JPH05190334A - 高周波モノリシック集積回路用インダクタ - Google Patents
高周波モノリシック集積回路用インダクタInfo
- Publication number
- JPH05190334A JPH05190334A JP185592A JP185592A JPH05190334A JP H05190334 A JPH05190334 A JP H05190334A JP 185592 A JP185592 A JP 185592A JP 185592 A JP185592 A JP 185592A JP H05190334 A JPH05190334 A JP H05190334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- metal member
- integrated circuit
- high frequency
- monolithic integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタンスの値を少なくとも２倍に上
げ、かつ並列容量は従来と同じ値に保つことができる高
周波モノリシック集積回路用インダクタを得る。また、
それぞれのインダクタが持つ磁束が他のインダクタに影
響を与えないようにする。 【構成】 基板上に形成される高周波モノリシック集積
回路用インダクタにおいて、基板１０上に形成された複
数個のストライプ状の金属部材１１と、その金属部材１
１の第１の端部と、その金属部材１１と隣り合う金属部
材１１の第２の端部とを接続する帯状の金属部材１５と
を設け、複数の螺旋形状を連続的に形成する。
げ、かつ並列容量は従来と同じ値に保つことができる高
周波モノリシック集積回路用インダクタを得る。また、
それぞれのインダクタが持つ磁束が他のインダクタに影
響を与えないようにする。 【構成】 基板上に形成される高周波モノリシック集積
回路用インダクタにおいて、基板１０上に形成された複
数個のストライプ状の金属部材１１と、その金属部材１
１の第１の端部と、その金属部材１１と隣り合う金属部
材１１の第２の端部とを接続する帯状の金属部材１５と
を設け、複数の螺旋形状を連続的に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏ
ｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ＩＣ）において整合
回路又はチョーク回路を形成するのに必要なインダクタ
ンスを得るインダクタに関するものである。
ｗａｖｅ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ＩＣ）において整合
回路又はチョーク回路を形成するのに必要なインダクタ
ンスを得るインダクタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば『マイクロ波集積回路（４）』エレクトロニクス
昭和５０年４月号 東京工業大学 古川 静二郎著
Ｐ．４１７〜４１９に記載されるものがあった。従来、
ＭＭＩＣの整合回路又はチョーク回路等に使用されてい
るｎＨ以上の値を有するインダクタとしては、図４に示
すような、スパイラルインダクタ１や、図５に示すよう
な、ミアンダインダクタ２があった。
例えば『マイクロ波集積回路（４）』エレクトロニクス
昭和５０年４月号 東京工業大学 古川 静二郎著
Ｐ．４１７〜４１９に記載されるものがあった。従来、
ＭＭＩＣの整合回路又はチョーク回路等に使用されてい
るｎＨ以上の値を有するインダクタとしては、図４に示
すような、スパイラルインダクタ１や、図５に示すよう
な、ミアンダインダクタ２があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したスパイラルイ
ンダクタ１は、ミアンダインダクタ２に比べて単位面積
あたりの素子値が大きい利点があるが、並列に大きな容
量Ｃｏが加わり、実際のインダクタをＬ0 とした時の自
己共振周波数ｆｒは、意外と低く高周波領域までは使用
できない。また、ミアンダインダクタ２でもスパイラル
インダクタ１と同様にミアンダのライン幅と間隔を密に
することにより、実際のインダクタンスの値を大きくす
ることはできるが、それに伴い大きな並列容量が加わ
り、自己共振周波数を下げ、大きなインダクタンス値を
所有した状態で高周波領域まで使用ができないという欠
点があった。
ンダクタ１は、ミアンダインダクタ２に比べて単位面積
あたりの素子値が大きい利点があるが、並列に大きな容
量Ｃｏが加わり、実際のインダクタをＬ0 とした時の自
己共振周波数ｆｒは、意外と低く高周波領域までは使用
できない。また、ミアンダインダクタ２でもスパイラル
インダクタ１と同様にミアンダのライン幅と間隔を密に
することにより、実際のインダクタンスの値を大きくす
ることはできるが、それに伴い大きな並列容量が加わ
り、自己共振周波数を下げ、大きなインダクタンス値を
所有した状態で高周波領域まで使用ができないという欠
点があった。
【０００４】ミアンダインダクタのライン幅とライン間
隔を微細化した時に生じる並列容量の増加は次のように
考えられる。このインダクタはＭＭＩＣのチップ表面に
形成されているため、ミアンダインダクタを形成する電
極部分はアース面とＭＭＩＣチップの厚さを介して対向
する。従って、ミアンダインダクタのライン間隔がチッ
プ厚より小さくなると、ミアンダインダクタの各ストラ
イプとアース面との間に存在する電気力線は互いに重な
り合い、ライン間隔がチップ厚より充分小さい時はその
並列容量はミアンダインダクタを形成する部分すべてに
電極金属で覆った場合の容量と等価になる。
隔を微細化した時に生じる並列容量の増加は次のように
考えられる。このインダクタはＭＭＩＣのチップ表面に
形成されているため、ミアンダインダクタを形成する電
極部分はアース面とＭＭＩＣチップの厚さを介して対向
する。従って、ミアンダインダクタのライン間隔がチッ
プ厚より小さくなると、ミアンダインダクタの各ストラ
イプとアース面との間に存在する電気力線は互いに重な
り合い、ライン間隔がチップ厚より充分小さい時はその
並列容量はミアンダインダクタを形成する部分すべてに
電極金属で覆った場合の容量と等価になる。
【０００５】したがって、ミアンダインダクタのインダ
クタンス値を大きくするためのライン幅とライン間隔の
縮小は、並列容量の増加を考慮せねばならず、これはチ
ップ厚により制限がある。また、ライン幅の縮小は直列
の抵抗の増加を招き、ミアンダインダクタンスの値を増
加させるには、上記並列容量と直列抵抗の増加を見なが
ら決定していかねばならない欠点があった。
クタンス値を大きくするためのライン幅とライン間隔の
縮小は、並列容量の増加を考慮せねばならず、これはチ
ップ厚により制限がある。また、ライン幅の縮小は直列
の抵抗の増加を招き、ミアンダインダクタンスの値を増
加させるには、上記並列容量と直列抵抗の増加を見なが
ら決定していかねばならない欠点があった。
【０００６】本発明は以上述べたミアンダインダクタの
値を増加させる方法の中でミアンダインダクタのライン
幅とライン間隔を、従来と同じ寸法を用いた時にインダ
クタンスの値を少なくとも２倍に上げ、かつ並列容量は
従来と同じ値に保つことができる高周波モノリシック集
積回路用インダクタを提供することを目的とするもので
ある。
値を増加させる方法の中でミアンダインダクタのライン
幅とライン間隔を、従来と同じ寸法を用いた時にインダ
クタンスの値を少なくとも２倍に上げ、かつ並列容量は
従来と同じ値に保つことができる高周波モノリシック集
積回路用インダクタを提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】また、上記したようなインダクタを基板上
に複数個並べる場合、それぞれのインダクタが持つ磁束
が他のインダクタに影響を与えるのを除去し、高信頼性
の高周波モノリシック集積回路用インダクタを提供する
ことを目的とする。
に複数個並べる場合、それぞれのインダクタが持つ磁束
が他のインダクタに影響を与えるのを除去し、高信頼性
の高周波モノリシック集積回路用インダクタを提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板上に形成される高周波モノリシック
集積回路用インダクタにおいて、基板上に形成された複
数個の金属部材と、該金属部材の第１の端部と、該金属
部材と隣り合う金属部材の第２の端部とを接続する帯状
の金属部材とを設け、複数の螺旋形状を連続的に形成す
るようにしたものである。
成するために、基板上に形成される高周波モノリシック
集積回路用インダクタにおいて、基板上に形成された複
数個の金属部材と、該金属部材の第１の端部と、該金属
部材と隣り合う金属部材の第２の端部とを接続する帯状
の金属部材とを設け、複数の螺旋形状を連続的に形成す
るようにしたものである。
【０００９】また、高周波モノリシック集積回路用イン
ダクタにおいて、前記複数の螺旋形状を連続的に形成し
た内部に磁性体を配置するようにしたものである。更
に、高周波モノリシック集積回路用インダクタにおい
て、前記螺旋形状の中心線を円となし、生じる磁束が他
に及ばないように形成するようにしたものである。
ダクタにおいて、前記複数の螺旋形状を連続的に形成し
た内部に磁性体を配置するようにしたものである。更
に、高周波モノリシック集積回路用インダクタにおい
て、前記螺旋形状の中心線を円となし、生じる磁束が他
に及ばないように形成するようにしたものである。
【００１０】また、前記螺旋形状の中心線を円となし、
そこに磁性体を配置するようにしたものである。
そこに磁性体を配置するようにしたものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記のように、基板上に形成
される高周波モノリシック集積回路用インダクタにおい
て、基板上に形成された複数個の金属部材と、該金属部
材の第１の端部と、該金属部材と隣り合う金属部材の第
２の端部とを接続する帯状の金属部材とを設け、複数の
螺旋形状を連続的に形成するようにしたので、インダク
タンスの値を定める電極の長さの全てが並列容量を定め
ることなく、大きなインダクタンスの値を保ったまま並
列容量が小さくなり、自己共振周波数の向上を図ること
ができる。
される高周波モノリシック集積回路用インダクタにおい
て、基板上に形成された複数個の金属部材と、該金属部
材の第１の端部と、該金属部材と隣り合う金属部材の第
２の端部とを接続する帯状の金属部材とを設け、複数の
螺旋形状を連続的に形成するようにしたので、インダク
タンスの値を定める電極の長さの全てが並列容量を定め
ることなく、大きなインダクタンスの値を保ったまま並
列容量が小さくなり、自己共振周波数の向上を図ること
ができる。
【００１２】また、インダクタの内側に比透磁率の大き
な磁性体を形成することができるため、比透磁率の分だ
けインダクタンスの値を増加させることができる。更
に、インダクタの円形の螺旋の中にそのほとんどの磁束
が存在するように形成することにより、インダクタに形
成される磁束が、他のインダクタ或いは他の素子に影響
を及ぼすのを低減することができる。
な磁性体を形成することができるため、比透磁率の分だ
けインダクタンスの値を増加させることができる。更
に、インダクタの円形の螺旋の中にそのほとんどの磁束
が存在するように形成することにより、インダクタに形
成される磁束が、他のインダクタ或いは他の素子に影響
を及ぼすのを低減することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図１は本発明の第１の実施例を示す高周波モノ
リシック集積回路用インダクタの製造工程断面図、図２
は本発明の実施例を示す高周波モノリシック集積回路用
インダクタの平面図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図であ
る。
明する。図１は本発明の第１の実施例を示す高周波モノ
リシック集積回路用インダクタの製造工程断面図、図２
は本発明の実施例を示す高周波モノリシック集積回路用
インダクタの平面図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図であ
る。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、基板１０
表面に複数個の金属部材１１を平行にストライプ状に形
成する。次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパタ
ーン１２を島状に形成してストライプ状の金属部材１１
上に配置する。その後、そのレジストパターン１２に隣
合う金属部材１１の両端の上下を斜めに結ぶように開口
部１３を形成する。
表面に複数個の金属部材１１を平行にストライプ状に形
成する。次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパタ
ーン１２を島状に形成してストライプ状の金属部材１１
上に配置する。その後、そのレジストパターン１２に隣
合う金属部材１１の両端の上下を斜めに結ぶように開口
部１３を形成する。
【００１５】その後、図１（ｃ）に示すように、第２層
の金属を全面蒸着した後、リフトオフ方法により、パタ
ーン化された帯状の金属部材１５を形成する。このリフ
トオフ時にレジストパターン１２も同時に溶解する。こ
のようにして、帯状の金属部材１５がエアブリッヂ構造
を有し、螺旋形状を有する高周波モノリシック集積回路
用インダクタを得ることができる。
の金属を全面蒸着した後、リフトオフ方法により、パタ
ーン化された帯状の金属部材１５を形成する。このリフ
トオフ時にレジストパターン１２も同時に溶解する。こ
のようにして、帯状の金属部材１５がエアブリッヂ構造
を有し、螺旋形状を有する高周波モノリシック集積回路
用インダクタを得ることができる。
【００１６】このように形成されたインダクタの並列容
量は、基板と接触しているストライプ状の金属部材１１
の面積で定まり、インダクタタンスの値はストライプ状
の金属部材１１、帯状の金属部材１５の合計長で定まる
こととなる。したがって、ストライプ状の金属部材１１
及び帯状の金属部材１５の長さが等しい場合には自己共
振周波数は、１．４倍程高くなる利点を有する。
量は、基板と接触しているストライプ状の金属部材１１
の面積で定まり、インダクタタンスの値はストライプ状
の金属部材１１、帯状の金属部材１５の合計長で定まる
こととなる。したがって、ストライプ状の金属部材１１
及び帯状の金属部材１５の長さが等しい場合には自己共
振周波数は、１．４倍程高くなる利点を有する。
【００１７】なお、上記実施例において、エアブリッヂ
構造に代えて、絶縁体を介在させて形成するようにして
もよい。後述する図１０及び図１２のように、構成する
ことができる。図６は本発明の第２の実施例を示す高周
波モノリシック集積回路用インダクタの平面図、図７は
図６のＢ−Ｂ線断面図である。
構造に代えて、絶縁体を介在させて形成するようにして
もよい。後述する図１０及び図１２のように、構成する
ことができる。図６は本発明の第２の実施例を示す高周
波モノリシック集積回路用インダクタの平面図、図７は
図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１８】この実施例においては、上記したインダク
タの内側に磁性体１８を配置するようにしたものであ
る。ここで、磁性体としては、例えばＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ
又はそれらの合金が用いられる。この磁性体を設けるこ
とにより、インダクタはこの磁性体の比透磁率分だけ増
加し、小さな素子面積で大きなインダクタンスが得られ
る。
タの内側に磁性体１８を配置するようにしたものであ
る。ここで、磁性体としては、例えばＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ
又はそれらの合金が用いられる。この磁性体を設けるこ
とにより、インダクタはこの磁性体の比透磁率分だけ増
加し、小さな素子面積で大きなインダクタンスが得られ
る。
【００１９】次に、図８は本発明の第３の実施例を示す
高周波モノリシック集積回路用インダクタの平面図、図
９はそのインダクタの螺旋の形成態様を示す斜視図であ
る。これらの図に示すように、金属等からなる電流の通
る線路が螺旋状に形成され、しかもその螺旋が輪になっ
て端子部を除き閉じている。この螺旋の形成は、例え
ば、図８に示すように、板状の金属部材２１をその長手
方向が円の法線方向となるように基板２０上に円形に配
線し、１つの板状の金属部材２１の端と隣り合う他の板
状の金属部材２１の端を帯状の金属部材２２でつなぎ、
板状の金属部材２１と帯状の金属部材２２を組み合わせ
ことにより行う。ここでは、帯状の金属部材２２は、中
に浮いた形（エアーブリッジ）となっている。
高周波モノリシック集積回路用インダクタの平面図、図
９はそのインダクタの螺旋の形成態様を示す斜視図であ
る。これらの図に示すように、金属等からなる電流の通
る線路が螺旋状に形成され、しかもその螺旋が輪になっ
て端子部を除き閉じている。この螺旋の形成は、例え
ば、図８に示すように、板状の金属部材２１をその長手
方向が円の法線方向となるように基板２０上に円形に配
線し、１つの板状の金属部材２１の端と隣り合う他の板
状の金属部材２１の端を帯状の金属部材２２でつなぎ、
板状の金属部材２１と帯状の金属部材２２を組み合わせ
ことにより行う。ここでは、帯状の金属部材２２は、中
に浮いた形（エアーブリッジ）となっている。
【００２０】図１０は本発明の第３の実施例を示す他の
高周波モノリシック集積回路用インダクタの螺旋の形成
態様を示す斜視図である。この実施例においては、板状
の金属部材は、中に浮いた形（エアーブリッジ）に代え
て、基板３０上には板状の金属部材３１をその長手方向
が円の法線方向となるように円形に配線し、その上に絶
縁膜３２を形成する。そこで、板状の金属部材３１の端
には絶縁膜３２に穴を形成し、板状の金属部材３１の端
と隣り合う板状の金属部材３１の他端との間を帯状の金
属部材３３により接続する。
高周波モノリシック集積回路用インダクタの螺旋の形成
態様を示す斜視図である。この実施例においては、板状
の金属部材は、中に浮いた形（エアーブリッジ）に代え
て、基板３０上には板状の金属部材３１をその長手方向
が円の法線方向となるように円形に配線し、その上に絶
縁膜３２を形成する。そこで、板状の金属部材３１の端
には絶縁膜３２に穴を形成し、板状の金属部材３１の端
と隣り合う板状の金属部材３１の他端との間を帯状の金
属部材３３により接続する。
【００２１】また、板状の金属部材は基板上に直接形成
されても、絶縁膜等を介して形成されてもよい。なお、
図８に示す円は必ずしも真円である必要はなく、閉じた
形状であれば四角形や角のとれた多角形でも良い。ま
た、電流の入出力部、つまりインダクタの端子部におい
ては一部閉じた形状ではなくなるが、特に問題はない。
されても、絶縁膜等を介して形成されてもよい。なお、
図８に示す円は必ずしも真円である必要はなく、閉じた
形状であれば四角形や角のとれた多角形でも良い。ま
た、電流の入出力部、つまりインダクタの端子部におい
ては一部閉じた形状ではなくなるが、特に問題はない。
【００２２】図１１は本発明の第４の実施例を示す高周
波モノリシック集積回路用インダクタの部分平面図、図
１２は図１１のＣ−Ｃ線断面図である。これらの図に示
すように、基板４０上には板状の金属部材４１をその長
手方向が円の法線方向となるように円形に配線し、その
上に第１の絶縁膜４２を形成する。その第１の絶縁膜４
２上であって、板状の金属部材４１の長手方向の中心付
近を通って円形となるように、鉄（Ｆｅ）、ニッケル
（Ｎｉ）等の磁性体４３を形成する。更に、その上に第
２の絶縁物４４を形成する。ここで、板状の金属部材４
１の両端が露出するように、その部分の絶縁膜４２及び
絶縁物４４が除去してあり、帯状の金属部材４５が絶縁
物４４の上に形成されて、その片端が１つの板状の金属
部材４１の片端と接続され、隣り合う金属部材４１のも
う片方の端が前記板状の金属部材４１の片端に接続され
る帯状の金属部材４５を形成する。
波モノリシック集積回路用インダクタの部分平面図、図
１２は図１１のＣ−Ｃ線断面図である。これらの図に示
すように、基板４０上には板状の金属部材４１をその長
手方向が円の法線方向となるように円形に配線し、その
上に第１の絶縁膜４２を形成する。その第１の絶縁膜４
２上であって、板状の金属部材４１の長手方向の中心付
近を通って円形となるように、鉄（Ｆｅ）、ニッケル
（Ｎｉ）等の磁性体４３を形成する。更に、その上に第
２の絶縁物４４を形成する。ここで、板状の金属部材４
１の両端が露出するように、その部分の絶縁膜４２及び
絶縁物４４が除去してあり、帯状の金属部材４５が絶縁
物４４の上に形成されて、その片端が１つの板状の金属
部材４１の片端と接続され、隣り合う金属部材４１のも
う片方の端が前記板状の金属部材４１の片端に接続され
る帯状の金属部材４５を形成する。
【００２３】このように構成することにより、磁束のそ
の螺旋内への閉じ込めをより強くすることができる。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを
本発明の範囲から排除するものではない。
の螺旋内への閉じ込めをより強くすることができる。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを
本発明の範囲から排除するものではない。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、インダクタンスの値を定める電極の長さの全て
が並列容量を定めることなく、大きなインダクタンスの
値を保ったまま並列容量が小さくなり、自己共振周波数
の向上を図ることができる。また、インダクタの内側に
比透磁率の大きな磁性体を形成することができるため、
比透磁率の分だけインダクタンスの値を増加させること
ができる。
よれば、インダクタンスの値を定める電極の長さの全て
が並列容量を定めることなく、大きなインダクタンスの
値を保ったまま並列容量が小さくなり、自己共振周波数
の向上を図ることができる。また、インダクタの内側に
比透磁率の大きな磁性体を形成することができるため、
比透磁率の分だけインダクタンスの値を増加させること
ができる。
【００２５】更に、インダクタの円形の螺旋の中にその
ほとんどの磁束が存在するように形成することにより、
インダクタに形成される磁束が、他のインダクタあるい
は他の素子に影響を及ぼさないようにすることができ
る。
ほとんどの磁束が存在するように形成することにより、
インダクタに形成される磁束が、他のインダクタあるい
は他の素子に影響を及ぼさないようにすることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す高周波モノリシッ
ク集積回路用インダクタの製造工程断面図である。
ク集積回路用インダクタの製造工程断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例を示す高周波モノリシッ
ク集積回路用インダクタの平面図である。
ク集積回路用インダクタの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】従来のスパイラルインダクタの平面図である。
【図５】従来のミアンダインダクタの平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例を示す高周波モノリシッ
ク集積回路用インダクタの平面図である。
ク集積回路用インダクタの平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】本発明の第３の実施例を示す高周波モノリシッ
ク集積回路用インダクタの平面図である。
ク集積回路用インダクタの平面図である。
【図９】本発明の第３の実施例を示す高周波モノリシッ
ク集積回路用インダクタの螺旋の形成態様を示す斜視図
である。
ク集積回路用インダクタの螺旋の形成態様を示す斜視図
である。
【図１０】本発明の第３の実施例を示す他の高周波モノ
リシック集積回路用インダクタの螺旋の形成態様を示す
斜視図である。
リシック集積回路用インダクタの螺旋の形成態様を示す
斜視図である。
【図１１】本発明の第４の実施例を示す高周波モノリシ
ック集積回路用インダクタの部分平面図である。
ック集積回路用インダクタの部分平面図である。
【図１２】本発明の第４の実施例を示す高周波モノリシ
ック集積回路用インダクタの断面図である。
ック集積回路用インダクタの断面図である。
１０，２０，３０，４０ 基板 １１ ストライプ状の金属部材 １２ レジストパターン １３ 開口部 １５，２２，３３，４５ 帯状の金属部材 １８，４３ 磁性体 ２１ 板状の金属部材 ３２ 絶縁膜 ４１ 板状の金属部材 ４２ 第１の絶縁膜 ４４ 第２の絶縁物
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成される高周波モノリシック
集積回路用インダクタにおいて、（ａ）基板上に形成さ
れた複数個の金属部材と、（ｂ）該金属部材の第１の端
部と、該金属部材と隣り合う金属部材の第２の端部とを
接続する帯状の金属部材とを設け、（ｃ）複数の螺旋形
状を連続的に形成することを特徴とする高周波モノリシ
ック集積回路用インダクタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波モノリシック集積
回路用インダクタにおいて、前記金属部材はエアブリッ
ジ金属部材であることを特徴とする高周波モノリシック
集積回路用インダクタ。 - 【請求項３】 請求項１記載の高周波モノリシック集積
回路用インダクタにおいて、前記金属部材は絶縁体を介
して形成される金属部材であることを特徴とする高周波
モノリシック集積回路用インダクタ。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の高周波モノリ
シック集積回路用インダクタにおいて、前記複数の螺旋
形状を連続的に形成した内部に磁性体を設けていること
を特徴とする高周波モノリシック集積回路用インダク
タ。 - 【請求項５】 請求項１、２又は３記載の高周波モノリ
シック集積回路用インダクタにおいて、前記螺旋形状の
中心線を円となし、生じる磁束が他に及ばないように形
成することを特徴とする高周波モノリシック集積回路用
インダクタ。 - 【請求項６】 請求項５記載の高周波モノリシック集積
回路用インダクタにおいて、前記螺旋中に磁性体を入れ
て磁束の閉じ込め効果を大きくしたことを特徴とする高
周波モノリシック集積回路用インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP185592A JPH05190334A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 高周波モノリシック集積回路用インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP185592A JPH05190334A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 高周波モノリシック集積回路用インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190334A true JPH05190334A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11513162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP185592A Withdrawn JPH05190334A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 高周波モノリシック集積回路用インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080367A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Brother Ind Ltd | インダクタンス素子、無線タグ回路素子、タグテープロール、及びインダクタンス素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP185592A patent/JPH05190334A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080367A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Brother Ind Ltd | インダクタンス素子、無線タグ回路素子、タグテープロール、及びインダクタンス素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5635892A (en) | High Q integrated inductor | |
| KR100349419B1 (ko) | 이중 나선형 인덕터 구조 | |
| EP0778593B1 (en) | Method for realizing magnetic circuits in an integrated circuit | |
| EP1396875B1 (en) | 3-D spiral stacked inductor on semiconductor material | |
| US6794977B2 (en) | Planar transformers | |
| JP3819061B2 (ja) | 高周波回路用の誘導性構造 | |
| US6281778B1 (en) | Monolithic inductor with magnetic flux lines guided away from substrate | |
| KR100420948B1 (ko) | 병렬 분기 구조의 나선형 인덕터 | |
| JPH08227975A (ja) | 高ｑ集積インダクタンスコイル | |
| US7262481B1 (en) | Fill structures for use with a semiconductor integrated circuit inductor | |
| US4149205A (en) | Magnetic head and process for making laminated magnetic head | |
| US20130164904A1 (en) | Inductor structures for integrated circuit devices | |
| KR20060115229A (ko) | 복수의 코일 레이어를 갖는 인덕터 | |
| US20050077992A1 (en) | Symmetric planar inductor | |
| WO2018012760A1 (ko) | 공통 권선 평면 트랜스포머 | |
| JPH05190334A (ja) | 高周波モノリシック集積回路用インダクタ | |
| US7098044B1 (en) | Method of forming an etched metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect | |
| US6529110B2 (en) | Microcomponent of the microinductor or microtransformer type | |
| US20030122648A1 (en) | Inductor with an enclosed magnetic flux pattern and method of manufacturing the same | |
| JPH09139313A (ja) | 薄膜インダクタンス素子および半導体装置 | |
| US10790567B2 (en) | Enhanced air core transmission lines and transformers | |
| JPH03214411A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06151718A (ja) | 半導体装置におけるインダクタ素子 | |
| CN106684071A (zh) | 多路径电感结构及其制造方法 | |
| JPH0513682A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |