JPH05187846A - 半導体集積装置リードの検査装置 - Google Patents

半導体集積装置リードの検査装置

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JPH05187846A
JPH05187846A JP4003082A JP308292A JPH05187846A JP H05187846 A JPH05187846 A JP H05187846A JP 4003082 A JP4003082 A JP 4003082A JP 308292 A JP308292 A JP 308292A JP H05187846 A JPH05187846 A JP H05187846A
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JP
Japan
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arm
lead
tray
light source
camera
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Withdrawn
Application number
JP4003082A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Goto
敏雄 後藤
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
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Publication of JPH05187846A publication Critical patent/JPH05187846A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICリードに接触しないでこれを検査するI
Cリードの検査装置を提供する。 【構成】 ICリードの屈曲変形を検出するための画像
を形成するレーザ・スリット平行光源および画像取込み
用カメラをX−Y−θアームに具備せしめ、ICをトレ
イ上面に載置収容したままそのリードを検査する検査装
置を構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積装置リー
ド(ICリード)の検査装置に関し、特にICリードに
接触しないでこれを検査するICリードの検査装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】ICリードは規定された状態から変形、
屈曲すると、これを対応するソケットに嵌合せしめるこ
とが困難になり、或は実際の使用に際して不都合である
ことは言うまでもない。そのために、リードが変形、屈
曲しているか否かを検査する必要がある。
【0003】この検査の内には外観検査がある。外観検
査にも目視によるもの、画像にして観察する手法その他
種々のものがある。しかし、これらの何れの手法も、実
際にICを検査する際は、トレイに収容されているIC
をトレイから取り出してこれを目視検査し、或はICを
トレイから取り出して画像に変換する装置にかけて検査
する。トレイから取り出して検査するということは、検
査終了後はこれを再びトレイに収容するものであること
は言うまでもない。と言うことは、検査終了後再びトレ
イに収容する際に、検査合格したICに損傷を与え、リ
ードを変形屈曲せしめる恐れは充分にあり、全てが完全
に無事にトレイに収容し得たものと断言することはでき
ない。検査合格して良品とされたものを不良品にしてし
まい、これに気ずかずに出荷することにもなりかねな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ICリー
ドに接触しないでこれを検査することにより上述の通り
の問題を解消したICリードの検査装置を提供するもの
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】半導体集積装置のリード
の屈曲変形を検出するための画像を形成するレーザ・ス
リット平行光源および画像取込み用カメラをX−Y−θ
アームに具備せしめ、半導体集積装置をトレイ上面に載
置収容したままそのリードを検査する検査装置を構成し
た。
【0006】
【実施例】この発明の実施例を図1および図2を参照し
て説明する。図1において、1はトレイであり、その上
面にはIC2を載置収容する収容部1’が多数形成され
ている。4はカメラ、5はレーザ・スリット光源であ
り、X−Y−θアームに搭載されてトレイ1上方に位置
決めされる。レーザ・スリット光源5からトレイ1上面
に載置収容されたIC2に向けて放射されたレーザ光の
反射をカメラ4を介して画像処理装置7に取り込み、リ
ード3の屈曲変形を検出する。
【0007】ここで、カメラ4、レーザ・スリット光源
5、カメラ4およびレーザ・スリット光源5の支持体
6、XアームおよびYアームの相互関係についてである
が、これらの内の支持体6、XアームおよびYアームは
X−Y−θアームを構成している。先ずカメラ4および
レーザ・スリット光源5は、レーザ・スリット光源5か
らトレイ1上面に載置収容されたIC2に向けて放射さ
れたレーザ光の反射をカメラ4が受光する関係にあると
共に、支持体6にθ方向に回動調節可能に取付けられて
いる。支持体6自体はその軸部がXアームに対してX方
向に摺動可能に取り付けられている。XアームはYアー
ムに対してY方向に摺動可能に取り付けられている。レ
ーザ・スリット光源5から放射されるレーザ・スリット
光は平行光であり、その厚さは0.0230mm、スリットの幅
はIC2の外形寸法程度で実施される。X、Y、θを調
整することにより、トレイ1上の何れのICの、左右上
下何れのリード3にも対応することができる。
【0008】図3(b)における矢印方向のリードの屈
曲については、画像処理装置7により容易に認識、検出
することができる。紙面に直交するドット方向のリード
の屈曲については、図3(a)に示される如く平行レー
ザ光をIC2に向けて斜め上方から放射し、その反射光
を解析して検出する。この際、リードの厚さとレーザ光
の入射角度とにより多少異なるが、おおよそ図3(b)
の如き像が得られる。この像を元にしてリードの屈曲の
有無を判断する。図3(b)において、斜線部分が像で
あり、左側の斜線はトレイ1表面からの反射像を示し、
右側の周期的に現れる斜線部分がリード3表面からの反
射像である。トレイ1表面からの反射像の右側エッジは
一直線上にある。周期的に現れるリード3表面からの反
射像の右側エッジも、リード3がすべて同一平面上にあ
れば当然に一直線上に存在することとなる。トレイ1表
面からの反射像の右側エッジとリード3表面からの反射
像の右側エッジとの間の距離を測定し、これらがすべて
等しければリード3はすべて紙面に垂直方向の屈曲はな
いものと判断することができる。図3(b)において
は、上から4番目のリードを除いて左右両エッジ間の距
離は0.29mmであり、上から4番目のリードの左右両エッ
ジ間の距離のみは0.31mmである(レーザ光の入射角、リ
ード3とトレイ1表面との間の距離を或る値に設定した
状態において)。これは、上から4番目のリードは右向
きの力を受けて少し外側、上向きに変形した結果、他の
リードと比較して少し右上においてレーザ光を反射した
ことを示している。これとは逆に、リードが左向きの力
を受けて少し内側、下向きに変形すれば、このリードは
他のリードと比較して少し左下においてレーザ光を反射
することとなり、左右両エッジ間の距離は他のリードの
0.29mmよりは小さくなる。
【0009】図4も図3(b)と同様の図である。図4
(a)において、1ないし7は反射された光像を示し、
これらの内の1、3、5および7はトレイ表面からの反
射光像であり、2、4、および6はICリードからの反
射光像である。レーザ・スリット光は直線走査され、ト
レイ表面は平面であるものとすると、トレイ表面からの
反射光像1、3、5および7は図示される通り一直線上
に整列する。ICリードが互いに共面上にあればこれら
からの反射光像2、4、および6も同様に一直線上に整
列する筈である。ここで、1−2、3−4および5−6
それぞれの間のピッチを測定したところ、これらはすべ
て互いに等しいことから、トレイ表面は平面であるこ
と、ICリードは互いに共面上にあること、更にはトレ
イ表面とICリードが存在する共面とは平行であること
がわかる。結局、図4(a)は反射光像2、4および6
に対応するICリードの何れも正常な規定状態にあるこ
とを示している。
【0010】図4(b)においては、1、3、5および
7はトレイ表面からの反射光像であり、2、4、および
6はICリードからの反射光像である。ここで、反射光
像3と反射光像4の間のピッチのみは大きい。この場
合、リードは少し上向きに屈曲変形していることを示し
ている。トレイ表面の反射率が小さく、そこからのから
の反射光像が弱くて図5(a)および図5(b)の如き
像が得られる場合もある。この場合も、画像に仮想基準
線を設けることは容易であり、これを基準にしてICリ
ードの光像の右側エッジとの間の距離を測定することに
よりICリードの屈曲変形を認識することができる。
【0011】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、IC
リードの3次元の屈曲変形を、ICリードをトレイから
取り出すことをせずに収容したまま非接触で検知するこ
とができる。従って、ICリードの検査終了後にこれを
再びトレイに収容すると言う行程は本来的に存在しない
ので、検査に合格して良品とされたものを不良品にして
しまうと言う様なことは有り得ないこととなった。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の模式図。
【図2】ICとX−Y−θアームの関係を示す図。
【図3】ICリードおよびトレイ上面からの反射光像を
説明するための図。
【図4】ICリードおよびトレイ上面からの反射光像を
説明するための図。
【図5】ICリードおよびトレイ上面からの反射光像を
説明するための図。
【符号の説明】
1 トレイ 2 半導体集積装置 3 リード 5 レーザ・スリット平行光源 4 画像取込み用カメラ X−Y−θ アーム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トレイ上面に載置収容された半導体集積
    装置のリードの屈曲変形を検出するための画像を形成す
    るレーザ・スリット平行光源および画像取込み用カメラ
    をX−Y−θアームに具備せしめたことを特徴とする半
    導体集積装置リードの検査装置。
JP4003082A 1992-01-10 1992-01-10 半導体集積装置リードの検査装置 Withdrawn JPH05187846A (ja)

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JPH05187846A true JPH05187846A (ja) 1993-07-27

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ID=11547421

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JP (1) JPH05187846A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573771B1 (ko) * 2004-06-25 2006-04-25 삼성전자주식회사 갠트리장치
JP2006133050A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Sick Optex Kk カウントセンサ
KR100887566B1 (ko) * 2007-06-07 2009-03-09 코리아테크노(주) 자동 검사장비의 마스크 촬영장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100573771B1 (ko) * 2004-06-25 2006-04-25 삼성전자주식회사 갠트리장치
JP2006133050A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Sick Optex Kk カウントセンサ
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Effective date: 19990408