JPH05217543A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 イオンビームおよびエレクトロンシャワー２
７の密度分布を検出可能なビーム電流測定子１１と、イ
オン照射対象物２６の注入面Ｃとビーム電流測定子１１
の測定面Ｄとの中間位置にエレクトロンシャワー２７を
集合させた焦点Ｅを結ばせる静電レンズ２１と、ビーム
電流測定子１１より得られた密度分布を基にして電流密
度を所定値以下に設定するビームプロファイルモニター
１２とを有している。 【効果】 イオン照射対象物２６の注入面Ｃにおける照
射状態をビーム電流測定子１１によって把握することが
できるため、エレクトロンシャワー２７の密度分布の変
更により、エレクトロンシャワー２７とイオンビームと
の密度分布を一致させて電流密度を所定値以下に抑制で
きる。よって、エレクトロンシャワー２７のディスク位
置を基にしたシャワー量の制御が不要になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イオン照射対象物にイ
オンビームを照射した際の正極性の帯電をエレクトロン
シャワーにより中性化するイオンビーム中性化装置を備
えたイオン注入装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年におけるイオン注入装置には、図３
に示すように、フィラメント電流により発熱するフィラ
メント５０をニュートラルカップ５１に形成された通過
孔５１ａの側方に配設し、フィラメント５０から放出さ
れた熱電子を通過孔５１ａを介してニュートラルカップ
５１に導入し、ニュートラルカップ５１の内壁面に衝突
させることによって２次電子を放出させ、この２次電子
をイオン照射対象物５２にシャワー状に照射させるイオ
ンビーム中性化装置が搭載されている。これにより、イ
オン注入装置は、上記のシャワー状の２次電子からなる
エレクトロンシャワーがイオンビームにより正極性に帯
電されたイオン照射対象物５２を中性化させることによ
って、イオン照射対象物５２の正のチャージアップを防
止できるようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイオン注入装置では、図４に示すように、エレクト
ロンシャワーの密度分布がイオンビームの密度分布に一
致していないことが多いため、下記の問題を有してい
る。

【０００４】即ち、イオン照射対象物５２に照射される
イオンビームは、イオン照射対象物５２を保持するディ
スク５３にも照射されることによってディスクから２次
電子を放出させ、この２次電子をイオン照射対象物５２
の外周側に多量に供給するようになっている。これによ
り、イオン照射対象物５２は、外周側が内周側よりも正
極性の帯電量が低下した状態になっている。この際、内
周側と外周側との電位差によって生じる内周側の正のチ
ャージアップと外周側の負のチャージアップとは、電流
密度を0.２ｍＡ／ｃｍ² 以下等の所定値以下に抑制する
ことによって防止できることが実験によって確認されて
いる。

【０００５】ところが、図４に示すように、エレクトロ
ンシャワーの密度分布は、イオンビームの密度分布に一
致していないことが多く、両密度分布を合成したときの
電流密度は、0.２ｍＡ／ｃｍ² を越えた部分が存在して
いる場合が多い。従って、従来のイオン注入装置は、イ
オンビームの照射時に往復並進移動するディスク５３の
ディスク位置を基に、イオンビームが照射されるイオン
照射対象物５２のビーム照射部位を把握し、このビーム
照射部位がイオン照射対象物５２の中心側から外周側と
なるのに従ってエレクトロンシャワーのシャワー量が低
下するように、イオンビーム中性化装置を動作させるよ
うになっている。

【０００６】即ち、従来のイオン注入装置は、図３に示
すように、ディスク５３を往復並進移動させるディスク
駆動軸５４を有しており、このディスク駆動軸５４は、
１回転について１ｃｍディスク５３を移動させるように
なっている。そして、このディスク駆動軸５４には、ス
リット孔が形成された円板５５が設けられており、この
円板５５には、スリット孔によってパルス信号を出力す
る光電センサーからなる移動量検出センサー５６が近接
して設けられている。これにより、ディスク位置は、上
記の移動量検出センサー５６から出力されたパルス信号
をカウンター回路６６によって計数することにより得ら
れるようになっている。

【０００７】また、ディスク５３とキャッチプレート５
９とは、互いに接続された後、ディスク電流Ｉ_D とキャ
ッチプレート電流Ｉ_c とを検出する検出抵抗器および絶
縁アンプからなるＩ_D ＋Ｉ_c 計測回路６０に接続されて
いる。このＩ_D ＋Ｉ_c 計測回路６０は、バイアス電源６
１を介して、ニュートラルカップ５１および上述のＩ_D
＋Ｉ_c 計測回路６０と同一構成のＩ_B 計測回路６２に接
続されており、このＩ_B 計測回路６２は、ビーム電流Ｉ
_B を検出するようになっている。そして、Ｉ_B計測回路
６２は、絶縁アンプの出力側が設定信号発生回路６４に
接続されていると共に、検出抵抗器がカレントインテグ
レータ６３に接続されている。

【０００８】従来のイオン注入装置は、Ｉ_D ＋Ｉ_c 計測
回路６０によって検出されたディスク電流Ｉ_D とキャッ
チプレート電流Ｉ_c とをフィードバック信号として差動
回路６５に入力させるようになっていると共に、カウン
ター回路６６によって得られたディスク位置と、Ｉ_B 計
測回路６２によって検出されたビーム電流Ｉ_B と、ディ
スク電流設定器６７から出力されたディスク電流設定信
号とを基にした設定信号を設定信号発生回路６４から差
動回路６５に入力させるようになっている。

【０００９】尚、上記の設定信号は、Ｉ_B −（Ｉ_B −Ｉ
_D+C ）ｓｉｎθである。ここで、Ｉ_B はビーム電流、Ｉ
_D+C はディスク電流＋キャッチプレート電流、ｓｉｎθ
は移動量検出センサー５６からのパルス信号を計数して
関数発生器により変換したものである。

【００１０】そして、注入前は、ディスク駆動軸５４の
検出部５４ａが両端検出センサー５７・５７の外部に退
避しているため、ｓｉｎθ＝０となり、フィードバック
信号と設定信号とが同一値となってシャワー量が最低
（０）の状態にされる。この後、注入が開始され、ディ
スク駆動軸５４の検出部５４ａが一方の両端検出センサ
ー５７を横切ったときからパルス信号が計数されてシャ
ワー量が増大され、検出部５４ａが両端検出センサー５
７・５７の中心に位置したときに、ｓｉｎθ＝１となっ
てＩ_B −Ｉ_B ＋Ｉ_D+C ＝Ｉ_D+C とされ、シャワー量が最
大にされることになる。そして、検出部５４ａが他方の
両端検出センサー５７方向へ移動するのに伴ってシャワ
ー量が減少され、他方の両端検出センサー５７を横切っ
たときにｓｉｎθ＝０となり、フィードバック信号と設
定信号とが同一値となってシャワー量が最低（０）の状
態にされることになる。

【００１１】このように、従来のイオン注入装置は、エ
レクトロンシャワーの密度分布がイオンビームの密度分
布に一致していないことが多いため、エレクトロンシャ
ワーによってイオン照射対象物５２を中性化する際の効
率が低下したものになっていると共に、イオン照射対象
物５２の注入面での照射状態を把握してエレクトロンシ
ャワーの照射状態を変更することができないため、回路
構成および機構の複雑化を招来するディスク位置を基に
した制御によって正および負のチャージアップを防止せ
ざるを得ないという問題を有している。

【００１２】従って、本発明においては、エレクトロン
シャワーおよびイオンビームの密度分布を一致させて電
流密度を所定値以下に抑制することによって、上記の問
題を解決することができるイオン注入装置を提供するこ
とを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、上記課題を解決するために、イオンビームが照射さ
れるイオン照射対象物をエレクトロンシャワーによって
中性化するものであり、下記の特徴を有している。

【００１４】即ち、イオン注入装置は、イオンビームお
よびエレクトロンシャワーの密度分布を検出可能な密度
分布検出手段であるビーム電流測定子と、イオン照射対
象物の注入面と密度分布検出手段の測定面との中間位置
にエレクトロンシャワーを集合させた焦点を結ばせる静
電レンズと、上記密度分布検出手段によって得られたイ
オンビームおよびエレクトロンシャワーの密度分布を基
にして電流密度を所定値以下に設定する制御手段である
ビームプロファイルモニターとを有していることを特徴
としている。

【００１５】

【作用】上記の構成によれば、静電レンズを用いてエレ
クトロンシャワーを集合させ、焦点を密度分布検出手段
の測定面とイオン照射対象物の注入面との中間位置に結
ばせることによって、注入面におけるイオンビームおよ
びエレクトロンシャワーの照射状態と同一の照射状態を
測定面において形成させるようになっている。

【００１６】これにより、制御手段は、イオン照射対象
物の注入面における照射状態を密度分布検出手段によっ
て把握することができるため、エレクトロンシャワーの
密度分布の変更により、エレクトロンシャワーとイオン
ビームとの密度分布を一致させて電流密度を所定値以下
に抑制できることになる。従って、イオン注入装置は、
エレクトロンシャワーによるイオン照射対象物を中性化
する際の効率が向上したものになっていると共に、エレ
クトロンシャワーのシャワー量の制御が不要であるた
め、シャワー量の制御に要するディスク位置を検出する
ための回路構成および機構を省略することが可能になっ
ている。

【００１７】

【実施例】本発明の一実施例を図１および図２に基づい
て説明すれば、以下の通りである。

【００１８】本実施例に係るイオン注入装置は、図１に
示すように、イオンビーム中性化装置を有しており、こ
のイオンビーム中性化装置は、ニュートラルカップ１お
よびキャッチプレート２を有するエンドステーション部
に設けられている。上記のニュートラルカップ１には、
正電圧が印加されるようになっており、このニュートラ
ルカップ１の側面壁には、一対の通過孔１ａ・１ａが形
成されている。これらの通過孔１ａ・１ａの側方には、
熱電子の放出量を調整するゲート電極４・４を介してフ
ィラメント３・３が配設されており、これらのフィラメ
ント３・３には、フィラメント電源５・５がそれぞれ接
続されている。そして、フィラメント３・３は、各フィ
ラメント電源５・５からフィラメント電流が通電される
ことによって発熱し、熱電子を放出するようになってい
る。

【００１９】また、上記のゲート電極４・４には、ゲー
ト電極４・４のゲート電圧を設定するゲート電圧制御電
源６・６が接続されている。これらのゲート電圧制御電
源６・６は、ゲート電圧制御回路７からの電圧制御信号
によって出力電圧が個々に制御されるようになってお
り、ゲート電圧制御回路７には、差動回路８が接続され
ている。

【００２０】上記の差動回路８には、検出抵抗器９ａお
よび絶縁アンプ９ｂからなるＩ_D ＋Ｉ_c 計測回路９が接
続されており、Ｉ_D ＋Ｉ_c 計測回路９の検出抵抗器９ａ
の一方は、キャッチプレート２に接続されていると共
に、イオン照射対象物２６を保持してニュートラルカッ
プ１とキャッチプレート２との間に搬送し、往復並進移
動および回転移動させるディスク２３に接続されてい
る。一方、検出抵抗器９ａの他方は、ディスクバイアス
電源２４の正極側に接続されており、この検出抵抗器９
ａを有するＩ_D ＋Ｉ_c 計測回路９は、ディスク２３から
のディスク電流Ｉ_Dとキャッチプレート２からのキャッ
チプレート電流Ｉ_c とを検出するようになっている。そ
して、上記のディスクバイアス電源２４の負極側は、ニ
ュートラルカップ１およびカレントインテグレータ２５
に接続されており、カレントインテグレータ２５は、ビ
ーム電流Ｉ_B を測定するようになっている。

【００２１】また、キャッチプレート２には、イオンビ
ームおよびエレクトロンシャワー２７によって生じる電
流を検出する密度分布検出手段であるビーム電流測定子
１１…が複数配設されている。これらのビーム電流測定
子１１…は、検出面の径が２φに設定されており、Ｘ方
向に７ｍｍピッチおよびＹ方向に１４ｍｍピッチの間隔
で１７行１７列に配設されている。そして、これらのビ
ーム電流測定子１１…は、イオンビームの進行方向に対
して垂直方向に面状に配設されることによって、イオン
ビームおよびエレクトロンシャワー２７の密度分布およ
び形状を制御手段であるビームプロファイルモニター１
２によって測定可能にさせるようになっている。

【００２２】各ビーム電流測定子１１…は、ビームプロ
ファイルモニター１２のスイッチング回路１３に接続さ
れており、スイッチング回路１３には、アドレス信号発
生回路１６が接続されている。そして、このスイッチン
グ回路１３は、計測回路１４に接続され、アドレス信号
発生回路１６によって指定されたアドレスに配置された
ビーム電流測定子１１…によって検出された電流のみを
計測回路１４へ出力させるようになっている。

【００２３】上記の計測回路１４は、スイッチング回路
１３から入力された電流を所定の電圧範囲に変換および
昇圧させるようになっており、この変換および昇圧され
た検出電圧をＡ／Ｄ変換器１５へ出力するようになって
いる。そして、Ａ／Ｄ変換器１５は、ＣＰＵ１７に接続
され、検出電圧をデジタル値に変換した検出値としてＣ
ＰＵ１７に入力させるようになっている。

【００２４】上記のＣＰＵ１７には、Ａ／Ｄ変換器１５
の他、上述のアドレス信号発生回路１６、メモリ１８、
および表示部１９が接続されており、ＣＰＵ１７は、Ａ
／Ｄ変換器１５から入力された検出値をビーム電流測定
子１１…のアドレスと共に記憶させるようになっている
と共に、メモリ１８に記憶されたアドレスおよび検出値
を基にしてエレクトロンシャワー２７およびイオンビー
ムの密度分布および形状を表示部１９に表示させるよう
になっている。

【００２５】また、ＣＰＵ１７は、Ｉ／Ｏ回路２０を介
してディスク電流設定回路１０に接続されており、上記
のエレクトロンシャワー２７およびイオンビームの密度
分布の分布状況を判断し、エレクトロンシャワー２７の
密度分布がイオンビームの密度分布に一致し、エレクト
ロンシャワー２７とイオンビームとを合成した電流密度
が所定値である0.２ｍＡ／ｃｍ² 以下となるように、デ
ィスク電流設定回路１０の出力値を設定するようになっ
ている。尚、上記の所定値とは、電流密度が所定値以下
であれば、イオン照射対象物２６の内周側と外周側との
電位差によって生じる内周側の正のチャージアップと外
周側の負のチャージアップとを防止できる値のことであ
る。

【００２６】上記のニュートラルカップ１とキャッチプ
レート２との間には、エレクトロンシャワー２７を集合
させる静電レンズ２１が配設されている。この静電レン
ズ２１には、静電レンズ制御電源２２の負極側が接続さ
れており、静電レンズ制御電源２２によって負電圧が印
加されるようになっている。この静電レンズ制御電源２
２は、図示しないモータによって抵抗値を変更可能な可
変抵抗器からなっており、この抵抗値の設定および変更
は、上述のビームプロファイルモニター１２によって行
われるようになっている。そして、この静電レンズ２１
は、エレクトロンシャワー２７を集合させた際の焦点Ｅ
をビーム電流測定子１１…の測定面Ｄとディスク２３に
保持されたイオン照射対象物２６の注入面Ｃとの中間位
置に結ばせることによって、上記の注入面Ｃに照射され
るエレクトロンシャワー２７の状態と同一の状態を測定
面Ｄに再現させるようになっている。

【００２７】上記の構成において、イオン注入装置の動
作について説明する。

【００２８】先ず、イオン源から引き出されたイオンビ
ームが、質量分析器によって質量分析されることによっ
て、特定のイオン種からなる不純物イオンのイオンビー
ムとされることになる。そして、このイオンビームは、
マスクスリットによって形状が整形された後、ニュート
ラルカップ１および静電レンズ２１を介してキャッチプ
レート２に導入されることになる。

【００２９】上記のイオンビームは、キャッチプレート
２のビーム電流測定子１１…に到達することになり、各
ビーム電流測定子１１…は、イオンビームの各部の密度
に応じた電流を発生することになる。そして、この電流
は、スイッチング回路１３へ出力されることになり、ス
イッチング回路１３は、アドレス信号発生回路１６によ
って指定されたアドレスに対応するビーム電流測定子１
１…からの電流のみを計測回路１４へ出力することにな
る。そして、このアドレスに対応する電流は、計測回路
１４によって所定の電圧範囲に変換および昇圧された
後、Ａ／Ｄ変換器１５によってデジタル化された検出値
としてＣＰＵ１７に入力され、アドレス信号発生回路１
６からのアドレスと共に、メモリ１８に格納された後、
アドレスに対応させて表示部１９に表示されることにな
る。これにより、表示部１９には、イオンビームの形状
および密度分布が表示されることになる。

【００３０】次に、フィラメント電流がフィラメント電
源５・５からフィラメント３・３に通電されることによ
って、フィラメント３・３が熱電子を放出し易い状態に
昇温され、ニュートラルカップ１の正電圧によって熱電
子が引き出されることになる。フィラメント３・３から
放出された熱電子は、ニュートラルカップ１の通過孔１
ａ・１ａを通過して対向するニュートラルカップ１の内
面壁に衝突することになり、内面壁からエレクトロンシ
ャワー２７となる２次電子を放出させることになる。そ
して、この２次電子からなるエレクトロンシャワー２７
は、静電レンズ制御電源２２によって負電圧が印加され
た静電レンズ２１を介してキャッチプレート２方向に移
動することになる。

【００３１】上記のエレクトロンシャワー２７は、静電
レンズ２１によって中心方向に集合しながら移動するこ
とになる。この際、静電レンズ２１の負電圧は、エレク
トロンシャワー２７を集合させた際の焦点Ｅをビーム電
流測定子１１…の測定面Ｄとディスク２３に保持された
イオン照射対象物２６の注入面Ｃとの中間位置に結ばせ
る電圧値に設定されている。従って、キャッチプレート
２のビーム電流測定子１１…によって形成される測定面
Ｄには、イオンビームの注入面Ｃに照射されるエレクト
ロンシャワー２７の状態と同一の状態が再現されること
になる。

【００３２】エレクトロンシャワー２７が照射された各
ビーム電流測定子１１…は、エレクトロンシャワー２７
の各部の密度に応じた電流を発生することになる。そし
て、この電流は、スイッチング回路１３へ出力されるこ
とになり、スイッチング回路１３は、アドレス信号発生
回路１６によって指定されたアドレスに対応するビーム
電流測定子１１…からの電流のみを計測回路１４へ出力
することになる。そして、このアドレスに対応する電流
は、計測回路１４によって所定の電圧範囲に変換および
昇圧された後、Ａ／Ｄ変換器１５によってデジタル化さ
れた検出値としてＣＰＵ１７に入力され、アドレス信号
発生回路１６からのアドレスと共に、メモリ１８に格納
された後、アドレスに対応させて表示部１９に表示され
ることになる。これにより、表示部１９には、エレクト
ロンシャワー２７の形状および密度分布が表示されるこ
とになる。

【００３３】このようにして、イオンビームおよびエレ
クトロンシャワー２７の形状および密度分布を示す検出
値が得られると、次いで、両検出値が比較および演算さ
れることになる。そして、図２に示すように、エレクト
ロンシャワー２７が例えばイオンビームの密度分布と不
一致の密度分布を有するエレクトロンシャワーＡの場合
には、エレクトロンシャワーＡとイオンビームとを合成
した電流密度Ａに0.２ｍＡ／ｃｍ² を越える部分が存在
すると判定されることになり、エレクトロンシャワーＡ
の状態からエレクトロンシャワーＢの状態となるよう
に、Ｉ／Ｏ回路２０を介してディスク電流設定回路１０
の出力値が設定され、ゲート電圧制御電源６・６の出力
電圧が制御されることになる。そして、エレクトロンシ
ャワーＡが矢符方向に移動してエレクトロンシャワーＢ
となって、0.２ｍＡ／ｃｍ² 以下の電流密度Ｂが得られ
ると、ディスク２３によってイオン照射対象物２６がニ
ュートラルカップ１とキャッチプレート２との間に搬送
され、イオン照射対象物２６へのイオンビームによる不
純物イオンの注入が行われることになる。

【００３４】このように、本実施例のイオン注入装置
は、静電レンズ２１を用いてエレクトロンシャワー２７
を集合させ、焦点Ｅをビーム電流測定子１１…の測定面
Ｄとイオン照射対象物２６の注入面Ｃとの中間位置に結
ばせることによって、注入面Ｃにおけるイオンビームお
よびエレクトロンシャワー２７の照射状態と同一の照射
状態を測定面Ｄにおいて形成させるようになっている。

【００３５】これにより、ビームプロファイルモニター
１２は、イオン照射対象物２６の注入面Ｃにおける照射
状態をキャッチプレート２のビーム電流測定子１１…に
よって把握することができるため、エレクトロンシャワ
ー２７の密度分布の変更により、エレクトロンシャワー
２７とイオンビームとの密度分布を一致させて電流密度
を所定値である0.２ｍＡ／ｃｍ² 以下に抑制できるよう
になっている。従って、イオン注入装置は、エレクトロ
ンシャワー２７によるイオン照射対象物５２を中性化す
る際の効率が向上したものになっていると共に、エレク
トロンシャワー２７のシャワー量の制御が不要であるた
め、シャワー量の制御に要するディスク位置を検出する
ための回路構成および機構を省略することが可能になっ
ている。

【００３６】

【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、イオンビームおよびエレクトロンシャワーの密度分
布を検出可能な密度分布検出手段であるビーム電流測定
子と、イオン照射対象物の注入面と密度分布検出手段の
測定面との中間位置にエレクトロンシャワーを集合させ
た焦点を結ばせる静電レンズと、上記密度分布検出手段
によって得られたイオンビームおよびエレクトロンシャ
ワーの密度分布を基にして電流密度を所定値以下に設定
する制御手段であるビームプロファイルモニターとを有
している構成である。

【００３７】これにより、イオン照射対象物の注入面に
おける照射状態を密度分布検出手段によって把握するこ
とができるため、エレクトロンシャワーの密度分布の変
更により、エレクトロンシャワーとイオンビームとの密
度分布を一致させて電流密度を所定値以下に抑制できる
ことになる。よって、エレクトロンシャワーによるイオ
ン照射対象物を中性化する際の効率が向上したものにな
ると共に、エレクトロンシャワーのシャワー量の制御が
不要であるため、シャワー量の制御に要するディスク位
置を検出するための回路構成および機構を省略すること
が可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のイオン注入装置に設けられたイオンビ
ーム中性化装置のブロック図である。

【図２】エレクトロンシャワーとイオンビームとを合成
した電流密度の状態を示す説明図である。

【図３】従来例を示すものであり、イオン注入装置に設
けられたイオンビーム中性化装置のブロック図である。

【図４】エレクトロンシャワーとイオンビームとを合成
した電流密度の状態を示す説明図である。

【符号の説明】

１ ニュートラルカップ １ａ 通過孔 ２ キャッチプレート ３ フィラメント ４ ゲート電極 ５ フィラメント電源 ６ ゲート電圧制御電源 ７ ゲート電圧制御回路 ８ 差動回路 ９ Ｉ_D ＋Ｉ_c 計測回路 １０ ディスク電流設定回路 １１ ビーム電流測定子（密度分布検出手段） １２ ビームプロファイルモニター １３ スイッチング回路 １４ 計測回路 １５ Ａ／Ｄ変換器 １６ アドレス信号発生回路 １７ ＣＰＵ １８ メモリ １９ 表示部（制御手段） ２０ Ｉ／Ｏ回路 ２１ 静電レンズ ２２ 静電レンズ制御電源 ２３ ディスク ２４ ディスクバイアス電源 ２５ カレントインテグレータ ２６ イオン照射対象物 ２７ エレクトロンシャワー

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】イオンビームが照射されるイオン照射対象
   物をエレクトロンシャワーによって中性化するイオン注
   入装置において、 イオンビームおよびエレクトロンシャワーの密度分布を
   検出可能な密度分布検出手段と、イオン照射対象物の注
   入面と密度分布検出手段の測定面との中間位置にエレク
   トロンシャワーを集合させた焦点を結ばせる静電レンズ
   と、上記密度分布検出手段によって得られたイオンビー
   ムおよびエレクトロンシャワーの密度分布を基にして電
   流密度を所定値以下に設定する制御手段とを有している
   ことを特徴とするイオン注入装置。