JPH052029A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH052029A JPH052029A JP3154279A JP15427991A JPH052029A JP H052029 A JPH052029 A JP H052029A JP 3154279 A JP3154279 A JP 3154279A JP 15427991 A JP15427991 A JP 15427991A JP H052029 A JPH052029 A JP H052029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration
- acceleration sensor
- ring
- stress
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多方向の加速度を、１個の半導体加速度セン
サにより検知する。 【構成】 加速度を受けるためのおもり１１と、上記お
もり１１が受けた加速度を応力に変換するリング状ダイ
ヤラム６、上記リング状ダイヤフラム６上に応力を受け
ると出力の変化する４個の歪ゲージ７〜１０とから構成
されている。 【効果】 多方向の加速度を、１個の半導体加速度セン
サにより検知できるので、安価で小型に装置を構成でき
る。
サにより検知する。 【構成】 加速度を受けるためのおもり１１と、上記お
もり１１が受けた加速度を応力に変換するリング状ダイ
ヤラム６、上記リング状ダイヤフラム６上に応力を受け
ると出力の変化する４個の歪ゲージ７〜１０とから構成
されている。 【効果】 多方向の加速度を、１個の半導体加速度セン
サにより検知できるので、安価で小型に装置を構成でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体加速度センサ
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３、図４は従来の半導体加速度センサ
を示す平面図と断面図であり、図において、１は加速度
センサチップ、１ａはこの加速度センサチップ１の固定
端、１ｂはこの固定端１ａに対する加速度センサチップ
１の他端である自由端、２は加速度による応力が集中す
るダイヤフラム、３はダイヤフラム２に発生した応力を
電気信号に変換する歪ゲージ、４は応力を増大させるた
めのおもり、５は加速度センサチップ１を固定する台座
である。
を示す平面図と断面図であり、図において、１は加速度
センサチップ、１ａはこの加速度センサチップ１の固定
端、１ｂはこの固定端１ａに対する加速度センサチップ
１の他端である自由端、２は加速度による応力が集中す
るダイヤフラム、３はダイヤフラム２に発生した応力を
電気信号に変換する歪ゲージ、４は応力を増大させるた
めのおもり、５は加速度センサチップ１を固定する台座
である。
【０００３】次に動作について説明する。加速度がおも
り４に加わると、ダイヤフラム２の領域が応力を受け、
加速度センサチップ１のダイヤフラム２の領域に設けら
れた歪ゲージ３から加速度に応じて変化する電気信号が
出力される。
り４に加わると、ダイヤフラム２の領域が応力を受け、
加速度センサチップ１のダイヤフラム２の領域に設けら
れた歪ゲージ３から加速度に応じて変化する電気信号が
出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体加速度セ
ンサは以上のように構成されているので、１方向の加速
度しか検知することが出来ない。このため多方向の加速
度を検知するためには、上記半導体加速度センサを２個
必要とする。
ンサは以上のように構成されているので、１方向の加速
度しか検知することが出来ない。このため多方向の加速
度を検知するためには、上記半導体加速度センサを２個
必要とする。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、多方向の加速度を１個の半導体
加速度センサで検知出来るようにすることにより、小型
で安価な半導体加速度センサを得ることを目的とする。
ためになされたもので、多方向の加速度を１個の半導体
加速度センサで検知出来るようにすることにより、小型
で安価な半導体加速度センサを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体加
速度センサは、ダイヤフラムをリング状に形成し、その
上に４組の歪ゲージを設けるとともに、上記歪ゲージを
設けた面と反対方向の上記リング状ダイヤフラムの中心
に、加速度を受けるためのおもりを固定したものであ
る。
速度センサは、ダイヤフラムをリング状に形成し、その
上に４組の歪ゲージを設けるとともに、上記歪ゲージを
設けた面と反対方向の上記リング状ダイヤフラムの中心
に、加速度を受けるためのおもりを固定したものであ
る。
【０００７】
【作用】この発明における半導体加速度センサは、リン
グ状に形成されたダイヤフラムと４組の歪ゲージ、加速
度を受けるためのおもりにより構成することにより、多
方向の加速度を検知することができる。
グ状に形成されたダイヤフラムと４組の歪ゲージ、加速
度を受けるためのおもりにより構成することにより、多
方向の加速度を検知することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１、図２において、６は加速度による応力が集
中するリング状ダイヤフラム、７、８、９、１０はリン
グ状ダイヤフラム６に発生した応力を電気信号に変換す
る歪ゲージで、リング状ダイヤフラム上に位置してお
り、７、８と９、１０は直交する位置関係にある。１１
は発生した加速度によりリング状ダイヤフラム６に応力
を発生させるおもりである。
する。図１、図２において、６は加速度による応力が集
中するリング状ダイヤフラム、７、８、９、１０はリン
グ状ダイヤフラム６に発生した応力を電気信号に変換す
る歪ゲージで、リング状ダイヤフラム上に位置してお
り、７、８と９、１０は直交する位置関係にある。１１
は発生した加速度によりリング状ダイヤフラム６に応力
を発生させるおもりである。
【０００９】次に動作について説明する。図１、図２に
おいて、ｘ方向に発生した加速度ａｘは、おもり１１に
加わり、リング状ダイヤフラム６に応力が発生し、リン
グ状ダイヤフラム６に発生した応力は、歪ゲージ９より
ｘ方向の加速度に応じて変化する電気信号ΔＶｘが出力
され、歪ゲージ１０よりｘ方向の加速度に応じて変化す
る電気信号−ΔＶｘが出力され、ｘ方向の加速度ａｘに
応じた出力電圧は、ΔＶｘ−（−ΔＶｘ）＝２ΔＶｘと
なる。
おいて、ｘ方向に発生した加速度ａｘは、おもり１１に
加わり、リング状ダイヤフラム６に応力が発生し、リン
グ状ダイヤフラム６に発生した応力は、歪ゲージ９より
ｘ方向の加速度に応じて変化する電気信号ΔＶｘが出力
され、歪ゲージ１０よりｘ方向の加速度に応じて変化す
る電気信号−ΔＶｘが出力され、ｘ方向の加速度ａｘに
応じた出力電圧は、ΔＶｘ−（−ΔＶｘ）＝２ΔＶｘと
なる。
【００１０】次に図１、図２において、ｙ方向に発生し
た加速度ａｙは、おもり１１に加わり、リング状ダイヤ
フラム６に応力が発生し、リング状ダイヤフラム６に発
生した応力は、歪ゲージ７によりｙ方向の加速度に応じ
て変化する電気信号ΔＶｙが出力され、歪ゲージ８によ
りｙ方向の加速度に応じて変化する電気信号−ΔＶｙが
出力され、ｙ方向の加速度ａｙに応じた出力電圧は、差
動アンプ等によりΔＶｙ−（−ΔＶｙ）＝２ΔＶｙとな
る。
た加速度ａｙは、おもり１１に加わり、リング状ダイヤ
フラム６に応力が発生し、リング状ダイヤフラム６に発
生した応力は、歪ゲージ７によりｙ方向の加速度に応じ
て変化する電気信号ΔＶｙが出力され、歪ゲージ８によ
りｙ方向の加速度に応じて変化する電気信号−ΔＶｙが
出力され、ｙ方向の加速度ａｙに応じた出力電圧は、差
動アンプ等によりΔＶｙ−（−ΔＶｙ）＝２ΔＶｙとな
る。
【００１１】なお、上記実施例では、半導体加速度セン
サの場合について説明したが、加速度が加わらない物体
に取付けると、その物体の傾斜を検査することができ
る。
サの場合について説明したが、加速度が加わらない物体
に取付けると、その物体の傾斜を検査することができ
る。
【００１２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、多方向
の加速度を１チップで検知できるように構成したので、
装置が安価にでき、また小型化できる効果がある。
の加速度を１チップで検知できるように構成したので、
装置が安価にでき、また小型化できる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体加速度センサ
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体加速度センサ
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
【図３】従来の半導体加速度センサを示す平面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体加速度センサを示す側断面図であ
る。
る。
１ 加速度センサチップ １ａ 固定端 ５ 台座 ６ リング状ダイヤフラム ７〜１０ 歪ゲージ １１ おもり
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 中心に加速度を受けるためのおもりを付
け、このおもりが受けた加速度を応力に変換するリング
状ダイヤフラムを有し、このリング状ダイヤフラム上に
応力を受けることにより出力が変化する４個の歪ゲージ
を取付けたことを特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154279A JPH052029A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154279A JPH052029A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052029A true JPH052029A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15580687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3154279A Pending JPH052029A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6711950B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-03-30 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Liquid level detector |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3154279A patent/JPH052029A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6711950B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-03-30 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Liquid level detector |
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