JPH0520857B2 - - Google Patents
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- JPH0520857B2 JPH0520857B2 JP60074306A JP7430685A JPH0520857B2 JP H0520857 B2 JPH0520857 B2 JP H0520857B2 JP 60074306 A JP60074306 A JP 60074306A JP 7430685 A JP7430685 A JP 7430685A JP H0520857 B2 JPH0520857 B2 JP H0520857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- frequency power
- substrate holder
- substrate support
- auxiliary electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 2
- 235000003913 Coccoloba uvifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000008976 Pterocarpus marsupium Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001687 destabilization Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は真空中におけるイオン発生衝撃装
置、特に回転等の運動を与えた基板に高周波電力
を印加するイオン発生衝撃装置に関する。
置、特に回転等の運動を与えた基板に高周波電力
を印加するイオン発生衝撃装置に関する。
(従来技術)
イオンプレーテイング装置、プラズマエツチン
グ装置等において、真空容器内に静止した円形板
電極を設け、この円形板電極を基板保持体として
用い、これに高周波電力を印加するものが広く用
いられている。
グ装置等において、真空容器内に静止した円形板
電極を設け、この円形板電極を基板保持体として
用い、これに高周波電力を印加するものが広く用
いられている。
もし、この円形板電極を回転させながら、それ
に高周波電力を供給することができれば、そこに
保持された基板の表面における被加工効果の一様
性が向上するであろうことは容易に想像される
が、回転する電極板に高周波電力を印加して放電
を持続させることは容易ではない。例えば機械的
接触子を通じて高周波電力を回転電極板に印加し
ようとするとき、回転に伴う接触子の接触抵抗の
変化による高周波出力の負荷インピーダンスが大
きく変動し、高周波放電の持続は殆んど不可能で
ある。
に高周波電力を供給することができれば、そこに
保持された基板の表面における被加工効果の一様
性が向上するであろうことは容易に想像される
が、回転する電極板に高周波電力を印加して放電
を持続させることは容易ではない。例えば機械的
接触子を通じて高周波電力を回転電極板に印加し
ようとするとき、回転に伴う接触子の接触抵抗の
変化による高周波出力の負荷インピーダンスが大
きく変動し、高周波放電の持続は殆んど不可能で
ある。
そこで、真空容器内に金属製基板支持台を絶縁
して固定して高周波電力を供給し、この支持台上
に付設されているこれと機械的に接触している金
属製の基板保持体を回転させる構造によつて高周
波放電も持続させることが考えられる。このよう
な構成も、基板保持体が小さな場合には可能であ
るが、実際上利用価値のある程に基板保持体の有
効面積を増大させると、上記機械的接触の不安定
性のために放電の持続はやはり困難となる。
して固定して高周波電力を供給し、この支持台上
に付設されているこれと機械的に接触している金
属製の基板保持体を回転させる構造によつて高周
波放電も持続させることが考えられる。このよう
な構成も、基板保持体が小さな場合には可能であ
るが、実際上利用価値のある程に基板保持体の有
効面積を増大させると、上記機械的接触の不安定
性のために放電の持続はやはり困難となる。
(この発明が解決しようとする問題点)
この発明は、基板上へのイオン衝撃の均一化の
ため、有効面積の大きい基板自体に回転等の運動
をさせる必要がある場合に、基板に安定した高周
波電力を供給し、効果的なイオン衝撃作用を与え
ようとするものである。
ため、有効面積の大きい基板自体に回転等の運動
をさせる必要がある場合に、基板に安定した高周
波電力を供給し、効果的なイオン衝撃作用を与え
ようとするものである。
すなわち、先に本発明者等の一人は他者と共同
で、回転電極板に高周波電力を供給しようとする
ときに、該回転電極に付設された機械的接触子
に、同一真空容器内に設けられた補助電極を介し
て高周波電力を供給することによつて安定な放電
を持続させることができることを見出し、新規装
置を提案した(特願昭59−159371)。この経験に
もとづいて、前記基板保持体の有効面積が大きい
ために生じる、基板支持台に供給した高周波電力
による放電の不安定を除去しようとするものであ
る。
で、回転電極板に高周波電力を供給しようとする
ときに、該回転電極に付設された機械的接触子
に、同一真空容器内に設けられた補助電極を介し
て高周波電力を供給することによつて安定な放電
を持続させることができることを見出し、新規装
置を提案した(特願昭59−159371)。この経験に
もとづいて、前記基板保持体の有効面積が大きい
ために生じる、基板支持台に供給した高周波電力
による放電の不安定を除去しようとするものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、不活性気体、または活性気体、ま
たはそれらの混合気体を導入した真空容器内に設
けられた金属製の基板支持台に高周波電力を、同
一真空容器内に配置された補助電極を介して供給
すると共に、上記基板支持台に機械的接触を保た
せて主電極となる金属製の基板保持体を配設し、
該基板保持体に回転等の機械的運動をさせながら
雰囲気ガスをイオン化すると共に、負の直流バイ
アス電圧を基板に誘起させ、それらによつてイオ
ンプレーテイング、プラズマエツチング等を行う
ものである。
たはそれらの混合気体を導入した真空容器内に設
けられた金属製の基板支持台に高周波電力を、同
一真空容器内に配置された補助電極を介して供給
すると共に、上記基板支持台に機械的接触を保た
せて主電極となる金属製の基板保持体を配設し、
該基板保持体に回転等の機械的運動をさせながら
雰囲気ガスをイオン化すると共に、負の直流バイ
アス電圧を基板に誘起させ、それらによつてイオ
ンプレーテイング、プラズマエツチング等を行う
ものである。
(作用)
上記の構成を有するイオン衝撃装置は、同一容
器内に設けた補助電極を介して上記基板支持台に
電力を供給するという簡単な構成により、補助電
極のコイル部分によつて容器内の気体を効率よく
プラズマ化し、これによつて有効面積の大きな基
板保持体とこれを支える基板支持台との接触抵抗
の不安定に基づく高周波放電の不安定化を防止し
て安定な放電を持続させ、この高周波放電によつ
て誘起される負のバイアス電圧を基板保持体に安
定に印加することができる。と同時にプラズマ中
で高効率でイオン化されたイオンにより、均一で
効果的なイオン衝撃を基板に与えることができ
る。
器内に設けた補助電極を介して上記基板支持台に
電力を供給するという簡単な構成により、補助電
極のコイル部分によつて容器内の気体を効率よく
プラズマ化し、これによつて有効面積の大きな基
板保持体とこれを支える基板支持台との接触抵抗
の不安定に基づく高周波放電の不安定化を防止し
て安定な放電を持続させ、この高周波放電によつ
て誘起される負のバイアス電圧を基板保持体に安
定に印加することができる。と同時にプラズマ中
で高効率でイオン化されたイオンにより、均一で
効果的なイオン衝撃を基板に与えることができ
る。
このような方法によつて、高周波電力の供給を
安定化できる理由は必ずしも明らかではないが、
高周波放電によつて形成されるプラズマは、その
シース(鞘)の周辺に負電位領域が形成されるこ
とが知られており、この領域中に基板保持体を配
置することにより、基板はプラズマに対して負の
バイアス電圧が印加された状態に保持されるもの
と考えられる。(例えば、H.S.Butler and G.S.
Kino著“Plasma Sheath Formation by Radio
−Frequency Fields”、The Physics of Fluids、
Vol.6、No.9、P.1346−1355、1963或はC.M.
Horwitz著“Rf sputtering−voltage
divisionbetween two electrodes”、Journal of
Vacuum Science and Technology A、Vol.1、
No.1、P.60−68、1983参照) このため、基板保持体と基板支持台との機械的
接触不良によつて主電極である基板保持体への電
力供給が途絶えることがあつても、補助電極のみ
は放電を持続するかあるいは瞬時に放電を再開
し、基板支持台のプラズマによる負バイアス電圧
の印加は殆ど途絶えることが無く、これによつて
主電極である基板保持体の放電も直ちに復活する
ものと想像される。従つて、補助電極は、基板保
持体への高周波電力の供給が停止したときも独立
してプラズマを維持できるものであれば良い。
安定化できる理由は必ずしも明らかではないが、
高周波放電によつて形成されるプラズマは、その
シース(鞘)の周辺に負電位領域が形成されるこ
とが知られており、この領域中に基板保持体を配
置することにより、基板はプラズマに対して負の
バイアス電圧が印加された状態に保持されるもの
と考えられる。(例えば、H.S.Butler and G.S.
Kino著“Plasma Sheath Formation by Radio
−Frequency Fields”、The Physics of Fluids、
Vol.6、No.9、P.1346−1355、1963或はC.M.
Horwitz著“Rf sputtering−voltage
divisionbetween two electrodes”、Journal of
Vacuum Science and Technology A、Vol.1、
No.1、P.60−68、1983参照) このため、基板保持体と基板支持台との機械的
接触不良によつて主電極である基板保持体への電
力供給が途絶えることがあつても、補助電極のみ
は放電を持続するかあるいは瞬時に放電を再開
し、基板支持台のプラズマによる負バイアス電圧
の印加は殆ど途絶えることが無く、これによつて
主電極である基板保持体の放電も直ちに復活する
ものと想像される。従つて、補助電極は、基板保
持体への高周波電力の供給が停止したときも独立
してプラズマを維持できるものであれば良い。
(実施例)
図はこの発明のイオン衝撃装置の1実施例を示
し、1はベースプレート、2は器壁であり、これ
によつて囲まれた真空容器内に不活性気体、活性
気体、またはそれらの混合気体等の適宜の気体が
導入される一方、真空ポンプによつて排気され適
宜の圧力に保たれている。この真空容器内で基板
3が金属製基板保持体4に保持され、金属製ベア
リング5を介して金属製基板支持台6の上に配設
されて、これら金属製の三者4,5,6は機械的
接触の状態にある。支持台6は絶縁体7を介して
支持棒8に支えられ、ベースプレート1に固定さ
れている。基板保持体4は支持台6上に回転自在
に配設され、その外縁の歯に噛みう合う歯車9と
絶縁体10とを介して駆動軸11により外部から
回転運動が与えられる。高周波電源12により出
力される高周波電力は、整合器13を経て真空容
器内に導入され、コイル状の補助電極14を経て
基板支持台6に供給される。
し、1はベースプレート、2は器壁であり、これ
によつて囲まれた真空容器内に不活性気体、活性
気体、またはそれらの混合気体等の適宜の気体が
導入される一方、真空ポンプによつて排気され適
宜の圧力に保たれている。この真空容器内で基板
3が金属製基板保持体4に保持され、金属製ベア
リング5を介して金属製基板支持台6の上に配設
されて、これら金属製の三者4,5,6は機械的
接触の状態にある。支持台6は絶縁体7を介して
支持棒8に支えられ、ベースプレート1に固定さ
れている。基板保持体4は支持台6上に回転自在
に配設され、その外縁の歯に噛みう合う歯車9と
絶縁体10とを介して駆動軸11により外部から
回転運動が与えられる。高周波電源12により出
力される高周波電力は、整合器13を経て真空容
器内に導入され、コイル状の補助電極14を経て
基板支持台6に供給される。
補助電極14が設けられなく、高周波電力が直
接に基板支持台6に供給されている装置にあつて
は基板保持体4と支持台6との間の機械的接触の
接触抵抗の変動による負荷インピーダンスの変動
のために高周波放電の安定な持続が困難であり、
基板保持体の数の増大や有効面積の増大と供給電
力の増加と共に殆んど不可能となる。これに反し
て、この実施例に示すように真空容器内にコイル
状補助電極14を設けてこれを介して高周波電力
を供給すると、前記の作用の項で述べたように、
安定な放電を持続させ、この高周波放電に誘起さ
れる負のバイアス電圧を基板保持体に安定に印加
することができ、同時に効率よく生成されたイオ
ンによつて、均一で効果的なイオン衝撃を基板に
与えることかでき、基板表面の清浄化や蒸着膜の
高密度化を可能にする。
接に基板支持台6に供給されている装置にあつて
は基板保持体4と支持台6との間の機械的接触の
接触抵抗の変動による負荷インピーダンスの変動
のために高周波放電の安定な持続が困難であり、
基板保持体の数の増大や有効面積の増大と供給電
力の増加と共に殆んど不可能となる。これに反し
て、この実施例に示すように真空容器内にコイル
状補助電極14を設けてこれを介して高周波電力
を供給すると、前記の作用の項で述べたように、
安定な放電を持続させ、この高周波放電に誘起さ
れる負のバイアス電圧を基板保持体に安定に印加
することができ、同時に効率よく生成されたイオ
ンによつて、均一で効果的なイオン衝撃を基板に
与えることかでき、基板表面の清浄化や蒸着膜の
高密度化を可能にする。
なお、補助電極は、この実施例ではコイル状で
あるが、放電が安定して持続されるような他の形
状を実験的に確めて決めてもよいことは云う迄も
ない。
あるが、放電が安定して持続されるような他の形
状を実験的に確めて決めてもよいことは云う迄も
ない。
また、この実施例においては基板保持体4は1
個のみで回動運動を与えられているが、基板保持
体を増すことも、またそれらに自公転運動を与え
ることも機構的には容易であり、そのようにして
もこの発明の先述の作用が行われることは云う迄
もない。
個のみで回動運動を与えられているが、基板保持
体を増すことも、またそれらに自公転運動を与え
ることも機構的には容易であり、そのようにして
もこの発明の先述の作用が行われることは云う迄
もない。
(発明の効果)
この発明は、上記の構成により、回転等の運動
をしている基板保持体への高周波電力の供給を、
これを支える基板支持台にコイル状補助電極を介
して行うという簡単な構成によつて、真空容器内
の気体をプラズマ化して高周波放電を安定して持
続でき、高周波誘起バイアス電圧によりイオン等
による衝撃効果を高めることができ、多数の基板
に対して同時に均一な加工を可能にするので、工
業的効果が大きい。
をしている基板保持体への高周波電力の供給を、
これを支える基板支持台にコイル状補助電極を介
して行うという簡単な構成によつて、真空容器内
の気体をプラズマ化して高周波放電を安定して持
続でき、高周波誘起バイアス電圧によりイオン等
による衝撃効果を高めることができ、多数の基板
に対して同時に均一な加工を可能にするので、工
業的効果が大きい。
図面はこの発明のイオン衝撃装置の一実施例の
構成を示す断面模式図である。 図中の符号は、1はベースプレート、2は真空
器壁、3は基板、4は基板保持体、5はベアリン
グ、6は基板支持台、7,10は絶縁体、8は支
持棒、9は歯車、11は駆動軸、12は高周波電
源、13は整合器、14はコイル状補助電極であ
る。
構成を示す断面模式図である。 図中の符号は、1はベースプレート、2は真空
器壁、3は基板、4は基板保持体、5はベアリン
グ、6は基板支持台、7,10は絶縁体、8は支
持棒、9は歯車、11は駆動軸、12は高周波電
源、13は整合器、14はコイル状補助電極であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 適宜の気体の導入された真空容器内に設けら
れた金属性基板支持台に高周波電力を印加するこ
とによりイオンを発生、加速し、その衝撃を利用
する装置において、上記基板支持台上に主電極と
なる金属性基板保持体を機械的接触を保つて配設
し、該基板保持体に回転等の機械的運動を行わせ
るとともに、上記基板支持台への高周波電力の供
給を同一真空容器内に配置された補助電極を介し
て行うことを特徴とする高周波イオン衝撃装置。 2 上記補助電極がコイル状電極であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項のイオン衝撃装
置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60074306A JPS61233957A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 高周波イオン衝撃装置 |
US07/760,430 US4938859A (en) | 1984-07-31 | 1985-07-30 | Ion bombardment device with high frequency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60074306A JPS61233957A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 高周波イオン衝撃装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61233957A JPS61233957A (ja) | 1986-10-18 |
JPH0520857B2 true JPH0520857B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=13543309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60074306A Granted JPS61233957A (ja) | 1984-07-31 | 1985-04-10 | 高周波イオン衝撃装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61233957A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104694900A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-06-10 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 可加偏压式薄膜样品架 |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP60074306A patent/JPS61233957A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61233957A (ja) | 1986-10-18 |
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