JPH0522028U

JPH0522028U - 積層型精密濾過エレメント

Info

Publication number: JPH0522028U
Application number: JP7750691U
Authority: JP
Inventors: 孝志門前; 正春渡辺; 広宣佐藤
Original assignee: Kitz Corp
Current assignee: Kitz Corp
Priority date: 1991-09-02
Filing date: 1991-09-02
Publication date: 1993-03-23
Anticipated expiration: 2006-09-02
Also published as: JP2576443Y2

Abstract

(57)【要約】【目的】上板による膜保護の機能は維持しつつ、ガス
の置換性を増大させることにより、製品の歩留りを向上
させる。【構成】中央開口部１７ｃを有する膜支持体１７ｂの
両面に、ＰＴＦＥより成る最大孔径０．１〜５μである
微細多孔膜１７ａを封止してユニット部材１７とする。
このユニット部材１７の中央開口部周縁を溶着積層し、
ユニット部材１７の両端に上板１６、下板２２を配設し
た濾過エレメントであって、上板１６に少なくとも一つ
以上の貫通孔１９を設けることによって、上板１６の上
方の滞留部１８内に滞留しているガスは、貫通孔１９を
通過して、異種ガスの拡散により置換性を増すことにな
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、積層型精密濾過エレメントに関し、特に半導体工業を始めとする清浄度の高い環境下において、使用される一般の不活性ガス（例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等）や腐食性の高いガス（例えば、アルシン、シラン、ホスフィン等）の浄化に用いられるガスラインフィルター用の濾過エレメントに関する。

【０００２】

【従来の技術】

半導体製造プロセスに使用される各種ガスは単体または調整混合した形態で取り扱われており、半導体素子の高集積度化に供ない、高純度化が要求される。プロセス用ガスの高純度化におけるガスラインフィルターは、濾過性能の向上、構成部材の脱・吸着ガスの低減、更には、滞留部のないフィルター内部構造であることが必要とされ、特にフィルターの要求項目が一段と厳しくなっている。半導体集積回路素子の集積度が４Mebit以上になると、回路パターンの線巾は０．５μｍ以下となり、１／１０に当る０．０５μｍ以下の粒径を持つ微粒子捕捉が要求される。この結果、素材変換による濾過性能向上が強いられると共に、不純ガスにおける混入はそれ以上に重要視される。その一つの条件として、脱ガス性が良く、吸着性の小さい素材であることが要求され、更に、第二の条件として、設計上、滞留部のない内部構造でなければならない。前者は、濾過性能の高い素材を、生産プロセス上の処理条件等（ベーキング処理）で実施できるが、後者については、成形品やハウジング内部構造等、部品仕様として予め設定しなければならない。例えば、従来のガスラインフィルターは、フィルターエレメントの二次側シールにＯリングを使っており、その嵌合部を設定すると滞留部の発生は避けられないのが実情であり、特に、高流量（膜面積の大きいタイプ）型では、滞留部が大きくならざるを得ない。これを図４に従って具体的に説明すると、流入口１と流出口２を有するケーシング３内に、濾過エレメント４を配設し、このエレメント４の上下部に上板５と下板６を設けた構造である。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

上記した膜面積の大きいタイプのガスラインフィルターのケーシング３内に設けた上板５は、濾過に寄与しないが、膜保護の為に設けられている。この上板５とケーシング３を囲む部分に、滞留部７が形成される。このため、この滞留部７内にガスが滞留し、この影響でガスの置換性が悪く、異種のガスを共有して流す配管系において、不純ガスの混入は避けられず、超ＬＳＩと高集積化が進んでいる今日において、初期流動での歩留りが低下する等の問題がある。本考案は、従来の問題を解決するために開発したもので、上板による膜保護の機能は維持しつつ、ガスの置換性を増大させることにより、製品の歩留りを向上させることを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

上記の目的を達成するため、本考案は、中央開口部を有する膜支持体の両面に微細多孔膜を封止してユニット部材とし、各ユニット部材の中央開口部周縁を溶着積層し、ユニット部材の両端に上板、下板を配設した濾過エレメントにおいて、該上板に少なくとも一つ以上の貫通部を設けるようにした。膜支持体の形状は円盤形状が良く、上記の貫通部は、上板に貫通孔又は貫通溝を形成するのが好ましく、更に、微細多孔膜は、ＰＴＦＥより成る最大孔径０．１〜５μであるのが良い。

【０００５】

【作用】

濾過エレメントから上板を除く事は生産プロセス上、膜破損、異物の付着のし易さ等の面から、好ましくない。そこで上板を取外すことなく、上板に少なくとも一つ以上の貫通部を設けることによって、上板の上方の滞留部位に滞留しているガスは、貫通部を通過して、異種ガスの拡散により置換性を増すことになる。

【０００６】

【実施例】次に、本考案における積層型精密濾過エレメントの一実施例を図面に従って説明する。図１において、流入口１１を有する下部ケーシング１２と流出口１４を有する上部ケーシング１３でケーシング２０を形成し、このケーシング２０内にＯリング１５を介して、フィルターエレメント２１を配設する。このフィルターエレメント２１は、図３に示すように、ユニット部材１７の中央開口部１７ｃの周縁を溶着積層し、このユニット部材１７の上端と下端に、上板１６と下板２２を設けて構成する。

【０００７】上記したユニット部材１７は、中央開口部１７ｃを有する円盤形状の膜支持体１７ｂの両面の内外周面に微細多孔膜１７ａを溶着封止して構成する。この微細多孔膜は、ＰＴＦＥより成る最大孔径０．１〜５μである。

【０００８】図３において、上板１６には複数の貫通部１９を設けて、滞留部１８内の滞留ガスを拡散させるようにしている。本例において、貫通部１９は、貫通孔を形成しているが、その他、放射状等の貫通溝を形成するようにしても良い。

【０００９】次に、上記した実施例の作用を説明する。例えば、半導体製造工程等のように、静浄度の高い環境下において、窒素、ヘリウム等の不活性ガス、或はアルシン、シラン等のように腐食性の高いガスの配管の途中にケーシング２０の流入口１１と流出口１４を設け、流入口１１より流入したガスは、図１に示す矢印のように流入して濾過エレメント２１の微細多孔膜１７ａにより濾過されて、ユニット部材１７の中央開口部１７ｃを通過した浄化ガスは流出口１４より流出する。

【００１０】この場合、ケーシング２０内に流入したガスは、滞留部１８内に滞留するが、膜保護用の上板１６に設けた貫通孔１９よりガスが通過して、異種ガスが速やかに拡散し、ガスの置換性を良好にする。

【００１１】

【考案の効果】

従って、本考案によると、上板に貫通部を設けることにより、ガス拡散が起り易いため、ガス置換性が著しく向上し、更に、貫通部を設けることによって、部品の変形（水平方向）を容易に修復でき、手間が省ける等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案におけるガスラインフィルタの縦断面図
である。

【図２】本考案におけるユニット部材の拡大断面図であ
る。

【図３】本考案における濾過エレメントの分離斜視図で
ある。

【図４】従来のガスラインフィルタを示した縦断面図で
ある。

【符号の説明】

１１流入口１４流出口１６上板１７ユニット部材１８滞留部１９貫通部２０ケーシング２１濾過エレメント２２下板

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】中央開口部を有する膜支持体の両面に微
細多孔膜を封止してユニット部材とし、各ユニット部材
の中央開口部周縁を溶着積層し、ユニット部材の両端に
上板、下板を配設した濾過エレメントにおいて、該上板
に少なくとも一つ以上の貫通部を設けたことを特徴とす
る積層型精密濾過エレメント。
【請求項２】上板に設けた貫通部は貫通孔とした請求
項１記載の積層型精密濾過エレメント。
【請求項３】膜支持体の形状を円盤形状とした請求項
１又は２記載の積層型精密濾過エレメント。
【請求項４】微細多孔膜はＰＴＦＥより成る最大孔径
０．１〜５μである請求項１乃至３記載の積層型精密濾
過エレメント。