JPH0521420A - ウエハー加熱装置 - Google Patents
ウエハー加熱装置Info
- Publication number
- JPH0521420A JPH0521420A JP3172032A JP17203291A JPH0521420A JP H0521420 A JPH0521420 A JP H0521420A JP 3172032 A JP3172032 A JP 3172032A JP 17203291 A JP17203291 A JP 17203291A JP H0521420 A JPH0521420 A JP H0521420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- concave lens
- microwaves
- microwave oscillator
- waveguide
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハー加熱装置に関し，マイクロ波を用い
てウエハーを均一に加熱するウエハー加熱装置の提供を
目的とする。 【構成】 マイクロ波発振器１と, マイクロ波発振器１
から出射するマイクロ波を導く導波管４と, 導波管４か
ら出射するマイクロ波を分散させる凹レンズ５を有し,
ウエハー６をその主面に垂直な中心線が凹レンズ５の光
軸と一致するように配置して，ウエハー６に凹レンズ５
を透過したマイクロ波を入射するウエハー加熱装置によ
り構成する。また，前記凹レンズ５が石英からなるウエ
ハー加熱装置により構成する。
てウエハーを均一に加熱するウエハー加熱装置の提供を
目的とする。 【構成】 マイクロ波発振器１と, マイクロ波発振器１
から出射するマイクロ波を導く導波管４と, 導波管４か
ら出射するマイクロ波を分散させる凹レンズ５を有し,
ウエハー６をその主面に垂直な中心線が凹レンズ５の光
軸と一致するように配置して，ウエハー６に凹レンズ５
を透過したマイクロ波を入射するウエハー加熱装置によ
り構成する。また，前記凹レンズ５が石英からなるウエ
ハー加熱装置により構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハー加熱装置に関す
る。近年，半導体装置の高集積化に伴い，製造歩留りの
向上が要求されている。そのため，製造工程におけるウ
エハーの加熱の際，ウエハーを均一に加熱することが要
求される。
る。近年，半導体装置の高集積化に伴い，製造歩留りの
向上が要求されている。そのため，製造工程におけるウ
エハーの加熱の際，ウエハーを均一に加熱することが要
求される。
【０００２】
【従来の技術】従来，ウエハーの加熱にマイクロ波加熱
装置が使用されている。図３はマイクロ波加熱装置の従
来例を説明するための模式図で，１はマイクロ波発振
器，２は方向性結合器，３はスタブチューナ，４は導波
管，６はウエハー，７はステージ，８は真空チャンバを
表す。
装置が使用されている。図３はマイクロ波加熱装置の従
来例を説明するための模式図で，１はマイクロ波発振
器，２は方向性結合器，３はスタブチューナ，４は導波
管，６はウエハー，７はステージ，８は真空チャンバを
表す。
【０００３】ウエハー加熱の際は，マイクロ波発振器１
のパワーを調節し，スタブチューナ３を調整し，ウエハ
ー６を回転させてウエハー６を均一に加熱するようにし
ていた。
のパワーを調節し，スタブチューナ３を調整し，ウエハ
ー６を回転させてウエハー６を均一に加熱するようにし
ていた。
【０００４】ところが，パワーの調節や，スタブチュー
ナ３の調整は日常の厳しい管理が必要であり，パラメー
タがずれるとウエハー６の温度分布に差を生じるといっ
た問題があり，また，ウエハー６を回転させるためにス
テージ７の機構が複雑になるといった問題があった。
ナ３の調整は日常の厳しい管理が必要であり，パラメー
タがずれるとウエハー６の温度分布に差を生じるといっ
た問題があり，また，ウエハー６を回転させるためにス
テージ７の機構が複雑になるといった問題があった。
【０００５】パワーの調節，スタブチューナ３の調整，
ウエハー６を回転などを行っても，なおウエハーの周縁
部の温度が中心部の温度に比べてかなり低くなるといっ
た問題があった。
ウエハー６を回転などを行っても，なおウエハーの周縁
部の温度が中心部の温度に比べてかなり低くなるといっ
た問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記の問題
に鑑み，パワーの調節や，スタブチューナ３の調整に日
常の厳しい管理を必要とせず，また，ウエハー６を回転
させる必要もなく，しかも温度分布の均一性のよいウエ
ハー加熱装置を提供することを目的とする。
に鑑み，パワーの調節や，スタブチューナ３の調整に日
常の厳しい管理を必要とせず，また，ウエハー６を回転
させる必要もなく，しかも温度分布の均一性のよいウエ
ハー加熱装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例を
説明するための模式図である。上記課題は，マイクロ波
発振器１と, 該マイクロ波発振器１から出射するマイク
ロ波を導く導波管４と, 該導波管４から出射するマイク
ロ波を分散させる凹レンズ５を有し, ウエハー６をその
主面に垂直な中心線が該凹レンズ５の光軸と一致するよ
うに配置して，該ウエハー６に該凹レンズ５を透過した
マイクロ波を入射するウエハー加熱装置によって解決さ
れる。
説明するための模式図である。上記課題は，マイクロ波
発振器１と, 該マイクロ波発振器１から出射するマイク
ロ波を導く導波管４と, 該導波管４から出射するマイク
ロ波を分散させる凹レンズ５を有し, ウエハー６をその
主面に垂直な中心線が該凹レンズ５の光軸と一致するよ
うに配置して，該ウエハー６に該凹レンズ５を透過した
マイクロ波を入射するウエハー加熱装置によって解決さ
れる。
【０００８】また，前記凹レンズ５が石英からなるウエ
ハー加熱装置によって解決される。
ハー加熱装置によって解決される。
【０００９】
【作用】本発明では，導波管４から出射するマイクロ波
を分散させる凹レンズ５を設置し, ウエハー６をその主
面に垂直な中心線が凹レンズ５の光軸と一致するように
配置している。このようにすることにより，凹レンズ５
を透過したマイクロ波は従来よりもウエハー中心部が弱
く，周縁部が強くなり，ウエハー内の温度分布が，従来
よりも均一となる。
を分散させる凹レンズ５を設置し, ウエハー６をその主
面に垂直な中心線が凹レンズ５の光軸と一致するように
配置している。このようにすることにより，凹レンズ５
を透過したマイクロ波は従来よりもウエハー中心部が弱
く，周縁部が強くなり，ウエハー内の温度分布が，従来
よりも均一となる。
【００１０】また，凹レンズ５を石英で形成すれば，マ
イクロ波の吸収が少なく，加熱の効率を高くすることが
できる。
イクロ波の吸収が少なく，加熱の効率を高くすることが
できる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明するための模式
図で，１はマイクロ波発振器，２は方向性結合器，３は
スタブチューナ，４は導波管，５は凹レンズ，６はウエ
ハー，７はステージ，８は真空チャンバを表す。
図で，１はマイクロ波発振器，２は方向性結合器，３は
スタブチューナ，４は導波管，５は凹レンズ，６はウエ
ハー，７はステージ，８は真空チャンバを表す。
【００１２】マイクロ波発振器１の発振周波数は例えば
2.45ＧHzで，マイクロ波は方向性結合器２，スタブチュ
ーナ３，導波管４を経て凹レンズ５に入り，凹レンズ５
を透過する際分散され，ステージ７に搭載されたウエハ
ー６に入射する。凹レンズ５は例えば石英製である。ス
タブチューナ３は，マイクロ波のウエハー６からの反射
をなくすようにマッチングをとる。
2.45ＧHzで，マイクロ波は方向性結合器２，スタブチュ
ーナ３，導波管４を経て凹レンズ５に入り，凹レンズ５
を透過する際分散され，ステージ７に搭載されたウエハ
ー６に入射する。凹レンズ５は例えば石英製である。ス
タブチューナ３は，マイクロ波のウエハー６からの反射
をなくすようにマッチングをとる。
【００１３】図２は凹レンズの形状及びウエハーとの位
置関係を説明するための断面図で，Ｄは凹レンズ５の外
径，ｔは凹レンズ５の中心の厚さ，Ｒは凹レンズ５の凹
面の曲率半径，ｄはウエハー６の直径，Ｌは凹レンズ５
の導波管側の面とウエハー6表面の距離である。
置関係を説明するための断面図で，Ｄは凹レンズ５の外
径，ｔは凹レンズ５の中心の厚さ，Ｒは凹レンズ５の凹
面の曲率半径，ｄはウエハー６の直径，Ｌは凹レンズ５
の導波管側の面とウエハー6表面の距離である。
【００１４】これらの寸法の一例を次に示す。
Ｄ： 200mm
ｔ： 32mm
Ｒ： 200mm
ｄ： 150mm
Ｌ： 250mm
ウエハー６をその主面に垂直な中心線が凹レンズ５の光
軸と一致するように配置する。
軸と一致するように配置する。
【００１５】凹レンズ５の片面は平面とした。凹レンズ
５の中心の厚さｔは小さ過ぎるとマイクロ波の分散が小
さくなって分散効率が悪くなり，大き過ぎるとマイクロ
波の吸収が大きくなり望ましくない。両者の兼ね合いか
らｔを32mmとした。
５の中心の厚さｔは小さ過ぎるとマイクロ波の分散が小
さくなって分散効率が悪くなり，大き過ぎるとマイクロ
波の吸収が大きくなり望ましくない。両者の兼ね合いか
らｔを32mmとした。
【００１６】また，凹レンズ５の材料はナトリウム（Ｎ
ａ）を含む通常のガラスはマイクロ波の吸収が大きいの
で石英を採用した。このウエハー加熱装置を用い６イン
チウエハーにスピンオングラス（ＳＯＧ）を塗布し，26
0 ℃でキュアした時の温度分布は，中心温度を260 ℃と
する時，周縁部の温度は 230℃であった。これに対して
従来例の場合は，中心温度を260 ℃とする時，周縁部の
温度は 200℃であった。
ａ）を含む通常のガラスはマイクロ波の吸収が大きいの
で石英を採用した。このウエハー加熱装置を用い６イン
チウエハーにスピンオングラス（ＳＯＧ）を塗布し，26
0 ℃でキュアした時の温度分布は，中心温度を260 ℃と
する時，周縁部の温度は 230℃であった。これに対して
従来例の場合は，中心温度を260 ℃とする時，周縁部の
温度は 200℃であった。
【００１７】このように，本発明のウエハー加熱装置を
用いれば，従来に比べてウエハーの温度分布をより均一
にすることができる。このようなウエハー加熱装置によ
るウエハーの加熱は，ＳＯＧのキュアに限らず，500 ℃
程度の加熱まで効果的に使用できる。また，雰囲気は真
空に限らず，大気中または特定のガス中であってもよい
ことは勿論である。
用いれば，従来に比べてウエハーの温度分布をより均一
にすることができる。このようなウエハー加熱装置によ
るウエハーの加熱は，ＳＯＧのキュアに限らず，500 ℃
程度の加熱まで効果的に使用できる。また，雰囲気は真
空に限らず，大気中または特定のガス中であってもよい
ことは勿論である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ウエハーの温度分布を一様にして加熱するウエハー加熱
装置を提供することができる。
ウエハーの温度分布を一様にして加熱するウエハー加熱
装置を提供することができる。
【００１９】本発明は半導体装置の製造歩留りの向上に
寄与するものである。
寄与するものである。
【図１】実施例を説明するための模式図である。
【図２】凹レンズの形状及びウエハーとの位置関係を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図３】従来例を説明するための模式図である。
１はマイクロ波発振器
２は方向性結合器
３はスタブチューナ
４は導波管
５は凹レンズであって石英製凹レンズ
６はウエハー
７はステージ
８は真空チャンバ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波発振器(1) と, 該マイクロ波
発振器(1) から出射するマイクロ波を導く導波管(4)
と, 該導波管(4) から出射するマイクロ波を分散させる
凹レンズ(5) を有し, ウエハー(6) をその主面に垂直な中心線が該凹レンズ
(5) の光軸と一致するように配置して，該ウエハー(6)
に該凹レンズ(5) を透過したマイクロ波を入射すること
を特徴とするウエハー加熱装置。 - 【請求項２】 前記凹レンズ(5) が石英からなることを
特徴とする請求項１記載のウエハー加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172032A JPH0521420A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | ウエハー加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172032A JPH0521420A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | ウエハー加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521420A true JPH0521420A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15934270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172032A Withdrawn JPH0521420A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | ウエハー加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521420A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010182653A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | マイクロ波加熱装置 |
| WO2010090120A3 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-09-30 | 株式会社サタケ | マイクロ波加熱装置 |
| JP2012227174A (ja) * | 2012-08-23 | 2012-11-15 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | マイクロ波加熱装置 |
| US8513578B2 (en) | 2008-11-17 | 2013-08-20 | Tokyo Electron Limited | Electromagnetic wave processing apparatus |
| KR20230088989A (ko) * | 2021-12-13 | 2023-06-20 | 홍익대학교 산학협력단 | 마이크로웨이브를 이용한 부정형 카본 제조장치 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3172032A patent/JPH0521420A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8513578B2 (en) | 2008-11-17 | 2013-08-20 | Tokyo Electron Limited | Electromagnetic wave processing apparatus |
| JP2010182653A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | マイクロ波加熱装置 |
| WO2010090120A3 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-09-30 | 株式会社サタケ | マイクロ波加熱装置 |
| TWI454647B (zh) * | 2009-02-09 | 2014-10-01 | Satake Eng Co Ltd | 微波加熱裝置 |
| JP2012227174A (ja) * | 2012-08-23 | 2012-11-15 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | マイクロ波加熱装置 |
| KR20230088989A (ko) * | 2021-12-13 | 2023-06-20 | 홍익대학교 산학협력단 | 마이크로웨이브를 이용한 부정형 카본 제조장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |