JPH05198740A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装構造Info
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- JPH05198740A JPH05198740A JP3006592A JP3006592A JPH05198740A JP H05198740 A JPH05198740 A JP H05198740A JP 3006592 A JP3006592 A JP 3006592A JP 3006592 A JP3006592 A JP 3006592A JP H05198740 A JPH05198740 A JP H05198740A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化アルミニウム基板上の抵抗体膜のマイク
ロクラックの発生を防止し、その信頼性を向上させる。 【構成】 窒化アルミニウム基板１２は、窒化アルミニ
ウム系焼結板材１２Ａと、この窒化アルミニウム系焼結
板材１２Ａ上に形成した表面酸化層１２Ｂと、この表面
酸化層１２Ｂ上に形成した二酸化ケイ素層１２Ｃと、を
有する。二酸化ケイ素層１２Ｃ上に導体膜１４を被着す
るとともに、この導体膜１４と一部が重なり合うように
抵抗体膜１５を被着する。これらの導体膜１４および抵
抗体膜１５の重なり合う部分および抵抗体膜１５の下に
絶縁体ガラス膜１３を介在させる。絶縁体ガラス膜１３
の組成はＳｉＯ2３５重量％、酸化アルミニウム２５重
量％、酸化カルシウム１重量％、酸化亜鉛１２重量％、
酸化バリウム２５重量％、酸化チタン１重量％、酸化ホ
ウ素１重量％で、その熱膨張係数は５４×１０-7／℃で
ある。
ロクラックの発生を防止し、その信頼性を向上させる。 【構成】 窒化アルミニウム基板１２は、窒化アルミニ
ウム系焼結板材１２Ａと、この窒化アルミニウム系焼結
板材１２Ａ上に形成した表面酸化層１２Ｂと、この表面
酸化層１２Ｂ上に形成した二酸化ケイ素層１２Ｃと、を
有する。二酸化ケイ素層１２Ｃ上に導体膜１４を被着す
るとともに、この導体膜１４と一部が重なり合うように
抵抗体膜１５を被着する。これらの導体膜１４および抵
抗体膜１５の重なり合う部分および抵抗体膜１５の下に
絶縁体ガラス膜１３を介在させる。絶縁体ガラス膜１３
の組成はＳｉＯ2３５重量％、酸化アルミニウム２５重
量％、酸化カルシウム１重量％、酸化亜鉛１２重量％、
酸化バリウム２５重量％、酸化チタン１重量％、酸化ホ
ウ素１重量％で、その熱膨張係数は５４×１０-7／℃で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の実装構造に
関し、詳しくは、軽量にして、熱伝導性に優れ、したが
って半導体装置の高集積化および大電力化に十分対応す
ることができる半導体装置の実装構造に関するものであ
る。
関し、詳しくは、軽量にして、熱伝導性に優れ、したが
って半導体装置の高集積化および大電力化に十分対応す
ることができる半導体装置の実装構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、放熱性の優れた半導体装置実装用
の基板素材としては、例えば特開平２−２０５３４５号
公報に記載されたものが知られている。このものは、窒
化アルミニウム基焼結体からなる基体の表面にスパッタ
リング法やアルコキシド法等により二酸化ケイ素の表面
被覆層を形成したものである。そして、この表面被覆層
の上に例えば導体ペーストや抵抗体ペーストを用いて回
路パターンを印刷していた。この場合の抵抗体ペースト
としては酸化ルテニウム−ガラス系のものが使用されて
いる。
の基板素材としては、例えば特開平２−２０５３４５号
公報に記載されたものが知られている。このものは、窒
化アルミニウム基焼結体からなる基体の表面にスパッタ
リング法やアルコキシド法等により二酸化ケイ素の表面
被覆層を形成したものである。そして、この表面被覆層
の上に例えば導体ペーストや抵抗体ペーストを用いて回
路パターンを印刷していた。この場合の抵抗体ペースト
としては酸化ルテニウム−ガラス系のものが使用されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術にあっては、厚膜抵抗体の熱膨張係数（６０〜８
０×１０-7／℃）に対して窒化アルミニウム基板のそれ
が小さい（４５×１０-7／℃）ため、厚膜ハイブリッド
ＩＣとして熱膨張係数の大きな（７５×１０-7／℃）抵
抗体を使用すると、抵抗体膜にマイクロクラックが発生
し、その抵抗温度係数（ＴＣＲ）が増大することとな
り、信頼性に欠けるという課題が生じていた。換言する
と、窒化アルミニウム基板に対してはこのような抵抗体
ペーストは使用することができないという課題があった
ものである。
来技術にあっては、厚膜抵抗体の熱膨張係数（６０〜８
０×１０-7／℃）に対して窒化アルミニウム基板のそれ
が小さい（４５×１０-7／℃）ため、厚膜ハイブリッド
ＩＣとして熱膨張係数の大きな（７５×１０-7／℃）抵
抗体を使用すると、抵抗体膜にマイクロクラックが発生
し、その抵抗温度係数（ＴＣＲ）が増大することとな
り、信頼性に欠けるという課題が生じていた。換言する
と、窒化アルミニウム基板に対してはこのような抵抗体
ペーストは使用することができないという課題があった
ものである。
【０００４】そこで、本発明は、厚膜抵抗体にマイクロ
クラックが発生することを防止することにより、その信
頼性を向上させるとともに、各種の抵抗体ペーストを使
用することができる半導体装置の実装構造を提供するこ
とを、その目的としている。
クラックが発生することを防止することにより、その信
頼性を向上させるとともに、各種の抵抗体ペーストを使
用することができる半導体装置の実装構造を提供するこ
とを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、窒化アルミニウム系焼結板材と、この窒化アルミニ
ウム系焼結板材上に形成された表面酸化層と、この表面
酸化層上に形成された二酸化ケイ素層と、を有する窒化
アルミニウム基板を備え、上記二酸化ケイ素層上に被着
された抵抗体膜と、この抵抗体膜と上記二酸化ケイ素層
との間に介在された絶縁体ガラス膜と、を有する半導体
装置の実装構造である。
は、窒化アルミニウム系焼結板材と、この窒化アルミニ
ウム系焼結板材上に形成された表面酸化層と、この表面
酸化層上に形成された二酸化ケイ素層と、を有する窒化
アルミニウム基板を備え、上記二酸化ケイ素層上に被着
された抵抗体膜と、この抵抗体膜と上記二酸化ケイ素層
との間に介在された絶縁体ガラス膜と、を有する半導体
装置の実装構造である。
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、上記絶縁
体ガラス膜は、二酸化ケイ素２５〜４５重量パーセン
ト、酸化アルミニウム１５〜３５重量パーセント、酸化
カルシウム１〜２０重量パーセント、酸化亜鉛１０〜２
０重量パーセント、酸化バリウム１５〜３５重量パーセ
ント、酸化チタン１〜１５重量パーセント、酸化ホウ素
１〜５重量パーセントおよび不可避不純物からなる組成
である請求項１に記載の半導体装置の実装構造である。
体ガラス膜は、二酸化ケイ素２５〜４５重量パーセン
ト、酸化アルミニウム１５〜３５重量パーセント、酸化
カルシウム１〜２０重量パーセント、酸化亜鉛１０〜２
０重量パーセント、酸化バリウム１５〜３５重量パーセ
ント、酸化チタン１〜１５重量パーセント、酸化ホウ素
１〜５重量パーセントおよび不可避不純物からなる組成
である請求項１に記載の半導体装置の実装構造である。
【０００７】また、請求項３に記載の発明は、上記絶縁
体ガラス膜は、その熱膨張係数が４０〜６５×１０-7／
℃である請求項１に記載の半導体装置の実装構造であ
る。
体ガラス膜は、その熱膨張係数が４０〜６５×１０-7／
℃である請求項１に記載の半導体装置の実装構造であ
る。
【０００８】
【作用】請求項１に記載の発明に係る半導体装置の実装
構造にあっては、抵抗体膜と窒化アルミニウム基板との
間に介在させた絶縁体ガラス膜が熱応力の緩衝作用を呈
して、抵抗体膜にマイクロクラックが発生することを防
止する。また、この絶縁体ガラス膜と窒化アルミニウム
系焼結板材との間には二酸化ケイ素層および酸化膜層が
介在されているため、窒化アルミニウム系焼結板材が絶
縁体ガラス膜中のガラス成分と反応せず、発泡すること
はない。
構造にあっては、抵抗体膜と窒化アルミニウム基板との
間に介在させた絶縁体ガラス膜が熱応力の緩衝作用を呈
して、抵抗体膜にマイクロクラックが発生することを防
止する。また、この絶縁体ガラス膜と窒化アルミニウム
系焼結板材との間には二酸化ケイ素層および酸化膜層が
介在されているため、窒化アルミニウム系焼結板材が絶
縁体ガラス膜中のガラス成分と反応せず、発泡すること
はない。
【０００９】また、請求項２に記載の発明に係る半導体
装置の実装構造にあっては、絶縁体ガラス膜と抵抗体膜
との間で新たな複合酸化物の生成が無く、抵抗体膜が有
する本来の特性を発現させることができる。
装置の実装構造にあっては、絶縁体ガラス膜と抵抗体膜
との間で新たな複合酸化物の生成が無く、抵抗体膜が有
する本来の特性を発現させることができる。
【００１０】また、請求項２または請求項３に記載の発
明に係る半導体装置の実装構造にあっては、絶縁体ガラ
ス膜により抵抗体膜に作用する熱応力を低減することが
でき、抵抗体膜へのマイクロクラックの発生を防止する
ことができる。
明に係る半導体装置の実装構造にあっては、絶縁体ガラ
ス膜により抵抗体膜に作用する熱応力を低減することが
でき、抵抗体膜へのマイクロクラックの発生を防止する
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の実装構造の
実施例について、図面を参照して説明する。図１は本発
明の一実施例に係る半導体装置（厚膜ハイブリッドＩ
Ｃ）の実装構造を示すその断面図である。
実施例について、図面を参照して説明する。図１は本発
明の一実施例に係る半導体装置（厚膜ハイブリッドＩ
Ｃ）の実装構造を示すその断面図である。
【００１２】図において示すように、この構造にあって
は窒化アルミニウム基板１２上に例えばＩＣチップを搭
載し、このＩＣチップを導体膜（配線）１４等で接続す
ることにより厚膜ハイブリッドＩＣが構成されるもので
ある。１５はこの導体膜１４に接続された抵抗体膜であ
る。
は窒化アルミニウム基板１２上に例えばＩＣチップを搭
載し、このＩＣチップを導体膜（配線）１４等で接続す
ることにより厚膜ハイブリッドＩＣが構成されるもので
ある。１５はこの導体膜１４に接続された抵抗体膜であ
る。
【００１３】窒化アルミニウム基板１２は、所定の厚さ
の窒化アルミニウム系焼結板材１２Ａの表面を所定の深
さにわたり酸化することにより表面酸化層１２Ｂを形成
し、さらに、この表面酸化層１２Ｂの表面を所定厚さの
二酸化ケイ素層１２Ｃで覆ったものである。
の窒化アルミニウム系焼結板材１２Ａの表面を所定の深
さにわたり酸化することにより表面酸化層１２Ｂを形成
し、さらに、この表面酸化層１２Ｂの表面を所定厚さの
二酸化ケイ素層１２Ｃで覆ったものである。
【００１４】この二酸化ケイ素層１２Ｃの上には、上記
導体膜１４および抵抗体膜１５の一部同士が重なり合っ
て被着されている。また、抵抗体膜１５と二酸化ケイ素
層１２Ｃとの間には所定厚さの絶縁体ガラス膜１３が介
在されている。そして、導体膜１４と抵抗体膜１５の一
部同士が重なり合った部分（オーバラップ部分）の下の
二酸化ケイ素層１２Ｃ上にもこの絶縁体ガラス膜１３が
被着されている。１６はこの抵抗体膜１５を被覆する保
護ガラス膜である。
導体膜１４および抵抗体膜１５の一部同士が重なり合っ
て被着されている。また、抵抗体膜１５と二酸化ケイ素
層１２Ｃとの間には所定厚さの絶縁体ガラス膜１３が介
在されている。そして、導体膜１４と抵抗体膜１５の一
部同士が重なり合った部分（オーバラップ部分）の下の
二酸化ケイ素層１２Ｃ上にもこの絶縁体ガラス膜１３が
被着されている。１６はこの抵抗体膜１５を被覆する保
護ガラス膜である。
【００１５】そして、この窒化アルミニウム基板１２は
以下の方法により製造する。すなわち、原料粉末とし
て、いずれも１〜３μｍの平均粒径を有する窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）粉末、イットリア（Ｙ2Ｏ3）粉末、お
よび、カルシア（ＣａＯ）粉末を用いる。まず、これら
原料粉末を配合し、ボールミルにて１２時間湿式混合
し、乾燥する。この後、これら原料粉末に有機バインダ
を添加して混合したものをドクタブレード法によりグリ
ーンシートに形成する。次いで、このグリーンシートを
常圧の窒素雰囲気中で、温度１８００℃にて、２時間保
持する条件で焼結する。この結果、幅：５０ｍｍ×厚
さ：０．６３ｍｍ×長さ：７５ｍｍの寸法を持った窒化
アルミニウム系焼結板材１２Ａが形成される。なお、こ
の窒化アルミニウム系焼結板材１２Ａの成分組成は、少
なくともイットリアまたはカルシアの重量％が０．１〜
１０％で、残りが窒化アルミニウムである。
以下の方法により製造する。すなわち、原料粉末とし
て、いずれも１〜３μｍの平均粒径を有する窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）粉末、イットリア（Ｙ2Ｏ3）粉末、お
よび、カルシア（ＣａＯ）粉末を用いる。まず、これら
原料粉末を配合し、ボールミルにて１２時間湿式混合
し、乾燥する。この後、これら原料粉末に有機バインダ
を添加して混合したものをドクタブレード法によりグリ
ーンシートに形成する。次いで、このグリーンシートを
常圧の窒素雰囲気中で、温度１８００℃にて、２時間保
持する条件で焼結する。この結果、幅：５０ｍｍ×厚
さ：０．６３ｍｍ×長さ：７５ｍｍの寸法を持った窒化
アルミニウム系焼結板材１２Ａが形成される。なお、こ
の窒化アルミニウム系焼結板材１２Ａの成分組成は、少
なくともイットリアまたはカルシアの重量％が０．１〜
１０％で、残りが窒化アルミニウムである。
【００１６】次に、酸素分圧：０．１〜１気圧、水蒸気
分圧：１×１０-5〜１×１０-3気圧の酸素と水蒸気との
混合雰囲気中で、温度１３５０〜１４５０℃の範囲に
て、所定時間保持する条件で、窒化アルミニウム系焼結
板材１２Ａに酸化処理を施す。この結果、窒化アルミニ
ウム系焼結板材１２Ａ上に表面酸化層１２Ｂが０．２〜
２０μｍの厚さに形成される。
分圧：１×１０-5〜１×１０-3気圧の酸素と水蒸気との
混合雰囲気中で、温度１３５０〜１４５０℃の範囲に
て、所定時間保持する条件で、窒化アルミニウム系焼結
板材１２Ａに酸化処理を施す。この結果、窒化アルミニ
ウム系焼結板材１２Ａ上に表面酸化層１２Ｂが０．２〜
２０μｍの厚さに形成される。
【００１７】さらに引き続いて、シリコンアルコキシド
溶液を使用して薄膜コーティングを行う。すなわち、表
面酸化層１２Ｂが形成された窒化アルミニウム系焼結板
材１２Ａを上記溶液中でディップコーティングする。も
しくは、この溶液を表面酸化層１２Ｂ表面にスピンコー
トする。この結果、この表面酸化層１２Ｂの上に二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2）層１２Ｃが０．０５〜５μｍの厚さ
に形成される。このようにして窒化アルミニウム基板１
２が製造される。この場合、表面酸化層１２Ｂ、二酸化
ケイ素層１２Ｃのぞれぞれの厚さは、下記絶縁体ガラス
膜１３、導体膜１４、抵抗体膜１５の放熱性と接合強度
とを勘案して定められる。
溶液を使用して薄膜コーティングを行う。すなわち、表
面酸化層１２Ｂが形成された窒化アルミニウム系焼結板
材１２Ａを上記溶液中でディップコーティングする。も
しくは、この溶液を表面酸化層１２Ｂ表面にスピンコー
トする。この結果、この表面酸化層１２Ｂの上に二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2）層１２Ｃが０．０５〜５μｍの厚さ
に形成される。このようにして窒化アルミニウム基板１
２が製造される。この場合、表面酸化層１２Ｂ、二酸化
ケイ素層１２Ｃのぞれぞれの厚さは、下記絶縁体ガラス
膜１３、導体膜１４、抵抗体膜１５の放熱性と接合強度
とを勘案して定められる。
【００１８】そして、この窒化アルミニウム基板１２上
に絶縁体ガラスペーストを所定パターンで印刷し、常温
にて１０分間放置後、温度１５０℃にて１０分間乾燥
し、温度８５０℃にて１０分間焼成することにより、窒
化アルミニウム基板１２上に絶縁体ガラス膜１３を、厚
さ５〜２０μｍに形成する。この絶縁体ガラスペースト
の組成は二酸化ケイ素３５重量％、酸化アルミニウム２
５重量％、酸化カルシウム１重量％、酸化亜鉛１２重量
％、酸化バリウム２５重量％、酸化チタン１重量％、酸
化ホウ素１重量％であり、その熱膨張係数が５４×１０
-7／℃である。
に絶縁体ガラスペーストを所定パターンで印刷し、常温
にて１０分間放置後、温度１５０℃にて１０分間乾燥
し、温度８５０℃にて１０分間焼成することにより、窒
化アルミニウム基板１２上に絶縁体ガラス膜１３を、厚
さ５〜２０μｍに形成する。この絶縁体ガラスペースト
の組成は二酸化ケイ素３５重量％、酸化アルミニウム２
５重量％、酸化カルシウム１重量％、酸化亜鉛１２重量
％、酸化バリウム２５重量％、酸化チタン１重量％、酸
化ホウ素１重量％であり、その熱膨張係数が５４×１０
-7／℃である。
【００１９】次に、酸化物フリットを含有するＡｇ系導
体ペーストを、その一部が絶縁体ガラス膜１３上に位置
するように、この窒化アルミニウム基板１２上に印刷す
る。さらに、これを常温にて１０分間放置後、温度１５
０℃にて１０分間乾燥し、温度８５０℃にて１０分間焼
成する。この結果、導体膜１４が窒化アルミニウム基板
１２および絶縁体ガラス膜１３上に、厚さ５〜２０μｍ
に形成される。
体ペーストを、その一部が絶縁体ガラス膜１３上に位置
するように、この窒化アルミニウム基板１２上に印刷す
る。さらに、これを常温にて１０分間放置後、温度１５
０℃にて１０分間乾燥し、温度８５０℃にて１０分間焼
成する。この結果、導体膜１４が窒化アルミニウム基板
１２および絶縁体ガラス膜１３上に、厚さ５〜２０μｍ
に形成される。
【００２０】次いで、Ｒｕ酸化物もしくはＡｇを含む抵
抗体ペーストを、絶縁体ガラス膜１３上に印刷する。こ
の場合、抵抗体ペーストはその一部が上記導体膜１４上
に重ね合わされる。そして、この抵抗体ペーストを常温
にて１０分間放置した後、温度１５０℃にて１０分間乾
燥し、温度８５０℃にて１０分間焼成する。この結果、
抵抗体膜１５はその一部が導体膜１４上に重ね合わされ
て厚さ５〜２０μｍに形成される。したがって、絶縁体
ガラス膜１３は、導体膜１４と抵抗体膜１５とがオーバ
ーラップ（接合）する部分にも形成されていることとな
る。
抗体ペーストを、絶縁体ガラス膜１３上に印刷する。こ
の場合、抵抗体ペーストはその一部が上記導体膜１４上
に重ね合わされる。そして、この抵抗体ペーストを常温
にて１０分間放置した後、温度１５０℃にて１０分間乾
燥し、温度８５０℃にて１０分間焼成する。この結果、
抵抗体膜１５はその一部が導体膜１４上に重ね合わされ
て厚さ５〜２０μｍに形成される。したがって、絶縁体
ガラス膜１３は、導体膜１４と抵抗体膜１５とがオーバ
ーラップ（接合）する部分にも形成されていることとな
る。
【００２１】さらに、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系から
なるガラスペーストを、導体膜１４と抵抗体膜１５とを
覆うように印刷し、常温で１０分間放置後、温度１５０
℃にて１０分間乾燥し、温度５００〜６００℃にて１０
分間焼成する。この結果、保護ガラス膜１６が導体膜１
４と抵抗体膜１５とを覆うよう、厚さ５〜２０μｍに形
成される。
なるガラスペーストを、導体膜１４と抵抗体膜１５とを
覆うように印刷し、常温で１０分間放置後、温度１５０
℃にて１０分間乾燥し、温度５００〜６００℃にて１０
分間焼成する。この結果、保護ガラス膜１６が導体膜１
４と抵抗体膜１５とを覆うよう、厚さ５〜２０μｍに形
成される。
【００２２】以上のようにして形成された実装構造にお
いて、一般に半導体装置用基板の評価方法として採用さ
れている試験を行う。すなわち、１２５℃の温度にて加
熱後、−５５℃の温度にて冷却を施すことを１サイクル
とする繰り返し試験を行い、抵抗体膜１５に割れが発生
するに至るまでのサイクル数を２０サイクル毎に観察し
て測定する。この結果、抵抗体膜１５に割れの発生が全
くない。さらに、窒化アルミニウム系焼結板材１２Ａ
と、これらの絶縁体ガラス膜１３、導体膜１４、また
は、抵抗体膜１５との間に、アルミナ層１２Ｂおよび二
酸化ケイ素層１２Ｃが介在されているので、これらの膜
１３、１４、１５中のガラス成分が窒化アルミニウム系
焼結板材１２Ａと発泡反応することもない。さらに、二
酸化ケイ素層１２Ｃは、アルミナ層１２Ｂとの密着性に
優れるとともに、絶縁体ガラス膜１３との密着性にも優
れている。このため、窒化アルミニウム基板１２と絶縁
体ガラス膜１３との接合性を強化することができる。
いて、一般に半導体装置用基板の評価方法として採用さ
れている試験を行う。すなわち、１２５℃の温度にて加
熱後、−５５℃の温度にて冷却を施すことを１サイクル
とする繰り返し試験を行い、抵抗体膜１５に割れが発生
するに至るまでのサイクル数を２０サイクル毎に観察し
て測定する。この結果、抵抗体膜１５に割れの発生が全
くない。さらに、窒化アルミニウム系焼結板材１２Ａ
と、これらの絶縁体ガラス膜１３、導体膜１４、また
は、抵抗体膜１５との間に、アルミナ層１２Ｂおよび二
酸化ケイ素層１２Ｃが介在されているので、これらの膜
１３、１４、１５中のガラス成分が窒化アルミニウム系
焼結板材１２Ａと発泡反応することもない。さらに、二
酸化ケイ素層１２Ｃは、アルミナ層１２Ｂとの密着性に
優れるとともに、絶縁体ガラス膜１３との密着性にも優
れている。このため、窒化アルミニウム基板１２と絶縁
体ガラス膜１３との接合性を強化することができる。
【００２３】また、上記抵抗体膜１５について抵抗温度
係数ＴＣＲを測定した。表１は各種の抵抗体膜について
のＴＣＲの値を示すものである。この場合、絶縁体ガラ
ス膜としては熱膨張係数の異なる３種のものについて行
っている。
係数ＴＣＲを測定した。表１は各種の抵抗体膜について
のＴＣＲの値を示すものである。この場合、絶縁体ガラ
ス膜としては熱膨張係数の異なる３種のものについて行
っている。
【００２４】
【表１】
【００２５】このように本実施例によれば高熱伝導性の
窒化アルミニウム基板を用いているので、半導体装置の
高集積化および大電力化に十分対応することができる。
また、基板上の多層配線による厚膜回路部（導体、抵抗
体等）を高密度化、小型化、高信頼性化できる等、工業
上有用な効果をもたらすことができる。
窒化アルミニウム基板を用いているので、半導体装置の
高集積化および大電力化に十分対応することができる。
また、基板上の多層配線による厚膜回路部（導体、抵抗
体等）を高密度化、小型化、高信頼性化できる等、工業
上有用な効果をもたらすことができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、抵抗体膜へのクラック
発生を防止することができ、半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
発生を防止することができ、半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の実装構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１２ 窒化アルミニウム基板 １２Ａ 窒化アルミニウム系焼結板材 １２Ｂ 表面酸化層 １２Ｃ 二酸化ケイ素層 １３ 絶縁体ガラス膜 １５ 抵抗体膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 8617−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ (72)発明者 吉田 秀昭 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム系焼結板材と、この窒
化アルミニウム系焼結板材上に形成された表面酸化層
と、この表面酸化層上に形成された二酸化ケイ素層と、
を有する窒化アルミニウム基板を備え、 上記二酸化ケイ素層上に被着された抵抗体膜と、 この抵抗体膜と上記二酸化ケイ素層との間に介在された
絶縁体ガラス膜と、を有することを特徴とする半導体装
置の実装構造。 - 【請求項２】 上記絶縁体ガラス膜は、二酸化ケイ素２
５〜４５重量パーセント、酸化アルミニウム１５〜３５
重量パーセント、酸化カルシウム１〜２０重量パーセン
ト、酸化亜鉛１０〜２０重量パーセント、酸化バリウム
１５〜３５重量パーセント、酸化チタン１〜１５重量パ
ーセント、酸化ホウ素１〜５重量パーセントおよび不可
避不純物からなる組成である請求項１に記載の半導体装
置の実装構造。 - 【請求項３】 上記絶縁体ガラス膜は、その熱膨張係数
が４０〜６５×１０-7／℃である請求項１に記載の半導
体装置の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006592A JPH05198740A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006592A JPH05198740A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198740A true JPH05198740A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12293415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3006592A Withdrawn JPH05198740A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 半導体装置の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688047A1 (en) * | 1994-06-13 | 1995-12-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Aluminium nitride substrate and method of producing the same |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP3006592A patent/JPH05198740A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688047A1 (en) * | 1994-06-13 | 1995-12-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Aluminium nitride substrate and method of producing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |