JPH05182230A - 光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光学的情報記録再生装置Info
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- JPH05182230A JPH05182230A JP4018450A JP1845092A JPH05182230A JP H05182230 A JPH05182230 A JP H05182230A JP 4018450 A JP4018450 A JP 4018450A JP 1845092 A JP1845092 A JP 1845092A JP H05182230 A JPH05182230 A JP H05182230A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報記録媒体と装置の互換性を保証し、どの
記録媒体であってもそれに最適な発光波長で情報の記
録、再生を行えるようにする。 【構成】 半導体レーザのレーザ光束を用いて光学的情
報記録媒体に光学的に情報を記録、あるいは記録情報を
再生する情報記録再生装置において、前記記録媒体の適
するレーザ波長を検出するための手段と、前記半導体レ
ーザをそれぞれ異なる波長で発振させる複数の駆動手段
と、前記検出手段の検出結果に応じて前記駆動手段の中
から記録媒体の波長に対応した駆動手段を選択するため
の手段とを設ける。
記録媒体であってもそれに最適な発光波長で情報の記
録、再生を行えるようにする。 【構成】 半導体レーザのレーザ光束を用いて光学的情
報記録媒体に光学的に情報を記録、あるいは記録情報を
再生する情報記録再生装置において、前記記録媒体の適
するレーザ波長を検出するための手段と、前記半導体レ
ーザをそれぞれ異なる波長で発振させる複数の駆動手段
と、前記検出手段の検出結果に応じて前記駆動手段の中
から記録媒体の波長に対応した駆動手段を選択するため
の手段とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクなどの
光学的情報記録媒体に情報を記録したり、あるいはその
記録媒体から記録情報を再生する光学的情報記録再生装
置に関するものである。
光学的情報記録媒体に情報を記録したり、あるいはその
記録媒体から記録情報を再生する光学的情報記録再生装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気ディスク装置あるいは相変
化型光ディスク装置などにおいては、媒体サイズが５．
２５インチのものが実用化されている。しかし、これで
は媒体サイズが大きく、当然ドライブ装置サイズも大き
くなってしまうという欠点があった。このため、最近で
は３．５インチサイズのより小型な光ディスク媒体、お
よびそのドライブ装置が盛んに研究されている。ところ
が、このように媒体サイズを小さくしてしまうと、１枚
の記録媒体内に記録可能な情報容量が低下してしまう。
これを克服するために、より高密度な情報記録再生を可
能とする技術の開発に力がそそがれている。半導体レー
ザの発振波長を短波長化しようとする試みがその１つで
ある。こうする事により、従来よりも小さな光スポット
を作成する事が可能となり、従来以上の高密度な情報記
録再生を達成することができる。半導体レーザの発振波
長は、最近では７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レ
ーザが実用化に近づいてきている。そして、従来の半導
体レーザ発振波長が８３０ｎｍであった場合に比べる
と、原理的に光スポットサイズを１／１．０６に小さく
することができる。
化型光ディスク装置などにおいては、媒体サイズが５．
２５インチのものが実用化されている。しかし、これで
は媒体サイズが大きく、当然ドライブ装置サイズも大き
くなってしまうという欠点があった。このため、最近で
は３．５インチサイズのより小型な光ディスク媒体、お
よびそのドライブ装置が盛んに研究されている。ところ
が、このように媒体サイズを小さくしてしまうと、１枚
の記録媒体内に記録可能な情報容量が低下してしまう。
これを克服するために、より高密度な情報記録再生を可
能とする技術の開発に力がそそがれている。半導体レー
ザの発振波長を短波長化しようとする試みがその１つで
ある。こうする事により、従来よりも小さな光スポット
を作成する事が可能となり、従来以上の高密度な情報記
録再生を達成することができる。半導体レーザの発振波
長は、最近では７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レ
ーザが実用化に近づいてきている。そして、従来の半導
体レーザ発振波長が８３０ｎｍであった場合に比べる
と、原理的に光スポットサイズを１／１．０６に小さく
することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、短
波長発振する半導体レーザを用いた光ディスク装置に対
して従来の長波長発振する半導体レーザを用いた光ディ
スク装置用の媒体を使用した場合、同じディスクサイズ
であっても、そのままでは正しく情報を再生することが
できない。すなわち、光ディスク媒体には光スポットを
正しく情報トラックに導くための溝（グルーブ）、情報
トラックの物理的な位置を示すためのトラックナンバー
あるいはセクターマークなどがプリピットとして、凹凸
構造で刻まれている。この凹凸量は、既め記録再生に用
いられる半導体レーザの波長に最適になるように設定さ
れている。このため、例えば８３０ｎｍの半導体レーザ
光に対して最適設計された溝深さ、プリピット凹凸量を
有する光ディスクに、７８０ｎｍの発振波長の半導体レ
ーザを用いる光ヘッドをもってきても、正しくトラッキ
ングさせる事はできないし、トラックナンバー情報を正
しく再生する事もむずかしい。このように高密度記録再
生が可能な光ディスク装置においては、従来装置用の記
録媒体の情報を正しく再生できないという大きな問題点
があった。
波長発振する半導体レーザを用いた光ディスク装置に対
して従来の長波長発振する半導体レーザを用いた光ディ
スク装置用の媒体を使用した場合、同じディスクサイズ
であっても、そのままでは正しく情報を再生することが
できない。すなわち、光ディスク媒体には光スポットを
正しく情報トラックに導くための溝（グルーブ）、情報
トラックの物理的な位置を示すためのトラックナンバー
あるいはセクターマークなどがプリピットとして、凹凸
構造で刻まれている。この凹凸量は、既め記録再生に用
いられる半導体レーザの波長に最適になるように設定さ
れている。このため、例えば８３０ｎｍの半導体レーザ
光に対して最適設計された溝深さ、プリピット凹凸量を
有する光ディスクに、７８０ｎｍの発振波長の半導体レ
ーザを用いる光ヘッドをもってきても、正しくトラッキ
ングさせる事はできないし、トラックナンバー情報を正
しく再生する事もむずかしい。このように高密度記録再
生が可能な光ディスク装置においては、従来装置用の記
録媒体の情報を正しく再生できないという大きな問題点
があった。
【０００４】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、その目的は情報記録媒体と装置の
互換性を保証し、どの記録媒体であってもそれに最適な
発光波長で情報の記録、再生を行えるようにした光学的
情報記録再生装置を提供することにある。
めになされたもので、その目的は情報記録媒体と装置の
互換性を保証し、どの記録媒体であってもそれに最適な
発光波長で情報の記録、再生を行えるようにした光学的
情報記録再生装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、半導体
レーザのレーザ光束を用いて光学的情報記録媒体に光学
的に情報を記録、あるいは記録情報を再生する情報記録
再生装置において、前記記録媒体の適するレーザ波長を
検出するための手段と、前記半導体レーザをそれぞれ異
なる波長で発振させる複数の駆動手段と、前記検出手段
の検出結果に応じて前記駆動手段の中から記録媒体の波
長に対応した駆動手段を選択するための手段とを設けた
ことを特徴とする光学的情報記録再生装置によって達成
される。
レーザのレーザ光束を用いて光学的情報記録媒体に光学
的に情報を記録、あるいは記録情報を再生する情報記録
再生装置において、前記記録媒体の適するレーザ波長を
検出するための手段と、前記半導体レーザをそれぞれ異
なる波長で発振させる複数の駆動手段と、前記検出手段
の検出結果に応じて前記駆動手段の中から記録媒体の波
長に対応した駆動手段を選択するための手段とを設けた
ことを特徴とする光学的情報記録再生装置によって達成
される。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の光学的情報記録再
生装置の一実施例を示したブロック図である。なお、図
１では本発明の要部の構成のみ示している。図１におい
て、１は情報記録媒体であるところの光磁気ディスクで
あり、光ビームの照射及び記録信号に応じて変調された
磁界の印加によって情報が記録される。また、磁気光学
効果を用いて記録情報が再生される。光磁気ディスク１
には、後述するように短波長対応媒体、即ち半導体レー
ザの発振波長が７８０ｎｍの短波長に対応した記録媒体
であるか否かを示す情報が付加されている。この情報の
形態としては、光磁気ディスク１を保護するカートリッ
ジケース上に、光学的に検出可能なマークとして記録さ
れている。２はこのマークを光学的に検出するためのセ
ンサー、３はセンサー２の検知信号により光磁気ディス
ク１が短波長対応のものであるかを判定するための判定
回路である。８は記録再生用光源である半導体レーザ、
第１レーザ駆動回路４、第２レーザ駆動回路５、切換ス
イッチ６、あるいは図示しない各種光学部品などから構
成された光ヘッドである。切換スイッチ６は判定回路３
の判定結果に従って第１、第２レーザ駆動回路４，５の
うちいずれかを選択する。また、半導体レーザ７のレー
ザ光束を微小光スポットに絞って光磁気ディスク１上に
照射して情報の記録や再生を行う。
して詳細に説明する。図１は本発明の光学的情報記録再
生装置の一実施例を示したブロック図である。なお、図
１では本発明の要部の構成のみ示している。図１におい
て、１は情報記録媒体であるところの光磁気ディスクで
あり、光ビームの照射及び記録信号に応じて変調された
磁界の印加によって情報が記録される。また、磁気光学
効果を用いて記録情報が再生される。光磁気ディスク１
には、後述するように短波長対応媒体、即ち半導体レー
ザの発振波長が７８０ｎｍの短波長に対応した記録媒体
であるか否かを示す情報が付加されている。この情報の
形態としては、光磁気ディスク１を保護するカートリッ
ジケース上に、光学的に検出可能なマークとして記録さ
れている。２はこのマークを光学的に検出するためのセ
ンサー、３はセンサー２の検知信号により光磁気ディス
ク１が短波長対応のものであるかを判定するための判定
回路である。８は記録再生用光源である半導体レーザ、
第１レーザ駆動回路４、第２レーザ駆動回路５、切換ス
イッチ６、あるいは図示しない各種光学部品などから構
成された光ヘッドである。切換スイッチ６は判定回路３
の判定結果に従って第１、第２レーザ駆動回路４，５の
うちいずれかを選択する。また、半導体レーザ７のレー
ザ光束を微小光スポットに絞って光磁気ディスク１上に
照射して情報の記録や再生を行う。
【０００７】図２にカートリッジケースとマーク検出用
センサを示す。図２において、１０は光磁気ディスク１
を保護するためのカートリッジケースであり、この上に
マーク１１が設けられている。９はマーク読み取り用Ｌ
ＥＤ光源、１２は反射光集光用のレンズであり、マーク
１１により反射された光量が光電変換センサー２により
検出される。本実施例においては、短波長用の光磁気デ
ィスクに対して、マーク部の反射率がケースの平均表面
反射率より低下するようにマーク１１の反射率が設定さ
れている。この反射率低下はセンサー２で入射光量レベ
ルの変化として検知される。センサー２の信号は判定回
路３へ出力され、ここでセンサ出力レベルに従って光磁
気ディスク１が短波長対応のディスクか否かが判定され
る。そして、この判定結果によりスイッチ６が切換えら
れ、光ヘッド８内の半導体レーザ７を第１レーザ駆動回
路４により駆動するのか、第２レーザ駆動回路５により
駆動するのかが選択される。
センサを示す。図２において、１０は光磁気ディスク１
を保護するためのカートリッジケースであり、この上に
マーク１１が設けられている。９はマーク読み取り用Ｌ
ＥＤ光源、１２は反射光集光用のレンズであり、マーク
１１により反射された光量が光電変換センサー２により
検出される。本実施例においては、短波長用の光磁気デ
ィスクに対して、マーク部の反射率がケースの平均表面
反射率より低下するようにマーク１１の反射率が設定さ
れている。この反射率低下はセンサー２で入射光量レベ
ルの変化として検知される。センサー２の信号は判定回
路３へ出力され、ここでセンサ出力レベルに従って光磁
気ディスク１が短波長対応のディスクか否かが判定され
る。そして、この判定結果によりスイッチ６が切換えら
れ、光ヘッド８内の半導体レーザ７を第１レーザ駆動回
路４により駆動するのか、第２レーザ駆動回路５により
駆動するのかが選択される。
【０００８】図３に半導体レーザ７の断面構造を示す。
また、図４に半導体レーザ７の活性層付近のエネルギー
バンドを示す。図３、図４に示すようにこの半導体レー
ザの構造としては、８０Å ＧａＡｓ井戸１３と６０Å
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ井戸１４が３００Å Ａｌ0.36
Ｇａ0.64Ａｓ障壁１５により隔てられており、その上下
は５００Å ＧＲＩＮ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ−Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ光・キャリアの閉じ込め層（ＳＣＨ
層）１６，１７ではさまれている。また、レーザの膜構
成は、図３に示すようにｎ+ −ＧａＡｓ基板２２上に
０．５μｍのｎ+ −ＧａＡｓバッファ層２０、１．５μ
ｍのｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ下部クラッド層１８、Ｓ
ＣＨ層１６、井戸層１３、障壁層１５、井戸層１４、Ｓ
ＣＨ層１７、１．５μｍのｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ上
部クラッド層１９、０．５μｍ ｐ+ −ＧａＡｓキャッ
プ層２１が、分子線エピタキシャル法により積層されて
いる。そして、ｐ側にはＡｕ／Ｃｒ電極２３、ｎ側には
Ａｕ−Ｇｅ／Ａｕ電極２４が蒸着され、オーミックコン
タクトをとってアロイ化してある。なお、活性層付近の
１６，１３，１５，１４，１７は全てドーピングを行っ
ていない。本実施例の半導体レーザ７の共振方向に垂直
な横方向の構造は、リッジ導波路型構造や埋込み導波路
型構造のような屈折率導波型の構造でも、電極ストライ
プ型構造のような利得導波型の構造でも有効である。
また、図４に半導体レーザ７の活性層付近のエネルギー
バンドを示す。図３、図４に示すようにこの半導体レー
ザの構造としては、８０Å ＧａＡｓ井戸１３と６０Å
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ井戸１４が３００Å Ａｌ0.36
Ｇａ0.64Ａｓ障壁１５により隔てられており、その上下
は５００Å ＧＲＩＮ Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ−Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ光・キャリアの閉じ込め層（ＳＣＨ
層）１６，１７ではさまれている。また、レーザの膜構
成は、図３に示すようにｎ+ −ＧａＡｓ基板２２上に
０．５μｍのｎ+ −ＧａＡｓバッファ層２０、１．５μ
ｍのｎ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ下部クラッド層１８、Ｓ
ＣＨ層１６、井戸層１３、障壁層１５、井戸層１４、Ｓ
ＣＨ層１７、１．５μｍのｐ−Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ上
部クラッド層１９、０．５μｍ ｐ+ −ＧａＡｓキャッ
プ層２１が、分子線エピタキシャル法により積層されて
いる。そして、ｐ側にはＡｕ／Ｃｒ電極２３、ｎ側には
Ａｕ−Ｇｅ／Ａｕ電極２４が蒸着され、オーミックコン
タクトをとってアロイ化してある。なお、活性層付近の
１６，１３，１５，１４，１７は全てドーピングを行っ
ていない。本実施例の半導体レーザ７の共振方向に垂直
な横方向の構造は、リッジ導波路型構造や埋込み導波路
型構造のような屈折率導波型の構造でも、電極ストライ
プ型構造のような利得導波型の構造でも有効である。
【０００９】ここで、この半導体レーザ７において、Ｉ
への電流値を変えた場合、図５に示すようなＩ−Ｌ特性
が得られる。すなわち、しきい値電流Ｉthから電流値が
増加するにしたがい、まずλ1 での発振が生じ、さらに
電流値を増加させてゆくと、λ1 の光強度の増加が止ま
り、λ2 の発振が始まる。この時、Ｉ1 〜Ｉ2 の間での
電流値Ｉ3 に対しては、λ1 ，λ2 の両波長光がレーザ
射出端から発光する。また、Ｉ2 より以上の電流値に対
しては、λ1 は発光せず、λ2 のみ発光する。なお、λ
1 ，λ2 は図４に示した２つのエネルギーギャップＥｇ
1 ，Ｅｇ2 に対応した周波数の光を波長で示したもので
ある。本実施例においては、λ1 が８３０ｎｍ、λ2 が
７８０ｎｍに相当する。
への電流値を変えた場合、図５に示すようなＩ−Ｌ特性
が得られる。すなわち、しきい値電流Ｉthから電流値が
増加するにしたがい、まずλ1 での発振が生じ、さらに
電流値を増加させてゆくと、λ1 の光強度の増加が止ま
り、λ2 の発振が始まる。この時、Ｉ1 〜Ｉ2 の間での
電流値Ｉ3 に対しては、λ1 ，λ2 の両波長光がレーザ
射出端から発光する。また、Ｉ2 より以上の電流値に対
しては、λ1 は発光せず、λ2 のみ発光する。なお、λ
1 ，λ2 は図４に示した２つのエネルギーギャップＥｇ
1 ，Ｅｇ2 に対応した周波数の光を波長で示したもので
ある。本実施例においては、λ1 が８３０ｎｍ、λ2 が
７８０ｎｍに相当する。
【００１０】図６に第１レーザ駆動回路４のレーザ駆動
電流２５を示す。第１レーザ駆動回路４においては、Ｉ
thと同じかこれよりも低いバイアス電流ＩL からパルス
電流高さＩH （ＩH はＩ1 よりわずかに低い）の１つの
パルス長がほぼ２ｎｓｅｃ程度のパルス駆動電流２５を
発生する。この駆動電流２５により半導体レーザ７を駆
動すると、このレーザからはλ1 の波長光のみを得るこ
とができる。また、図７に第２レーザ駆動回路５のレー
ザ駆動電流２６を示す。第２レーザ駆動回路５において
は、図６との比較で明らかなように、第１レーザ駆動回
路４のＩL よりも小さいＩB からＩ2 と同じかわずかに
大きいＩT までのパルス駆動電流２６を発生する。この
駆動電流２６を半導体レーザ７に印加すると、レーザか
らλ2 の発光長のみを得ることができる。
電流２５を示す。第１レーザ駆動回路４においては、Ｉ
thと同じかこれよりも低いバイアス電流ＩL からパルス
電流高さＩH （ＩH はＩ1 よりわずかに低い）の１つの
パルス長がほぼ２ｎｓｅｃ程度のパルス駆動電流２５を
発生する。この駆動電流２５により半導体レーザ７を駆
動すると、このレーザからはλ1 の波長光のみを得るこ
とができる。また、図７に第２レーザ駆動回路５のレー
ザ駆動電流２６を示す。第２レーザ駆動回路５において
は、図６との比較で明らかなように、第１レーザ駆動回
路４のＩL よりも小さいＩB からＩ2 と同じかわずかに
大きいＩT までのパルス駆動電流２６を発生する。この
駆動電流２６を半導体レーザ７に印加すると、レーザか
らλ2 の発光長のみを得ることができる。
【００１１】本実施例では、光磁気ディスク１を装置に
装着した場合、まず短波長対応媒体マーク１１がセンサ
ー２により検出される。そして、判定回路３において、
センサ出力によりこのディスク１が短波長対応媒体であ
ると判定されると、スイッチ６が切換えられ、第２レー
ザ駆動回路５が選択される。従って、このときは第２レ
ーザ駆動回路５の駆動により、半導体レーザ７は波長λ
2 （＝７８０ｎｍ）の光を発光し、このレーザ光束で情
報の記録、再生を行う。一方、センサー２からの出力に
より、判定回路３において光磁気ディスク１が短波長対
応ではないと判定されると、スイッチ６により第１レー
ザ駆動回路４が選択される。このときは半導体レーザ７
は第１レーザ駆動回路４の駆動によりλ1 （＝８３０ｎ
ｍ）の光を発光し、このレーザ光束で情報の記録再生を
行う。
装着した場合、まず短波長対応媒体マーク１１がセンサ
ー２により検出される。そして、判定回路３において、
センサ出力によりこのディスク１が短波長対応媒体であ
ると判定されると、スイッチ６が切換えられ、第２レー
ザ駆動回路５が選択される。従って、このときは第２レ
ーザ駆動回路５の駆動により、半導体レーザ７は波長λ
2 （＝７８０ｎｍ）の光を発光し、このレーザ光束で情
報の記録、再生を行う。一方、センサー２からの出力に
より、判定回路３において光磁気ディスク１が短波長対
応ではないと判定されると、スイッチ６により第１レー
ザ駆動回路４が選択される。このときは半導体レーザ７
は第１レーザ駆動回路４の駆動によりλ1 （＝８３０ｎ
ｍ）の光を発光し、このレーザ光束で情報の記録再生を
行う。
【００１２】このように本実施例にあっては、光磁気デ
ィスク１が短波長対応である事をディスクケース上に設
けられたマークにより判定し、この判定結果に基づいて
半導体レーザ７の駆動電流パルスを変える事により、発
光波長を記録媒体に対応して切換える事ができ、従来問
題とされていた記録媒体と装置との互換性を確保するこ
とができる。また、光磁気ディスク１からデータを再生
するだけではなく、データを書込む場合には、高出力の
レーザ光強度が必要であるが、λ2 の波長光においては
図７に示したＩT を大きくすれば、データ書込みに必要
な光強度が得られる。λ1 の波長光において、データ書
込み用に高強度光が必要な場合には、半導体レーザ７の
温度を変える事により、図５に示したＩ−Ｌ特性を低電
流側に移動させればよい。このための方法としては、半
導体レーザ７を温度制御可能なオーブンに閉じ込める、
あるいは電極２３の抵抗値を少し大きくし、ここでの発
熱を利用して半導体レーザを加熱するなどの方法があ
る。
ィスク１が短波長対応である事をディスクケース上に設
けられたマークにより判定し、この判定結果に基づいて
半導体レーザ７の駆動電流パルスを変える事により、発
光波長を記録媒体に対応して切換える事ができ、従来問
題とされていた記録媒体と装置との互換性を確保するこ
とができる。また、光磁気ディスク１からデータを再生
するだけではなく、データを書込む場合には、高出力の
レーザ光強度が必要であるが、λ2 の波長光においては
図７に示したＩT を大きくすれば、データ書込みに必要
な光強度が得られる。λ1 の波長光において、データ書
込み用に高強度光が必要な場合には、半導体レーザ７の
温度を変える事により、図５に示したＩ−Ｌ特性を低電
流側に移動させればよい。このための方法としては、半
導体レーザ７を温度制御可能なオーブンに閉じ込める、
あるいは電極２３の抵抗値を少し大きくし、ここでの発
熱を利用して半導体レーザを加熱するなどの方法があ
る。
【００１３】更に、実施例においては、λ1 ，λ2 の各
波長光が同時に使われる事はなく、λ1 波長光が適した
光磁気ディスクに対してはλ1 のみ、λ2 が適した光磁
気ディスクに対してはλ2 のみが使われる。従って、光
ディスクドライブ装置内の光ヘッド部のオートフォーカ
ス検出光学系をこの両波長に対して収差発生が少なくな
るように色消し設計しておけば、オートフォーカス制御
はλ1 ，λ2 の波長によらず正しく動作する。これによ
り、単一非球面レンズから成る対物レンズを用いた光デ
ィスクドライブに対しても本実施例は有効である。ま
た、実施例では短波長対応媒体を検出するために、ディ
スクケースに光学的検出可能なマークを設けた例を示し
たが、これはバーコードなどでもよく、さらにはケース
に機械的な凹凸の突起又は穴などを設けておき、これを
機械的に検出してもよい。更に、実施例における電流パ
ルス周波数は、高周波重畳が不要の場合には、ＩH の大
きさの直流電流を印加すればよい。また、半導体レーザ
駆動回路を必ずしも２種類設ける必要はなく、１つの駆
動回路において、電流のＩH 値（ピーク出力値）が切換
え制御できれば良い事は明らかである。
波長光が同時に使われる事はなく、λ1 波長光が適した
光磁気ディスクに対してはλ1 のみ、λ2 が適した光磁
気ディスクに対してはλ2 のみが使われる。従って、光
ディスクドライブ装置内の光ヘッド部のオートフォーカ
ス検出光学系をこの両波長に対して収差発生が少なくな
るように色消し設計しておけば、オートフォーカス制御
はλ1 ，λ2 の波長によらず正しく動作する。これによ
り、単一非球面レンズから成る対物レンズを用いた光デ
ィスクドライブに対しても本実施例は有効である。ま
た、実施例では短波長対応媒体を検出するために、ディ
スクケースに光学的検出可能なマークを設けた例を示し
たが、これはバーコードなどでもよく、さらにはケース
に機械的な凹凸の突起又は穴などを設けておき、これを
機械的に検出してもよい。更に、実施例における電流パ
ルス周波数は、高周波重畳が不要の場合には、ＩH の大
きさの直流電流を印加すればよい。また、半導体レーザ
駆動回路を必ずしも２種類設ける必要はなく、１つの駆
動回路において、電流のＩH 値（ピーク出力値）が切換
え制御できれば良い事は明らかである。
【００１４】図８に本発明の他の実施例を示す。図１の
実施例においては、光ディスクケースに設けられたマー
クを検出して、半導体レーザの発振波長を切換えていた
が、ここでは他の実施例を示す。即ち、光ディスク記録
媒体面に対して、光スポットを正しく焦点合わせさせる
オートフォーカス制御においては、光の波長は大きな役
割を果たしておらず、フォーカス検出光学系がλ1 ，λ
2 の両波長に対して収差が小さくおさえられていれば、
λ1 ，λ2 のどちらの波長においても正しくフォーカス
できる。これに対して、オートトラッキング制御はプリ
グルーブからの回折光分布を光電検出器で受光して行な
うため、波長に応じて敏感度が変化してしまい、正しい
オートトラッキングが行なえない事は既に述べたとおり
である。本実施例は、これを利用して半導体レーザの波
長を制御する例である。図８において、２７は記録、再
生用の半導体レーザであり、図９に示すような構造から
なる。即ち、先の実施例とは異なり、溝３４が設けられ
ていて、この溝３４により半導体レーザ２７は発振制御
部３５と光増幅部３６とに分けられている。そしてＩB
の電流値をλ1 ，λ2 の両波長に対して適当な増幅ゲイ
ンが得られるように一定値ＩB0にしておき、ＩA の電流
値を増加させてゆくと図５と同様なＩ−Ｌ特性が得られ
る。この半導体レーザ２７においては、ＩB の電流値を
上記ＩB0より小さくし、光増幅部３６がλ2 波長光に対
しては少し吸収特性をもつ状態にしておき、ＩA の電流
信号として先の図６、図７と同様な信号を与える事によ
り、弱い光強度のλ1 波長光、λ2 波長光を得ることが
できる。
実施例においては、光ディスクケースに設けられたマー
クを検出して、半導体レーザの発振波長を切換えていた
が、ここでは他の実施例を示す。即ち、光ディスク記録
媒体面に対して、光スポットを正しく焦点合わせさせる
オートフォーカス制御においては、光の波長は大きな役
割を果たしておらず、フォーカス検出光学系がλ1 ，λ
2 の両波長に対して収差が小さくおさえられていれば、
λ1 ，λ2 のどちらの波長においても正しくフォーカス
できる。これに対して、オートトラッキング制御はプリ
グルーブからの回折光分布を光電検出器で受光して行な
うため、波長に応じて敏感度が変化してしまい、正しい
オートトラッキングが行なえない事は既に述べたとおり
である。本実施例は、これを利用して半導体レーザの波
長を制御する例である。図８において、２７は記録、再
生用の半導体レーザであり、図９に示すような構造から
なる。即ち、先の実施例とは異なり、溝３４が設けられ
ていて、この溝３４により半導体レーザ２７は発振制御
部３５と光増幅部３６とに分けられている。そしてＩB
の電流値をλ1 ，λ2 の両波長に対して適当な増幅ゲイ
ンが得られるように一定値ＩB0にしておき、ＩA の電流
値を増加させてゆくと図５と同様なＩ−Ｌ特性が得られ
る。この半導体レーザ２７においては、ＩB の電流値を
上記ＩB0より小さくし、光増幅部３６がλ2 波長光に対
しては少し吸収特性をもつ状態にしておき、ＩA の電流
信号として先の図６、図７と同様な信号を与える事によ
り、弱い光強度のλ1 波長光、λ2 波長光を得ることが
できる。
【００１５】３０はλ1 ，λ2 でのトラック横断エラー
信号に基づいて、装着された光磁気ディスクが波長λ1
に適したものであるか、波長λ2 に適したものであるか
を判定する判定回路である。即ち、λ1 に最適な溝構造
をもつ光磁気ディスクからの規格化したトラック横断信
号の大きさは半導体レーザがλ1 で発光している時に最
大となり、λ2 ≠λ1 の発光時には、これより小さくな
るという現象を利用して、最適波長を判定しようとする
ものである。従って、この実施例においては、予め光磁
気ディスクのカートリッジケースに媒体の種別を示すマ
ークをつけておく必要がなく、マーク検出手段も不要で
ある。ここで、規格化したトラック横断信号の大きさと
は、光スポットが正しくトラッキングできず、光スポッ
トがディスクに設けられたグルーブを横切る際に発生す
るトラッキングエラー信号Ａｍをその時の半導体レーザ
の発光光強度で割算をして規格化された値である。この
トラッキングエラー信号を図１０に示す。また、第１レ
ーザ駆動回路３１はＩA として先の図６に示した電流を
発生する駆動回路、第２レーザ駆動回路３２はＩA とし
て先の図７に示した電流を発生する駆動回路である。こ
の第１、第２レーザ駆動回路３１，３２は判定回路３０
の判定結果により、スイッチ６で切り換えられる。
信号に基づいて、装着された光磁気ディスクが波長λ1
に適したものであるか、波長λ2 に適したものであるか
を判定する判定回路である。即ち、λ1 に最適な溝構造
をもつ光磁気ディスクからの規格化したトラック横断信
号の大きさは半導体レーザがλ1 で発光している時に最
大となり、λ2 ≠λ1 の発光時には、これより小さくな
るという現象を利用して、最適波長を判定しようとする
ものである。従って、この実施例においては、予め光磁
気ディスクのカートリッジケースに媒体の種別を示すマ
ークをつけておく必要がなく、マーク検出手段も不要で
ある。ここで、規格化したトラック横断信号の大きさと
は、光スポットが正しくトラッキングできず、光スポッ
トがディスクに設けられたグルーブを横切る際に発生す
るトラッキングエラー信号Ａｍをその時の半導体レーザ
の発光光強度で割算をして規格化された値である。この
トラッキングエラー信号を図１０に示す。また、第１レ
ーザ駆動回路３１はＩA として先の図６に示した電流を
発生する駆動回路、第２レーザ駆動回路３２はＩA とし
て先の図７に示した電流を発生する駆動回路である。こ
の第１、第２レーザ駆動回路３１，３２は判定回路３０
の判定結果により、スイッチ６で切り換えられる。
【００１６】次に、動作を説明する。まず、光磁気ディ
スク１がドライブ装置に装着されると、スイッチ６によ
り第１レーザ駆動回路３１を選択し、半導体レーザ２７
を波長λ1 （８３０ｎｍ）で発振させる。このとき、図
示しないサーボ制御回路によりオートフォーカス制御を
かけ、光スポットを媒体面上に合焦させる。この状態で
光磁気ディスク自体のわずかな回転偏心による規格した
トラック横断信号の大きさＡ1 を得て、これを図示しな
いメモリに記憶させる。次いで、スイッチ６により第２
レーザ駆動回路３２を選択し、半導体レーザ２７を波長
λ2 （７８０ｎｍ）で発振させる。このとき、同様に光
磁気ディスクの偏心によるトラック横断信号の大きさＡ
2 を得てメモリに記憶させる。判定回路３０は、Ａ1 と
Ａ2 を比較し、Ａ1 が大きいときはスイッチ６により第
１レーザ駆動回路３１が選択される。一方、Ａ2 が大き
いときはスイッチ６により第２レーザ駆動回路３２が選
択される。以上により、装着された光磁気ディスク１が
波長λ1 に適しているか、波長λ2 に適しているかを判
定し、判定結果に基づいて自動的に適した波長を選択す
ることができる。
スク１がドライブ装置に装着されると、スイッチ６によ
り第１レーザ駆動回路３１を選択し、半導体レーザ２７
を波長λ1 （８３０ｎｍ）で発振させる。このとき、図
示しないサーボ制御回路によりオートフォーカス制御を
かけ、光スポットを媒体面上に合焦させる。この状態で
光磁気ディスク自体のわずかな回転偏心による規格した
トラック横断信号の大きさＡ1 を得て、これを図示しな
いメモリに記憶させる。次いで、スイッチ６により第２
レーザ駆動回路３２を選択し、半導体レーザ２７を波長
λ2 （７８０ｎｍ）で発振させる。このとき、同様に光
磁気ディスクの偏心によるトラック横断信号の大きさＡ
2 を得てメモリに記憶させる。判定回路３０は、Ａ1 と
Ａ2 を比較し、Ａ1 が大きいときはスイッチ６により第
１レーザ駆動回路３１が選択される。一方、Ａ2 が大き
いときはスイッチ６により第２レーザ駆動回路３２が選
択される。以上により、装着された光磁気ディスク１が
波長λ1 に適しているか、波長λ2 に適しているかを判
定し、判定結果に基づいて自動的に適した波長を選択す
ることができる。
【００１７】ここで、図８に示したレーザ駆動回路３３
は、ＩB として印加すべき電流を発生させるレーザ駆動
回路であり、前述のＩB0を発生するものである。即ち、
以上説明した構造の半導体レーザ２７においては、デー
タ記録のために、λ1 、又はλ2 の波長の強い光量が必
要な場合には、ＩB の電流を大きくし、光増幅部３６が
λ1 ，λ2 で同じゲインになるように設定すればよく、
データの読み出し、データの書込みのモード切換えを第
３レーザ駆動回路３３のＩB の電流値レベルを切変える
事により行なう事ができる。また、本実施例の変形とし
ては、λ1 ，λ2 のどちらが光ディスクに適しているか
の光磁気ディスク種別判定を光磁気ディスクのリードイ
ン部に設けられた情報から得る事もできる。
は、ＩB として印加すべき電流を発生させるレーザ駆動
回路であり、前述のＩB0を発生するものである。即ち、
以上説明した構造の半導体レーザ２７においては、デー
タ記録のために、λ1 、又はλ2 の波長の強い光量が必
要な場合には、ＩB の電流を大きくし、光増幅部３６が
λ1 ，λ2 で同じゲインになるように設定すればよく、
データの読み出し、データの書込みのモード切換えを第
３レーザ駆動回路３３のＩB の電流値レベルを切変える
事により行なう事ができる。また、本実施例の変形とし
ては、λ1 ，λ2 のどちらが光ディスクに適しているか
の光磁気ディスク種別判定を光磁気ディスクのリードイ
ン部に設けられた情報から得る事もできる。
【００１８】なお、以上の実施例では、半導体レーザと
して図３、図９のものを示したが、これに限定されるも
のではなく、例えば図３に示した半導体レーザの電極２
３を前後に２分割し、それぞれにＩB ，ＩA の駆動電流
を加える構造としてもよい。この場合、全体の共振器損
失を最適化しておく必要がある。また、本発明は光磁気
ディスク装置に限定されるものではなく、例えばグルー
ブ、プリピットのいずれかを有し、これによってトラッ
キング制御を行ったり、再生情報を得るというような装
置に対しても適用できる。
して図３、図９のものを示したが、これに限定されるも
のではなく、例えば図３に示した半導体レーザの電極２
３を前後に２分割し、それぞれにＩB ，ＩA の駆動電流
を加える構造としてもよい。この場合、全体の共振器損
失を最適化しておく必要がある。また、本発明は光磁気
ディスク装置に限定されるものではなく、例えばグルー
ブ、プリピットのいずれかを有し、これによってトラッ
キング制御を行ったり、再生情報を得るというような装
置に対しても適用できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、情報記録
媒体の記録、再生に適する発光波長を検出し、この検出
結果に応じて半導体レーザの発光波長を切り換えること
により情報記録媒体と装置の互換性を保証し、どの情報
記録媒体であってもそれに最適なレーザ波長で情報の記
録、再生を行えるという効果がある。
媒体の記録、再生に適する発光波長を検出し、この検出
結果に応じて半導体レーザの発光波長を切り換えること
により情報記録媒体と装置の互換性を保証し、どの情報
記録媒体であってもそれに最適なレーザ波長で情報の記
録、再生を行えるという効果がある。
【図１】本発明の光学的情報記録再生装置の一実施例を
示したブロック図である。
示したブロック図である。
【図２】図１の実施例のマーク検出部の構成を示した斜
視図である。
視図である。
【図３】図１の実施例に使用される半導体レーザの構造
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図４】その半導体レーザの活性層付近のエネルギーバ
ンドを示した図である。
ンドを示した図である。
【図５】その半導体レーザのＩ−Ｌ特性を示した図であ
る。
る。
【図６】図１の実施例の第１レーザ駆動回路の電流信号
を示した図である。
を示した図である。
【図７】図１の実施例の第２レーザ駆動回路の電流信号
を示した図である。
を示した図である。
【図８】本発明の他の実施例を示したブロック図であ
る。
る。
【図９】図８の実施例に使用される半導体レーザの構造
を示した図である。
を示した図である。
【図１０】光磁気ディスク装置のトラッキングエラー信
号を示した信号波形図である。
号を示した信号波形図である。
１ 光磁気ディスク ２ センサー ３，３０ 判定回路 ４，３１ 第１レーザ駆動回路 ５，３２ 第２レーザ駆動回路 ６ スイッチ ７，２７ 半導体レーザ ８ 光ヘッド ９ ＬＥＤ光源 １０ カートリッジケース １１ マーク
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザのレーザ光束を用いて光学
的情報記録媒体に光学的に情報を記録、あるいは記録情
報を再生する情報記録再生装置において、前記記録媒体
の適するレーザ波長を検出するための手段と、前記半導
体レーザをそれぞれ異なる波長で発振させる複数の駆動
手段と、前記検出手段の検出結果に応じて前記駆動手段
の中から記録媒体の波長に対応した駆動手段を選択する
ための手段とを設けたことを特徴とする光学的情報記録
再生装置。 - 【請求項２】 前記検出手段は、情報記録媒体に予め付
加された波長情報を検出することによって、記録媒体の
適するレーザ波長を検出することを特徴とする請求項１
の光学的情報記録再生装置。 - 【請求項３】 前記検出手段は、半導体レーザを所定の
異なる波長で発振させたときに得られるトラック横断信
号の大きさの比較結果に基づいて、記録媒体の適するレ
ーザ波長を検出することを特徴とする請求項１の光学的
情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018450A JPH05182230A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 光学的情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018450A JPH05182230A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 光学的情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182230A true JPH05182230A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11971966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018450A Pending JPH05182230A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 光学的情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980004424A (ko) * | 1996-06-07 | 1998-03-30 | 구자홍 | 씨디/디브이디 겸용 광픽업장치 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP4018450A patent/JPH05182230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980004424A (ko) * | 1996-06-07 | 1998-03-30 | 구자홍 | 씨디/디브이디 겸용 광픽업장치 |
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