JPH05189767A - 光フィードバックによるレーザ・エネルギの較正方法及び装置 - Google Patents

光フィードバックによるレーザ・エネルギの較正方法及び装置

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JPH05189767A
JPH05189767A JP4178142A JP17814292A JPH05189767A JP H05189767 A JPH05189767 A JP H05189767A JP 4178142 A JP4178142 A JP 4178142A JP 17814292 A JP17814292 A JP 17814292A JP H05189767 A JPH05189767 A JP H05189767A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光記録ディスク等のターゲット面から反射さ
れた光のフィードバックに従って、半導体レーザ・ダイ
オードの駆動電流回路を較正するための装置と方法を提
供する。 【構成】 この方法は、レーザにおけるエネルギ出力対
駆動電流の２つの特性曲線を利用する。１つの曲線は焦
点の状態における及びもう１つは、焦点外の状態におけ
る曲線であって、この２つの曲線が高エネルギ・レベル
Ｐ２での漸近の領域を示す。エネルギ・レベルＰ２での
駆動電流Ｉ２の測定は、焦点外の状態で行う。所定の低
エネルギ・レベルＰ１における駆動電流の測定値は、焦
点外の状態Ｉ１及び焦点の状態Ｉ３の両方で得る。焦点
における曲線の線形傾斜は、このように目標とするエネ
ルギ・レベルを設定するために計算できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク駆動装置に
関し、特に、磁気光学（MO: magnetooptical）及び書込
み専用（WORM）媒体を利用可能な駆動装置のレーザ電流
の較正に関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許出願番号第５５５９５２号の題
名" レーザ駆動回路の較正及びエネルギ保護"（Calibra
ting and Power Protecting Laser Drive Circuits）
は、磁気光媒体、すなわち、消去可能な媒体のための較
正技術に関する。
【０００３】光ディスク・デバイスは、コンピュータ用
データの格納装置として利用され及び多量のデータを格
納する能力においてその価値が認められている。このよ
うなデバイスに使用される媒体は、例えば、半導体レー
ザの高速切り換えによって作り出される光の照射に反応
する。データを光媒体に書込むためにレーザ・エネルギ
は、その媒体がデータの有無を反映するように変えるた
めに、かなり高エネルギ・レベルで制御されなければな
らない。そのデータを再度読出すには、レーザ・エネル
ギ・レベルは、その媒体がレーザ・ビームによって変化
しないように低レベルで制御される。
【０００４】一般に光媒体には２種類ある。つまり、た
だ１度だけ書込みできる媒体と、書込み、そして消去、
再び書込み可能な媒体の２種類である。書込み専用媒体
（WORM）は、"書込み"エネルギ・レベルが、レーザ・ビ
ームによって作り出され、永久に変えられたままである
が、一方、磁気光媒体（MO）を始めとする消去可能な媒
体は、データが書込まれても永久にそのままであるわけ
ではない。ＭＯ媒体では、反応材料の磁気方向は書込み
プロセスで変えられ、及び消去プロセスで磁気方向は再
方向付けされる。
【０００５】光ディスク・システムのオペレーティング
では、各々の光ディスクの読出し及び書込みにおいて、
レーザ・エネルギ・レベルを正しく設定することが必要
である。光ディスクの正しいパラメータは、ディスク自
身にスタンプされている識別ヘッダの情報に含まれてい
る。その情報が、システムによって読出されると、正し
いレーザ・エネルギを作り出すために較正回路がレーザ
に対して目標の電流レベルの設定を行う。レーザは、オ
ペレーティング・パラメータ、特に温度と経年によって
変化させられるので、正しいエネルギ・レベルがレーザ
の動作中及び寿命中で維持されるように、レーザに対し
て電流レベルを変えるために較正方法が用いられる。
【０００６】所定の光媒体でのオペレーティングにおけ
る一般のレーザ回路の較正方法は、通常、光媒体でのレ
ーザの光の強さの分析が行われる。そのために、レーザ
制御回路は、光媒体での所定の又は目標の光の強さに整
合するように設定される。光媒体に対して書込み及び消
去動作のレーザ・エネルギを制御するために、デジタル
・アナログ変換器（DAC: digital to analog converter
s） の設定を可能とさせる分析が行われる。ＷＯＲＭ媒
体における回路を較正するのに必要な高い光の強さは、
較正プロセス中にディスクに書込みを行い、媒体を永久
に変える恐れがある。そのために、媒体の永久的な変化
を生じさせずに較正するには、高エネルギ・レベルで、
レーザ・ビームの焦点外においてＷＯＲＭ媒体の較正を
実行するのが一般的である。ＷＯＲＭ媒体に対する光通
路は、光ディスクからの反射光を除外するように設計さ
れているので、レーザの焦点外の使用が可能である。Ｍ
Ｏ媒体においては、光のフィードバックは光通路から除
去できないので、正確なエネルギ・レベルを得るために
は、一般に焦点でシステムを較正する。このようなフィ
ードバックの利点は、レーザのエネルギ対バイアス電流
曲線（Ｐ−Ｉ曲線）の変化が得られることであり、従っ
て、較正は、焦点で行うべきである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、書込み専
用媒体及び消去可能な媒体の両方における記録及び読出
し可能な光ディスク駆動装置を求めた。そのためには、
装置は、両方の種類の媒体で使用できる較正技術を備え
なければならない。ＭＯ媒体では、"書込み"ＤＡＣ較正
に対するエネルギ・レベルをレーザ・ビームの焦点で実
行できる。しかしながら、ＷＯＲＭ媒体においては、"
書込み"ＤＡＣエネルギ・レベルは、媒体の永久的な変
化が伴うので、レーザ・ビームの焦点では較正できな
い。
【０００８】上記の関連特許出願は、例えば、光ディス
ク上に信号を記録するなどの、レーザ・ダイオードの出
力の光の強さを制御するためにデジタル・アナログ変換
器を提供する。レーザ・エネルギは、ＤＡＣを初期設定
することによって供給される、２つの所定のレーザ・エ
ネルギ・レベル、すなわち、高エネルギ・レベル及び低
エネルギ・レベルによって較正される。これは、ビーム
の強さが所定のレーザ・エネルギ・レベルの値に到達す
るまで、ＤＡＣに数値の入力を増やすことによって得ら
れる。マイクロプロセッサでの計算が、より高いエネル
ギ値から低いエネルギ値を差し引き、それから、ＤＡＣ
の単位値の入力変化で変化するレーザ出力のエネルギ・
レベルであるＤＡＣ効率を得るために、数値（ＤＡＣ設
定）を２つのエネルギ・レベルに分割する。目標のエネ
ルギ・レベルを作り出すための目標のＤＡＣ設定が、次
に求められる。この較正技術は、ＭＯ媒体で使用される
ために設計され、及びＰ−Ｉ曲線の線形傾斜を求めるた
めに低レベル及び高レベルにおけるエネルギ値の使用が
必要である。この技術をＷＯＲＭ媒体に使用すると、高
エネルギ・レベルによってその媒体を壊すことになる。
【０００９】米国特許第４７８５４４３号は、ＷＯＲＭ
ディスク媒体のための光ディスク・システム及びレーザ
光制御回路を述べる。"書込み"レーザ・エネルギ較正
は、記憶媒体を永久的な変化から保護するために媒体に
対してレーザの焦点外で実行される。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、消去可能な媒
体又は書込み専用媒体の何れも利用できるように、光フ
ィードバックが存在しても、書込み専用媒体に対して安
全であるエネルギ・レベルで半導体レーザを駆動する正
しいエネルギ・レベルを得るための較正技術及びその装
置である。本発明者は、レーザの焦点及び焦点外での非
常に高いエネルギ・レベルにおいて、Ｐ−Ｉ曲線が互い
に接近し、従って、レーザの焦点及び焦点外の状態にお
ける電流の差が小さいことがわかった。この結果、電流
の差が小さいレベルで本発明を実行するために高エネル
ギ・レベルが選ばれた。このような方法で、ディスク駆
動装置に置かれた媒体の種類に関係なく、レーザ・ビー
ムの焦点外でレーザを較正するための高エネルギ・レベ
ルの使用を可能にする較正技術が提供された。
【００１１】本発明では、対物レンズがレーザ・ビーム
の焦点外に移動され、第１の所定の低エネルギ・レベル
が得られ、電流レベルとＤＡＣ設定が記録される。次
に、エネルギは、焦点及び焦点外におけるＰ−Ｉ曲線が
漸近の所の第２の所定の高エネルギ・レベルまで増やさ
れる。すなわち、電流レベル及びＤＡＣ設定が記録され
る。次に、エネルギ・レベルは、第１の所定のレベルま
で落とされ、及び対物レンズは、レーザ・ビームが焦点
になるように移動される。エネルギ・レベルは、第１の
所定のエネルギ・レベルに調節され、及び電流レベルと
ＤＡＣ設定が記録される。このような方法で、焦点にお
ける傾斜と焦点外の傾斜の曲線が求められる。この情報
で、何れの特定のエネルギ・レベル、例えば、高較正及
び低較正レベルの中間である"書込み"エネルギ・レベル
が、正確に設定される。
【００１２】
【実施例】ここで各図を参照するに、各図における同一
部品及び同一構造体が、同一参照番号で示されている。
光ディスク１０が、光ディスク記録装置（図示なし）で
回転するために正しく取り付けられている。図１におい
て光システム１１は、普通のビーム・スプリッタを有
し、レーザ１４によって生成された光ビームを対物レン
ズ１２を通して光通路１３に供給し、ディスク１０から
の反射光を同一通路及び対物レンズ１２を通して得る。
光ビームは、光システム１１を通してディスク１０に向
けられ、後で図２で説明されるレーザ制御１５によって
制御される。図１に例示された記録装置は、ランダム・
アクセス・メモリ（RAM:random accessmemory）２１を
有するプログラムされたマイクロプロセッサ２０の制御
下にある。マイクロプロセッサ２０は、デジタル値をケ
ーブル２２を通してデジタル・アナログ変換器（DAC:di
gital to analog converter） ２３に供給する。ＤＡＣ
２３は、レーザ１４によって光システム１１に放射され
るビームの強さを設定するために、アナログ信号をレー
ザ制御１５に供給する。このようなレーザ出力の光の強
さは、マイクロプロセッサ２０又は他のデータ処理回路
によって供給されるデータに基づく変調を有する。マイ
クロプロセッサ２０からレーザ制御１５に伸びているラ
イン２４は、レーザ制御回路１５を制御するための追加
のモード制御を示す。
【００１３】レーザ１４の強弱は、レーザ制御１５のフ
ィードバック回路によって制御される。レーザ１４は、
補助ビームを光通路３０を通してフォト・ダイオード３
１に放射し、また、光システム１１から反射光を受け
る。フォト・ダイオード３１のフォト電流振幅は、フィ
ードバックを含め、通路３０を通して放射されるレーザ
１４に対応して変化することは周知である。所望するな
らば、主ビームをビーム・スプリッタを含む適切な光学
装置を通してフォト・ダイオード３１に照射できる。ト
ランスインピーダンス増幅器３２は、ダイオード３１の
電流の振幅変化に応答してライン３３の基準値と比較
し、レーザ１４の出力ビームの強さを表す信号をライン
３４に供給する。ポテンショメータ３８は、トランスイ
ンピーダンス増幅器の利得を調節する。この調整は、ラ
イン３４の出力の電圧である較正信号レベルに影響を与
える。この結果、ライン３４の信号レベルは、レーザ１
４の光エネルギ出力を表すことになる。正常動作中のレ
ーザ１５は、ライン３４の信号レベルに対応し、レーザ
１４のオペレーションを予め設定された強さに維持する
ことがわかる。
【００１４】追加の回路が、ＤＡＣ２３の自動較正を可
能にするためにライン３４の信号処理用として備えら
れ、ケーブル２２の数値が、レーザ１４の出力の目標の
光の強さを正確に表すようにする。ＤＡＣ２３は、最
小、すなわち、安全エネルギ・レベルＰ１及び高エネル
ギ・レベルＰ２において、レーザ１４の光の強さに基づ
いて較正される。
【００１５】第１アナログ比較器４０は、レーザ１４の
出力の光の強さの示度を受ける第１入力で、ライン３４
の信号を受信する。ライン４１の信号は、第１の所定の
エネルギ・レベルＰ１に相当する電圧レベルである目標
の最小値、すなわち、安全値のＣＡＬ ＶＲ１ を示す基
準値である。比較器４０は、レーザ１４が最小値以上の
光ビームを放射していることをライン３４の信号が示す
まで、非アクティブ信号をライン４２を通してマイクロ
プロセッサ２０に供給する。ライン３４の信号が示され
ると、比較器４０は、アクティブ信号をライン４２を通
してマイクロプロセッサ２０に供給する。次に、マイク
ロプロセッサ２０は、ＤＡＣ２３の入力値をテーブル４
３に格納し、後で、レーザ１４を制御する値を計算する
のに使用する。
【００１６】アナログ・デジタル変換器（ADC: analog
to digital converter）１００は、ライン１０１を通し
てレーザ制御回路１５に及びライン１０２を通してマイ
クロプロセッサ２０に接続されている。ＡＤＣ１００
は、レーザ１４の駆動電流、すなわち、レーザ制御回路
１５の出力電流を測定する。所定のエネルギ・レベルＰ
１に到達し、及び相当するＤＡＣ２３の設定がテーブル
４３に記録されると、レーザ・ビームの焦点外でのエネ
ルギ・レベルＰ１の駆動電流を表すＡＤＣ１００のデジ
タル化された出力も、テーブル４３に記録される。
【００１７】マイクロプロセッサ２０の後で説明される
プログラムが、連続的に数値を増加させてケーブル２２
を通してＤＡＣ２３に供給する。これによってＤＡＣ２
３は、出力の光の強さを増加するためにエネルギ・レベ
ルを増やしてレーザ１４を作動させる。この反復的に徐
々に増加する傾向は、比較器４０と同じように製作され
た比較器３５の第１入力が、レーザ１４の目標の基準出
力の光の強さを作り出す最大エネルギ・レベルＰ２を表
すライン３６のＣＡＬ ＶＲ２ の基準信号より振幅が大
きいライン３４の信号を、検知するまで続く。比較器３
５は、ライン３４の信号がライン３６の基準信号より小
さいことを検知すると、非アクティブの信号をライン３
７を通してマイクロプロセッサ２０に供給する。比較器
３５は、ライン３４の信号がライン３６の基準信号を越
えたと判定すると、アクティブ信号をライン３７を通し
てマイクロプロセッサ２０に供給し、マイクロプロセッ
サ２０は、そのＤＡＣ２３の入力値をテーブル４３に格
納する。この時点で、マイクロプロセッサ２０は、ま
た、エネルギ・レベルＰ２を作り出す駆動電流を表すＡ
ＤＣ１００のデジタル化された出力を記録する。
【００１８】レベルＰｌ弱にエネルギ・レベルを戻した
後、光媒体１０の表面にレーザ・ビームの焦点を合わせ
るため、対物レンズが移動される。比較器４０は、レー
ザ１４の強さの示度を受けるためにライン３４の信号を
受信する。ＤＡＣ２３の設定は、ライン３４の信号が、
第１の所定のエネルギ・レベルＰ１を作り出すＣＡＬＶ
Ｒ１ の信号に合致するまで増やされる。合致した時点
で、ＤＡＣ２３の設定が、レーザ・ビームの焦点におけ
るエネルギ・レベルＰ１を作り出すのに必要なレーザ駆
動電流を表すＡＤＣ１００の出力としてテーブル４３に
記録される。
【００１９】次に図２を参照するに、レーザ制御１５の
詳細が示されている。レーザ制御１５では、増幅器７０
がライン３４から信号を受信する。ライン７１の基準入
力が、読出しオペレーション中に増幅器７０を制御す
る。抵抗回路７３は、バイアス電圧を読出しスイッチ７
２によって変えられるライン７１を通して増幅器７０に
供給して基準電圧に結合する。ライン３４とライン７１
との信号間の信号電圧振幅差は、目標の読出しレーザ・
エネルギ・レベルと実際のレーザ出力エネルギ・レベル
間の電圧エラー出力である。増幅器７０は、このエラー
電圧を増幅及びライン７６で受けるマイクロプロセッサ
２０からの信号によって閉じた制御スイッチ７５を通し
て供給する。スイッチ７５は、読出しオペレーションの
ために閉じる。コンデンサ７７は、増幅器７０から得た
信号を平滑化し、スイッチ７５がオープンする場合にサ
ンプル電圧として動作し、保持する。第２増幅器７８
は、エラー信号をバッファ及び増幅して抵抗器７９を通
して制御トランジスタ８０に送る。この制御トランジス
タ８０は、自らのコレクタにベースを接続している第２
トランジスタ８１の電流制御として作用する。トランジ
スタ８１は、駆動電流を基準電源＋Ｖ１から抵抗器１１
２及び電圧シフティング・ダイオード８２を通してレー
ザ・ダイオード１４に供給し、光の放射を生じさせる。
抵抗器１１２の電圧が駆動電流の値を検知する役割を行
い、ＡＤＣ１００によって相当するデジタル値に変換さ
れる。トランジスタ８１を流れる駆動電流の値は、関連
モード全体の値である。すなわち、これを記録すること
は、記録媒体に記録するエネルギ・レベルを有する出力
の光を放射させるためにレーザ・ダイオード１４を付勢
する電流の記録レベルを意味する。書込みインパルス間
において、記録ゼロ、すなわち、記録媒体の変化なしの
場合は、トランジスタ８１からの電流は、部分的にトラ
ンジスタ８６を通して電流シンク８７に転じられる。電
流シンク８７を流れる電流値はＤＡＣ２３によって制御
されるので、従って、レーザ１４の放射を制御する。書
込みデータ信号は、フリップ−フロップとして示される
スイッチ９０に供給される。ライン９１を通して供給さ
れるトランジスタ・ターンオフ信号が、トランジスタ８
６を非伝導にする。この作用が、トランジスタ８１から
の電流をレーザ・ダイオード１４に流れさせ、 "放射線
の最大放射又は最大の光の出力を生じさせる" 。同時
に、フリップ−フロップ９０からのライン９２の信号
が、トランジスタ９３を伝導に切換し、トランジスタ８
６によって前に供給された電流シンク８７の電流を置き
換える。その結果は、記録媒体１０上に２進形式で記録
される。否定書込み信号がフリップ−フロップ９０に供
給されると、トランジスタ８６及び９３の伝導状態が反
転させられて、レーザ１４からの放射線又は光の放射が
減じられ、トランジスタ８１からの電流がそらされる。
【００２０】スイッチ７５が閉じられた読出しオペレー
ション中には、ライン３４の信号（放射されたレーザの
光エネルギに相当）と、ライン７１の信号（目標の読出
しレーザ出力のエネルギ・レベル）とを突き合わせるレ
ーザ１４の制御ループが存在する。マイクロプロセッサ
２０は、ＤＡＣ２３の入力値を変更する毎に、スイッチ
７５を閉じ及びフリップ−フロップ９０を設定する。次
に、トランジスタ８６は伝導性となる。この作用が、電
流シンク８７における電流振幅を変え、トランジスタ８
１からの電流量も変わる。ＤＡＣ２３への各入力値の変
化後、前述のレーザ制御サーボ・ループが平衡状態オペ
レーティング・ポイントに到達するためには、時間遅延
が必要である。この時間遅延中に、トランジスタ８１を
流れる電流変化が安定する。記録又は消去モードの間、
スイッチ７５は開放状態に保たれ、前述のサーボ作用
が、記録又は消去中にレーザ駆動電流が変化するのを防
ぐ。
【００２１】比較器３５及び４０がＤＡＣ２３を較正す
るのに使われる。所定の低エネルギ・レベルＰ１におけ
る較正段階中に、電圧ＣＡＬ ＶＲ１ が、低エネルギの
レーザ出力を検知するためにライン４１を通して比較器
４０に供給される。所定の高エネルギ・レベルＰ２にお
ける較正段階中に、電圧ＣＡＬ ＶＲ２ は、高エネルギ
のレーザ出力レベルを検知するためにライン３６を通し
て比較器３５に供給される。
【００２２】図３は、半導体レーザのエネルギ対電流の
２つの特性曲線を示す。曲線１９０は、レーザ・ビーム
の焦点状態で作り出され対応する電流レベルで作り出さ
れたエネルギ・レベルを示す。曲線１９１は、最大の焦
点外状態で作り出され対応する電流レベルで作り出され
たエネルギ・レベルを示す。エネルギ・レベルＰ０は、
レイジング・モードが得られるスレッショルド・エネル
ギ・レベルを表す。対応するスレッショルド電流レベル
は、レーザ・ビームの焦点状態ではＩＴＨｎｉで示さ
れ、最大焦点外状態ではＩＴＨｎｏで示されている。低
基準エネルギ・レベルＰ１は、レンズが焦点状態であっ
ても書込み専用媒体が変えられないように選択する。高
基準エネルギ・レベルＰ２は、Ｐ２を作り出すレーザ電
流の差が、焦点状態と最大焦点外状態との間で小さくな
るように選択する。特性曲線１９０及び１９１は、高エ
ネルギ・レベルで、漸近的に接近していることに注意さ
れたい。
【００２３】本発明は、レーザ・ビームの焦点又は焦点
外であっても、高レーザ・エネルギにおいて任意のレー
ザ・バイアス電流におけるレーザ・エネルギの差が小さ
いという事実を利用する。本発明の較正オペレーション
は、レーザ・ビームが焦点外であって、第１低基準エネ
ルギ・レベルＰ１から第２高基準エネルギ・レベルＰ２
にレーザ・エネルギの変化を作り出すのに必要なレーザ
のＤＡＣ値の変化、△ＤＡＣ２を求める。また、レーザ
・バイアス電流をレーザ・ビームが焦点状態である低エ
ネルギ・レベルＰ１からレーザ・ビームが焦点外状態で
あるエネルギ・レベルＰ１に変えるのに必要な△ＤＡＣ
１と呼ばれるレーザのＤＡＣ値の変化を求める。エネル
ギ・レベルＰ１は、レーザ・ビームがＷＯＲＭ媒体に焦
点が合っている場合、その媒体に対する低レーザ・エネ
ルギ・レベル又は安全レーザ・エネルギ・レベルであ
る。次に、レーザＤＡＣ効率Ｅが計算され、レーザ・エ
ネルギの変化、Ｐ２−Ｐ１をＤＡＣ値の変化の和、△Ｄ
ＡＣ１＋△ＤＡＣ２で除算する。
【００２４】図４は、Ｐ１＝Ｐ０及びＰ０においてＤＡ
Ｃ１＝０を仮定するマシン・オペレーションの流れ図を
示す。図５は、これらの仮定がない一般化されたケース
を述べる。図４は、図３のＰ−Ｉ曲線を参照することに
よって良く理解できる。ステップ２００では、レーザが
ターン・オンされる前に、対物レンズが、媒体から最大
の焦点外に移動させられる。ステップ２０１では、ＤＡ
Ｃがゼロに設定され、レーザ・エネルギ制御ループ（LP
CL:laser power control loop） がスイッチ７５の閉に
よって閉じられ、及び書込みデータが非アクティブに設
定されて、レーザ・エネルギ・レベルＰ１を作り出し、
レーザがターン・オンされる。ステップ２０２では、レ
ーザ駆動電流が、ＡＤＣ１００で測定されて、ＡＤＣ１
としてセーブされる。次に、ステップ２０３〜２０５で
は、スイッチ７５が開放及び書込みデータがアクティブ
となり、ＤＡＣ値が増加させられる。次にスイッチ７５
が閉じられ、書込みデータが非アクティブに設定され
て、エネルギが測定される。このプロセスは、ＤＡＣ値
がＰ２を得るまで繰り返され、Ｐ２を得ると、ＤＡＣ値
がＤＡＣ２として格納される。レーザ電流が、再びＡＤ
Ｃ１００で測定され、ＡＤＣ２としてセーブされる。そ
れから、ＬＰＣＬが閉じられ、及びＤＡＣが再設定され
て、ステップ２０７で示されるようにレーザ・エネルギ
・レベルＰ１に戻る。次に、レーザ・ビームは、ステッ
プ２０８で媒体上に焦点を合わせられ、及び、レーザ・
バイアス電流はＡＤＣ１００で測定されて、ステップ２
０９においてＡＤＣ３としてセーブされる。この時点
で、ＤＡＣ較正プロシージャに残るすべてにおいて、計
算がステップ２１０でマイクロプロセッサ２０によって
実行される。
【００２５】ステップ２１０の計算において、レーザの
ＤＡＣ値の変化が求められる。すなわち、レーザ・ビー
ムの焦点でのＰ１からレーザ・ビームの焦点外でのＰ１
にレーザ駆動電流を変えるのに必要な変化△ＤＡＣ１が
式１で求められる。
【００２６】 ＤＡＣ１＝△ＤＡＣ２ｘ（ＡＤＣ１−ＡＤＣ３）／（ＡＤＣ２−ＡＤＣ１） （１）
【００２７】ＤＡＣ効率は、式２で示されるようにＥと
して計算される。
【００２８】 Ｅ＝（Ｐ２−Ｐ１）／ＤＡＣ２＋△ＤＡＣ１） （２）
【００２９】ＤＡＣ値のＤＡＣｎは、式３で示されるよ
うに、任意のレーザ・エネルギ・レベルＰｌｐで計算で
きる。また、レーザ・エネルギは、式４で示されるよう
に、任意のＤＡＣ値のＤＡＣｎで求められる。
【００３０】 ＤＡＣｎ＝（Ｐｌｐ−Ｐ１）／Ｅ （３）
【００３１】 Ｐｌｐ＝Ｐ１＋ＥｘＤＡＣｎ （４）
【００３２】図５は、新しい較正方法のさらに一般化し
た流れ図である。ここではＰ１＝Ｐ０と仮定せず、及び
Ｐ１でのＤＡＣの設定が必ずしもゼロではない。ステッ
プ３００では、対物レンズが最大の焦点外状態に移動さ
れ、及びステップ３０１で初期化オペレーションが実行
され、ＤＡＣを再設定し、及びスイッチ７５を閉じ、書
込みデータを非アクティブにして読出しエネルギ・レベ
ルＰ０を得て、レーザをターン・オンする。
【００３３】その後、スイッチ７５が開放され及び書込
みデータがアクティブとなり、ＤＡＣは増加させられ
る。次に、スイッチ７５が閉じられ、書込みデータが非
アクティブに設定され、エネルギ・レベルを測定する。
ステップ３０２〜３０４で示されるように、このプロセ
スはエネルギＰ１に到達するまで繰り返される。ステッ
プ３０５では、エネルギ・レベルＰ１を作り出すレーザ
駆動電流が測定され、ＡＤＣ１００によってデジタル値
に変換されてＡＤＣ１としてセーブされる。その後、ス
テップ３０６〜３０８において、ＤＡＣは増加させら
れ、及びエネルギが、前述の方法でエネルギ・レベルＰ
２に到達するまで測定される。ＤＡＣの設定は、ＤＡＣ
２として格納され、及びレーザ駆動電流が測定されてＡ
ＤＣ２として格納される。次に、ステップ３０８で、Ｄ
ＡＣが再設定され、エネルギ・レベルＰ０が再び得られ
る。ステップ３０９では、エネルギ・レベルＰ１が探索
値として目標にされる。ステップ３１０では、焦点が得
られ、及びＤＡＣは、前述の方法でエネルギ・レベルＰ
１に到達（ステップ３１１及び３１２）するまで増加さ
せられる。ステップ３１３では、ＤＡＣの設定は、ＤＡ
Ｃ３として格納され及び駆動電流が測定されてＡＤＣ３
として格納される。前述の式１〜式４は、次式５〜式８
としてそれぞれ修正され、及びマイクロプロセッサが計
算を実行する（ステップ３１４）。
【００３４】 △ＤＡＣ１＝（ＤＡＣ２−ＤＡＣ１）ｘ（（ＡＤＣ１−ＡＤＣ３）／ （ＡＤＣ２−ＡＤＣ１）） （５）
【００３５】 Ｅ＝（Ｐ２−Ｐ１）／（（ＤＡＣ２−ＤＡＣ１）＋△ＤＡＣ１）） （６）
【００３６】 ＤＡＣｎ＝ＤＡＣ３＋（Ｐｌｐ−Ｐ１）／Ｅ （７）
【００３７】 Ｐｌｐ＝Ｐ１＋Ｅ（ＤＡＣｎ−ＤＡＣ３） （８）
【００３８】レーザを較正する代替方法が、図６に示さ
れている。この方法は、ＡＤＣを使用する必要がなく、
図３に示すようなレーザのＰ−Ｉ特性曲線の線形性質を
利用する。事前にＤＡＣ設定値が各エネルギ・レベルＰ
１及びＰ２でセーブされ、これらの数値が駆動電流を表
すのに使用される。ステップ４００で、レンズが焦点外
に移動され、ステップ４０１でシステムが初期化され
る。ステップ４０２〜４０４で、ＤＡＣが、目的のエネ
ルギ・レベルＰ１を得るまで増加させられ、及びステッ
プ４０５でＤＡＣ設定のＤＡＣ１がセーブされる。ステ
ップ４０６〜４０８でエネルギＰ２に到達すると、ステ
ップ４０９でＤＡＣ設定のＤＡＣ２がセーブされる。ス
テップ４１０で、ＤＡＣは再設定され、スイッチ７５が
閉じられてレーザ・エネルギ制御ループ（LPCL）が閉じ
ることにより、読出しエネルギ・レベルＰ０が得られ
る。ステップ４１１で焦点が得られる。次に、ステップ
４１２〜４１７でＤＡＣ３値が求められる。ステップ４
１８において効率Ｅが、次に示す式９を用いて計算され
る。ここで、△ＤＡＣ１＝ＤＡＣ２−ＤＡＣ１及び△Ｄ
ＡＣ２＝ＤＡＣ３−ＤＡＣ１である。
【００３９】 Ｅ＝（Ｐ２−Ｐ１）／（△ＤＡＣ１＋△ＤＡＣ２） （９）
【００４０】本発明の実行において、制御トラックを読
出すまでは、駆動装置にＭＯ又はＷＯＲＭ媒体の何れが
挿入されているか不明である。従って、消去可能又は書
込み専用媒体のＤＡＣ較正は、レーザ・ビームの焦点外
で実行しなければならない。ＭＯ媒体が駆動装置内にあ
るならば、ＤＡＣ較正の結果は、まだ有効である。
【００４１】本発明では、レーザ駆動装置回路の追加の
チェックが実行できる。
【００４２】従来の技術では、レーザＤＡＣ伝導関数が
計算されて、レーザ・エネルギ制御システムのチェック
に使われた。ＤＡＣ伝導関数の単位Ｅは、ｍＷ／ＤＡＣ
ステップである。ここで説明するシステムでは、ＡＤＣ
でレーザ・バイアス電流をモニタすることによって、他
の伝導関数が計算される。これが、ｍＷ／ＡＤＣステッ
プ単位のＡＤＣ伝導関数ｎと呼ばれ、レーザ・エネルギ
の所定の変化を作り出すのに必要なＡＤＣ値の変化であ
る。ＡＤＣ伝導関数を計算する式は、レーザ・ビームの
焦点外（no）及び焦点（ni）状態の両方において下記に
示される。
【００４３】 ｎｏ＝Ｐ２−Ｐ１／ＡＤＣ２−ＡＤＣ１ （１０）
【００４４】 ｎｉ＝Ｐ２−Ｐ１／（ＡＤＣ２−ＡＤＣ１）＋（ＡＤＣ２−ＡＤＣ３） （１１）
【００４５】伝導関数、ｎｏ及びｎｉは、ｍＷ／ｍＡ単
位のレーザ効率Ｇａとして再書き換えでき、電流・電圧
変換器のＶ／ｍＡ単位の利得Ｋ１及びＡＤＣステップ単
位のＡＤＣ１００変換因数Ｋ２で除算される。これは、
次式１２で示される。
【００４６】 ｎ＝Ｇａ／Ｋ１ Ｋ２ （１２）
【００４７】回路を実行して、電流・電圧変換器の利得
Ｋ１及びＡＤＣ変換因数Ｋ２が既知であるならば、レー
ザ効率Ｇａは、ｍＷ／ｍＡ単位で次式によって計算でき
る。
【００４８】 Ｇａ＝ｎ Ｋ１ Ｋ２ （１３）
【００４９】同様な方法で、ｍＡ／ＤＡＣステップ単位
のＤＡＣ変換率Ｋ３が既知であるならば、レーザ効率Ｇ
ｄが、ＤＡＣ伝導関数Ｅから求められる。
【００５０】 Ｇｄ＝Ｅ／Ｋ３ （１４）
【００５１】ＤＡＣ較正によってＤＡＣ伝導関数Ｅ及び
ＡＤＣ伝導関数ｎの両方が得られるので、ｍＷ／ｍＡ単
位のレーザ効率が式１３及び式１４から計算でき、及び
その結果の比較が、それぞれと及び絶対限界に対して行
われる。２つの効率計算結果が同じであるが、しかし、
指定範囲外であるならば、レーザ・ダイオードが故障で
あることを示す。２つの効率が等しくなければ、レーザ
駆動回路が故障であることを示す。
【００５２】さらに、２つ効率計算の結果を互いに比較
することによってレーザ駆動装置の他の多くの回路機能
と電流検出素子をチェックでき、これらには、電流・電
圧変換器の利得Ｋ１、ＡＤＣ変換因数Ｋ２及びＤＡＣ変
換率Ｋ３などがある。２つのレーザ効率、Ｇａ及びＧｄ
が等しいと仮定すると、ＡＤＣ伝導関数ｎとレーザＤＡ
Ｃ伝導関数Ｅの関係は、式１５によって示される。ＤＡ
Ｃ／ＡＤＣ比率、ＡＤＣステップに対するＤＡＣステッ
プは、ＤＡＣ変換率Ｋ３（ｍＡ／ＤＡＣ）、電圧に対す
る電流検出率Ｋ１（Ｖ／ｍＡ）、及びＡＤＣ変換率Ｋ２
の積の逆数である。これらのＫ因数量は、回路設計で制
御され、及び稼働中は安定していなければならない。こ
のように限界がＤＡＣとＡＤＣの変換（ＤＡＣ／ＡＤ
Ｃ）率に対して設けられる。ＤＡＣ／ＡＤＣ変換率に限
界を設けることで、複数の回路素子の機能、すなわち、
ＤＡＣ変換率Ｋ３（ｍＡ／ＤＡＣ）、電圧・電流検出率
Ｋ１（Ｖ／ｍＡ）及びＡＤＣ変換率Ｋ２（ＡＤＣ／Ｖ）
がチェックできる。
【００５３】 ＤＡＣ／ＡＤＣ＝ｎ／Ｅ＝１／Ｋ１ Ｋ２ Ｋ３ （１５）
【００５４】ＡＤＣ値とレーザ・バイアス電流（ＡＤＣ
／ｍＡ）との関係が、式１６で求められる。これらの量
は、式１５の部分集合であり、また、稼働中では安定し
たままである。ＡＤＣ及びレーザ機能をチェックするた
めに合理的な限界が、ＡＤＣ対レーザ・バイアス電流
（ＡＤＣ／ｍＡ）の変換率に設けられる。
【００５５】ＡＤＣ／ｍＡ＝ Ｋ１ Ｋ２
【００５６】ＡＤＣでレーザ・バイアス電流をモニタす
ることによって、レーザ・エネルギ制御システムに対す
る追加のチェックが実行できる。コマンドが、レーザＤ
ＡＣを変更するために与えられる場合、ＤＡＣは、その
関係が既知（式１６）であるので、ＤＡＣが変化させた
ことを確かめられる。また、ＡＤＣ値とレーザ・バイア
ス電流（ＡＤＣ／ｍＡ）の関係が既知（式１６）なの
で、レーザがターン・オンされる場合又は潜在的障害が
存在する場合に、レーザ・スレッショルド電流（又はあ
るエネルギ・レベルにおけるレーザ・バイアス電流）に
対してチェックができる。
【００５７】次に述べることは、レーザ・バイアス・ス
レッショルド電流がどのように測定されるかの例であ
る。レーザがターン・オンする前に、バイアス電流がＡ
ＤＣで測定される。これは、オフセット値と呼ばれる。
次に、レーザは、幾らかのエネルギ・レベル、例えば、
０．５ｍＷでターン・オンし、及びレーザ・バイアス電
流がオフセット値を差し引かれてＡＤＣで測定される。
仮に、この例において、このエネルギ・レベルで最大レ
ーザ・バイアス電流、例えば、８０ｍＡの限界が設定さ
れ、及びＡＤＣ対レーザ・バイアス電流の変換率が１ｍ
Ａにつき１．５ＡＤＣビットと既知であるならば、測定
されたＡＤＣ値の限界、例えば、１２０ステップが得ら
れる。ＡＤＣ値を越えるならば、レーザ・エネルギ制御
システムが故障である。
【００５８】ＡＤＣでレーザ・バイアス電流を測定する
ことによって、幾つかの他の検知が考えられる。これら
の幾つかは、次の通りである。媒体上で焦点に合わすた
めの対物レンズを移動するプロセス前に、ＡＤＣでレー
ザ・バイアス電流をサンプリングすることによって、レ
ーザの空洞にフィードバックされた光によってレーザ・
バイアス電流が減少するので、焦点が得られているか確
認できる。又、焦点を得るプロセス中に、ＡＤＣでバイ
アス電流をモニタすることによって、対物レンズが焦点
を合わせたことを検知できる。これは、焦点エラー信号
（FES: FocusError Signal）のピークを検知する、優れ
た代替方法である。ＦＥＳオフセットを調整する一方
で、ＡＤＣでレーザ・バイアス電流をモニタすることに
よって、また、最小レーザ・バイアス電流のポイント
が、このポイントではレーザ・フィードバックが最大で
あるので、最適な焦点を示すことになる。
【００５９】
【発明の効果】本発明は、光記録ディスク等のターゲッ
ト面から反射された光のフィードバックに従って、半導
体レーザ・ダイオードの駆動電流回路を較正できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で使用した光ディスク記録装置のブロッ
ク図である。
【図２】図１の記録装置のレーザ制御回路を示す図であ
る。
【図３】レーザ・ビームの焦点及び焦点外のＰ−Ｉ曲線
を示す図である。
【図４】本発明によって光媒体を較正するために、相当
するＤＡＣ値を計算するためのエネルギ値を示すマシン
・オペレーションの簡単な流れ図である。
【図５】本発明で用いるマシン・オペレーションの一般
化された流れ図である。
【図６】本発明の代替のオペレーションの流れ図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジュリアン・ルークオーイクズ アメリカ合衆国アリゾナ州、ツーソン、イ ースト・プレシディオ 8032番地

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】レーザ・ダイオードのエネルギ出力−駆動
    電流の特性曲線が、高エネルギ・レベルでのレーザ・ビ
    ームの焦点及び焦点外の状態における漸近の領域を示
    し、ターゲット面から反射する光のフィードバックに依
    存する半導体レーザ・ダイオードを用いる装置を較正す
    る方法であって、 上記ターゲット面上に焦点外の状態を得るステップと、 所定の第１低レーザ・エネルギ・レベルＰ１を作り出す
    ために上記レーザ・ダイオードを付勢し、及び上記焦点
    外状態で上記低エネルギ・レベルを作り出すのに必要な
    レーザ駆動電流Ｉ１を測定するステップと、 所定の高レーザ・エネルギ・レベルＰ２を作り出すため
    に上記レーザ・ダイオードを付勢し、上記高レーザ・エ
    ネルギ・レベルが漸近の領域の範囲内で選択され、及び
    上記高レーザ・エネルギ・レベルを作り出すのに必要な
    レーザ駆動電流Ｉ２を測定するステップと、 上記第１低エネルギ・レベルＰ１を作り出すために上記
    レーザ・ダイオードを付勢するステップと、 上記ターゲット面上に焦点状態を得るステップと、 上記焦点状態で上記第１低エネルギ・レベルを作り出す
    のに必要なレーザ駆動電流Ｉ３を測定するステップとを
    有する半導体レーザ・ダイオードを用いる装置を較正す
    る方法。
  2. 【請求項２】関係式Ｐ２−Ｐ１／Ｉ２−Ｉ３を用いて焦
    点状態の上記エネルギ出力−駆動電流の特性曲線の傾斜
    を求めるステップをさらに有することを特徴とする請求
    項１記載の方法。
  3. 【請求項３】関係式Ｐ２−Ｐ１／Ｉ２−Ｉ１を用いて焦
    点外状態の上記エネルギ出力−駆動電流の特性曲線の傾
    斜を求めるステップをさらに有することを特徴とする請
    求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】レーザ・ダイオードのエネルギ出力−駆動
    電流の特性曲線が、高エネルギ・レベルでのレーザ・ビ
    ームの焦点及び焦点外の状態における漸近の領域を示
    し、駆動電流レベルを設定するためのデジタル・アナロ
    グ変換器（ＤＡＣ）と、及び駆動電流レベルを測定する
    ためのアナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）とを有す
    る、ターゲット面から反射する光のフィードバックに依
    存する半導体レーザ・ダイオードを用いる装置を較正す
    る方法であって、 上記ターゲット面上に焦点外の状態を得るステップと、 所定の第１低レーザ・エネルギ・レベルＰ１を作り出す
    ために上記レーザ・ダイオードを付勢し、上記焦点外の
    状態における上記エネルギ・レベルＰ１において、ＤＡ
    Ｃの設定のＤＡＣ１及びＡＤＣの設定のＡＤＣ１をセー
    ブするステップと、 所定の高レーザ・エネルギ・レベルＰ２を作り出すため
    に上記レーザ・ダイオードを付勢し、上記高レーザ・エ
    ネルギ・レベルが上記漸近の領域内で選択され、上記高
    レーザ・エネルギ・レベルＰ２においてＤＡＣの設定の
    ＤＡＣ２及びＡＤＣの設定のＡＤＣ２をセーブするステ
    ップと、 上記第１エネルギ・レベルＰ１を作り出すために上記レ
    ーザ・ダイオードを付勢するステップと、 上記ターゲット面上に焦点の状態を得るステップと、 上記焦点の状態の上記エネルギ・レベルＰ１において、
    ＤＡＣの設定のＤＡＣ３及びＡＤＣの設定のＡＤＣ３を
    セーブするステップとを有する半導体レーザ・ダイオー
    ドを用いる装置を較正する方法。
  5. 【請求項５】関係式、△ＤＡＣ１＝（ＤＡＣ２−ＤＡＣ
    １）（ＡＤＣ１−ＡＤＣ３）／（ＡＤＣ２−ＡＤＣ１）
    を用いてレーザ駆動電流を焦点エネルギ・レベルＰ１か
    ら焦点外エネルギ・レベルＰ１に変更するのに必要なＤ
    ＡＣ値の変化△ＤＡＣ１を求めるステップと、 関係式、Ｅ＝Ｐ２−Ｐ１／（ＤＡＣ２−ＤＡＣ１）＋Ｄ
    ＡＣ１を用いてＤＡＣの効率Ｅを求めるステップと、 関係式、ＤＡＣｎ＝ＤＡＣ３＋（Ｐｌｐ−Ｐ１）／Ｅを
    用いて任意のレーザ・エネルギ・レベルＰｌｐにおける
    ＤＡＣ値のＤＡＣｎを求めるステップと、 これらによって目標のエネルギ・レベルＰｌｐを作り出
    すためにＤＡＣの設定が計算されるステップとをさらに
    有することを特徴とする請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】上記装置にあっては、エネルギ・レベルＰ
    １がレイジング・モードを実行するスレッショルド・エ
    ネルギ・レベルＰ０に等しくなるように調節され、及び
    上記ＤＡＣが、上記エネルギ・レベルＰ１において、ゼ
    ロに設定される方法であって、 関係式、△ＤＡＣ１＝ＤＡＣ２（ＡＤＣ１−ＡＤＣ３）
    ／（ＡＤＣ２−ＡＤＣ１）を用いてレーザ駆動電流を焦
    点エネルギ・レベルＰ１から焦点外エネルギ・レベルＰ
    １に変更するのに必要なＤＡＣ値の変化△ＤＡＣ１を求
    めるステップと、 関係式、Ｅ＝Ｐ２−Ｐ１／（ＤＡＣ２＋△ＤＡＣ１）を
    用いてＤＡＣの効率Ｅを求めるステップと、 関係式、ＤＡＣｎ＝Ｐｌｐ−Ｐ１／Ｅを用いて任意のレ
    ーザ・エネルギ・レベルＰｌｐにおいてＤＡＣ値のＤＡ
    Ｃｎを求めるステップと、 これらによって目標のエネルギ・レベルＰｌｐを作り出
    すためにＤＡＣの設定が計算されるステップとをさらに
    有することを特徴とする請求項４記載の方法。
  7. 【請求項７】レーザ・ダイオードのエネルギ出力−駆動
    電流の特性曲線が、高エネルギ・レベルでのレーザ・ビ
    ームの焦点及び焦点外の状態における漸近の領域を示
    し、駆動電流レベルを設定するためのデジタル・アナロ
    グ変換器（ＤＡＣ）を有する、ターゲット面から反射す
    る光のフィードバックに依存する半導体レーザ・ダイオ
    ードを用いる装置を較正する方法であって、 上記ターゲット面上に焦点外の状態を得るステップと、 所定の低エネルギ・レベルＰ１を作り出すために上記レ
    ーザ・ダイオードを付勢し、ＤＡＣの設定のＤＡＣ１を
    セーブするステップと、 所定の高レーザ・エネルギ・レベルＰ２を作り出すため
    に上記レーザ・ダイオードを付勢し、上記高レーザ・エ
    ネルギ・レベルが上記漸近の領域内で選択され、上記高
    レーザ・エネルギ・レベルＰ２においてＤＡＣの設定の
    ＤＡＣ２をセーブするステップと、 上記ターゲット面上に焦点の状態を得るステップと、 上記第１エネルギ・レベルＰ１を作り出すために上記レ
    ーザ・ダイオードを付勢するステップと、 上記焦点の状態におけるエネルギ・レベルＰ１でＤＡＣ
    の設定のＤＡＣ３をセーブするステップとを有する半導
    体レーザ・ダイオードを用いる装置を較正する方法。
  8. 【請求項８】関係式、△ＤＡＣ１＝ＤＡＣ３−ＤＡＣ１
    を用いてレーザ駆動電流を焦点エネルギ・レベルＰ１か
    ら焦点外エネルギ・レベルＰ１に変更するのに必要なＤ
    ＡＣ値の変化△ＤＡＣ１を求めるステップと、 関係式、△ＤＡＣ２＝ＤＡＣ２−ＤＡＣ１を用いてレー
    ザ駆動電流を焦点外の状態で高エネルギ・レベルＰ２か
    ら低エネルギ・レベルＰ１に変更するのに必要なＤＡＣ
    値の変化△ＤＡＣ２を求めるステップと、 関係式、Ｅ＝Ｐ２−Ｐ１／△ＤＡＣ１＋△ＤＡＣ２を用
    いてＤＡＣの効率Ｅ求めるステップとをさらに有するこ
    とを特徴とする請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】半導体レーザ・ダイオードがレンズを通し
    て光ディスク表面に向けて放射線を放射し、及び上記レ
    ーザ・ダイオードが、上記表面から反射した放射線の光
    フィードバックを受け、上記レーザ・ダイオードの駆動
    電流を較正する手段を有する光ディスク駆動装置であっ
    て、 放射線を受けるレーザ・ダイオード及び対応するレンズ
    と、 上記ダイオードによって作られ、ターゲット面に向けら
    れた放射線を焦点外の状態から焦点に合わせるために上
    記レンズを移動するための、上記レンズに接続された移
    動手段と、 上記レーザ・ダイオードに接続されたレーザ駆動電流手
    段と、 Ｐ１が低エネルギ・レベル及びＰ２が高エネルギ・レベ
    ルである、選択されたＰ１及びＰ２を作り出すために上
    記ダイオードを付勢するための、上記レーザ駆動電流手
    段に接続されたレーザ駆動電流制御手段と、 マイクロプロセッサ手段と、 焦点外の状態でＩ１が、エネルギ・レベルＰ１を作り出
    すための駆動電流であって、Ｉ３が焦点状態におけるエ
    ネルギ・レベルＰ１を作り出すための駆動電流である、
    レーザ駆動電流レベルＩ１、Ｉ２及びＩ３を測定するた
    めの手段と、 関係式、Ｐ２−Ｐ１／Ｉ２−Ｉ３を用いて焦点状態で上
    記エネルギ出力−駆動電流の特性曲線の傾斜を計算する
    ための上記マイクロプロセッサ手段とを有する光ディス
    ク駆動装置。
  10. 【請求項１０】上記選択されたエネルギ・レベルを得る
    ために、上記レーザ・ダイオードの出力エネルギを測定
    するための手段をさらに有することを特徴とする請求項
    ９記載の光ディスク駆動装置。
  11. 【請求項１１】上記レーザ駆動電流制御手段が、ＤＡＣ
    １は、焦点外の状態でエネルギ・レベルＰ１を作り出す
    ための設定、ＤＡＣ３が、焦点の状態でエネルギ・レベ
    ルＰ１を作り出すための設定、ＤＡＣ２が、焦点外の状
    態でエネルギ・レベルＰ２を作り出すための設定であ
    る、ＤＡＣ値の設定のＤＡＣ１、ＤＡＣ２及びＤＡＣ３
    を得るためのデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）手段
    を有し、 レーザ駆動電流レベルを測定する上記手段が、上記レー
    ザ駆動制御手段及び上記マイクロプロセッサに接続され
    たアナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）を有し、ＡＤＣ
    １、ＡＤＣ２、ＡＤＣ３が、測定電流レベルＩ１、Ｉ２
    及びＩ３のそれぞれに相当するデジタル値であって、 上記マイクロプロセッサ手段が、関係式、△ＤＡＣ１＝
    （ＤＡＣ２−ＤＡＣ１）（ＡＤＣ１−ＡＤＣ３）／（Ａ
    ＤＣ２−ＡＤＣ１）を用いて、レーザ駆動電流を焦点の
    エネルギ・レベルＰ１から焦点外のエネルギ・レベルＰ
    １に変化させるのに必要なＤＡＣ値の変化△ＤＡＣ１を
    求め、 関係式、Ｅ＝Ｐ２−Ｐ１／（ＤＡＣ２−ＤＡＣ１）＋△
    ＤＡＣ１を用いてＤＡＣの効率Ｅを求め、 関係式、ＤＡＣｎ＝ＤＡＣ３＋（Ｐｌｐ−Ｐ１））／Ｅ
    を用いて任意のレーザ・エネルギ・レベルＰｌｐにおけ
    るＤＡＣ値のＤＡＣｎを求めることを特徴とする請求項
    １０記載の装置。
  12. 【請求項１２】半導体レーザ・ダイオードがレンズを通
    して光ディスク表面に向けて放射線を放射し、及び上記
    レーザ・ダイオードが、上記表面から反射した放射線の
    光フィードバックを受け、上記レーザ・ダイオードの駆
    動電流を較正する手段を有する光ディスク駆動装置であ
    って、 放射線を受けるレーザ・ダイオード及び対応するレンズ
    と、 焦点外の状態から焦点に合わせるために上記レンズを移
    動するための上記レンズに接続された移動手段と、 上記レーザ・ダイオードに接続されたレーザ駆動電流手
    段と、 Ｐ１が低エネルギ・レベル及びＰ２が高エネルギ・レベ
    ルである、選択されたＰ１及びＰ２を作り出すために上
    記ダイオードを付勢するための上記レーザ駆動電流手段
    に接続されたレーザ駆動電流制御手段とを有し、及び上
    記レーザ駆動電流制御手段にあっては、ＤＡＣ１が焦点
    外の状態でエネルギ・レベルＰ１を作り出すための設
    定、ＤＡＣ３が焦点の状態でエネルギ・レベルＰ１を作
    り出すための設定、及びＤＡＣ２が焦点外の状態でエネ
    ルギ・レベルＰ２を作り出すための設定である、ＤＡＣ
    値の設定のＤＡＣ１、ＤＡＣ２及びＤＡＣ３を得るため
    のデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）を有し、 上記マイクロプロセッサが、関係式、△ＤＡＣ１＝ＤＡ
    Ｃ３−ＤＡＣ１を用いてレーザ駆動電流を焦点エネルギ
    ・レベルＰ１から焦点外エネルギ・レベルＰ１に変える
    のに必要なＤＡＣ値の変化△ＤＡＣ１を求め、 関係式、△ＤＡＣ２＝ＤＡＣ２−ＤＡＣ１を用いて焦点
    外の状態でレーザ駆動電流を高エネルギ・レベルＰ２か
    ら低エネルギ・レベルＰ１に変えるのに必要なＤＡＣ値
    の変化△ＤＡＣ２を求め、 関係式、Ｅ＝Ｐ２−Ｐｌ／△ＤＡＣ１＋△ＤＡＣ２を用
    いてＤＡＣの効率Ｅを求める手段とを有する光ディスク
    駆動装置
  13. 【請求項１３】上記選択されたエネルギ・レベルを得る
    ために上記レーザ・ダイオードの出力エネルギを測定す
    るための手段をさらに有することを特徴とする請求項１
    ２記載の装置。
  14. 【請求項１４】レーザ駆動回路が、駆動電流レベルを設
    定するためにデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）を有
    し、及び上記回路が、駆動電流レベルを測定するために
    アナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）を有する、レーザ
    ・ダイオードとその駆動回路の正しいオペレーションを
    求める方法であって、 ＤＡＣステップ毎にレーザ・エネルギ出力を増加させる
    ＤＡＣ伝導関数Ｅを得るステップと、 ＡＤＣステップ毎にレーザ・エネルギ出力を増加させる
    ＡＤＣ伝導関数ｎを得るステップと、 事前設定のレーザ効率の範囲内で一致すれば、故障がな
    いことを示す、Ｅとｎを比較するステップとを有する方
    法。
JP4178142A 1991-09-11 1992-07-06 光ディスク駆動装置のレーザ・エネルギの較正方法及び装置 Expired - Lifetime JP2553284B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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US757748 1991-09-11
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