JPH05217212A - Information recording medium - Google Patents

Information recording medium

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JPH05217212A
JPH05217212A JP4021066A JP2106692A JPH05217212A JP H05217212 A JPH05217212 A JP H05217212A JP 4021066 A JP4021066 A JP 4021066A JP 2106692 A JP2106692 A JP 2106692A JP H05217212 A JPH05217212 A JP H05217212A
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layer
recording
protective layer
protective
optical disk
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Tadashi Kobayashi
忠 小林
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To improve the sticking property of a protective layer to a reflecting layer, to enhance the mechanical strength of the protective layer and to increase the number of repetitions of overwriting. CONSTITUTION:A first protective layer 2, a recording layer 3, a second protective layer 4, a reflecting layer 5 and a third protective layer 6 are successively laminated on a substrate 1 for an optical disk to form a phase change optical disk. In this case, the first and second protective layers 2, 4 are especially made of a mixture of ZnS.SiOx (2.0>x>1.0) with Y2O3. Since this Y2O3 can be allowed to act as a binder, the above-mentioned purpose can be attained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生に用い
られる光ディスクのような情報記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium such as an optical disk used for recording and reproducing information.

【0002】[0002]

【従来の技術】情報の記録再生に用いられる情報記録媒
体としての光ディスクとして、情報の再生専用のCD−
ROM、情報の記録再生が可能な光磁気ディスク、相変
化型光ディスクなどが知られており、これらの情報記録
媒体は各種コンピュータの記憶装置に適用可能になって
いる。
2. Description of the Related Art As an optical disk as an information recording medium used for recording and reproducing information, a CD-only for reproducing information is used.
A ROM, a magneto-optical disk capable of recording and reproducing information, a phase-change optical disk, and the like are known, and these information recording media are applicable to storage devices of various computers.

【0003】ここで、特に最近脚光を浴びつつある相変
化型光ディスク(以下相変化光ディスクと称する)で
は、情報の記録再生のために用いられる記録層(相変化
記録層)としては、カルコゲナイド系材料から構成され
ており、このカルコゲナイド系記録層の結晶層,非結晶
層の相変化を利用して情報の記録再生が行われる。この
ような相変化光ディスクは、1989年5月20日、株
式会社工業調査会から発行された奥田昌宏著「書換え可
能光ディスク材料」に詳細に説明されている。
Here, in a phase-change type optical disk (hereinafter referred to as a phase-change optical disk), which is particularly in the spotlight recently, a chalcogenide material is used as a recording layer (phase-change recording layer) used for recording and reproducing information. The recording and reproducing of information is performed by utilizing the phase change of the crystalline layer and the non-crystalline layer of the chalcogenide recording layer. Such a phase change optical disk is described in detail in "Rewritable Optical Disk Material" by Masahiro Okuda, published by Industrial Research Institute, Inc. on May 20, 1989.

【0004】図3は従来の相変化光ディスクの構成を示
す断面図で、光ディスク基板11上に第1の誘電体保護
層12、相変化記録層13、第2の誘電体保護層14、
金属または合金からなる反射層15及び第3の保護層1
6が順次積層されて形成されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional phase change optical disc, in which a first dielectric protective layer 12, a phase change recording layer 13, a second dielectric protective layer 14 are provided on an optical disc substrate 11.
Reflective layer 15 and third protective layer 1 made of metal or alloy
6 are sequentially laminated.

【0005】ここで、光ディスク基板11は透明で経時
変化が少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート
(PMMA)のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラスなど
で構成される。これには記録フォーマットに応じて連続
溝、サンプルサーボマーク、プリフォーマットマークな
どが形成される。
Here, the optical disk substrate 11 is made of a material that is transparent and has little change over time, such as acrylic resin such as polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. In this, continuous grooves, sample servo marks, preformat marks, etc. are formed according to the recording format.

【0006】記録層13は光ビームが照射されることに
より状態が変化する相変化型材料で構成されている。こ
のような相変化型材料としては、例えばGeTe系,T
eSe系,GeSbSe系,TeOx系,InSe系,
GeSbTe系などのカルコゲナイド系アモルファス半
導体材料やInSb系,GaSb系,InSbTe系な
どの化合物半導体材料などを用いて、真空蒸着法やスパ
ッタリング法などで形成することができる。この記録層
13の層厚としては、実用上数nm乃至数μmの範囲が
用いられる。
The recording layer 13 is made of a phase-change material whose state changes when irradiated with a light beam. Examples of such phase change materials include GeTe-based and T-based materials.
eSe system, GeSbSe system, TeOx system, InSe system,
A chalcogenide-based amorphous semiconductor material such as GeSbTe-based or a compound semiconductor material such as InSb-based, GaSb-based, InSbTe-based can be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like. As the layer thickness of the recording layer 13, a range of several nm to several μm is practically used.

【0007】第1及び第2の保護層12,14は記録層
13を挟むように配置されており、記録ビームの照射に
より記録層13が飛散したり、穴があいてしまうことを
防止する役割を有している。また記録のときの記録層1
3の加熱,冷却の熱拡散を制御する役割もある。この第
1及び第2の保護層12,14としては、例えばSiO
2 ,SiO,AlN,Al2 3 ,ZrO2 ,Ti
2 ,Ta2 3 ,ZnS,Si、またはGeなどを用
いて、真空蒸着法やスパッタリング法などで形成するこ
とができる。これら保護層12,14の層厚は実用上数
nm乃至数μmが用いられる。
The first and second protective layers 12 and 14 are arranged so as to sandwich the recording layer 13, and play a role of preventing the recording layer 13 from scattering or having holes due to irradiation of the recording beam. have. Recording layer 1 for recording
It also has a role of controlling the heat diffusion of heating and cooling of No. 3. As the first and second protective layers 12 and 14, for example, SiO
2 , SiO, AlN, Al 2 O 3 , ZrO 2 , Ti
O 2 , Ta 2 O 3 , ZnS, Si, Ge, or the like can be used and can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The layer thickness of these protective layers 12 and 14 is practically used from several nm to several μm.

【0008】反射層15は、記録層13の光学的変化を
光学的にエンハンスして(強めて)再生信号を増大させ
たり記録層13の冷却を行う役割を有している。この反
射層15としては、例えばAu,Al,Cu,Ni−C
r合金などの金属または合金を用いて、真空蒸着法やス
パッタリング法などで形成することができる。反射層1
5の層厚は、実用上数nm乃至数μmが用いられる。
The reflective layer 15 has a role of optically enhancing (strengthening) an optical change of the recording layer 13 to increase a reproduction signal and cooling the recording layer 13. As the reflective layer 15, for example, Au, Al, Cu, Ni-C
It can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like using a metal or an alloy such as an r alloy. Reflective layer 1
The layer thickness of 5 is practically several nm to several μm.

【0009】第3の保護層16は、相変化光ディスクを
取り扱う上での傷,ほこりなどを防止するために配置さ
れるものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成さ
れる。この保護層16は、例えば紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法により反射層15の表面に塗布し、紫外線を
照射して硬化させて形成される。この保護層16の層厚
としては、実用上数μm乃至数百μmの範囲が用いられ
る。
The third protective layer 16 is arranged to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually formed of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 16 is formed, for example, by applying an ultraviolet curable resin on the surface of the reflective layer 15 by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. The layer thickness of the protective layer 16 is practically used in the range of several μm to several hundreds μm.

【0010】このような従来の相変化光ディスクの動作
は次のように行われている。
The operation of such a conventional phase change optical disk is performed as follows.

【0011】(1) 真空蒸着法やスパッタリング法などで
形成された前記記録層13は非晶質であるので、加熱ア
ニール処理または光ビーム照射などで結晶相にする。こ
れを初期(結晶)化という。
(1) Since the recording layer 13 formed by the vacuum vapor deposition method, the sputtering method or the like is amorphous, it is brought into a crystalline phase by heat annealing treatment or light beam irradiation. This is called initial (crystallization).

【0012】(2) 短パルス,高パワーの記録パルスを結
晶相の記録層に加えてこれを溶融,急冷し非晶質化して
記録マークとする。
(2) A short-pulse, high-power recording pulse is applied to the recording layer of the crystalline phase, and this is melted and rapidly cooled to be amorphized to form a recording mark.

【0013】(3) 長パルス,低パワーの消去パルスを非
晶質相の記録マークに加えてこれを結晶化し、記録マー
クを消去する。
(3) A long-pulse, low-power erasing pulse is added to the recording mark in the amorphous phase to crystallize the recording mark to erase the recording mark.

【0014】また、消去パワーに記録パワーを重畳させ
て、オーバーライトを行うことも検討されている。ここ
でコンピュータの補助記憶装置としてこの相変化光ディ
スクを使用することを考えると、オーバーライトの繰り
返し回数、すなわち情報の記録消去特性は100万回以
上が可能であることが、信頼性を確保する上で必要とさ
れている。
Further, it is also considered to overwrite the recording power with the erasing power. Considering the use of this phase-change optical disk as an auxiliary storage device of a computer, it is possible to ensure the reliability that the number of overwrite repetitions, that is, the information recording / erasing characteristic can be 1 million times or more. Is needed in.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】ところで従来の相変化
光ディスクでは、保護層と反射層との付着性が良くな
く、また保護層の機械的強度が十分でないため、オーバ
ーライトの記録消去の繰り返しで保護層と反射層の剥離
や保護膜の破壊が生じ易いので、オーバーライトの繰り
返し回数は1千回から1万回程度が限界であるという問
題がある。
By the way, in the conventional phase change optical disk, the adhesion between the protective layer and the reflective layer is not good, and the mechanical strength of the protective layer is not sufficient, so that repeated recording and erasing by overwriting can be performed. Since the protective layer and the reflective layer are easily peeled off or the protective film is destroyed, there is a problem in that the number of overwrite cycles is limited to about 1,000 to 10,000 times.

【0016】すなわち、相変化光ディスクの繰り返しオ
ーバーライトを行うと、保護層と金属または合金からな
る反射層との境界で剥離を生じ、このため繰り返し特性
が劣化することになる。これは保護層と反射層との付着
性が良くないことに起因しており、また保護層に最もヒ
ートストレスが掛かるため機械的強度も低下してくる。
That is, when the phase-change optical disk is repeatedly overwritten, peeling occurs at the boundary between the protective layer and the reflective layer made of metal or alloy, which deteriorates the repetitive characteristics. This is because the adhesion between the protective layer and the reflective layer is not good, and since the protective layer is most subjected to heat stress, the mechanical strength also decreases.

【0017】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、保護層と反射層との付着性を改善すると共
に保護層の機械的強度を向上してオーバーライトの繰り
返し回数を増加するようにした情報記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
The present invention has been made to solve the above problems, and improves the adhesion between the protective layer and the reflective layer and the mechanical strength of the protective layer to increase the number of overwrite repetitions. It is an object of the present invention to provide an information recording medium configured to do so.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、情報の記録再生が可能な記録層及びこの記
録層の光学的変化を強める反射層とを少なくとも有する
情報記録媒体であって、前記記録層に隣接して少なくと
もZn,S,Si,Y,Oを含有する誘電体からなる保
護層を設けたことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention is an information recording medium having at least a recording layer capable of recording / reproducing information and a reflective layer for enhancing the optical change of the recording layer. Then, a protective layer made of a dielectric containing at least Zn, S, Si, Y, O is provided adjacent to the recording layer.

【0019】[0019]

【作用】記録層に隣接して少なくともZn,S,Si,
Y,Oを含有する誘電体として例えばZnS,SiOx
(2.0>x>1.0)及びY2 3 の混合層からなる
保護層を設けたことにより、Y2 3 がバインダーとし
て働くので、保護層と反射層との付着性が良くなり、ま
た保護層の機械的強度を十分にすることができる。これ
によりオーバーライトの繰り返し回数を、信頼性を確保
できる程度に増加することができる。
Function At least Zn, S, Si, adjacent to the recording layer,
As a dielectric containing Y and O, for example, ZnS, SiOx
By providing a protective layer composed of a mixed layer of (2.0>x> 1.0) and Y 2 O 3 , Y 2 O 3 acts as a binder, so that the adhesion between the protective layer and the reflective layer is good. And the mechanical strength of the protective layer can be made sufficient. As a result, the number of times overwriting can be repeated can be increased to the extent that reliability can be ensured.

【0020】[0020]

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】図1は本発明の情報記録媒体としての相変
化光ディスクの実施例を示すもので、本実施例相変化光
ディスクは光ディスク基板1上に第1の誘電体保護層
2、相変化記録層3、第2の誘電体保護層4、金属また
は合金からなる反射層5及び第3の保護層15が順次積
層されて形成されており、特に前記第2及び第3の保護
層2,4は後述するようにZnS,SiO2 及びY2
3 の混合誘電体層からなっている。
FIG. 1 shows an embodiment of a phase change optical disc as an information recording medium of the present invention. The phase change optical disc of this embodiment has a first dielectric protective layer 2 and a phase change recording layer on an optical disc substrate 1. 3, a second dielectric protective layer 4, a reflective layer 5 made of a metal or an alloy, and a third protective layer 15 are sequentially laminated, and in particular, the second and third protective layers 2 and 4 are formed. As will be described later, ZnS, SiO 2 and Y 2 O
It consists of 3 mixed dielectric layers.

【0022】前記光ディスク基板1は透明で経時変化が
少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート(PMM
A)のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラスなどで構成さ
れる。これには記録フォーマットに応じて連続溝、サン
プルサーボマーク、プリフォーマットマークなどが形成
される。
The optical disc substrate 1 is made of a material that is transparent and does not easily change with time, such as polymethylmethacrylate (PMM).
It is made of acrylic resin such as A), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. In this, continuous grooves, sample servo marks, preformat marks, etc. are formed according to the recording format.

【0023】記録層3は光ビームが照射されることによ
り状態が変化する相変化型材料で構成されている。この
ような相変化型材料としては、例えばGeTe系,Te
Se系,GeSbSe系,TeOx系,InSe系,G
eSbTe型などのカルコナイド系アモルファス半導体
材料やInSb系,GaSb系,InSbTe系などの
化合物半導体材料などを用いて、真空蒸着法やスパッタ
リング法などで形成することができる。この記録層3の
層厚としては、実用上数nm乃至数μmの範囲であるこ
とが好ましい。
The recording layer 3 is made of a phase-change material whose state changes when irradiated with a light beam. Examples of such phase change materials include GeTe-based and Te-based materials.
Se system, GeSbSe system, TeOx system, InSe system, G
It can be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like using a chalconide-based amorphous semiconductor material such as eSbTe type or a compound semiconductor material such as InSb-based, GaSb-based, or InSbTe-based. The layer thickness of the recording layer 3 is preferably in the range of several nm to several μm for practical use.

【0024】第1及び第2の保護層2,4は記録層3を
挟むように配置されており、記録ビームの照射により記
録層3が飛散したり、穴があいてしまうことを防止する
役割を有している。また記録のときの記録層3の加熱,
冷却の熱拡散を制御する役割もある。この保護層2,4
としては、例えばZnSとSiO2 及びY2 3 からな
る混合誘導体を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層2,4の層厚は実用上数n
m乃至数μmであることが好ましい。
The first and second protective layers 2 and 4 are arranged so as to sandwich the recording layer 3 and play a role of preventing the recording layer 3 from scattering or having holes due to the irradiation of the recording beam. have. Also, heating of the recording layer 3 during recording,
It also has the role of controlling the thermal diffusion of cooling. This protective layer 2, 4
For example, a mixed derivative of ZnS and SiO 2 and Y 2 O 3 can be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like. The thickness of the protective layers 2 and 4 is practically n
It is preferably m to several μm.

【0025】反射層5は、記録層3の光学的変化を光学
的にエンハンスして(強めて)再生信号を増大させたり
記録層3の冷却を行う役割を有している。この反射層5
としては、例えばAu,Al,Cu,Ni−Cr合金、
Al−Ti合金などの金属または合金を用いて、真空蒸
着法やスパッタリング法などで形成することができる。
反射層5の層厚は、実用上数nm乃至数μmであること
が好ましい。
The reflective layer 5 has a role of optically enhancing (strengthening) an optical change of the recording layer 3 to increase a reproduction signal and cooling the recording layer 3. This reflective layer 5
For example, Au, Al, Cu, Ni-Cr alloy,
It can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like using a metal or an alloy such as an Al—Ti alloy.
The layer thickness of the reflective layer 5 is preferably several nm to several μm for practical use.

【0026】第3の保護層6は、相変化光ディスクを取
り扱う上での傷,ほこりなどを防止するために配置され
るものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成され
る。この保護層6は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコ
ート法により反射層5の表面に塗布し、紫外線を照射し
て硬化させて形成される。この保護層6の層厚として
は、実用上数μm乃至数百μmの範囲であることが好ま
しい。
The third protective layer 6 is arranged to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually formed of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 6 is formed, for example, by applying an ultraviolet curable resin to the surface of the reflective layer 5 by spin coating and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. The layer thickness of the protective layer 6 is preferably in the range of several μm to several hundreds μm in practical use.

【0027】次に本実施例によって得られた相変化光デ
ィスクと従来例による相変化光ディスクとの実験結果に
ついて説明する。
Next, experimental results of the phase change optical disk obtained in this embodiment and the conventional phase change optical disk will be described.

【0028】本実施例による相変化光ディスクとして、
ポリカーボネート基板(光ディスク基板1)上にスパッ
タリング法によりZnS−SiO2 −Y2 3 保護層
(第1の保護層2)を180nm、GeSbTe記録層
(記録層3)を20nm、ZnS−SiO2 −Y2 3
保護層(第2の保護層4)を20nm、Al合金反射層
(反射層5)を150nmに順次積層することにより形
成した。
As the phase change optical disk according to this embodiment,
ZnS-SiO 2 -Y 2 O 3 protective layer by a sputtering method on a polycarbonate substrate (the optical disc substrate 1) (first protective layer 2) of 180 nm, GeSbTe recording layer (recording layer 3) of 20nm, ZnS-SiO 2 - Y 2 O 3
The protective layer (second protective layer 4) and the Al alloy reflective layer (reflective layer 5) were formed in that order of 20 nm and 150 nm, respectively.

【0029】同様に、従来例による相変化光ディスクと
して、ポリカーボーネート基板(光ディスク基板11)
上にスパッタリング法によりZnS−SiO2 保護層
(第1の保護層12)を180nm、GeSbTe記録
層(記録層13)を20nm、ZeS−SiO2 保護層
(第2の保護層14)を20nm、Al合金反射層(反
射層15)を150nmに順次積層することにより形成
した。なお、いずれの光ディスクの場合も各反射層5,
15上に紫外線硬化樹脂をスピンコート後、紫外線を照
射することにより硬化させて第3の保護層6,16を形
成した。
Similarly, as a conventional phase change optical disk, a polycarbonate substrate (optical disk substrate 11) is used.
The ZnS-SiO 2 protective layer (first protective layer 12) is 180 nm, the GeSbTe recording layer (recording layer 13) is 20 nm, the ZeS-SiO 2 protective layer (second protective layer 14) is 20 nm by sputtering. It was formed by sequentially laminating an Al alloy reflective layer (reflective layer 15) to a thickness of 150 nm. It should be noted that in each of the optical discs, each reflection layer 5,
An ultraviolet curable resin was spin-coated on 15 and then cured by irradiation with ultraviolet rays to form third protective layers 6 and 16.

【0030】前記2種類の相変化光ディスクの初期結晶
化したトラックに、線速8m/s,記録パルス60n
s,記録ピークパワー22mW,記録バイアスパワー1
1mWとして、記録周波数5.23MHzと2.00M
Hzを交互にオーバーライトし、繰り返してバーストの
発生状況を調べた。
A linear velocity of 8 m / s and a recording pulse of 60 n are recorded on the initially crystallized tracks of the two types of phase change optical disks.
s, recording peak power 22 mW, recording bias power 1
Recording frequency 5.23MHz and 2.00M as 1mW
Hz was alternately overwritten, and the occurrence of burst was examined repeatedly.

【0031】この結果、従来の相変化光ディスクでは、
10万回の繰り返しで多数のバーストが発生した。一
方、本実施例による相変化光ディスクでは100万回の
繰り返しでもバーストの発生は少ないことが認められ
た。また、前記第1及び第2の保護層2,4であるZn
S−SiOx−Y2 3 におけるxの範囲を、X=1.
0,1.5,2.0と選択しても、同様な安定した結果
が得られることが確かめられた。
As a result, in the conventional phase change optical disk,
A large number of bursts occurred after 100,000 repetitions. On the other hand, it was confirmed that the phase-change optical disk according to the present example generated few bursts even after 1 million repetitions. In addition, Zn that is the first and second protective layers 2 and 4
The range of x in S-SiOx-Y 2 O 3 is X = 1.
It was confirmed that similar stable results could be obtained by selecting 0, 1.5 and 2.0.

【0032】すなわち、ZnS−SiO2 混合層にY2
3 を加えたことにより、Y2 3がZnSとSiO2
のバインダーとして働くことにより各保護層2,4と反
射層5との付着性が良くなり、また各保護層2,4の機
械的強度を十分なものとすることができる。
That is, Y 2 is added to the ZnS-SiO 2 mixed layer.
By adding O 3 , Y 2 O 3 becomes ZnS and SiO 2
By functioning as a binder, the adhesion between the protective layers 2 and 4 and the reflective layer 5 is improved, and the mechanical strength of the protective layers 2 and 4 can be made sufficient.

【0033】なお、各保護層2,4において、ZnSの
みを用いただけでは結晶化し易いために耐久性に欠ける
ようになるので、これにSiO2 を混合したものが用い
られる。しかしSiO2 をほぼ20mol%以上混合す
ると、ZnSの結晶化は防止できるが、保護層の機械的
強度は十分とはならないので、通常はSiO2 を20m
ol%以下混合した例えば(ZnS)80(SiO2 20
molの混合膜からなるものが保護膜として用いられ
る。
In each of the protective layers 2 and 4, if only ZnS is used, it tends to be crystallized and thus lacks in durability. Therefore, a mixture of this with SiO 2 is used. However, when mixing approximately 20 mol% or more of SiO 2, although crystallization of ZnS can be prevented, the mechanical strength of the protective layer is not sufficient, usually a SiO 2 20 m
For example, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 mixed up to ol%
What is composed of a mixed film of mol is used as a protective film.

【0034】ここで、Y2 3 は他の成分に混合すると
その複合酸化物を形成して、混合膜の機械的強度を向上
できるという性質を有している。
Here, Y 2 O 3 has the property that when mixed with other components, it forms a complex oxide thereof and the mechanical strength of the mixed film can be improved.

【0035】本発明はこの性質に着目してなされたもの
であり、Zn−S−Si−Oの成分にY−Oを混合する
ことにより、Zn−S−Si−Y−Oの誘電体膜を形成
して保護膜として利用するようにしたものである。
The present invention has been made by paying attention to this property, and by mixing YO with the component of Zn-S-Si-O, a dielectric film of Zn-S-Si-YO is obtained. Is formed to be used as a protective film.

【0036】保護膜として混合膜を用いる場合はその屈
折率が問題となるが、前記(ZnS)80(SiO2 20
molの混合膜の屈折率は2.18である。一方、Y2
3の屈折率は1.92である。従って両者の値は近接
しているので、ZnS−SiO2 にY2 3 を少量混合
しても、得られる混合膜の屈折率の変化を小さく抑える
ことができ、ZnS−SiO2 の混合膜の光学的性質を
大きく変化させずに、機械的強度を向上させることがで
きる。
When a mixed film is used as the protective film, its refractive index becomes a problem, but the above (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20
The refractive index of the mol mixed film is 2.18. On the other hand, Y 2
The refractive index of O 3 is 1.92. Therefore, since the two values are close to each other, even if a small amount of Y 2 O 3 is mixed with ZnS-SiO 2 , the change in the refractive index of the obtained mixed film can be suppressed to a small value, and the mixed film of ZnS-SiO 2 can be suppressed. The mechanical strength can be improved without significantly changing the optical properties of the.

【0037】図2は、Y2 3 の混合率を変化した場合
の前記(ZnS−SiO2 −Y2 3 )混合膜の屈折率
の変化を示すものである。Y2 3 の混合率を20mo
l%以下に抑えることにより、屈折率の変化をほぼ0.
05%以下程度に抑えることができるので、従って20
mol%以下に選択するのが望ましい。Y2 3 の混合
率を20mol%以上に選択した場合には、その物理的
性質が変化してクラックが入り易くなるので、望ましく
なくなる。
[0037] FIG. 2 shows the change in the refractive index of the (ZnS-SiO 2 -Y 2 O 3) mixed film in the case of changing the mixing ratio of Y 2 O 3. The mixing ratio of Y 2 O 3 is 20mo
By controlling the ratio to be 1% or less, the change in the refractive index is almost 0.
Since it can be suppressed to about 05% or less, 20
It is desirable to select less than mol%. If the mixing ratio of Y 2 O 3 is selected to be 20 mol% or more, the physical properties of the Y 2 O 3 change and cracks are likely to occur, which is not desirable.

【0038】このようにY2 3 を20mol%以下混
合すると、Y2 3 がバインダーとして作用し、充分な
機械的強度が得られる。また、境界面もより平坦となる
ので、反射層5との付着性も改善される。
When Y 2 O 3 is mixed in an amount of 20 mol% or less, Y 2 O 3 acts as a binder and sufficient mechanical strength can be obtained. Further, since the boundary surface is also flatter, the adhesion with the reflective layer 5 is improved.

【0039】なお、本実施例の構造に限らず、各保護層
2,4は反射層5の上側、あるいは両側に配置しても良
い。さらに、保護層4,6は場合によっては不要にする
ことができる。また、記録層2のある面を内側にして光
ディスクを2枚貼り合わせて両面使用できるようにする
ことも可能である。
Not limited to the structure of this embodiment, the protective layers 2 and 4 may be arranged on the upper side or both sides of the reflective layer 5. Furthermore, the protective layers 4 and 6 can be omitted in some cases. It is also possible to use two surfaces by laminating two optical disks with the surface having the recording layer 2 inside.

【0040】さらにまた、相変化光ディスクに限ること
なく、光磁気ディスクやCD−ROMなどに対しても同
様に適用することができる。
Further, the present invention is not limited to the phase change optical disc, but can be similarly applied to a magneto-optical disc, a CD-ROM and the like.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、保護
層として特定成分からなるものを用いることにより、保
護層と反射層との付着性を改善すると共に保護層の機械
的強度を向上するようにしたので、オーバーライトの繰
り返し回数を増加できるようにした情報記録媒体を提供
することができる。
As described above, according to the present invention, by using a protective layer made of a specific component, the adhesion between the protective layer and the reflective layer is improved and the mechanical strength of the protective layer is improved. Since this is done, it is possible to provide an information recording medium capable of increasing the number of overwrite repetitions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の情報記録媒体としての相変化光ディス
クの実施例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a phase change optical disc as an information recording medium of the present invention.

【図2】本実施例に用いられるY2 3 を含む保護膜の
屈折率の変化を示す特性である。
FIG. 2 is a characteristic showing a change in refractive index of a protective film containing Y 2 O 3 used in this example.

【図3】従来の相変化光ディスクを示す断面図でる。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional phase change optical disc.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ディスク基板 2,4,6 保護層 3 記録層 5 反射層 1 optical disk substrate 2, 4, 6 protective layer 3 recording layer 5 reflective layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 情報の記録再生が可能な記録層及びこの
記録層の光学的変化を強める反射層とを少なくとも有す
る情報記録媒体であって、前記記録層に隣接して少なく
ともZn,S,Si,Y,Oを含有する誘電体からなる
保護層を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
1. An information recording medium having at least a recording layer capable of recording and reproducing information and a reflective layer for enhancing optical change of the recording layer, wherein at least Zn, S, Si adjacent to the recording layer. , Y, O containing a protective layer made of a dielectric material.
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