JPH05203565A - 偏光解析装置 - Google Patents
偏光解析装置Info
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- JPH05203565A JPH05203565A JP1396892A JP1396892A JPH05203565A JP H05203565 A JPH05203565 A JP H05203565A JP 1396892 A JP1396892 A JP 1396892A JP 1396892 A JP1396892 A JP 1396892A JP H05203565 A JPH05203565 A JP H05203565A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】小型で簡便な偏光解析装置を提供することを目
的とする。 【構成】試料支持台３と、試料支持台３の一部に偏光を
入射させる偏光ビームスプリッタ１と、試料支持台３の
一部で反射された反射光のｐ偏光およびｓ偏光の位相差
をπにし、かつこの反射光を試料支持台３の一部とは異
なった部分に入射させ、この異なった部分で反射された
光を偏光ビームスプリッタ１に入射させる１／２λプリ
ズム７と、偏光ビームスプリッタ１に入射された光を検
出する光電検出器１０とを具備する光学系を有してい
る。試料支持台３は、光学系の光軸に対して４５°の方
向に沿って移動可能となっている。
的とする。 【構成】試料支持台３と、試料支持台３の一部に偏光を
入射させる偏光ビームスプリッタ１と、試料支持台３の
一部で反射された反射光のｐ偏光およびｓ偏光の位相差
をπにし、かつこの反射光を試料支持台３の一部とは異
なった部分に入射させ、この異なった部分で反射された
光を偏光ビームスプリッタ１に入射させる１／２λプリ
ズム７と、偏光ビームスプリッタ１に入射された光を検
出する光電検出器１０とを具備する光学系を有してい
る。試料支持台３は、光学系の光軸に対して４５°の方
向に沿って移動可能となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば免疫支持体上
の抗体及び抗原による膜厚の変化を偏光解析法によって
測定する偏光解析装置に関する。
の抗体及び抗原による膜厚の変化を偏光解析法によって
測定する偏光解析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】偏光解析法は、物体の表面で光が反射す
る際の偏光状態の変化を観測して、物体自体の光学定
数、または、その表面に附着した薄膜の厚みや光学定数
を知る方法である。最近では、この偏光解析法が生物物
理分野へ応用されるようになり、抗原抗体反応に用いる
タンパク質の厚さの測定、さらにはタンパク質の吸着膜
の測定、血漿の凝結の研究等にも応用されるようになっ
ている。
る際の偏光状態の変化を観測して、物体自体の光学定
数、または、その表面に附着した薄膜の厚みや光学定数
を知る方法である。最近では、この偏光解析法が生物物
理分野へ応用されるようになり、抗原抗体反応に用いる
タンパク質の厚さの測定、さらにはタンパク質の吸着膜
の測定、血漿の凝結の研究等にも応用されるようになっ
ている。
【０００３】上記抗原抗体反応に用いるタンパク質の厚
さの測定する技術としては、例えばA.Rothen and C.Mat
hot.Helvetica Chimica Aacta,Vol.54(1971) Immunological Reactios Carried out at a Liquid-Sol
id Interface に開示されている技術が知られている。
上記タンパク質の吸着膜の測定に関する技術としては、
ULF JOENSSON,M.MALMQVIST,INGER ROENNBERG. Journal
of Colloid and Interface Science. Vol.103,No.2,198
5 Adsorption of Immunoglobulin G,ProteinA,and Fibr
onectin in the Submonolayer Region Evaluated by a
Combined Study of Ellipsometry and Radiotracer Tec
hniqs および、 A.Rothen,C.Mathot.Surface Chemistr
y of BiologicalSystems.1970 IMMUNOLOGICAL REACTIO
NS CARRIED OUT AT A LIQUID-SOLID INTERFACE WITH TH
E HELP OF A WEAK ELECTRIC CURRENT に開示されてい
る技術が知られている。また、血漿の凝結に関する技術
としては、L.VROMAN AND A.L.ADAMS. SURFACE SCIENCE
16(1969) FINDINGS WITH THE RECORDING ELLIPSOMETER
SUGGESTING RAPIDEXCHANGE OF SPECIFIC PLASMA PROTEI
NS AT LIQUID/SOLID INTERFACESに開示されている技術
が知られている。偏光解析においては、屈折率
さの測定する技術としては、例えばA.Rothen and C.Mat
hot.Helvetica Chimica Aacta,Vol.54(1971) Immunological Reactios Carried out at a Liquid-Sol
id Interface に開示されている技術が知られている。
上記タンパク質の吸着膜の測定に関する技術としては、
ULF JOENSSON,M.MALMQVIST,INGER ROENNBERG. Journal
of Colloid and Interface Science. Vol.103,No.2,198
5 Adsorption of Immunoglobulin G,ProteinA,and Fibr
onectin in the Submonolayer Region Evaluated by a
Combined Study of Ellipsometry and Radiotracer Tec
hniqs および、 A.Rothen,C.Mathot.Surface Chemistr
y of BiologicalSystems.1970 IMMUNOLOGICAL REACTIO
NS CARRIED OUT AT A LIQUID-SOLID INTERFACE WITH TH
E HELP OF A WEAK ELECTRIC CURRENT に開示されてい
る技術が知られている。また、血漿の凝結に関する技術
としては、L.VROMAN AND A.L.ADAMS. SURFACE SCIENCE
16(1969) FINDINGS WITH THE RECORDING ELLIPSOMETER
SUGGESTING RAPIDEXCHANGE OF SPECIFIC PLASMA PROTEI
NS AT LIQUID/SOLID INTERFACESに開示されている技術
が知られている。偏光解析においては、屈折率
【０００４】
【数１】 をもつ基板面上に、厚さｄ、屈折率
【０００５】
【数２】 をもつ等方均質な薄膜がある場合（図９参照）におい
て、これに入射角φで直線偏光が入射するとき、Ｐ，Ｓ
偏光成分の振幅反射率は、それぞれ
て、これに入射角φで直線偏光が入射するとき、Ｐ，Ｓ
偏光成分の振幅反射率は、それぞれ
【０００６】
【数３】
【０００７】で与えられる。ただしｒ1P，ｒ2P，ｒ1s，
ｒ2Sは、それぞれ真空−膜、膜−基板における、Ｐ，Ｓ
成分の振幅反射率で、δは膜内に生じる位相差である。
このδは
ｒ2Sは、それぞれ真空−膜、膜−基板における、Ｐ，Ｓ
成分の振幅反射率で、δは膜内に生じる位相差である。
このδは
【０００８】
【数４】 で与えられる。なお、φf は、膜内での屈折角であり、
【０００９】
【数５】 が成立している。このとき、
【００１０】
【数６】 で与えられ、ｔａｎφ（振幅反射率比）とｉΔ（位相
差）は偏光解析によって測定される。
差）は偏光解析によって測定される。
【００１１】偏光解析を行う場合、従来より種々の方法
があるが、例えば、図１０に示された偏光解析装置が用
いられている。この装置は、Faraday cellを用いたＫｉ
ｎｇの光電的偏光解析装置であり、入射角固定の測定法
の配置状態を示している。この装置は偏光子および検光
子がステッピングモータ等で±０．００２°に相当する
精度で回転されることができ、さらに、ファラデー効果
により偏光状態に変調を加えて消光位置が捜し出し易い
機構となっている。このように、図１０に示された偏光
解析装置を用いて消光条件を求めることにより、試料表
面に附着した薄膜の厚みや光学定数を知ることが可能で
ある。
があるが、例えば、図１０に示された偏光解析装置が用
いられている。この装置は、Faraday cellを用いたＫｉ
ｎｇの光電的偏光解析装置であり、入射角固定の測定法
の配置状態を示している。この装置は偏光子および検光
子がステッピングモータ等で±０．００２°に相当する
精度で回転されることができ、さらに、ファラデー効果
により偏光状態に変調を加えて消光位置が捜し出し易い
機構となっている。このように、図１０に示された偏光
解析装置を用いて消光条件を求めることにより、試料表
面に附着した薄膜の厚みや光学定数を知ることが可能で
ある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置では、図１０に示したように、Faraday cellを備え
なければならない、あるいは偏光子、検光子の両方を精
度良く回転させる機構を備える必要がある等、簡便性に
劣るのが欠点である。従来の装置が備えている光学系
を、先行出願である特願平３−０８０１２４号に記載さ
れている免疫測定装置に利用しようとする場合、装置の
複雑性や光学系の大型化を招いてしまう。この結果、従
来の自動分析装置に用いられている光学系では、分析装
置の自動化にとって大きな妨げとなってしまう。
装置では、図１０に示したように、Faraday cellを備え
なければならない、あるいは偏光子、検光子の両方を精
度良く回転させる機構を備える必要がある等、簡便性に
劣るのが欠点である。従来の装置が備えている光学系
を、先行出願である特願平３−０８０１２４号に記載さ
れている免疫測定装置に利用しようとする場合、装置の
複雑性や光学系の大型化を招いてしまう。この結果、従
来の自動分析装置に用いられている光学系では、分析装
置の自動化にとって大きな妨げとなってしまう。
【００１３】本発明は、例えば免疫支持体上の抗体、及
び抗原による膜厚の変化を偏光解析法によって測定する
にあたり、小型で簡便な偏光解析装置を提供することを
目的としている。
び抗原による膜厚の変化を偏光解析法によって測定する
にあたり、小型で簡便な偏光解析装置を提供することを
目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の偏光解析装置は、試料支持台と、この試料支
持台の一部に偏光を入射させる、偏光子と検光子を兼ね
た光学素子と、前記試料支持台の一部で反射された反射
光のｐ偏光およびｓ偏光の位相差をπにし、かつ前記反
射光を前記試料支持台の一部とは異なった部分に入射さ
せると共にこの異なった部分で反射された光を前記光学
素子に入射させる１／２λプリズムと、前記光学素子に
入射された光を検出する光検出手段と、を具備する光学
系を有しており、前記試料支持台は前記光学系の光軸に
対して４５°に交わる軸を有し、この軸に沿って移動可
能であることを特徴としている。
に本発明の偏光解析装置は、試料支持台と、この試料支
持台の一部に偏光を入射させる、偏光子と検光子を兼ね
た光学素子と、前記試料支持台の一部で反射された反射
光のｐ偏光およびｓ偏光の位相差をπにし、かつ前記反
射光を前記試料支持台の一部とは異なった部分に入射さ
せると共にこの異なった部分で反射された光を前記光学
素子に入射させる１／２λプリズムと、前記光学素子に
入射された光を検出する光検出手段と、を具備する光学
系を有しており、前記試料支持台は前記光学系の光軸に
対して４５°に交わる軸を有し、この軸に沿って移動可
能であることを特徴としている。
【００１５】
【作用】１つの光学素子に偏光子と検光子の機能を持た
せて偏光解析装置の光学系を構成すると共に、この光学
系に適した試料支持台を設ける。
せて偏光解析装置の光学系を構成すると共に、この光学
系に適した試料支持台を設ける。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。な
お、本発明の偏光解析装置は光学系および試料支持台の
配置状態に特徴を有するので、これらの部分について詳
細に説明する。
お、本発明の偏光解析装置は光学系および試料支持台の
配置状態に特徴を有するので、これらの部分について詳
細に説明する。
【００１７】本発明の偏光解析装置は図１のように構成
されている。この図において符号１は偏光子、検光子を
兼ねた偏光ビームスプリッタ１を、符号３はこの光学系
に適した試料支持台（試料部）を、符号７はλ／２プリ
ズムを示している。なお、試料部３は、図示されていな
いステージに、移動可能で光軸に対して試料の軸線が４
５°傾けられて支持されている（図６参照）。また、実
際の膜厚等が測定される試料は、この試料支持台上に形
成される。
されている。この図において符号１は偏光子、検光子を
兼ねた偏光ビームスプリッタ１を、符号３はこの光学系
に適した試料支持台（試料部）を、符号７はλ／２プリ
ズムを示している。なお、試料部３は、図示されていな
いステージに、移動可能で光軸に対して試料の軸線が４
５°傾けられて支持されている（図６参照）。また、実
際の膜厚等が測定される試料は、この試料支持台上に形
成される。
【００１８】光源（図示せず）から射出され偏光ビーム
スプリッタ１に入射する光が、無偏光の場合は光源は固
定で偏光ビームスプリッタ１だけが回転し、偏光の場合
は光源および偏光ビームスプリッタ１は一体となって回
転するようになっている。
スプリッタ１に入射する光が、無偏光の場合は光源は固
定で偏光ビームスプリッタ１だけが回転し、偏光の場合
は光源および偏光ビームスプリッタ１は一体となって回
転するようになっている。
【００１９】図２はλ／２プリズム７の構成およびこの
λ／２プリズム７での光の経路を示したものである。こ
のλ／２プリズム７は、Ａ点から入射した光をプリズム
内で４回屈折させ、位相をπだけ進めてＢ点から射出さ
せるような偏光特性を持っている。以下、このλ／２プ
リズム７の屈折率について、図３および以下の式を参照
して説明する。
λ／２プリズム７での光の経路を示したものである。こ
のλ／２プリズム７は、Ａ点から入射した光をプリズム
内で４回屈折させ、位相をπだけ進めてＢ点から射出さ
せるような偏光特性を持っている。以下、このλ／２プ
リズム７の屈折率について、図３および以下の式を参照
して説明する。
【００２０】
【数７】 従って、
【００２１】
【数８】 λ／２プリズムは、この場合、４回屈折して位相がπだ
け進むので、１回の屈折で位相の変化はπ／４である。
従って、（δp −δs ）＝π／４から
け進むので、１回の屈折で位相の変化はπ／４である。
従って、（δp −δs ）＝π／４から
【００２２】
【数９】 となる。今、φ＝π／４であるから、上式を満たすｎ12
を計算すれば、λ／２プリズム７の屈折率を計算するこ
とができる。
を計算すれば、λ／２プリズム７の屈折率を計算するこ
とができる。
【００２３】次に、この光学系の全体の光の経路につい
て説明する。偏光ビームスプリッタ１を通った直線偏光
は、試料部３で反射されて楕円偏光となり、その後、λ
／２プリズム７に入射する。この場合、偏光ビームスプ
リッタ１を通った直線偏光の偏光角はφ、試料部３で反
射された光は位相差δの楕円偏光である。このときの偏
光角と位相差の関係を電場ベクトル成分について図示す
ると、図４のようになる。
て説明する。偏光ビームスプリッタ１を通った直線偏光
は、試料部３で反射されて楕円偏光となり、その後、λ
／２プリズム７に入射する。この場合、偏光ビームスプ
リッタ１を通った直線偏光の偏光角はφ、試料部３で反
射された光は位相差δの楕円偏光である。このときの偏
光角と位相差の関係を電場ベクトル成分について図示す
ると、図４のようになる。
【００２４】ここで各点における偏光角の変化を図示す
る。λ／２プリズム７は、試料部３で反射した光の光軸
に対して４５°傾いて配置されているので、λ／２プリ
ズム７に入射した図５（Ａ）で示すような偏光は、図５
（Ｂ）で示すように、ＫからＫ１へ電界ベクトルが変化
して射出される。このとき、偏光角はφ＋π／４、位相
はδ＋πで直線偏光となっている。この直線偏光が試料
部３で再び反射されると、偏光角はπ／４−φ、位相差
はπの楕円偏光に変化する。この楕円偏光が偏光ビーム
スプリッタ１に入射する。
る。λ／２プリズム７は、試料部３で反射した光の光軸
に対して４５°傾いて配置されているので、λ／２プリ
ズム７に入射した図５（Ａ）で示すような偏光は、図５
（Ｂ）で示すように、ＫからＫ１へ電界ベクトルが変化
して射出される。このとき、偏光角はφ＋π／４、位相
はδ＋πで直線偏光となっている。この直線偏光が試料
部３で再び反射されると、偏光角はπ／４−φ、位相差
はπの楕円偏光に変化する。この楕円偏光が偏光ビーム
スプリッタ１に入射する。
【００２５】次に、試料部３の配置状態およびこの試料
部３に入射する光の位置について再び図６を参照して詳
細に説明する。試料部３は、偏光ビームスプリッタ１側
からの光およびλ／２プリズム７側からの光が試料部３
の一側面３ａおよび他側面３ｂにそれぞれ入射するよう
に配置されている。また、この一側面３ａおよび他側面
３ｂは試料部３の中心軸Ｍについて対称となっている。
この中心軸Ｍは、前述したように、光軸に対して４５°
の角度をもって交差しており、試料部３は、この中心軸
Ｍに沿って移動可能に図示されていないステージに支持
されている。
部３に入射する光の位置について再び図６を参照して詳
細に説明する。試料部３は、偏光ビームスプリッタ１側
からの光およびλ／２プリズム７側からの光が試料部３
の一側面３ａおよび他側面３ｂにそれぞれ入射するよう
に配置されている。また、この一側面３ａおよび他側面
３ｂは試料部３の中心軸Ｍについて対称となっている。
この中心軸Ｍは、前述したように、光軸に対して４５°
の角度をもって交差しており、試料部３は、この中心軸
Ｍに沿って移動可能に図示されていないステージに支持
されている。
【００２６】偏光ビームスプリッタ１を通った光は試料
部３の一側面３ａで反射され、λ／２プリズム７の点Ａ
に入射する。Ａ点から入射した光は、前述したようにプ
リズム内で４回屈折を繰り返しＢ点から射出され、試料
部３の他側面３ｂで反射されて偏光ビームスプリッタ１
に入射する。そして、偏光ビームスプリッタ１からの出
力光は、光電検出器１０で検出されるか、もしくは目視
して光量の変化をとらえることができるようになってい
る。
部３の一側面３ａで反射され、λ／２プリズム７の点Ａ
に入射する。Ａ点から入射した光は、前述したようにプ
リズム内で４回屈折を繰り返しＢ点から射出され、試料
部３の他側面３ｂで反射されて偏光ビームスプリッタ１
に入射する。そして、偏光ビームスプリッタ１からの出
力光は、光電検出器１０で検出されるか、もしくは目視
して光量の変化をとらえることができるようになってい
る。
【００２７】上述した構成に適した免疫支持体の構造、
およびその測定方法について説明する。シリコン単結晶
（方位面は１００面）に膜厚１０００〜１９００オング
ストロームの酸化シリコン皮膜をつけ、特願平３−０８
０１２４号で提示されている方法でシラン処理および抗
体の固相化を行い試料部３を作成した。この試料部３の
構造を図７に示す。図７において、符号２０はＳｉ単結
晶基盤を、符号２１はＳｉＯ2 皮膜を、符号２２はシラ
ンカップリング剤を、符号２３は抗体をそれぞれ示して
いる。
およびその測定方法について説明する。シリコン単結晶
（方位面は１００面）に膜厚１０００〜１９００オング
ストロームの酸化シリコン皮膜をつけ、特願平３−０８
０１２４号で提示されている方法でシラン処理および抗
体の固相化を行い試料部３を作成した。この試料部３の
構造を図７に示す。図７において、符号２０はＳｉ単結
晶基盤を、符号２１はＳｉＯ2 皮膜を、符号２２はシラ
ンカップリング剤を、符号２３は抗体をそれぞれ示して
いる。
【００２８】図８（Ａ）は試料部３の平面図を示したも
のである。この試料部３が図６で示したように配置され
る。この試料部の一側面３ａは、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅと
して抗体のみが固相化されている面２５であり、他側面
３ｂは、３つの領域２６〜２８に分割されている。符号
２６は面２５と同様の抗体に最低濃度の抗原を反応させ
た部分を示し、符号２７，２８は実際の検体が感作され
た部分を示している。
のである。この試料部３が図６で示したように配置され
る。この試料部の一側面３ａは、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅと
して抗体のみが固相化されている面２５であり、他側面
３ｂは、３つの領域２６〜２８に分割されている。符号
２６は面２５と同様の抗体に最低濃度の抗原を反応させ
た部分を示し、符号２７，２８は実際の検体が感作され
た部分を示している。
【００２９】以上のような試料部を用いた免疫測定の方
法を以下に記す。 （ａ）．図８（Ａ）に示された試料部３を図６で示すよ
うに配置する。 （ｂ）．試料部３の２６および２７、２８で示される部
分に、それぞれ最低濃度のコントロール液および検体を
必要量滴下する。反応時間は測定項目によって最適時間
反応させる。 （ｃ）．反応終了後２６、２７、２８で示される部分を
蒸留水で洗浄した後、Ｎ2 ガス等で表面の水分を吹き飛
ばす。 （ｄ）．用いる光源が無偏光の場合は，偏光ビームスプ
リッタ１を回転させ、光電検出器１０で消光の偏光角を
求める。このとき注意しなければならないのは、試料部
の２５および２６の部分にのみ、偏光ビームスプリッタ
１からの光およびλ／２プリズム７からの光が照射され
るように、試料部３を位置合せすることである。 （ｅ）．前記（ｄ）で行った操作がゼロ調整に相当す
る。 （ｆ）．次に、試料部３の２５および２７の部分にの
み、偏光ビームスプリッタ１からの光およびλ／２プリ
ズム７からの光が照射されるように、試料部３の位置を
ずらし光電検出器１０の出力を読み取る。同様な操作
を、試料部３の２５および２８の部分でも行う。 （ｇ）．あらかじめ作成されている検量線から、試料部
３の２７，２８に滴下された検体の濃度を検出すること
ができる。
法を以下に記す。 （ａ）．図８（Ａ）に示された試料部３を図６で示すよ
うに配置する。 （ｂ）．試料部３の２６および２７、２８で示される部
分に、それぞれ最低濃度のコントロール液および検体を
必要量滴下する。反応時間は測定項目によって最適時間
反応させる。 （ｃ）．反応終了後２６、２７、２８で示される部分を
蒸留水で洗浄した後、Ｎ2 ガス等で表面の水分を吹き飛
ばす。 （ｄ）．用いる光源が無偏光の場合は，偏光ビームスプ
リッタ１を回転させ、光電検出器１０で消光の偏光角を
求める。このとき注意しなければならないのは、試料部
の２５および２６の部分にのみ、偏光ビームスプリッタ
１からの光およびλ／２プリズム７からの光が照射され
るように、試料部３を位置合せすることである。 （ｅ）．前記（ｄ）で行った操作がゼロ調整に相当す
る。 （ｆ）．次に、試料部３の２５および２７の部分にの
み、偏光ビームスプリッタ１からの光およびλ／２プリ
ズム７からの光が照射されるように、試料部３の位置を
ずらし光電検出器１０の出力を読み取る。同様な操作
を、試料部３の２５および２８の部分でも行う。 （ｇ）．あらかじめ作成されている検量線から、試料部
３の２７，２８に滴下された検体の濃度を検出すること
ができる。
【００３０】免疫支持体の構造については、図８（Ｂ）
で示すように構成することも可能である。符号４０は検
体を感作する部分を、符号３１は抗体のみが固相化され
た面を示している。試料部の一側面３ａは抗体のみが固
相化された面３１を除いて５つの領域３２〜３６に分割
されている。なお、この分割される領域の数については
任意であり、本実施例では５つとなっている。また、図
面では、それぞれの領域が分かりやすいように升目状に
分割されているが、実際は、光が入射する位置および試
料部３の移動量等に応じて各領域は最適な状態に分割さ
れる。これら各領域３２〜３６は、同一の抗体を固相化
した後、抗原濃度が既知でかつそれぞれ異なっている５
種のコントロール液が感作されている部位である。
で示すように構成することも可能である。符号４０は検
体を感作する部分を、符号３１は抗体のみが固相化され
た面を示している。試料部の一側面３ａは抗体のみが固
相化された面３１を除いて５つの領域３２〜３６に分割
されている。なお、この分割される領域の数については
任意であり、本実施例では５つとなっている。また、図
面では、それぞれの領域が分かりやすいように升目状に
分割されているが、実際は、光が入射する位置および試
料部３の移動量等に応じて各領域は最適な状態に分割さ
れる。これら各領域３２〜３６は、同一の抗体を固相化
した後、抗原濃度が既知でかつそれぞれ異なっている５
種のコントロール液が感作されている部位である。
【００３１】検体が感作された部分４０の抗原濃度の測
定は以下の手順によって行われる。まず最初に、試料部
３の一側面３ａの抗体のみが固相化された面３１および
他側面３ｂの抗体のみが固相化された面３１を用いてゼ
ロ調整する。次に、試料部３をＭ軸方向にずらしながら
３２の領域と検体が感作された部分４０、引き続き３３
の領域と検体が感作された部分４０、引き続き３４の領
域と検体が感作された部分４０…という具合に、順番に
それぞれの領域３２〜３６を用いて測光する。
定は以下の手順によって行われる。まず最初に、試料部
３の一側面３ａの抗体のみが固相化された面３１および
他側面３ｂの抗体のみが固相化された面３１を用いてゼ
ロ調整する。次に、試料部３をＭ軸方向にずらしながら
３２の領域と検体が感作された部分４０、引き続き３３
の領域と検体が感作された部分４０、引き続き３４の領
域と検体が感作された部分４０…という具合に、順番に
それぞれの領域３２〜３６を用いて測光する。
【００３２】それぞれの領域３２〜３６は抗原濃度が既
知であるため、領域３２〜３６が検量線の役目を果たす
ことになる。例えば、領域３４を用いて測光を行ったと
きに出力がゼロになったとすると、検体が感作された部
分４０の抗原濃度は３４の領域の抗原濃度と等しいこと
になる。このような免疫支持体構造を用いることによっ
て検量線が不要となる。もちろん、試料部の一側面３ａ
を、さらに多数の領域に分割すれば、より正確な濃度を
検出することが可能になる。
知であるため、領域３２〜３６が検量線の役目を果たす
ことになる。例えば、領域３４を用いて測光を行ったと
きに出力がゼロになったとすると、検体が感作された部
分４０の抗原濃度は３４の領域の抗原濃度と等しいこと
になる。このような免疫支持体構造を用いることによっ
て検量線が不要となる。もちろん、試料部の一側面３ａ
を、さらに多数の領域に分割すれば、より正確な濃度を
検出することが可能になる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の偏光解析
装置では、偏光子と検光子を兼ねた偏光ビームスプリッ
タを有する光学系を用いており、なおかつ、この光学系
に適した免疫支持体を用いている。この結果、簡便で小
型な偏光解析装置を実現することができる。
装置では、偏光子と検光子を兼ねた偏光ビームスプリッ
タを有する光学系を用いており、なおかつ、この光学系
に適した免疫支持体を用いている。この結果、簡便で小
型な偏光解析装置を実現することができる。
【図１】本発明の偏光解析装置における光学系の概略を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１の光学系において、λ／２プリズムの詳細
な構成を示す図である。
な構成を示す図である。
【図３】λ／２プリズムの屈折率を計算するための説明
図であある。
図であある。
【図４】図１の光学系において、試料部で反射された光
の偏光角と位相差の関係を電場ベクトル成分について図
示したものである。
の偏光角と位相差の関係を電場ベクトル成分について図
示したものである。
【図５】（Ａ）および（Ｂ）を含み、それぞれ、図１の
光学系において、試料部からの反射光が入射した場合の
偏光角、およびλ／２プリズムを通過した光の偏光角を
示したものである。
光学系において、試料部からの反射光が入射した場合の
偏光角、およびλ／２プリズムを通過した光の偏光角を
示したものである。
【図６】図１の光学系において、光の経路を概略的に示
した図である。
した図である。
【図７】図１の光学系に用いられる試料支持体の断面図
である。
である。
【図８】図１の光学系に適した試料支持体の構成を示す
平面図であり、（Ａ）は第１の実施例を（Ｂ）は第２の
実施例を示す図である。
平面図であり、（Ａ）は第１の実施例を（Ｂ）は第２の
実施例を示す図である。
【図９】基板上に等方均質な薄膜がある場合において、
これに直線偏光が入射した場合の光の経路を示す図であ
る。
これに直線偏光が入射した場合の光の経路を示す図であ
る。
【図１０】従来の偏光解析装置の構成を示す図である。
１…偏光ビームスプリッタ、３…試料部、７…λ／２プ
リズム、１０…光電検出器。
リズム、１０…光電検出器。
Claims (2)
- 【請求項１】 試料支持台と、 この試料支持台の一部に偏光を入射させる、偏光子と検
光子を兼ねた光学素子と、 前記試料支持台の一部で反射された反射光のｐ偏光およ
びｓ偏光の位相差をπにし、かつ前記反射光を前記試料
支持台の一部とは異なった部分に入射させると共にこの
異なった部分で反射された光を前記光学素子に入射させ
る１／２λプリズムと、 前記光学素子に入射された光を検出する光検出手段と、
を具備する光学系を有しており、 前記試料支持台は、前記光学系の光軸に対して４５°に
交わる軸を有し、この軸に沿って移動可能であることを
特徴とする偏光解析装置。 - 【請求項２】 前記試料台上には、前記光学素子からの
光が入射される領域および前記１／２λプリズムからの
光が入射される領域において、それぞれ同一もしくは異
なる試料が形成されていることを特徴とする、請求項１
に記載された偏光解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01396892A JP3290684B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 偏光解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01396892A JP3290684B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 偏光解析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05203565A true JPH05203565A (ja) | 1993-08-10 |
| JP3290684B2 JP3290684B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=11848020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01396892A Expired - Fee Related JP3290684B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 偏光解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290684B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982580A1 (en) * | 1998-08-20 | 2000-03-01 | Olympus Optical Co., Ltd. | Ellipsometer |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP01396892A patent/JP3290684B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982580A1 (en) * | 1998-08-20 | 2000-03-01 | Olympus Optical Co., Ltd. | Ellipsometer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3290684B2 (ja) | 2002-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020305 |
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