A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Hitachi Ltd | 情報処理装置および監視機器システム |
| JP2014075078A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Denso Corp | 電子制御装置 |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP4141374A patent/JPH05225073A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003196114A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Meidensha Corp | 内部データの管理・確認方法 |
| JP2007072695A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Of Networks:Kk | フラッシュメモリへの冗長保存方法及びプログラム |
| JP2009210308A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 計測装置 |
| JP2011070675A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Samsung Sdi Co Ltd | バッテリーパック、及びデータフラッシュの動作の制御方法 |
| JP2011198224A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Hitachi Ltd | 情報処理装置および監視機器システム |
| JP2014075078A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Denso Corp | 電子制御装置 |
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