JPH05224041A - Optical waveguide and its production - Google Patents

Optical waveguide and its production

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JPH05224041A
JPH05224041A JP2670392A JP2670392A JPH05224041A JP H05224041 A JPH05224041 A JP H05224041A JP 2670392 A JP2670392 A JP 2670392A JP 2670392 A JP2670392 A JP 2670392A JP H05224041 A JPH05224041 A JP H05224041A
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JP
Japan
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layer
optical
optical waveguide
waveguide
lifted
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JP2670392A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Hattori
哲也 服部
Shigeru Semura
滋 瀬村
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To highly integrate devices and to obtain stable optical coupling characteristics by providing a specific core layer and lifting the prescribed region of the core layer in a perpendicular direction by a first clad layer. CONSTITUTION:The prescribed region of an optical waveguide layer 2 is removed and the clad layer 3a lifted in the perpendicular direction is formed while the removed end of the layer 2 is exposed to this removed region. The optical waveguide coupling layer 2a coupling the removed and exposed end face of the layer 2 is formed on the layer 3a lifted in the perpendicular direction. A second clad layer 7 is formed on this coupled layer 2. The prescribed region of the core layer 2 is lifted in the perpendicular direction by the first clad layer 1 in such a manner and the lifted core part easily couples optically with another optical parts. Then, the optical waveguide formed on the horizontal plane and the optical waveguide lifted in the perpendicular direction are combined, by which the three-dimensional waveguide structure is formed and a variety of the optical devices are obtd.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は通信情報処理に用いられ
る光学部品である光導波路およびその製造方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide which is an optical component used for communication information processing and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光導波路は、水平な同一基板面上
に形成されていた。
2. Description of the Related Art Conventional optical waveguides are formed on the same horizontal substrate surface.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従って、従来において
は、1次元状に形成された光導波路の一部のみを他の光
学部品に光結合させることは困難であった。このため、
従来の光導波路は他の光学部品に組み合わせずらく、光
導波路を種々の装置に応用することが困難であり、多彩
な光学装置が提供されなかった。
Therefore, conventionally, it has been difficult to optically couple only a part of the one-dimensionally formed optical waveguide to another optical component. For this reason,
Conventional optical waveguides are difficult to combine with other optical components, and it is difficult to apply the optical waveguides to various devices, and various optical devices have not been provided.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、鉛直方向に持ち上が
った領域を有する第1のクラッド層と、この第1のクラ
ッド層上に形成された鉛直方向に持ち上がった領域を有
するコア層と、このコア層上に形成された第2のクラッ
ド層とを備えて光導波路を構成したものである。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and is formed on a first clad layer having a vertically raised region and formed on the first clad layer. An optical waveguide is configured by including a core layer having a vertically raised region and a second cladding layer formed on the core layer.

【0005】また、第1のクラッド層上にコア層を形成
する工程と、このコア層の所定領域を除去して第1のク
ラッド層を一部露出させる工程と、露出したこの第1の
クラッド層上にコア層の除去端面を露出しつつさらにク
ラッド材料を形成して露出した第1のクラッド層を鉛直
方向に持ち上がらせる工程と、コア層の露出した除去端
面を結合するコア結合層を鉛直方向に持ち上がった第1
のクラッド層上に形成する工程と、結合されたこのコア
層上に第2のクラッド層を形成する工程とを備えて光導
波路を製造するものである。
Further, a step of forming a core layer on the first cladding layer, a step of removing a predetermined region of the core layer to partially expose the first cladding layer, and a step of exposing the exposed first cladding layer. A step of vertically forming a cladding material while exposing the removed end surface of the core layer on the layer, and lifting the exposed first clad layer in the vertical direction; First lifted in the direction
The step of forming an optical waveguide on the clad layer and the step of forming a second clad layer on the combined core layer.

【0006】[0006]

【作用】コア層の所定領域は第1のクラッド層によって
鉛直方向に持ち上げられる。
The predetermined area of the core layer is vertically lifted by the first cladding layer.

【0007】また、このような光導波路構造は一連の製
造工程を経ることによって実現される。
Further, such an optical waveguide structure is realized through a series of manufacturing steps.

【0008】[0008]

【実施例】図1から図4は本発明の一実施例による光導
波路の製造方法を示す工程断面図である。以下、これら
図面を参照して本実施例による光導波路の製造方法につ
いて説明する。
1 to 4 are process sectional views showing a method of manufacturing an optical waveguide according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the method of manufacturing the optical waveguide according to the present embodiment will be described with reference to these drawings.

【0009】まず、純粋石英からなる基板1上にゲルマ
ニウムが添加された石英が火炎堆積(FHD)法によっ
て堆積され、約10μmの厚さに光導波路層(コア層)
2が形成される(図2(a)参照)。石英基板1は第1
のクラッド層に相当する。次に、光導波路層2の所定領
域がドライエッチングにより部分的に除去される(同図
(b)参照)。この結果、曲げるべき導波路領域下にあ
る石英基板1が一部露出する。次に、光導波路を鉛直方
向に持ち上がらせるためのクラッド層3が純粋石英を用
いて約30μmの厚さに形成される(同図(c)参
照)。次に、光導波路層2の除去領域に対応したクラッ
ド層3上に1〜2μmの厚さのレジスト膜4が形成され
る(同図(d)参照)。
First, quartz to which germanium is added is deposited on the substrate 1 made of pure quartz by the flame deposition (FHD) method, and the optical waveguide layer (core layer) is formed to a thickness of about 10 μm.
2 is formed (see FIG. 2A). The quartz substrate 1 is the first
Corresponding to the clad layer. Next, a predetermined region of the optical waveguide layer 2 is partially removed by dry etching (see FIG. 6B). As a result, the quartz substrate 1 under the waveguide region to be bent is partially exposed. Next, the cladding layer 3 for lifting the optical waveguide in the vertical direction is formed of pure quartz to a thickness of about 30 μm (see FIG. 3C). Next, a resist film 4 having a thickness of 1 to 2 μm is formed on the cladding layer 3 corresponding to the removed region of the optical waveguide layer 2 (see FIG. 3D).

【0010】次に、このレジスト膜4に熱処理が加えら
れることによってレジスト膜4の周端部がだれ、レジス
ト膜4は湾曲した形状に整形される(図3(e)参
照)。次に、この整形されたレジスト膜4aの両側にレ
ジスト壁5が3μm以上の厚さに形成される(同図
(f)参照)。次に、レジスト膜4aおよびレジスト壁
5をマスクとしたドライエッチングが行われる。このド
ライエッチングはクラッド層/レジストのエッチング選
択比が10に設定されて行われる。湾曲したレジスト膜
4aが完全に消滅した後、さらに厚さ10μmの層がエ
ッチングされる。この結果、湾曲したレジスト膜4aの
パターンがクラッド層3に転写され、湾曲したクラッド
層3aが形成される(同図(g)参照)。この湾曲した
クラッド層3aは石英基板1と共に最下部の第1のクラ
ッド層を構成する。また、この際、光導波路層2の除去
端面は露出する。次に、クラッド層3上にあるレジスト
壁5の残部が除去される(同図(h)参照)。
Next, heat treatment is applied to the resist film 4, so that the peripheral edge portion of the resist film 4 is sagged, and the resist film 4 is shaped into a curved shape (see FIG. 3E). Next, resist walls 5 are formed on both sides of the shaped resist film 4a so as to have a thickness of 3 μm or more (see FIG. 6F). Next, dry etching is performed using the resist film 4a and the resist wall 5 as a mask. This dry etching is performed with the clad layer / resist etching selection ratio set to 10. After the curved resist film 4a completely disappears, a layer having a thickness of 10 μm is further etched. As a result, the pattern of the curved resist film 4a is transferred to the clad layer 3, and the curved clad layer 3a is formed (see FIG. 6G). The curved clad layer 3a constitutes the lowermost first clad layer together with the quartz substrate 1. At this time, the removed end surface of the optical waveguide layer 2 is exposed. Next, the remaining portion of the resist wall 5 on the clad layer 3 is removed (see FIG. 6 (h)).

【0011】次に、湾曲したクラッド層3a上にゲルマ
ニウムが添加された石英がFHD法により約10μmの
厚さに堆積される。このため、湾曲したクラッド層3a
上に曲線状の光導波路結合層2aが光導波路層2の層厚
と同じ厚さに形成される。この結果、直線状の光導波路
層2と曲線上の結合層2aとは連結され、光導波路層2
の除去領域間がつながる(図4(i)参照)。なお、こ
の際、クラッド層3上には不要な結合層2aが形成され
る。次に、光導波路結合層2a上にこれを覆うレジスト
層6が形成される(同図(j)参照)。次に、クラッド
層3上にある不要な結合層2aの残部がドライエッチン
グによって除去される(同図(k)参照)。この際、光
結合領域にある湾曲した光導波路結合層2aはレジスト
層6によって保護され、エッチングの影響を受けない。
次に、必要とされる光導波路結合層2a上にあるレジス
ト層6が除去される(同図(l)参照)。
Next, on the curved clad layer 3a, germanium-doped quartz is deposited to a thickness of about 10 μm by the FHD method. Therefore, the curved cladding layer 3a
A curved optical waveguide coupling layer 2a is formed on the upper portion of the optical waveguide coupling layer 2a in the same thickness as the optical waveguide layer 2. As a result, the linear optical waveguide layer 2 and the curved coupling layer 2a are connected, and the optical waveguide layer 2
The removed areas are connected (see FIG. 4 (i)). At this time, the unnecessary coupling layer 2a is formed on the cladding layer 3. Next, a resist layer 6 that covers the optical waveguide coupling layer 2a is formed on the optical waveguide coupling layer 2a (see FIG. 11 (j)). Next, the remaining portion of the unnecessary coupling layer 2a on the clad layer 3 is removed by dry etching (see FIG. 3 (k)). At this time, the curved optical waveguide coupling layer 2a in the optical coupling region is protected by the resist layer 6 and is not affected by etching.
Next, the resist layer 6 on the required optical waveguide coupling layer 2a is removed (see FIG. 1 (l)).

【0012】次に、結合層2a上に純粋石英からなる第
2のクラッド層7が形成される(図1参照)。この結
果、石英基板1上にその一部が鉛直方向に持ち上がった
光導波路層2が完成する。
Next, a second cladding layer 7 made of pure quartz is formed on the bonding layer 2a (see FIG. 1). As a result, the optical waveguide layer 2 having a part thereof lifted up in the vertical direction is completed on the quartz substrate 1.

【0013】本実施例による光導波路層2は、このよう
に光導波路結合層2aにおいて鉛直方向に持ち上がって
いる。このため、光導波路層2はこの光導波路結合層2
aにおいて、他の光学部品に容易に光結合するようにな
る。従って、本実施例による光導波路は種々の装置に応
用することが可能であり、多彩な光学装置が提供され
る。以下に、この光導波路を応用した光学装置の例につ
いて説明する。
The optical waveguide layer 2 according to the present embodiment is thus lifted in the vertical direction in the optical waveguide coupling layer 2a. Therefore, the optical waveguide layer 2 is the optical waveguide coupling layer 2
At a, it becomes easy to optically couple with other optical components. Therefore, the optical waveguide according to the present embodiment can be applied to various devices, and various optical devices can be provided. An example of an optical device to which this optical waveguide is applied will be described below.

【0014】図5は、本実施例による光導波路を用いて
構成された光結合器を示す図である。なお、同図におい
て図1と同一または相当する部分については同符号を用
いてその説明は省略する。
FIG. 5 is a view showing an optical coupler constructed by using the optical waveguide according to this embodiment. In the figure, parts that are the same as or correspond to those in FIG. 1 are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted.

【0015】光導波路結合層2aは上述したように鉛直
方向に持ち上がった縦曲り導波路を形成しており、第2
のクラッド層7の表面は平坦に加工されている。このよ
うに縦曲り導波路が形成された2つの導波路チップ8を
各クラッド層7の表面を対向させて張り合わせることに
より、各光導波路結合層2aにおいて光結合する光結合
器が形成される。この際、光源9から出射された光を光
ファイバ10を介して一方の導波路チップ8の光導波路
2に入力し、この光入力パワーの一部を他方の導波路チ
ップ8の光導波路2に分岐させる。そして、この分岐し
た光入力を光ファイバ11を介してパワーメータ12に
取り込み、分岐した光パワーを測定する。この測定によ
って導波光をモニタしながら、各光導波路結合層2a間
の相互距離を調節して調心することにより、結合長は制
御される。所定の分岐比が得られる調心位置で、上下2
つの各導波路チップ8をUV樹脂などで機械的に固定す
れば、任意の分岐比を持つ方向性結合器が容易に形成さ
れる。縦曲り導波路チップ8をこのように用いて種々の
分岐比を持つ方向性結合器を構成する場合には、多くの
製造プロセスを共通にすることができる。
As described above, the optical waveguide coupling layer 2a forms a vertically curved waveguide which is lifted in the vertical direction.
The surface of the clad layer 7 is processed flat. By thus bonding the two waveguide chips 8 having the vertically bent waveguides so that the surfaces of the cladding layers 7 face each other, an optical coupler for optically coupling is formed in each optical waveguide coupling layer 2a. .. At this time, the light emitted from the light source 9 is input to the optical waveguide 2 of one waveguide chip 8 via the optical fiber 10, and a part of this optical input power is input to the optical waveguide 2 of the other waveguide chip 8. Branch off. Then, the branched optical input is taken into the power meter 12 through the optical fiber 11, and the branched optical power is measured. The coupling length is controlled by adjusting the mutual distance between the optical waveguide coupling layers 2a and aligning them while monitoring the guided light by this measurement. At the centering position where a predetermined branching ratio can be obtained,
By mechanically fixing each of the two waveguide chips 8 with UV resin or the like, a directional coupler having an arbitrary branching ratio can be easily formed. When the longitudinally bent waveguide chip 8 is used in this way to construct a directional coupler having various branching ratios, many manufacturing processes can be made common.

【0016】図6は、本実施例による縦曲り光導波路と
光ファイバとの光結合構成を示す断面図である。なお、
同図においても図1と同一または相当する部分について
は同符号を用いてその説明は省略する。この光結合は光
導波路の導波路端面でなく、基板面に対して行われ、こ
の基板面を介して光の入射・出射が行われる。光結合す
る光ファイバの形状の差異により、光結合構成には次の
2つのタイプが考えられる。
FIG. 6 is a sectional view showing an optical coupling configuration of a longitudinally curved optical waveguide and an optical fiber according to this embodiment. In addition,
In this figure as well, parts that are the same as or correspond to those in FIG. This optical coupling is performed not on the waveguide end face of the optical waveguide, but on the substrate surface, and light is incident and emitted via this substrate surface. Due to the difference in the shape of the optical fiber to be optically coupled, the following two types of optical coupling configurations can be considered.

【0017】第1のタイプは同図(a)に示される。つ
まり、光ファイバ13の端部が斜めにカットされ、この
カット面が導波路チップ8の光導波路結合層2a上の表
面に当接されている。光ファイバ13のカットされた端
部は、この状態で固定台14によって第2のクラッド層
7表面に固定されている。光ファイバ13からの光出力
は鉛直方向に持ち上がった光導波路結合層2aに与えら
れ、また、光導波路結合層2aを伝搬する光の一部は光
ファイバ13に与えられ、光結合が行われる。
The first type is shown in FIG. That is, the end of the optical fiber 13 is obliquely cut, and the cut surface is in contact with the surface of the waveguide chip 8 on the optical waveguide coupling layer 2a. The cut end of the optical fiber 13 is fixed to the surface of the second cladding layer 7 by the fixing base 14 in this state. The optical output from the optical fiber 13 is given to the optical waveguide coupling layer 2a lifted in the vertical direction, and a part of the light propagating through the optical waveguide coupling layer 2a is given to the optical fiber 13 for optical coupling.

【0018】第2のタイプは同図(b)に示される光タ
ップ方式である。つまり、光ファイバ15の一部が屈曲
し、この屈曲状態は光ファイバ屈曲基板16によって保
持されている。しかも、この屈曲部は光導波路結合層2
aに近接して固定されている。この光タップ方式では、
縦曲り導波路チップ8の光導波路結合層2aと光ファイ
バ15の屈曲部とが光結合する。
The second type is the optical tap method shown in FIG. That is, a part of the optical fiber 15 is bent, and this bent state is held by the optical fiber bent substrate 16. Moreover, this bent portion is the optical waveguide coupling layer 2
It is fixed near a. With this optical tap method,
The optical waveguide coupling layer 2a of the vertically curved waveguide chip 8 and the bent portion of the optical fiber 15 are optically coupled.

【0019】本実施例によればこのような光結合が行え
るため、複数の導波路間を光ファイバでつなぐ光ファイ
バワイヤリングが可能となる。
According to this embodiment, since such optical coupling can be performed, it is possible to perform optical fiber wiring in which a plurality of waveguides are connected by an optical fiber.

【0020】図7は、本実施例による縦曲り光導波路を
用いて構成された線路切替スイッチを示している。石英
基板17中には複数の縦曲り光導波路18A,B,Cが
形成されており、これら各光導波路18は信号ライン
1,2,3を構成している。また、導波路チップ19中
には1個の縦曲り光導波路20が形成されており、この
光導波路20は光ファイバ21に接合されている。縦曲
り光導波路20の持ち上がった導波路領域は基板17中
の縦曲り光導波路18に対向して配置され、導波路チッ
プ19が図示の矢印に沿って移動することにより、光フ
ァイバ21は各信号ライン1〜3に切替接続される。す
なわち、本実施例による各縦曲り光導波路部は信号入出
力切替ポートとして機能する。
FIG. 7 shows a line changeover switch constructed by using a vertically curved optical waveguide according to this embodiment. A plurality of vertically curved optical waveguides 18A, B, C are formed in the quartz substrate 17, and each optical waveguide 18 constitutes signal lines 1, 2, 3. Further, one longitudinally curved optical waveguide 20 is formed in the waveguide chip 19, and the optical waveguide 20 is joined to the optical fiber 21. The lifted waveguide region of the vertically curved optical waveguide 20 is arranged so as to face the vertically curved optical waveguide 18 in the substrate 17, and the waveguide chip 19 moves along the arrow shown in the figure, so that the optical fiber 21 receives each signal. Switched to lines 1-3. That is, each vertically curved optical waveguide portion according to this embodiment functions as a signal input / output switching port.

【0021】図8は、本実施例による縦曲り光導波路を
光信号バスラインに応用した例を示している。基板22
中に形成された光導波路23は、複数の縦曲り導波路領
域を有している。バスラインから入力された光信号入力
は、第1の縦曲り導波路領域において増幅される。つま
り、この第1の縦曲り導波路領域は図6(a)と同様な
原理で光ファイバ23と光結合しており、光ファイバ2
3から出射される光アンプ用励起光が第1の縦曲り導波
路領域を介し、希土類元素が添加された光導波路領域2
3aに入射することにより、バスラインからの光信号入
力は増幅される。また、第2の縦曲り導波路領域は光フ
ァイバ24と光結合しており、光ファイバ24から所定
の光が入力されることにより、第1の縦曲り導波路領域
で増幅された光信号は消去される。つまり、この第2の
縦曲り導波路領域は消去用ポートを構成している。ま
た、第3の縦曲り導波路領域は光ファイバ25と光結合
して読出用ポートを構成しており、消去用ポートで消去
されずに光導波路23を伝搬してきた光信号入力の一部
は光ファイバ25に分岐する。この分岐光入力によって
バスラインからの光信号入力が読み出される。第4の縦
曲り導波路領域は図7と同様な原理により切替用ポート
を構成しており、バスラインのうちの1つの光導波路を
伝搬してきた光信号入力が選択される。
FIG. 8 shows an example in which the longitudinally curved optical waveguide according to this embodiment is applied to an optical signal bus line. Board 22
The optical waveguide 23 formed therein has a plurality of vertically curved waveguide regions. The optical signal input from the bus line is amplified in the first vertically curved waveguide region. That is, the first longitudinally curved waveguide region is optically coupled to the optical fiber 23 according to the same principle as in FIG.
The optical amplifier excitation light emitted from the optical waveguide 3 passes through the first longitudinally curved waveguide region and the optical waveguide region 2 to which the rare earth element is added
The optical signal input from the bus line is amplified by being incident on 3a. Further, the second longitudinally curved waveguide region is optically coupled to the optical fiber 24, and when a predetermined light is input from the optical fiber 24, the optical signal amplified in the first longitudinally curved waveguide region is generated. Erased. That is, this second vertically curved waveguide region constitutes an erasing port. The third vertically curved waveguide region is optically coupled with the optical fiber 25 to form a read port, and a part of the optical signal input propagated through the optical waveguide 23 without being erased by the erase port is It is branched to the optical fiber 25. The optical signal input from the bus line is read by this branched optical input. The fourth vertically curved waveguide region constitutes a switching port according to the same principle as that of FIG. 7, and the optical signal input propagated through one optical waveguide of the bus line is selected.

【0022】このように本実施例による縦曲り光導波路
を用いれば、多彩な光学装置が提供される。
As described above, by using the longitudinally curved optical waveguide according to this embodiment, various optical devices can be provided.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、コ
ア層の所定領域は第1のクラッド層によって鉛直方向に
持ち上げられる。鉛直方向に持ち上がったコア部分は他
の光学部品と容易に光結合する。従って、従来の水平面
内に形成された光導波路と本発明による鉛直方向に持ち
上がった光導波路とが組み合わされることにより、導波
路構造の立体化が図られ、多彩な光学装置が提供される
ようになる。
As described above, according to the present invention, the predetermined region of the core layer is vertically lifted by the first cladding layer. The vertically raised core portion is easily optically coupled to other optical components. Therefore, by combining the conventional optical waveguide formed in the horizontal plane with the optical waveguide lifted in the vertical direction according to the present invention, the waveguide structure can be made three-dimensional and various optical devices can be provided. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による光導波路の第4の製造
工程断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a fourth manufacturing process of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例による光導波路の第1の製造
工程断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a first manufacturing process of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例による光導波路の第2の製造
工程断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a second manufacturing process of the optical waveguide according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例による光導波路の第3の製造
工程断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a third manufacturing process of the optical waveguide according to the embodiment of the present invention.

【図5】本実施例による光導波路を用いて構成された光
結合器の構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an optical coupler configured using the optical waveguide according to the present embodiment.

【図6】本実施例による光導波路と光ファイバとの光結
合構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an optical coupling configuration of an optical waveguide and an optical fiber according to this example.

【図7】本実施例による光導波路を用いて構成された線
路切替スイッチを示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a line changeover switch configured by using the optical waveguide according to the present embodiment.

【図8】本実施例による光導波路を用いて構成された光
信号バスラインを示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an optical signal bus line configured by using the optical waveguide according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…石英基板(第1のクラッド層)、2…光導波路層
(コア層)、2a…光導波路結合層、3…クラッド層
(第2のクラッド層)、3a…湾曲したクラッド層3
(第1のクラッド層)、4…レジスト膜、4a…湾曲し
たレジスト膜4、5…レジスト壁、6…光導波路結合層
2aを保護するレジスト層、7…クラッド層(第2のク
ラッド層)。
1 ... Quartz substrate (first clad layer), 2 ... Optical waveguide layer (core layer), 2a ... Optical waveguide coupling layer, 3 ... Clad layer (second clad layer), 3a ... Curved clad layer 3
(First clad layer) 4 ... Resist film, 4a ... Curved resist film 4, 5 ... Resist wall, 6 ... Resist layer for protecting optical waveguide coupling layer 2a, 7 ... Clad layer (second clad layer) ..

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 鉛直方向に持ち上がった領域を有する第
1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成され
た鉛直方向に持ち上がった領域を有するコア層と、この
コア層上に形成された第2のクラッド層とを備えて形成
された光導波路。
1. A first cladding layer having a vertically raised region, a core layer having a vertically raised region formed on the first cladding layer, and a core layer formed on the core layer. And a second clad layer.
【請求項2】 第1のクラッド層上にコア層を形成する
工程と、このコア層の所定領域を除去して前記第1のク
ラッド層を一部露出させる工程と、露出したこの第1の
クラッド層上に前記コア層の除去端面を露出しつつさら
にクラッド材料を形成して露出した前記第1のクラッド
層を鉛直方向に持ち上がらせる工程と、前記コア層の露
出した除去端面を結合するコア結合層を鉛直方向に持ち
上がった前記第1のクラッド層上に形成する工程と、結
合されたこのコア層上に第2のクラッド層を形成する工
程とを備えた光導波路の製造方法。
2. A step of forming a core layer on the first cladding layer, a step of removing a predetermined region of the core layer to partially expose the first cladding layer, and a step of exposing the exposed first layer. A step of forming a cladding material on the clad layer while exposing the removed end surface of the core layer, and lifting the exposed first clad layer in a vertical direction; and a core coupling the exposed removed end surface of the core layer. A method of manufacturing an optical waveguide, comprising: forming a coupling layer on the first cladding layer lifted in the vertical direction; and forming a second cladding layer on the coupled core layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043275A (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Fujikura Ltd Optical multiplexer/demultiplexer, and method for manufacturing optical multiplexer/demultiplexer
JP2006514317A (en) * 2002-06-28 2006-04-27 イクスポーネント フォトニクス,インコーポレイティド Waveguide assembled for lateral transfer of optical power

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043275A (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Fujikura Ltd Optical multiplexer/demultiplexer, and method for manufacturing optical multiplexer/demultiplexer
JP4514999B2 (en) * 2001-07-27 2010-07-28 株式会社フジクラ Optical multiplexer / demultiplexer and optical multiplexer / demultiplexer manufacturing method
JP2006514317A (en) * 2002-06-28 2006-04-27 イクスポーネント フォトニクス,インコーポレイティド Waveguide assembled for lateral transfer of optical power

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