JPH05196905A - 磁気光学膜 - Google Patents
磁気光学膜Info
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- JPH05196905A JPH05196905A JP4009390A JP939092A JPH05196905A JP H05196905 A JPH05196905 A JP H05196905A JP 4009390 A JP4009390 A JP 4009390A JP 939092 A JP939092 A JP 939092A JP H05196905 A JPH05196905 A JP H05196905A
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- JP
- Japan
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- magneto
- optical
- film
- sensitivity
- magnetic field
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気光学効果を利用した光磁界センサにおい
て、高い感度を備え且つ温度に対する感度の変動が小さ
い磁気光学膜を提供する。 【構成】 磁気光学膜を、YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 の
組成で成り、ｘが０．６〜０．８の範囲内においてｘ及
びｙが下記の条件式を満足し且つ膜厚が１１０〜１５０
μｍの磁性ガーネット膜により構成する。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ
て、高い感度を備え且つ温度に対する感度の変動が小さ
い磁気光学膜を提供する。 【構成】 磁気光学膜を、YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 の
組成で成り、ｘが０．６〜０．８の範囲内においてｘ及
びｙが下記の条件式を満足し且つ膜厚が１１０〜１５０
μｍの磁性ガーネット膜により構成する。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学素子のファラ
デー効果を利用して磁界強度を測定する光磁界センサに
使用される磁気光学膜に関し、特に電力を供給する配電
線の周囲に発生する磁界強度を測定し、その電流の大き
さを検知するようにした光磁界センサ用の磁気光学膜に
関する。
デー効果を利用して磁界強度を測定する光磁界センサに
使用される磁気光学膜に関し、特に電力を供給する配電
線の周囲に発生する磁界強度を測定し、その電流の大き
さを検知するようにした光磁界センサ用の磁気光学膜に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、発電所から末端の電力消費者まで
の電力輸送路において、変電所，送電線及び配電線等に
流れる電流の大きさを測定してその異常を発見する電流
センサとして、電流が流れる導線の周囲に発生する磁界
を磁気光学効果を利用して測定し、この測定磁界の大き
さから電流値を求めるようにした光磁界センサを用いる
計画が進んでいる。大電流を扱う変電所や高圧送電線等
の万一事故が発生した場合にその被害が広範囲に及ぶこ
とが考えられる環境下においては、既に実用化されてい
る。
の電力輸送路において、変電所，送電線及び配電線等に
流れる電流の大きさを測定してその異常を発見する電流
センサとして、電流が流れる導線の周囲に発生する磁界
を磁気光学効果を利用して測定し、この測定磁界の大き
さから電流値を求めるようにした光磁界センサを用いる
計画が進んでいる。大電流を扱う変電所や高圧送電線等
の万一事故が発生した場合にその被害が広範囲に及ぶこ
とが考えられる環境下においては、既に実用化されてい
る。
【０００３】かかる電流計測用の光磁界センサは、一般
に野外で使用されるため、環境特に温度の変化に対して
安定した感度を備えていることが重要であり、例えば−
２０〜＋８０°Ｃの温度範囲でその感度の変動率（ＳR
＝ΔＳ／Ｓ（％））が±１％以内であることが要求され
ている。尚、感度とは、磁界の変化に対するセンサ出力
の変化率をいう。そして上記のように大電流を扱う変電
所や高圧送電線等で使用される光磁界センサでは、感度
は小さいが（１×１０-4／ Oe 以下）、大きな磁界に対
して磁気飽和が生じない鉛ガラス，ＺｎＳｅ，ＢＧＯ，
ＢＳＯ等の常磁性材料又は反磁性材料が磁気光学材料と
して用いられている。そしてこれらの材料は、温度に対
する感度の変動も小さく、良好な結果が得られている。
に野外で使用されるため、環境特に温度の変化に対して
安定した感度を備えていることが重要であり、例えば−
２０〜＋８０°Ｃの温度範囲でその感度の変動率（ＳR
＝ΔＳ／Ｓ（％））が±１％以内であることが要求され
ている。尚、感度とは、磁界の変化に対するセンサ出力
の変化率をいう。そして上記のように大電流を扱う変電
所や高圧送電線等で使用される光磁界センサでは、感度
は小さいが（１×１０-4／ Oe 以下）、大きな磁界に対
して磁気飽和が生じない鉛ガラス，ＺｎＳｅ，ＢＧＯ，
ＢＳＯ等の常磁性材料又は反磁性材料が磁気光学材料と
して用いられている。そしてこれらの材料は、温度に対
する感度の変動も小さく、良好な結果が得られている。
【０００４】一方、最近では電力消費者に近い小電流を
扱う配電線においてもこの種の光磁界センサを用いる計
画が進められている。かかる配電線の場合、発生する磁
界が小さいため１×１０-4／ Oe 以上の高い感度が要求
される。このため、上記鉛ガラス，ＺｎＳｅ，ＢＧＯ，
ＢＳＯ等の磁気光学材料では、十分な感度を得ることが
できず、正確な測定を行うことは難しい。そこで、この
ような配電線に対するものとして、磁気感度が高い磁性
ガーネット膜、更にはＢｉ置換型の磁性ガーネット膜を
使用する光磁界センサの開発・研究が行われている。な
お、配電線用の光磁界センサは一部を除き、コストが安
価であることが要求され、また通常では０．８５μｍ程
度の波長の光が用いられる。又、この場合、通常では光
源及び光検出器は磁気検出素子の近くに設置されるが、
一部では光源又は光検出器を遠方に設置して広範囲に渡
る電流値の監視・異常検出を行う場合がある。この場
合、光源として使用される光の波長は、光を長距離伝送
する必要性から、光通信用の１．３μｍである。
扱う配電線においてもこの種の光磁界センサを用いる計
画が進められている。かかる配電線の場合、発生する磁
界が小さいため１×１０-4／ Oe 以上の高い感度が要求
される。このため、上記鉛ガラス，ＺｎＳｅ，ＢＧＯ，
ＢＳＯ等の磁気光学材料では、十分な感度を得ることが
できず、正確な測定を行うことは難しい。そこで、この
ような配電線に対するものとして、磁気感度が高い磁性
ガーネット膜、更にはＢｉ置換型の磁性ガーネット膜を
使用する光磁界センサの開発・研究が行われている。な
お、配電線用の光磁界センサは一部を除き、コストが安
価であることが要求され、また通常では０．８５μｍ程
度の波長の光が用いられる。又、この場合、通常では光
源及び光検出器は磁気検出素子の近くに設置されるが、
一部では光源又は光検出器を遠方に設置して広範囲に渡
る電流値の監視・異常検出を行う場合がある。この場
合、光源として使用される光の波長は、光を長距離伝送
する必要性から、光通信用の１．３μｍである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記磁
性ガーネット膜は強磁性体であるため、特に上記ＺｎＳ
ｅ，ＢＧＯ，ＢＳＯ等の常磁性材料又は反磁性材料と比
較して、飽和磁界Ｈｓやファラデー回転係数θｆなどの
磁気特性や磁気光学特性が温度によって著しく変化し、
このため感度自体も温度の変化により大きく変動せしめ
られるという問題がある。このように従来の磁性材料そ
のままでは、この種の光磁界センサ用の磁性ガーネット
膜を実現することができなかった。特に、上述した長距
離伝送用の波長１．３μｍの光を用いる場合、磁性ガー
ネット膜として好適に利用できるものはなかった。
性ガーネット膜は強磁性体であるため、特に上記ＺｎＳ
ｅ，ＢＧＯ，ＢＳＯ等の常磁性材料又は反磁性材料と比
較して、飽和磁界Ｈｓやファラデー回転係数θｆなどの
磁気特性や磁気光学特性が温度によって著しく変化し、
このため感度自体も温度の変化により大きく変動せしめ
られるという問題がある。このように従来の磁性材料そ
のままでは、この種の光磁界センサ用の磁性ガーネット
膜を実現することができなかった。特に、上述した長距
離伝送用の波長１．３μｍの光を用いる場合、磁性ガー
ネット膜として好適に利用できるものはなかった。
【０００６】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、この種の光磁界センサにおいて高い感度を備え
且つ、特に波長１．３μｍの光を用いたときの温度に対
する感度の変動が小さい磁気光学膜を提供することを目
的とする。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、この種の光磁界センサにおいて高い感度を備え
且つ、特に波長１．３μｍの光を用いたときの温度に対
する感度の変動が小さい磁気光学膜を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気光学膜は、
YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 の組成で成り、ｘが０．６〜
０．８の範囲内において、ｘ及びｙが下記条件式（１）
を満足し且つ膜厚が１１０〜１５０μｍの磁性ガーネッ
ト膜であることを特徴としている。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ （１）
YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 の組成で成り、ｘが０．６〜
０．８の範囲内において、ｘ及びｙが下記条件式（１）
を満足し且つ膜厚が１１０〜１５０μｍの磁性ガーネッ
ト膜であることを特徴としている。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ （１）
【０００８】
【作用】磁性ガーネット膜を使用した光磁界センサの感
度Ｓは、該磁性ガーネット膜の膜厚をＬとすると、次の
式（２）によって表される。 Ｓ＝ｓｉｎ（２θｆ・Ｌ）／Ｈｓ （２） 上記式（２）中、飽和磁界Ｈｓ及びファラデー回転係数
θｆは温度によって変化し、従って式（２）において温
度変化に対する sin（２θｆ・Ｌ）とＨｓの変化の仕方
を同一にすることにより、それらの比である上記式
（２）によって表される感度は温度が変化しても一定に
保つことができる。また、磁性ガーネット膜の組成が決
まれば、ファラデー回転係数θｆ及び飽和磁界Ｈｓの各
温度変化率も決定されるため、感度Ｓの温度に対する変
動率ＳR は磁性ガーネット膜の組成に依存することにな
る。そしてまた、かかる変動率ＳR は、感度Ｓが（θｆ
・Ｌ）のｓｉｎ関数を問題とするため、膜厚Ｌにも依存
する。即ち、同一組成の磁性ガーネット膜でも、変動率
ＳR は膜厚Ｌによって変化する。
度Ｓは、該磁性ガーネット膜の膜厚をＬとすると、次の
式（２）によって表される。 Ｓ＝ｓｉｎ（２θｆ・Ｌ）／Ｈｓ （２） 上記式（２）中、飽和磁界Ｈｓ及びファラデー回転係数
θｆは温度によって変化し、従って式（２）において温
度変化に対する sin（２θｆ・Ｌ）とＨｓの変化の仕方
を同一にすることにより、それらの比である上記式
（２）によって表される感度は温度が変化しても一定に
保つことができる。また、磁性ガーネット膜の組成が決
まれば、ファラデー回転係数θｆ及び飽和磁界Ｈｓの各
温度変化率も決定されるため、感度Ｓの温度に対する変
動率ＳR は磁性ガーネット膜の組成に依存することにな
る。そしてまた、かかる変動率ＳR は、感度Ｓが（θｆ
・Ｌ）のｓｉｎ関数を問題とするため、膜厚Ｌにも依存
する。即ち、同一組成の磁性ガーネット膜でも、変動率
ＳR は膜厚Ｌによって変化する。
【０００９】本発明によれば、上記の点を考慮して磁性
ガーネット膜の組成設計を行い、さらに変動率ＳR を小
さくする膜厚Ｌを求めることにより、この種の光磁界セ
ンサに好適な磁気光学膜を得ることができる。そして特
に、希土類元素を変えたときのＢｉ置換鉄ガーネットの
飽和磁化及びファラデー回転係数θｆ並びにそれらの温
度に対する変化の試験結果から、(Yb Tb Bi)3 Fe3 O12
系の材料が好適であることが判明した。
ガーネット膜の組成設計を行い、さらに変動率ＳR を小
さくする膜厚Ｌを求めることにより、この種の光磁界セ
ンサに好適な磁気光学膜を得ることができる。そして特
に、希土類元素を変えたときのＢｉ置換鉄ガーネットの
飽和磁化及びファラデー回転係数θｆ並びにそれらの温
度に対する変化の試験結果から、(Yb Tb Bi)3 Fe3 O12
系の材料が好適であることが判明した。
【００１０】
【実施例】以下、図１及び図２に基づき本発明による光
磁界センサの磁気光学膜の一実施例を説明する。本発明
の磁気光学膜は、YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 の組成で成
るが、この磁性ガーネット膜は液相エピタキシャル法に
より上記 Yb X TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 におけるｘ及びｙ
を変えて組成が異なる種類のものが製作された。即ち、
先ず白金ルツボ中にＰｂＯ，Ｂｉ2 ０3 ，Ｂ2 ０3 をフ
ラックスとしてＹｂ2 ０3 ，Ｔｂ2 ０3 ，Ｆｅ2 ０3 を
溶かし込んだ融液を製作した。そして該融液を温度７７
０〜７９０°Ｃに加熱しながら、その融液表面にガドリ
ニウム・ガリウムガーネット単結晶基板（以下、ＧＧＧ
基板という）を付着させて１００ｒｐｍで回転させるこ
とにより、上記ＧＧＧ基板の片面に厚さ１９０μｍのYb
X TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 磁性ガーネット膜を成長させ
た。
磁界センサの磁気光学膜の一実施例を説明する。本発明
の磁気光学膜は、YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 の組成で成
るが、この磁性ガーネット膜は液相エピタキシャル法に
より上記 Yb X TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 におけるｘ及びｙ
を変えて組成が異なる種類のものが製作された。即ち、
先ず白金ルツボ中にＰｂＯ，Ｂｉ2 ０3 ，Ｂ2 ０3 をフ
ラックスとしてＹｂ2 ０3 ，Ｔｂ2 ０3 ，Ｆｅ2 ０3 を
溶かし込んだ融液を製作した。そして該融液を温度７７
０〜７９０°Ｃに加熱しながら、その融液表面にガドリ
ニウム・ガリウムガーネット単結晶基板（以下、ＧＧＧ
基板という）を付着させて１００ｒｐｍで回転させるこ
とにより、上記ＧＧＧ基板の片面に厚さ１９０μｍのYb
X TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 磁性ガーネット膜を成長させ
た。
【００１１】上記の場合、融液中のＹｂ2 ０3 とＴｂ2
０3 の含有割合を変えることにより、上記ｘ及び上記ｙ
が相違する異なる組成の試料が製作される。なお、液相
エピタキシャル法では、磁性ガーネット膜の格子定数と
上記ＧＧＧ基板の格子定数（１２．４９６Ａ）とがほぼ
一致している必要があるため、これらｘ，ｙには前記式
（１）を満足する条件が加わる。従ってｘ，ｙのうちｘ
が決まればｙも一義的に決定される。又、作成した磁性
ガーネット膜の膜厚Ｌを１９０μｍとしたが、これは該
膜厚Ｌが１９０μｍ以上では、波長１．３μｍの光を用
いる場合には前記式（２）における（θｆ・Ｌ）が４５
度以上となるためである。前記式（２）より明らかなよ
うに、（θｆ・Ｌ）が４５度以上となっても感度Ｓの向
上に対しては意味が無い。
０3 の含有割合を変えることにより、上記ｘ及び上記ｙ
が相違する異なる組成の試料が製作される。なお、液相
エピタキシャル法では、磁性ガーネット膜の格子定数と
上記ＧＧＧ基板の格子定数（１２．４９６Ａ）とがほぼ
一致している必要があるため、これらｘ，ｙには前記式
（１）を満足する条件が加わる。従ってｘ，ｙのうちｘ
が決まればｙも一義的に決定される。又、作成した磁性
ガーネット膜の膜厚Ｌを１９０μｍとしたが、これは該
膜厚Ｌが１９０μｍ以上では、波長１．３μｍの光を用
いる場合には前記式（２）における（θｆ・Ｌ）が４５
度以上となるためである。前記式（２）より明らかなよ
うに、（θｆ・Ｌ）が４５度以上となっても感度Ｓの向
上に対しては意味が無い。
【００１２】次に上記ｘ及び上記ｙが相違する各磁性ガ
ーネット膜毎に４０個ずつ試料として取り出し、各々研
磨によってＬ＝１００〜１９０μｍとなるように形成し
た。つまり、各上記ｘの組成に対して１００〜１９０μ
ｍの範囲で４０種類の膜厚の試料を製作した。更に各試
料のＧＧＧ基板面及び磁性ガーネット膜面に波長１．３
μｍ用のＳｉＯ2 単層で成る無反射コートを施した。
ーネット膜毎に４０個ずつ試料として取り出し、各々研
磨によってＬ＝１００〜１９０μｍとなるように形成し
た。つまり、各上記ｘの組成に対して１００〜１９０μ
ｍの範囲で４０種類の膜厚の試料を製作した。更に各試
料のＧＧＧ基板面及び磁性ガーネット膜面に波長１．３
μｍ用のＳｉＯ2 単層で成る無反射コートを施した。
【００１３】次に、上記のように製作された磁気光学膜
の温度変化に対する感度の試験結果について説明する。
上記磁性ガーネット膜の各試料に対して温度−２０〜＋
８０°Ｃの温度範囲でその感度を測定するが、ここで図
１は、かかる試験を行うための測定系の構成例を示して
いる。図において、レーザダイオード１から出射した波
長１．３μｍの光はレンズ２及び偏光子３を通過して直
線偏光になり、磁性ガーネット膜４に入射する。そして
この磁性ガーネット膜４を通過するときに被測定磁界
（以下、単に磁界という）の強さに応じた旋光作用を受
けた光は、さらにレンズ５及び偏光子６を通過して上記
磁界の強さに対応する強度になる。この後、偏光子６か
らシリコンフォトダイオード７へ入射した光の強度が検
出されるようになっている。上記の場合、±３００ Oe
の磁界が光路と平行に加えられると共に、磁性ガーネッ
ト膜４の温度は図示しないペルチェ素子によって変化せ
しめられる。
の温度変化に対する感度の試験結果について説明する。
上記磁性ガーネット膜の各試料に対して温度−２０〜＋
８０°Ｃの温度範囲でその感度を測定するが、ここで図
１は、かかる試験を行うための測定系の構成例を示して
いる。図において、レーザダイオード１から出射した波
長１．３μｍの光はレンズ２及び偏光子３を通過して直
線偏光になり、磁性ガーネット膜４に入射する。そして
この磁性ガーネット膜４を通過するときに被測定磁界
（以下、単に磁界という）の強さに応じた旋光作用を受
けた光は、さらにレンズ５及び偏光子６を通過して上記
磁界の強さに対応する強度になる。この後、偏光子６か
らシリコンフォトダイオード７へ入射した光の強度が検
出されるようになっている。上記の場合、±３００ Oe
の磁界が光路と平行に加えられると共に、磁性ガーネッ
ト膜４の温度は図示しないペルチェ素子によって変化せ
しめられる。
【００１４】そして、各磁性ガーネット膜試料の−２０
〜＋８０°Ｃの温度範囲における感度Ｓを調べ、その変
動率ＳR が±１％以内となる Yb X TbY Bi3-X-Y Fe3 O
12 におけるｘ及び膜厚Ｌを求めたところ、図２に示さ
れる結果が得られた。即ち、図２のグラフにおいて、直
線ａ，ｂ及びｃによって囲まれた領域の場合、温度−２
０〜＋８０°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳR が±１％以
内である。なお、同グラフ中、直線ｄよりも下側の領域
では感度Ｓ自体が既に１×１０-4／ Oe 以下である。つ
まり、上記直線ａ，ｂ，ｃ及びｄによって囲まれた領域
（斜線部分）では、−２０〜＋８０°Ｃの温度範囲にお
ける感度Ｓの変動率ＳR が±１％以内となり、且つ感度
Ｓ自体が１×１０-4〜９×１０-4／ Oe となる。
〜＋８０°Ｃの温度範囲における感度Ｓを調べ、その変
動率ＳR が±１％以内となる Yb X TbY Bi3-X-Y Fe3 O
12 におけるｘ及び膜厚Ｌを求めたところ、図２に示さ
れる結果が得られた。即ち、図２のグラフにおいて、直
線ａ，ｂ及びｃによって囲まれた領域の場合、温度−２
０〜＋８０°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳR が±１％以
内である。なお、同グラフ中、直線ｄよりも下側の領域
では感度Ｓ自体が既に１×１０-4／ Oe 以下である。つ
まり、上記直線ａ，ｂ，ｃ及びｄによって囲まれた領域
（斜線部分）では、−２０〜＋８０°Ｃの温度範囲にお
ける感度Ｓの変動率ＳR が±１％以内となり、且つ感度
Ｓ自体が１×１０-4〜９×１０-4／ Oe となる。
【００１５】従って、YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O12 磁性ガ
ーネット膜において、かかる領域に対応するｘの範囲が
０．６〜０．８であり且つ該磁性ガーネット膜の膜厚Ｌ
が１１０〜１５０μｍであるときには、温度−２０〜＋
８０°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳR が±１％以内とな
り、感度Ｓ自体が１×１０-4〜９×１０-4／ Oe となる
から、このような磁性ガーネット膜を使用する光磁界セ
ンサは温度がかなり変化しても微小な磁界を高い精度で
安定して測定することがきる。
ーネット膜において、かかる領域に対応するｘの範囲が
０．６〜０．８であり且つ該磁性ガーネット膜の膜厚Ｌ
が１１０〜１５０μｍであるときには、温度−２０〜＋
８０°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳR が±１％以内とな
り、感度Ｓ自体が１×１０-4〜９×１０-4／ Oe となる
から、このような磁性ガーネット膜を使用する光磁界セ
ンサは温度がかなり変化しても微小な磁界を高い精度で
安定して測定することがきる。
【００１６】
【発明の効果】上述したように本発明の磁気光学膜は、
高い感度を備え、且つこの感度は温度の変化に対して極
めて安定しており、特に配電線等の電流値検出の場合等
において過酷な環境下でしかも微小磁界を高い精度で測
定し得るこの種の光磁界センサを実現することができる
等の利点がある。
高い感度を備え、且つこの感度は温度の変化に対して極
めて安定しており、特に配電線等の電流値検出の場合等
において過酷な環境下でしかも微小磁界を高い精度で測
定し得るこの種の光磁界センサを実現することができる
等の利点がある。
【図１】本発明の磁気光学膜に対する感度試験ための感
度測定系の構成例を示す図である。
度測定系の構成例を示す図である。
【図２】本発明の磁気光学膜に対する感度測定結果によ
る膜組成と膜厚との関係を示すグラフである。
る膜組成と膜厚との関係を示すグラフである。
【符号の説明】 １ レーザダイオード ２ レンズ ３ 偏光子 ４ 磁性ガーネット膜 ５ レンズ ６ 偏光子 ７ シリコンフォトダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気光学効果を利用した磁界センサに使
用される磁気光学膜において、YbX TbY Bi3-X-Y Fe3 O
12 の組成で成り、上記ｘが０．６乃至０．８の範囲内
において該ｘ及び上記ｙが下記の条件式を満足し且つ膜
厚が１１０乃至１５０μｍの磁性ガーネット膜であるこ
とを特徴とする磁気光学膜。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00939092A JP3269101B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 磁気光学膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00939092A JP3269101B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 磁気光学膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196905A true JPH05196905A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3269101B2 JP3269101B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=11719116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00939092A Expired - Fee Related JP3269101B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 磁気光学膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269101B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106597053A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-04-26 | 福州大学 | 一种直通光路线性光学电流传感器及电流检测方法 |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP00939092A patent/JP3269101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106597053A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-04-26 | 福州大学 | 一种直通光路线性光学电流传感器及电流检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3269101B2 (ja) | 2002-03-25 |
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Legal Events
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