JPS63163815A - 磁界センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業にのｆ１１用分野） 本発明は磁性体の磁気光学効果を利用した磁界センサに
関し、特に広い範囲の磁界を高精度で９１定することが
可能な磁界センサを提供するものである。

（従来の技術） 電力分野では、大容躊化する電力系統を効率よく運営し
たり、自動化するために、変電所等の高電圧設備をデジ
タル制御・保護するシステムが必要となっている。この
ためには、高電圧設備における高電圧過変機器等のｔｒ
ｉ流・電圧を制御・計測する電流・電圧センサが不可欠
である。また、各Ｆｉｌ’！！力設備・機器をモニター
する電圧計や電流計においては、電圧や電流を高感度か
つ高精度で測定する電圧・電流センサが不可欠である。

そして、変電所や各種電力設備・機器等の縮小化、低コ
スト化及び高信頼化の実現のためには、電流・電圧セン
サは高電圧下で高絶縁であること、電磁１１１１＊に強
いこと、小型化、高性能化が要求されている。

従来、電流の制御・計測は、電流によって生しる磁界を
鉄心と巻線とをｑする大型の巻線型変成器を用いて電流
・電圧に変換することによって行なわれていた。しかし
、この変成器で、は巻線や鉄心を用いているため、広い
空間を必要とし、小型化が困難であり、またｉｇ電圧下
の絶縁性や電磁障害に問題があった。

近年、上述した変成器の無点を解決するために、磁性ガ
ーネットｆｉ％結晶やＺｎ５ｅ単結晶が大きな磁気光学
効果（ファラデー効果）を冑し、かつ光吸収が少ないこ
とを利用し、これらと光ファイバーとを組合オ〕せた光
磁界センサが報告されている（例えば、ＮａＬＩｏｎａ
ｌ　Ｔｅｃｈｎｌｃａｌ　　Ｒｅｐｏｒｔ　。

Ｖｏｌ、２９．　忠５．Ｏｃｔ、１９８３．　ｐｐ、７
０〜８０；計装Ｖｏ１．２６．Ｎａｌ　１．Ｏｃｔ、１
９８３゜ρｐ、５６〜６０；特開昭５８−１３９０８２
）。

この光磁界センサは光源部（例えば発光ダイオード）、
大きいファラデー効果を有する磁性ガーネット！１１結
晶（例えば （Ｙ−Ｔｂ）２　Ｆｅ５０ｓ　２、 （Ｙ・Ｓｍ・Ｌｕ−Ｃａ）３ （Ｆｅ　　＠　Ｇｅ）　　ｓ　　　Ｏ＋　　　２　　、
（Ｆｅ　　　Ｇｅ　　　）０１２）及び−光子を含む４
．４　　０．６ 磁界検出部、光源部から放射されて磁界検出部を通過し
た光を受光・計測する光計測部ならびに前記光源部、磁
界検出部及び光λＩ′測部を光学的に結合する光ファイ
バーを用いた光伝送路からなるものである。

この磁界センサは第３図に示す如く、光源１１、偏光子
１２、薄膜状のファラデー素子（磁性ガーネット）１３
、偏光子１４及び受光索子１５が順次配列され、これら
の間が図示しない光ファイバーやレンズ等で光学的に結
合されているものである。なお、ファラデー索子・１３
はその磁化容易軸の方向が薄膜面に垂直で、薄膜面内で
は迷路状の磁区を形成している。このファラデー素子１
３はその磁化容昌軸がＭ１定磁界方向１６と・１４行と
なるように、薄膜面が測定磁界方向に垂直に配置されて
いる（特開昭５８−１３９０８２、特開昭５８−２７０
７１、特開昭５８−２７０７２）。また、光はファラデ
ー索子１３の薄膜面に垂直に伝送される。更に、偏光子
１２及び１４の偏光軸は互いに４５＠回転した角度とな
るように配置されている。

この光磁界センサの原理を説明する。まず、光源１１か
ら放射された光は偏光子１２で直線偏光となり、ファラ
デー素子１３を通過する。いま、ファラデー素子１３に
印加される磁界が０の場合、ファラデー素子１３は消磁
状態にあり、光の伝送ｈ゛向に磁化成分がないので、光
の偏波面は回転しない。そして、偏光子１２及び１４の
偏光軸は互いに４５°回転した角度となるように配置さ
れているので光源１１からの光は受光素子１５によって
検出される。この場合、光の減少は前記各構成部材での
光の減衰骨たけである。

一方、ファラデー素子１３に磁界Ｈが印加された場合、
ファラデー素子１３には磁界Ｈによって光の伝送方向の
磁化成分Ｍが誘起され、ファラデー素子１３を通過する
直線偏光の偏波面は前記Ｍに比例した角度θ、すなわち θ　−θ　Ｆ　　争　メ？　・　Ｍ　　／　　Ｍ　　ｓ
（たたし、θＦ：ファラデー回転係数、）：ファラデー
素子の光路長、Ｍｓ：ファラデー素子の飽和磁化）たけ
回転する。磁性ガーネットで、Ｌ述した磁化成分Ｍが反
磁界相当の磁界 Ｈｄ−ｗＮ争４πＭｓ （ただし、Ｎ：反磁界係数）まで磁界Ｈに対して直線的
に変化すれば、回転角θもＨに対して比例する。この回
転角θが大きくなればなるほど、偏光子１４を通過し、
受光素子で検出される光強度Ｐの変化が大きくなる。こ
のようにして、上記磁界センサては光強度Ｐの変化によ
り磁界Ｈの大きさを測定できる。

しかし、上記磁界センサては、薄膜状の磁性ガーネット
＋１１結晶はその磁化容易軸の方向が薄膜面に垂直に向
き、薄膜面内では迷路状の磁区を形成していること、及
び磁性ガーネット単結晶の磁化容易軸が測定磁界ノｊ向
と平行となるように配置され、磁壁の移動による磁化変
化を利用して磁界の計１定を行なっていることから以下
のような問題が生じる。すなわち、通過する光のビーム
径が小さいと、磁区パターンの不均一性や磁区幅の影響
を受は易（なる。このため、磁性ガーネットｌｉ結晶の
形状や方向によっては、測定磁界がダイナミックに変化
すると、同一測定磁界に対してもθが変動し易く、磁界
を高精度に測定することが困難であるという問題がある
。また、飽和磁化が大きいと反磁界エネルギーも大きく
なり、印加される測定磁界により磁化が面内に向き易い
ので、一般に飽和磁化を大きくすることができない。こ
の結果、高磁界の測定が困難であるという問題がある。

そこで、高磁界を測定する場合には、磁性ガーネット単
結晶の代わりに非磁性のＺｎ５ｅが用いられるが、この
Ｚｎ５ｅは磁気光学効果が小さく、感度が低いという問
題がある。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、広い範囲の磁界を高精度であるいは小さい磁界を高
感度かつ高精度で測定することがロエ能な磁界センサを
提供することを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の磁界センサは、光源部と、磁気光学効果を有す
る磁性体からなる磁気光学素子及び偏光子を含む磁界検
出部と、前記光源部から放射されて磁界検出部を通過し
た光を計測する光計測部とを具備した磁界センサにおい
て、前記磁気光学素子が多結晶の磁性体からなることを
特徴とするものである。

本発明において、多結晶磁性体の結晶粒径の大きさは１
００＃以下であることが望ましい。

上記のような磁性体としては、例えば以下の一般式で表
わされる磁性ガーネットが用いられる。

すなわち、一般式Ｒ３Ｆｅｓ　ｏ、２　　（ただし、Ｒ
はＹ　ｓ　Ｌ　ａ　ｓ　Ｃｅ　ｓ　Ｎ　ｄ　ｓ　Ｐ　ｒ
　％　Ｓ　ｍＳＥ　ｕ　５Ｇｄｓ　Ｔｂ５Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｅ　ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕから選ばれる少なく１種の元素）にて表わされる組
成を何する磁性ガーネット； 一般式［Ｃａ　　Ｒ］ 　　３−ｘ （Ｆｅ５−４１Ｍ、Ｎ２）０１２　（たたし、ＲはＹｌ
Ｓ　ｒ　％　Ｂ　ａ　ｓ　Ｌ　ａ　、、Ｃｅ　ｓ　Ｎ　
ｄ　ｓ　Ｐ　ｒ　％　Ｓ　ｍ　％Ｅｕ、Ｇｄ５Ｔｂ、、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ　ｒ、、Ｔｍ。

Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも１種の元素、ＭはＧ
ａ、Ａノ、Ｇ　０％　Ｓ　ｔ、ｖ、ｓｂから選ばれる少
なくとも１種の元素、ＮはＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎｓ　Ｎｉ、
Ｃ０％　Ｚｒ５ＨｆＳＳｎ、Ｍｇ。

Ｉｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｃから選ばれる少なくとも１種の
元素、０．０１≦Ｘ≦２．０．０．０１≦ｙ≦２．０．
０．０１≦２≦１．０）にて表わされる組成を存する磁
性ガーネット；あるいは 一般式［ＢｉＲ］ 　　３−Ｘ （Ｆ　ｅ　５−、−Ｚ　Ｍ　ｙ　Ｎｚ　）　Ｏｒ　２（
ただし、ＲはＹｌＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ５Ｎｄ
、Ｐｒ５５ｍ５ＥｕＳＧｄ、Ｔｂ、　Ｄｙ、Ｈａｓ　Ｅ
ｒ、。

Ｔｍ、Ｙｂ’、Ｌｕから選ばれる少なくとも１種の元素
、ＭはＧ　ａ　ＳＡ　ｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｖ、ｓｂから選
ばれる少なくとも１種の元素、ＮはＴｔ。

Ｃｒ　ｓ　Ｍ　ｎ　ｓ　Ｎ　ｓ　ＳＣｏ　ＳＺ　ｒ　ｓ
　Ｈｆ　ｓ　Ｓ　ｎ　ｓＭｇ、Ｉｎ５Ｔａ、Ｎｂｓ　Ｓ
ｃから選ばれる少なくとも１種の元素、０．Ｏ１≦Ｘ≦
ａ、ｏ　、ｏ、ｏｉ≦ｙ≦２．０．０．０１≦２≦１．
０）にて表わされる組成を有する磁性ガーネットが用い
られる。

（作用） このような磁界センサによれば、多結晶体かあるので、
測定磁界方向の磁化成分は磁化同転叉は磁壁移動のどち
らによって生じても、測定磁界の大きさに比例して重鐘
に直線的に変化する。特に、結晶粒が１００．以下にな
ると、磁壁幅や磁区パターンの不均一性によるファラデ
ー回転角の変動への影響をなくすことができるので、ｌ
ｌ結晶磁性体を用いた場合よりも高精度に磁界を測定で
きる。

本発明において用いられる、第１〜第３の一般式で表わ
される磁性ガーネットを構成する各元素の作用、含有量
の限定理由を以ドに説明する。

まず、Ｒ３Ｆ　ｅｓ　Ｏｒ　ｚは磁気光学効果（ファラ
デー効果）が大きく、かつ赤外領域（１，０〜５、Ｏｓ
）で光吸収が少なく、多結晶体においても光吸収の原因
となる気孔が少ない。

Ｃａは多結晶体の気孔を更に低減させ、光吸収係数を単
結晶の場合と同程度までに小さくする作用を宵する。Ｃ
ａの含＊ｆｆｌを示すＸの範囲を０．０１≦Ｘ≦２．０
としたのは、この範囲をはずれると上記の作用を示さな
くなるためである。

Ｂｔは磁気光学効果を向−１ニさせ、磁界センサの感度
を増加させる作用をａする。Ｂｉの含宵ハを示すＸの範
囲をＯ９旧≦Ｘ≦３．０としたのは、Ｘが０．０１未満
では磁気光学効果の増加が認められないためである。

第２、第３の一般式でＦｅの一部と置換されるＭは非磁
性元素であり、Ｃａの添加に応じて原子価を中和させた
り、飽和磁化を減少させて磁界センサの感度を高める作
用を有する。Ｍの含有量を示すｙの範囲を０．０１≦ｙ
≦２．０としたのは、ｙが０．０１未満ては上記のよう
な効果が得られず、一方ｙが２．０を超えると磁気光学
効果が減少するためである。

同様に第２、第３の一般式でＦｅの一部と置換されるＮ
は飽和磁化を増加させ、磁界の測定範囲を広くする作用
を有する。Ｎの含を量を示す２の範囲を０６０１≦２≦
１．０としたのは、２が０．０１未満では上記効果か得
られず、一方２が１゜０を超えると磁気光学効果が低下
するためである。

また、第３の一般式で表わされる磁性ガーネットはＢｉ
を含むため、磁気光学効果が非常に大きく、磁界に対す
る感度が優れており、微少な磁界も７１１１１定できる
。しかも、Ｍ成分（Ｇａ、Ａｌ１、Ｇ　ｅ　％　Ｓ　ｉ
−、Ｖｓ　Ｓ　ｂ　）やＮ成分（Ｔｉ、Ｃｒ。

Ｍ　ｎ　ｓ　Ｎ　ｉＳＣｏ　ｓ　Ｚ　ｒ　ｓ　Ｈｆ　ｓ
　Ｓ　ｎ　−、Ｍ　ｇ　ｓＩｎ、Ｔａ５Ｎｂ％Ｓｃ）を
含むので、高い磁界あるいは微小な磁界の測定が可能で
、目的に応じた磁界Ｍｌ定ができる。

また、本発明において、第１〜第３の一般式で表わされ
る磁性ガーネットは、ＲのうちＧｄ。

”ｒｂ、Ｄｙの含有量あるいはＭの金層５及びＮの含１
￥量ｚを調整することによって広い温度範囲にわたって
ファラデー回転角を一定にすることができる。

本発明において用いられる磁性ガーネット薄膜の厚°さ
は光の透過率とファラデー回転角の大きさとを考慮して
決定される。

」１記のような組成を有する磁性ガーネットの多結晶は
通常の粉末冶金法で容易に作製することができるカ、ホ
ットプレスあるいはＨＩ　Ｐ　（ｌＩｏＬＩｓｏｓｔａ
ｔｉｃ　Ｐｒｅｓｓ）等の方法により高圧で作製すると
、気孔の全くない多結晶体を得ることができ、光吸収係
数を小さくすることができるので、磁界センサの感度が
高まる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図は本発明に係る磁界センサの構成図である。第１
図において、光源１、偏光子２、薄膜状の多結晶磁性体
からなるファラデー素子３、偏光子４及び受光素子５が
順次配列され、これらの間は図示しない光ファイバーや
レンズ等で光学的に結合されており、光はファラデー素
子）３の薄膜面に垂直に伝送される。図中の矢印は測定
磁界力′向６である。第２図（第１図のファラデー素子
３において破線で囲まれた部分の拡大図）に示すように
、上記ファラデー素子３の磁化はあらゆる方向を向いて
いる。

この磁界センサの原理を説明する。まず、光源１より放
射された光は、図示しない光ファイバーを経由して偏光
子２を通過して直線偏光となる。

次に、この直線偏光はファラデー素子３の薄膜面に垂直
に入射する。ファラデー素子３にＭ１定磁界Ｈが印加さ
れた場合、これに比例して光の伝送方向と同一方向の磁
化Ｍが発生し、直線偏光はファラデー素子３通過後、こ
の磁化に比例して角度θθ　−θ　Ｆ　　ＩＩ　メ？　
φ　Ｍ　／　Ｍ　ｓ（ただし、θＦ：ファラデー回転係
数、）：ファラデー素子の光路長、Ｍｓ：磁性ガーネッ
トの飽和磁化）だけ回転する。角度θたけ回転した直線
偏光は偏光子４を通過し、光ファイバーを経由して受光
素子らに導かれ、出力信号Ｐが得られる。

このようにして測定磁界Ｈは出力信号Ｐとして測定され
る。

なお、１−記磁界センサにおいては、光源として波長λ
−１，３−のＬＥＤ、偏光子としてルチルＴ１０２１を
結晶、受光素子としてＩ　ｎＧａＡｓのフォトダイオー
ド（ＰＩＮ−ＰＤ）が用いられている。

実施例１ ［Ｙ　　　Ｃａ　　　］ ２．７　　０．３ （Ｆｅ　　　Ｇｅ　　　Ｖ　　　）Ｏの組成となるよ４
．８　　０．１　０．１　　１２ うに、原料であるＹ２０３　、Ｃａｂｓ　Ｆｅｚ　０３
、ＧｅＯ２、Ｖｚ　０５を配合し、通常の粉末冶金法に
より、焼成温度１４５０〜１５１０℃、焼成時間２〜２
４時間の条件で上記組成の焼結体を得た。

得られた焼結体を直径１０關、厚さｌＩｎ１１の円板に
加工し、板面を鏡面研磨した。この試料を光学顕微鏡で
観察したところ、気孔が全く認められなかった。また、
円板を破断し、その破断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡
）で調べたところ、結晶粒径が約１０−の多結晶体で、
結晶粒界及び粒内に気孔がないことが確認された。また
、鏡面研磨した円板について、分光光度計を用いて光吸
収係数αを調べたところ、λ−１，３１でα−０，２ｃ
Ｉｔ−１と小さい値であった。また、磁気旋光計を用い
てファラデー回転角θＦを測定したところ、λ−１，３
ｐで約２００’／αであった。

次に、この試料を厚さ３００４の円板として両面をλ／
４の精度で鏡面研磨し、第１図のファラデー素子３とし
て用い、光強度Ｐの磁界依存性を調べた。その結果、Ｏ
〜１５００　ｃまでの磁界について直線性を示し、測定
精度は０．０８％であり、高精度の磁界測定ができるこ
とがわかった。また、最小測定磁界（分解能）は０．０
５　ｅであった。

実施例２ ［Ｂｉ　　　Ｔｂ　　　Ｃａ　　　］ ０　、９　　　＋、　、　１　　１　、０（Ｆ　ｅ　　
　Ｖ　　　）　０１□の組成となるように、原４．５　
　　０．５ 料であるＢ　ｉ２０３　、Ｔｂ２０３　、Ｃａｂ。

Ｆ　ｅ２０３　、Ｇｅ０ｚ　、Ｖ２０５を配合し、ホッ
トプレス法により、焼成温度９００〜１２００℃、焼成
時間２〜２４時間の条件で上記組成の焼結体を得た。

１′１られた焼結体を直径１０関、厚さ　０．２ｍの円
板に加工し、板面を鏡面研磨した。この試料を光学顕微
鏡で観察したところ、気孔が全く認められなかった。ま
た、円板を破断し、その破断面をＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）で調べたところ、結晶粒径が約２ｐの多結晶体で
、結晶粒界及び粒内に気孔がないことが確認された。ま
た、鏡面研磨した円板について、分光光度計を用いて光
吸収係数ｃｔヲ調ヘタところ、λ−１，３ｌ！ＪＲでａ
　＝　０．５　ｃ′１１−１と小さい値であった。また
、磁気旋光計を用いてファラデー回転角θＦを測定した
ところ、λ−１，３Ｉｌ！Ｒで１５００°／ｃｍであっ
た。

次に、この試料を厚さ５０４の円板として両面をλ／４
の精度で鏡面研磨し、第１図のファラデー素子３として
用い、光強度Ｐの磁界依存性を調べた。その結果、０〜
１０００　ｅまでの磁界について直線性を示し、測定精
度は０．旧％であり、高精度の磁界測定ができることが
わかった。また、最小測定磁界（分解能）は０．Ｑｌ　
ｃであった。

実施例３〜１１及び比較例１〜３ 下記第１表に示す組成ををする磁性ガーネット多結晶薄
膜（実施例３〜１１）を上記実施例１と同様にして作製
し、第１図図示の磁界センサを作製して、上記実施例１
と同様な測定を行なった。

これらと比較するために、ＬＰＥ法により作製された磁
性ガーネットｌｉｔ結晶薄膜（比較例１．２）及びＺｎ
５ｅ　（比較例３）を用いた場合について、同様な測定
を行なった。結晶粒の大きさ、測定精度及び最小測定磁
界を下記第１表に示す。

上記第１表から明らかなように、実施例３〜１１の磁界
センサでは比較例１〜３の磁界センサよりも測定精度が
高く、最小測定磁界も小さく、優れたセンサ特性を示す
ことがわかる。

なお、本発明の磁界センサにおける構成及び磁性体は光
ヘテロゲイン式位相検出器（特開昭５９−１９８７５、
特開昭５９−５２７７４）を用いた磁界センサにも利用
できるため、高感度の磁界測定が０１能である。

［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、広い範囲の磁界を高
感度かつ高精度に測定することが可能な磁界センサを提
供できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における磁界センサの構成図、
第２図は同磁界センサに用いられる多結晶体からなるフ
ァラデー素子の一部を拡大し、その磁化方向を示す説明
図、第３図は従来の磁界センサの構成図である。 １・・・光源、２．４・・・（−光子、３・・・多結晶
体からなるファラデー素子、５・・・受光素子、６・・
・測定磁界方向。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 す 第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光源部と、磁気光学効果を有する磁性体からなる
   磁気光学素子及び偏光子を含む磁界検出部と、前記光源
   部から放射されて磁界検出部を通過した光を計測する光
   計測部とを具備した磁界センサにおいて、前記磁気光学
   素子が多結晶の磁性体からなることを特徴とする磁界セ
   ンサ。 （２）多結晶の磁性体の結晶粒の大きさが １００μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の磁界センサ。 （３）磁性体が一般式 Ｒ＿３Ｆｅ＿５Ｏ＿１＿２ （ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
   ｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ
   から選ばれる少なくとも１種の元素） にて表わされる組成を有する磁性ガーネットであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁
   界センサ。 （４）磁性体が一般式 ［Ｃａ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘ］（Ｆｅ＿５＿−＿ｙ＿−＿
   ｚＭ＿ｙＮ＿ｚ）Ｏ＿１＿２（ただし、ＲはＹ、Ｓｒ、
   Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
   ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる
   少なくとも１種の元素、 ＭはＧａ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｖ、Ｓｂから選ばれる少
   なくとも１種の元素、 ＮはＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｎ
   、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｃから選ばれる少なくと
   も１種の元素、 ０．０１≦ｘ≦２．０、０．０１≦ｙ≦２．０、０．０
   １≦ｚ≦１．０） にて表わされる組成を有する磁性ガーネットであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁
   界センサ。 （５）磁性体が一般式 ［Ｂｉ＿ｘＲ＿３＿−＿ｘ］（Ｆｅ＿５＿−＿ｙ＿−＿
   ｚＭ＿ｙＮ＿ｚ）Ｏ＿１＿２（ただし、ＲはＹ、Ｃａ、
   Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
   ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選
   ばれる少なくとも１種の元素、 ＭはＧａ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｖ、Ｓｂから選ばれる少
   なくとも１種の元素、 ＮはＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｎ
   、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｃから選ばれる少なくと
   も１種の元素、 ０．０１≦ｘ≦３．０、０．０１≦ｙ≦２．０、０．０
   １≦ｚ≦１．０） にて表わされる組成を有する磁性ガーネットであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁
   界センサ。