JPH05183030A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05183030A JPH05183030A JP36033091A JP36033091A JPH05183030A JP H05183030 A JPH05183030 A JP H05183030A JP 36033091 A JP36033091 A JP 36033091A JP 36033091 A JP36033091 A JP 36033091A JP H05183030 A JPH05183030 A JP H05183030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance value
- resistance
- measuring
- monitor
- monitor pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置に設けた抵抗値測定用モニターパ
ターンの抵抗値を正確かつ容易に測定でき、しかも測定
値が製造仕様に適合しているか否かを迅速に判断するこ
とを可能にする。 【構成】 半導体装置に設けた第２の抵抗値測定用モニ
ターパターン（多結晶シリコン８〜１５、コンタクト１
６〜３１、配線３２〜４０、パッド４１，４２）を、同
一形状をした複数の抵抗素子を組み合わせて、第１の抵
抗値測定用モニターパターン（多結晶シリコン１，コン
タクト２，３、配線４，５、パッド６，７）と同一の抵
抗値、或いは両者を所定の抵抗値に設定し、両モニター
パターンの測定を容易にかつ高精度に行うとともに、測
定値の良否を直ちに判定可能とする。
ターンの抵抗値を正確かつ容易に測定でき、しかも測定
値が製造仕様に適合しているか否かを迅速に判断するこ
とを可能にする。 【構成】 半導体装置に設けた第２の抵抗値測定用モニ
ターパターン（多結晶シリコン８〜１５、コンタクト１
６〜３１、配線３２〜４０、パッド４１，４２）を、同
一形状をした複数の抵抗素子を組み合わせて、第１の抵
抗値測定用モニターパターン（多結晶シリコン１，コン
タクト２，３、配線４，５、パッド６，７）と同一の抵
抗値、或いは両者を所定の抵抗値に設定し、両モニター
パターンの測定を容易にかつ高精度に行うとともに、測
定値の良否を直ちに判定可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は抵抗素子を有する半導体
装置に関し、特に抵抗素子の抵抗値を測定するための抵
抗値測定用モニターパターンに関する。
装置に関し、特に抵抗素子の抵抗値を測定するための抵
抗値測定用モニターパターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、抵抗素子としてＰ型或いはＮ型の
不純物を拡散した多結晶シリコンを使用する半導体集積
回路装置において、その抵抗素子の抵抗値を測定する場
合、集積回路チップ内部に使用されている回路構成上重
要な基準となるべき抵抗を数種類形成している。例え
ば、ＥＣＬのカレントスイッチ部の負荷抵抗や出力回路
の負荷抵抗等を測定するための基準抵抗として、図３
（ａ）及び（ｂ）のような抵抗値測定用モニターパター
ンを集積回路チップ内部に構成していた。そして、この
ようなモニターパターンの抵抗値を測定することで、回
路内の抵抗素子の抵抗値を測定する。
不純物を拡散した多結晶シリコンを使用する半導体集積
回路装置において、その抵抗素子の抵抗値を測定する場
合、集積回路チップ内部に使用されている回路構成上重
要な基準となるべき抵抗を数種類形成している。例え
ば、ＥＣＬのカレントスイッチ部の負荷抵抗や出力回路
の負荷抵抗等を測定するための基準抵抗として、図３
（ａ）及び（ｂ）のような抵抗値測定用モニターパター
ンを集積回路チップ内部に構成していた。そして、この
ようなモニターパターンの抵抗値を測定することで、回
路内の抵抗素子の抵抗値を測定する。
【０００３】図３（ａ）は抵抗値 4.0ＫΩのＥＣＬのカ
レントスイッチ部の負荷抵抗を測定するためのモニター
パターンである。Ｐ型の不純物を拡散した多結晶シリコ
ン７０上に開口したコンタクト７１及びコンタクト７２
の相対する二辺の間隔が3.49μｍ、多結晶シリコン７０
の幅が 2.0μｍであり、層抵抗ρs ＝ 1.6ＫΩである。
多結晶シリコン７０はコンタクト７１及びコンタクト７
２より夫々配線７３，配線７４に接続し、配線７３，７
４は夫々パッド７５，７６に接続している。
レントスイッチ部の負荷抵抗を測定するためのモニター
パターンである。Ｐ型の不純物を拡散した多結晶シリコ
ン７０上に開口したコンタクト７１及びコンタクト７２
の相対する二辺の間隔が3.49μｍ、多結晶シリコン７０
の幅が 2.0μｍであり、層抵抗ρs ＝ 1.6ＫΩである。
多結晶シリコン７０はコンタクト７１及びコンタクト７
２より夫々配線７３，配線７４に接続し、配線７３，７
４は夫々パッド７５，７６に接続している。
【０００４】図３（ｂ）は抵抗値 0.5ＫΩのＥＣＬ出力
回路の負荷抵抗を測定するためのモニターパターンであ
る。Ｐ型の不純物を拡散した多結晶シリコン７７上に開
口したコンタクト７８及びコンタクト７９の相対する二
辺の間隔が 2.4μｍ、多結晶シリコン７７の幅が18.0μ
ｍであり、層抵抗ρs ＝ 1.6ＫΩである。多結晶シリコ
ン７７はコンタクト７８及びコンタクト７９より夫々配
線８０，配線８１に接続し、配線８０，８１はパッド８
２，８３に夫々接続している。
回路の負荷抵抗を測定するためのモニターパターンであ
る。Ｐ型の不純物を拡散した多結晶シリコン７７上に開
口したコンタクト７８及びコンタクト７９の相対する二
辺の間隔が 2.4μｍ、多結晶シリコン７７の幅が18.0μ
ｍであり、層抵抗ρs ＝ 1.6ＫΩである。多結晶シリコ
ン７７はコンタクト７８及びコンタクト７９より夫々配
線８０，配線８１に接続し、配線８０，８１はパッド８
２，８３に夫々接続している。
【０００５】このような抵抗素子の抵抗値は多結晶シリ
コン抵抗体としての長さと幅と厚みと拡散される不純物
の濃度を適当にとる事によって決められる。このとき抵
抗値を決定する幅と厚みは多結晶シリコンの幅と厚みに
よって決定し、これらは製造条件より決定する。抵抗体
としての長さは多結晶シリコン自体の長さではなく、多
結晶シリコン上に開口する２つのコンタクトの相対する
二辺の間隔によって決定できる。又、層抵抗ρs は多結
晶シリコンの厚みと、拡散される不純物の濃度を適当に
とることによって決定でき、一般にこの値は数百Ωから
数ＫΩである。
コン抵抗体としての長さと幅と厚みと拡散される不純物
の濃度を適当にとる事によって決められる。このとき抵
抗値を決定する幅と厚みは多結晶シリコンの幅と厚みに
よって決定し、これらは製造条件より決定する。抵抗体
としての長さは多結晶シリコン自体の長さではなく、多
結晶シリコン上に開口する２つのコンタクトの相対する
二辺の間隔によって決定できる。又、層抵抗ρs は多結
晶シリコンの厚みと、拡散される不純物の濃度を適当に
とることによって決定でき、一般にこの値は数百Ωから
数ＫΩである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の抵抗値
測定用モニターパターンは、各半導体装置毎に夫々独自
の抵抗値に設定されるため、各々の抵抗値が大きく異な
っている場合には、測定機器のレンジ切り換えや、低抵
抗時には測定系の抵抗などの影響を受け、抵抗の比精度
などの計算に誤差を生じ、正確な測定が困難になるとい
う問題がある。又、夫々の製品のモニターパターンの抵
抗値が異なるため、現場作業者は製造仕様書のスペック
を見なければ、測定値が製造仕様書のスペックを満足し
ているかどうかわからないという問題があった。本発明
の目的は、抵抗値測定用モニターパターンの抵抗値を正
確かつ容易に測定することができ、しかも測定値が製造
仕様に適合しているか否かを迅速に判断することを可能
にした抵抗値測定用モニターパターンを有する半導体装
置を提供することにある。
測定用モニターパターンは、各半導体装置毎に夫々独自
の抵抗値に設定されるため、各々の抵抗値が大きく異な
っている場合には、測定機器のレンジ切り換えや、低抵
抗時には測定系の抵抗などの影響を受け、抵抗の比精度
などの計算に誤差を生じ、正確な測定が困難になるとい
う問題がある。又、夫々の製品のモニターパターンの抵
抗値が異なるため、現場作業者は製造仕様書のスペック
を見なければ、測定値が製造仕様書のスペックを満足し
ているかどうかわからないという問題があった。本発明
の目的は、抵抗値測定用モニターパターンの抵抗値を正
確かつ容易に測定することができ、しかも測定値が製造
仕様に適合しているか否かを迅速に判断することを可能
にした抵抗値測定用モニターパターンを有する半導体装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体装置に設けた第２の抵抗値測定用モニターパター
ンを、同一形状をした複数の抵抗素子を組み合わせて、
第１の抵抗値測定用モニターパターンと同一の抵抗値に
なるように形成する。又、第１及び第２の各抵抗値測定
用モニターパターンの抵抗値を所定の抵抗値に設定して
もよい。
半導体装置に設けた第２の抵抗値測定用モニターパター
ンを、同一形状をした複数の抵抗素子を組み合わせて、
第１の抵抗値測定用モニターパターンと同一の抵抗値に
なるように形成する。又、第１及び第２の各抵抗値測定
用モニターパターンの抵抗値を所定の抵抗値に設定して
もよい。
【０００８】
【作用】第１及び第２の抵抗値測定用モニターパターン
の抵抗値が等しいため、抵抗値の測定に際しての測定機
器のレンジ切り換えや比精度の計算等が容易になり、か
つ測定値は所定値に設定されることで測定値がスペック
を満足しているか否かを直ちに判断できる。
の抵抗値が等しいため、抵抗値の測定に際しての測定機
器のレンジ切り換えや比精度の計算等が容易になり、か
つ測定値は所定値に設定されることで測定値がスペック
を満足しているか否かを直ちに判断できる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の抵抗測定
用モニターパターンの平面図である。図１（ａ）は図３
（ａ）と同じＥＣＬのカレントスイッチに使用される抵
抗素子で、Ｐ型の不純物を拡散した層抵抗ρs ＝ 1.6Ｋ
Ωの多結晶シリコン１上にコンタクト２，３を設け配線
４，５を接続した抵抗値 4.0ＫΩの基準となるモニター
パターンである。又、図１（ｂ）は、図３（ｂ）と同じ
抵抗値 0.5ＫΩの抵抗素子を配線３２〜４０によって８
個直列に接続する事によって抵抗値の測定値が図１
（ａ）の抵抗測定用モニターパターンと同じになるよう
に形成した抵抗測定用モニターパターンである。
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の抵抗測定
用モニターパターンの平面図である。図１（ａ）は図３
（ａ）と同じＥＣＬのカレントスイッチに使用される抵
抗素子で、Ｐ型の不純物を拡散した層抵抗ρs ＝ 1.6Ｋ
Ωの多結晶シリコン１上にコンタクト２，３を設け配線
４，５を接続した抵抗値 4.0ＫΩの基準となるモニター
パターンである。又、図１（ｂ）は、図３（ｂ）と同じ
抵抗値 0.5ＫΩの抵抗素子を配線３２〜４０によって８
個直列に接続する事によって抵抗値の測定値が図１
（ａ）の抵抗測定用モニターパターンと同じになるよう
に形成した抵抗測定用モニターパターンである。
【００１０】このようにして、図１（ｂ）の抵抗値測定
用モニターパターンの抵抗値を図１（ａ）の抵抗値測定
用モニターパターンの基準抵抗値と同じになるように構
成すれば、測定系の抵抗、測定機器のレンジ切り替えな
どの影響を受けないので、抵抗の比精度などが正確に測
定できる。
用モニターパターンの抵抗値を図１（ａ）の抵抗値測定
用モニターパターンの基準抵抗値と同じになるように構
成すれば、測定系の抵抗、測定機器のレンジ切り替えな
どの影響を受けないので、抵抗の比精度などが正確に測
定できる。
【００１１】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例の抵抗測定用モニターパターンの平面図である。図２
（ａ）は抵抗値 4.0ＫΩの図３（ａ）と同じ抵抗素子を
配線５５，５６を用いて４個並列に配置、配線すること
により抵抗値が 1.0ＫΩになるように抵抗値測定用モニ
ターパターンを形成したものである。図２（ｂ）は抵抗
値 0.5ＫΩの図３（Ｂ）と同じ抵抗素子を配線６５〜６
７を用いて２個直列に配置、配線することにより抵抗値
が 1.0ＫΩになるように抵抗測定用モニターパターンを
形成したものである。
例の抵抗測定用モニターパターンの平面図である。図２
（ａ）は抵抗値 4.0ＫΩの図３（ａ）と同じ抵抗素子を
配線５５，５６を用いて４個並列に配置、配線すること
により抵抗値が 1.0ＫΩになるように抵抗値測定用モニ
ターパターンを形成したものである。図２（ｂ）は抵抗
値 0.5ＫΩの図３（Ｂ）と同じ抵抗素子を配線６５〜６
７を用いて２個直列に配置、配線することにより抵抗値
が 1.0ＫΩになるように抵抗測定用モニターパターンを
形成したものである。
【００１２】この第２実施例においては、抵抗測定用モ
ニターパターン全ての測定値が 1.0ＫΩになるように抵
抗測定用モニターパターンを形成した事により、製造ラ
インで多種の製品を製作する場合でも、夫々の製品のモ
ニターパターンの抵抗値が等しいことになるので、現場
作業者は製造仕様書のスペックを見なくても、測定値を
見るだけで製造仕様書のスペックを満足するかどうかす
ぐに判断できる。又、抵抗測定用モニターパターンの抵
抗値を自由に設定することも可能である。
ニターパターン全ての測定値が 1.0ＫΩになるように抵
抗測定用モニターパターンを形成した事により、製造ラ
インで多種の製品を製作する場合でも、夫々の製品のモ
ニターパターンの抵抗値が等しいことになるので、現場
作業者は製造仕様書のスペックを見なくても、測定値を
見るだけで製造仕様書のスペックを満足するかどうかす
ぐに判断できる。又、抵抗測定用モニターパターンの抵
抗値を自由に設定することも可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、全ての抵
抗測定用モニターパターンの測定値が基準となる抵抗と
同じになるように抵抗測定用モニターパターンを形成し
たので、測定系の抵抗、測定機器のレンジ切り換えなど
の影響を受けることがなく、抵抗の比精度などが正確に
測定できるという効果を有する。又、全ての抵抗測定用
モニターパターンの測定値が例えば１ＫΩのように一定
の値になるように形成しておけば、製造ラインで多種の
製品を製作する場合でも、夫々の製品のモニターパター
ンの抵抗値が等しいので、現場作業者が製造仕様書のス
ペックを見なくても、測定値を見ただけで製造仕様書の
スペックを満足するかどうか、すぐに判断できるという
効果を有する。
抗測定用モニターパターンの測定値が基準となる抵抗と
同じになるように抵抗測定用モニターパターンを形成し
たので、測定系の抵抗、測定機器のレンジ切り換えなど
の影響を受けることがなく、抵抗の比精度などが正確に
測定できるという効果を有する。又、全ての抵抗測定用
モニターパターンの測定値が例えば１ＫΩのように一定
の値になるように形成しておけば、製造ラインで多種の
製品を製作する場合でも、夫々の製品のモニターパター
ンの抵抗値が等しいので、現場作業者が製造仕様書のス
ペックを見なくても、測定値を見ただけで製造仕様書の
スペックを満足するかどうか、すぐに判断できるという
効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置における抵抗測定用モニタ
ーパターンのレイアウト図である。
ーパターンのレイアウト図である。
【図２】本発明の半導体装置における第２実施例の抵抗
測定用モニターパターンのレイアウト図である。
測定用モニターパターンのレイアウト図である。
【図３】従来の抵抗測定用モニターパターンのレイアウ
ト図である。
ト図である。
１，８〜１５ 多結晶シリコン抵抗体 ２，３，１６〜３１ コンタクト ４，５，３２〜４０ 配線 ６，７，４１，４２ パッド
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも第１と第２の各抵抗値測定用
モニターパターンを有する集積回路装置において、前記
第２の抵抗値測定用モニターパターンは、同一形状をし
た複数の抵抗素子を組み合わせて、前記第１の抵抗値測
定用モニターパターンと同一の抵抗値になるように形成
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 第１及び第２の各抵抗値測定用モニター
パターンの抵抗値を所定の抵抗値に設定してなる請求項
１の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36033091A JPH05183030A (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36033091A JPH05183030A (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183030A true JPH05183030A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18468937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36033091A Pending JPH05183030A (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183030A (ja) |
-
1991
- 1991-12-30 JP JP36033091A patent/JPH05183030A/ja active Pending
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