JPH05198005A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明は、反射層の組成が、次式で表される相
変化型光記録媒体および製造方法に関する。 式 Ｐｄ_x Ｈｆ_y Ａｌ_1-x-y ０．００１＜ｘ＜０．０１ ０．００５＜ｙ＜０．１０ 但しｘ，ｙ，１−ｘ−ｙは、各元素の原子数比（モル
比）をあらわす。 【効果】本発明によると、多数回の記録消去を繰り返し
ても、動作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生が
ほとんどなく、耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命であ
る。また、消去率、ｃ／ｎが高く、かつ高感度である。
さらに、反射層の膜形成速度が速い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体及びその製造方法に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。

【０００４】これらの光記録媒体は、テルルを主成分と
する記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に集束
したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部分的
に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷され、固
化し、アモルファス状態の記録マークが形成される。こ
の記録マークの光線反射率は、結晶状態より低く、光学
的に記録信号として再生可能である。

【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００６】この光記録媒体では、通常、記録層の両面
に耐熱性と透光性を有する誘電体層を設け、記録時に記
録層に変形、開口が発生することを防いでいる。さら
に、光ビーム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性
のＡｕ（金）などの金属反射層を設け、光学的な干渉効
果により、再生時の信号コントラストを改善すると共
に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形成を容
易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する技術が
知られている（M.Terao et al,SPIE Vol.1078 p2-10 (1
989)）。

【０００７】一方、従来の追記型の相変化型光ディスク
の反射層の例としては、ＡｌにＴａ，Ｔｉなどの添加元
素を加えた合金を反射層とするものがある（特開昭６２
−１３７７４３号公報、特開平１−１６９７５１号公
報、特開平２−１２８３３２号公報）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前述のような書換可能
相変化型光記録媒体における課題は、記録、消去動作の
繰り返しに伴う加熱、冷却の繰り返しによって記録、消
去感度、消去率などの記録消去特性やｃ／ｎなどの再生
信号品質に劣化、変動が発生することである。この原因
の１つとして、Ａｌなどの反射層が、記録時の加熱、冷
却サイクルによって、結晶粒形の粗大化などの結晶状態
の変化が生じ、さらにはそれに伴い、反射層の熱伝導率
などの変化、反射層の変形などが生じること、あるい
は、誘電体層との接着性が悪くなり剥離が生じることな
どがあげられる。また、長時間の保存中に、同様にＡｌ
の結晶状態などが変化し、ヒロックなどの変形を生じた
り、誘電体層からはがれたりするため欠陥が生じる問
題、あるいはＺｎＳ−ＳｉＯ₂ などの誘電体層との界面
の固相反応、Ａｌ合金層自体の酸化などによる反射層の
反射率低下の問題などがある。

【０００９】本発明の目的は、このような記録、消去繰
り返しによる熱的な劣化が低減された反射層を有し、多
数回の記録、消去あるいは書換動作を行っても、記録特
性の劣化の少ない光記録媒体を提供することである。

【００１０】本発明の別の目的は、耐酸化性、耐湿熱性
に優れ長期の保存においても欠陥の生じない長寿命の光
記録媒体を提供することである。

【００１１】本発明のさらに、別の目的は、記録感度が
高く、かつキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性
に優れた光記録媒体を提供することである。

【００１２】本発明のさらに、別の目的は、スパッタ速
度が速く、生産性に優れた光記録媒体の製造方法を提供
することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
であって、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体
層と反射層を有し、反射層の組成が、パラジウム、ハフ
ニウムおよびアルミニウムからなり、その組成が、次式
で表される光記録媒体に関する。

【００１４】式 Ｐｄ_x Ｈｆ_y Ａｌ_1-x-y ０．００１＜ｘ＜０．０１ ０．００５＜ｙ＜０．１０ 但しｘ，ｙ，１−ｘ−ｙは、各元素の原子数比（モル
比）をあらわす。

【００１５】また、本発明は、組成が上記式で表される
Ａｌ合金ターゲットをスパッタリングすることにより反
射層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法
に関する。

【００１６】さらに、本発明は、組成が上記式で表され
る光記録媒体の反射層形成用のスパッタリングターゲッ
ト用Ａｌ合金に関する。

【００１７】本発明の光記録媒体の反射層の主成分のＡ
ｌは、光の反射率が高く光学的な干渉を利用して、再生
信号のコントラストを改善するのに有効である。また熱
伝導率が高く、冷却効果により、非晶状態の記録マーク
の形成を容易にし、かつ消去時の熱分布を平坦化するこ
とにより消去特性を改善することができる。また、Ａｌ
は金などの貴金属に比べ安価であり、製造コストを低減
することができる。

【００１８】本発明の反射層の添加元素Ｐｄ（パラジウ
ム）は、Ａｌに添加することにより、Ａｌの再結晶化温
度を高める、Ａｌ反射層の結晶状態の熱的安定性を改善
し、結晶粒径の粗大化を抑制する。そのため記録消去繰
り返しによる加熱による記録特性、再生信号品質の変
動、低下を低減する効果がある。

【００１９】また、本発明の反射層の添加元素Ｈｆは、
Ａｌの耐酸化性、耐湿熱性を著しく改善し、光記録媒体
を長寿命化できる。

【００２０】また、これら本発明の添加元素Ｐｄおよび
Ｈｆは、Ａｌに添加することにより反射層のＡｌ合金の
熱伝導率をＡｌに比べ若干低下させ、その結果、光記録
媒体の記録、消去感度を向上させる効果、および記録時
に記録マークを大きくし、再生信号コントラスト、ｃ／
ｎを向上する効果もある。

【００２１】さらに、これらＰｄ，Ｈｆを添加した本発
明のＡｌ合金反射層は、反射率が高く、純Ａｌと殆ど変
わらない。そのため、反射層に吸収される無駄な光エネ
ルギーが少なく、照射した光エネルギーは、効率よく記
録層に吸収され高感度の記録媒体を構成できる。

【００２２】本発明の反射層に含まれるＰｄ量及びＨｆ
量は微量であるため、Ｈｆ及びＰｄを使用することによ
る製造コストの上昇は、殆ど問題にならない。

【００２３】本発明の反射層の添加元素Ｐｄの量ｘが
０．００１以下の場合、前述の有意な添加効果が発現せ
ず、０．０１以上の場合には、ＰｄとＡｌの化合物相が
多量に合金中に存在することなどの原因から、合金の機
械的強度、結晶状態の熱安定性、耐湿熱性などの特性が
低下する。

【００２４】本発明の反射層の添加元素Ｈｆの量ｙが
０．００５以下の場合、前述の有意な添加効果が発現せ
ず、０．１０以上の場合には、ＨｆとＡｌの金属化合物
相が多量に合金中に存在することなどの原因から、合金
の機械的強度、結晶状態の熱安定性、耐湿熱性などの特
性が低下するとともに、反射層の熱伝導率が低くなりす
ぎて、消去特性および書換の繰返し可能回数が著しく低
下する。

【００２５】記録、消去の繰返しによるＡｌ合金の結晶
状態の変化を防止する効果が高いことから、添加元素Ｐ
ｄの量ｘが０．００１以上，０．００５以下であり、Ｈ
ｆの添加量ｙが０．００５以上０．０５以下であること
が好ましい。

【００２６】本発明の光記録媒体の構成部材は、例え
ば、基板側から光を入射して使用する構成では、基板／
第一の誘電体層／記録層／第二の誘電体層／反射層の積
層構造とすることができる。但しこれに限定するもので
はなく、反射層上に本発明の効果を損なわない範囲で紫
外線硬化樹脂などの樹脂層や、他の基板と張り合わせる
ための接着剤層などを設けてもよい。

【００２７】本発明の反射層の厚さとしては、特に限定
するものではないが、通常、３０ｎｍから３００ｎｍで
ある。特に記録、消去感度が高く、かつ消去率などの消
去特性に優れることから５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が
好ましい。

【００２８】本発明の記録層としては、特に限定するも
のではないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金などがある。

【００２９】Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間
が短く、かつ多数回の記録、消去の繰り返しが可能であ
ることから好ましく、特にＰｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優れ
ることから好ましい。

【００３０】本発明の記録層の厚さとしては、特に限定
するものではないが１０〜１５０ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好まし
い。

【００３１】本発明の誘電体層は、記録時に基板、記録
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するためのものである。この誘電体層としては、Ｚｎ
Ｓ，ＳｉＯ₂ などの無機薄膜がある。特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔｅなどの金属の酸化物
薄膜、及びこれらの混合物の膜が、耐熱性が高いことか
ら好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合膜は、記録、
消去の繰り返しによっても、記録感度、ｃ／ｎ、消去率
などの劣化が起きにくいことから好ましい。誘電体層の
厚さは、およそ１０〜５００ｎｍである。誘電体層が、
基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生
じ難いことから、１０〜４００ｎｍが好ましい。

【００３２】特に、高速でワンビーム・オーバーライト
が可能であり、かつ消去率が大きく消去特性が良好であ
ることから、次のごとく、光記録媒体の主要部を構成す
ることが好ましい。

【００３３】すなわち、第１の誘電体層の厚さを１００
ｎｍ〜４００ｎｍであり、第２の誘電体層の厚さを１０
ｎｍ〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜
３０ｎｍ、反射層の厚さを５０ｎｍ〜１５０ｎｍとし
た、記録、消去動作時に記録層が急冷される構造であ
り、誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合膜であり、かつ
記録層の組成が次式で表される範囲にあることが好まし
い。

【００３４】 （Ｍ_x Ｓｂ_y Ｔｅ_1-x-y ）_1-z （Ｔｅ_0.5 Ｇｅ_0.5 ）_z ０．０００５≦ｘ≦０．０１ ０．３５≦ｙ≦０．６５ ０．２≦ｚ≦ ０．５ 但しｘ，ｙ，ｚ、０．５は各元素の原子数比をあらわ
す。

【００３５】Ｍは、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも一種の元素
を表す。

【００３６】本発明の基板としては、プラスチック、ガ
ラス、アルミニウムなど従来の記録媒体の基板と同様な
ものでよい。ほこり、基板の傷などの影響をさける目的
で、集束した光ビームを用いて、基板側から記録を行な
う場合には、基板として透明材料を用いることが好まし
い。この様な材料としては、ガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。

【００３７】特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小
さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹
脂、エポキシ樹脂が好ましい。特に耐熱性が要求される
場合には、エポキシ樹脂が好ましい。

【００３８】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になるからである。基板はフレキシ
ブルなものであっても良いし、リジッドなものであって
も良い。フレキシブルな基板は、テープ状、シート状、
カ−ド状で使用する。リジッドな基板は、カード状、あ
るいはディスク状で使用する。また、これらの基板は、
記録層などを形成した後、２枚の基板を用いて、エアー
サンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密着張合
せ構造としてもよい。

【００３９】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。

【００４０】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。

【００４１】記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。

【００４２】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。

【００４３】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。

【００４４】本発明の反射層を構成するＡｌ合金は、従
来の純ＡｌやＡｌに少量のＴｉを添加した合金などに比
べ、スパッタリング速度が大きく生産性に優れるため、
本発明の反射層の組成のＡｌ合金をターゲットに用い
て、スパッタ法により反射層を形成することが好まし
い。この場合にターゲットとして用いる合金は、次式に
示す組成である。

【００４５】式 Ｐｄ_x Ｈｆ_y Ａｌ_1-x-y ０．００１＜ｘ＜０．０１ ０．００５＜ｙ＜０．１０ 但しｘ，ｙ，１−ｘ−ｙは、各元素の原子数比（モル
比）をあらわす。

【００４６】形成する反射層、記録層などの厚さの制御
は、公知の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状
態をモニタリングすることで、容易に行える。

【００４７】反射層、記録層などの形成は、基板を固定
したまま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよ
い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転
させることが好ましく、さらに公転を組合わせること
が、より好ましい。

【００４８】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、記録層、誘電体層などを形成した後、傷、
変形の防止などのため、公知の紫外線硬化樹脂などの樹
脂保護層などを必要に応じて設けてもよい。また、記録
層、誘電体層などを形成した後、あるいはさらに前述の
樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対向して、公知
の接着剤で張り合わせてもよい。

【００４９】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。

【００５０】記録層、誘電体層、反射層の膜厚は、水晶
振動子膜厚計によりモニターした。また、反射層などの
膜厚は、層形成後、断面を走査型もしくは透過型電子顕
微鏡で観察し測定した。

【００５１】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチのＩ
ＳＯ準拠プリフォーマットおよびスパイラルグルーブ付
きポリカーボネート製基板を毎分３０回転で回転させな
がら、高周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反
射層を形成した。

【００５２】まず、真空容器内を１×１０^-5Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚３７０ｎｍの誘電体層を形成した。続いて、Ｐ
ｄ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッ
タして、組成Ｐｄ₁ Ｇｅ₁₇Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₆（原子％）の膜
厚２０ｎｍの記録層を形成した。さらに前述の誘電体層
を２０ｎｍ形成し、この上に、ＰｄとＨｆの小片を配置
したＡｌターゲットを使用してスパッタし、Ｐｄ_0.002
Ｈｆ_0.02Ａｌ_0.978 合金の膜厚１００ｎｍの反射層を形
成した。さらにこのディスクを真空槽より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂をスピン
コートし、紫外線照射により硬化させて膜厚１０μｍの
樹脂層を形成し本発明の光記録媒体を得た。

【００５３】この光記録媒体を線速度５．５ｍ／秒で回
転させ、基板側から２２×６６μｍの長円に集光した波
長８２０ｎｍの半導体レーザー光を膜面強度１．１Ｗの
条件で照射して、記録層を結晶化し初期化した。

【００５４】その後、半径３０ｍｍの位置で、回転数１
８００ｒｐｍの条件で、対物レンズの開口数０．５、半
導体レーザーの波長８３０ｎｍの光学ヘッドを使用し
て、周波数３．７ＭＨｚ（２−７コードの１．５Ｔ相
当）、パルス幅５０ｎｓｅｃ、ピークパワー１９ｍＷ、
ボトムパワー９ｍＷに変調した半導体レーザー光を１ト
ラック上に照射し非晶マ−クを形成して記録した。この
トラックを再生パワー１．３ｍＷの半導体レーザ光を照
射して再生したところ、バンド幅３０ｋＨｚの条件で、
ｃ／ｎ比５３ｄＢと良好な、デジタル記録に十分な値が
得られ、欠陥もほとんど見られなかった。

【００５５】さらにこの部分を１．４ＭＨｚ（２−７コ
ードの４．０Ｔ相当）で、先と同様に変調した半導体レ
ーザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトした。こ
の部分を再度再生したところ３．７ＭＨｚの記録は１．
４ＭＨｚに完全に書換られていた。この時の３．７ＭＨ
ｚの消去率を測定したところ消去率は３０ｄＢであり、
必要とされる約２０ｄＢを十分上回る値が得られた。さ
らに３．７ＭＨｚの信号でワンビーム・オーバーライト
の繰り返しを１０００回及び２０万回行った後、同様の
測定を行ったが、ｃ／ｎ、消去率の変化は、いずれも２
ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、かつ記録の欠陥
の増加もほとんど見られなかった。

【００５６】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に２０００時間置いた後、記録部分を再生
したが、ｃ／ｎ比の変化は２ｄＢ未満でほとんど変化が
なかった。さらに再度、記録、消去を行いｃ／ｎ比、消
去率を測定したところ、同様にほとんど変化がなく、か
つ欠陥の増加もほとんど見られなかった。この結果から
このディスクは、１０年以上の媒体寿命があると推定で
きる。

【００５７】実施例２ 実施例１の反射層をそれぞれＰｄ_0.001 Ｈｆ_0.03Ａｌ
_0.969 合金，Ｐｄ_0.003 Ｈｆ_0.01Ａｌ_0.987 合金，膜厚
１００ｎｍの膜とした他は、実施例１と同じ構成２種類
の光記録媒体を作製した。この光記録媒体を実施例１と
同様に記録、書換、再生を行ったところ、２０万回の書
換の繰り返しの後も１００回目に比べｃ／ｎ、消去率の
変化は２ｄＢ未満と、ほとんど見られず、ｃ／ｎ５２ｄ
Ｂ、消去率３０ｄＢの良好な値が得られ、かつ記録部の
欠陥の発生もほとんどなかった。

【００５８】比較例１ 実施例１の反射層を純度９９．９９％のＡｌの膜厚７０
ｎｍの膜とした他は、実施例１と同じ構成の光記録媒体
を作製した。この光記録媒体を実施例１と同様の条件で
記録、書換を１０万回行ったところ、欠陥部分が増加し
た。

【００５９】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に２０００時間置いた後、記録部分を再生
したところ、反射率の低下および著しい欠陥の増加が見
られた。

【００６０】比較例２ 実施例１の反射層を純度９９．９９％のＡｌの膜厚１０
０ｎｍの膜とした他は、実施例１と同じ構成の光記録媒
体を作製した。実施例１と同様の記録パワー条件で記
録、書換を試みたところ、記録感度が低く記録が困難で
あった。

【００６１】実施例３ 実施例１の反射層用のスパッタ・ターゲットを組成Ｐｄ
_0.002 Ｈｆ_0.02Ａｌ_{0. 978} の合金タ−ゲットにした他
は、実施例１と同様の作製条件で、同様の構成の光記録
媒体を作製した。この光記録媒体を実施例１と同様に記
録、書換、再生を行ったところ、２０万回の書換の繰り
返しの後も１００回目に比べｃ／ｎ、消去率の変化は２
ｄＢ未満と、ほとんど見られず、ｃ／ｎ５２ｄＢ、消去
率３０ｄＢの良好な値が得られ、かつ記録部の欠陥の発
生もほとんどなかった。

【００６２】実施例４ 実施例１と同様のプレーナー・マグネトロン高周波スパ
ッタ法により、反射層のみを形成して、反射層の形成速
度を測定した。

【００６３】まず、真空容器内を１×１０^-5Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、毎分
３０回転で公転させた厚さ１．１ｍｍのガラス板上に、
反射層を形成した。スパッタ・ターゲットには実施例３
と同様の直径５インチ、厚さ６ｍｍの円盤形状の組成Ｐ
ｄ_0.002 Ｈｆ_0.02Ａｌ_0.978 合金の焼結材ターゲットを
使用した。スパッタ電力は、高周波入力（進行波）６０
０Ｗ、反射波４０Ｗであった。この条件で２５３秒スパ
ッタを行い、反射層を形成し、真空容器より取りだした
後反射層の膜厚を調べたところ１００ｎｍであった。従
って、この条件での反射層の形成速度は、０．３９５ｎ
ｍ／秒であった。

【００６４】比較例３ 実施例４のスパッタ・ターゲットを同様のサイズのＴｉ
_0.03Ａｌ_0.97合金の焼結材ターゲットとした他は、実施
例４と同様の方法で、従来のＴｉ添加Ａｌ合金の反射層
を形成し、反射層の形成速度を測定した。スパッタ電力
は、高周波入力（進行波）６００Ｗ、反射波４０Ｗと実
施例４と同一であった。この反射層の形成速度は、０．
２４４ｎｍ／秒であり、実施例４に比べ３８％も遅く、
生産性が劣っていた。

【００６５】

【発明の効果】本発明は、光記録媒体の構成を特定の材
質の反射層を有する構成としたので、以下の効果が得ら
れた。 (1) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定し
ており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (2) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (3) 消去率、ｃ／ｎが高く、かつ高感度である。 (4) スパッタ法により生産性良く作製できる。 (5) 低コストの光記録媒体にできる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
   ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
   り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
   化により行われる光記録媒体であって、前記光記録媒体
   が少なくとも記録層と誘電体層と反射層を有し、反射層
   の組成が、パラジウム、ハフニウムおよびアルミニウム
   からなり、その組成が、次式で表される光記録媒体。 式 Ｐｄ_x Ｈｆ_y Ａｌ_1-x-y ０．００１＜ｘ＜０．０１ ０．００５＜ｙ＜０．１０ 但しｘ，ｙ，１−ｘ−ｙは、各元素の原子数比（モル
   比）をあらわす。
2. 【請求項２】 組成が次式で表されるＡｌ合金ターゲッ
   トをスパッタリングすることにより反射層を形成するこ
   とを特徴とする光記録媒体の製造方法。 式 Ｐｄ_x Ｈｆ_y Ａｌ_1-x-y ０．００１＜ｘ＜０．０１ ０．００５＜ｙ＜０．１０ 但しｘ，ｙ，１−ｘ−ｙは、各元素の原子数比（モル
   比）をあらわす。
3. 【請求項３】 組成が次式で表される光記録媒体の反射
   層形成用のスパッタリングターゲット用Ａｌ合金。 式 Ｐｄ_x Ｈｆ_y Ａｌ_1-x-y ０．００１＜ｘ＜０．０１ ０．００５＜ｙ＜０．１０ 但しｘ，ｙ，１−ｘ−ｙは、各元素の原子数比（モル
   比）をあらわす。