JPH05178694A - 無機非線型光学結晶材料 - Google Patents
無機非線型光学結晶材料Info
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- JPH05178694A JPH05178694A JP35755991A JP35755991A JPH05178694A JP H05178694 A JPH05178694 A JP H05178694A JP 35755991 A JP35755991 A JP 35755991A JP 35755991 A JP35755991 A JP 35755991A JP H05178694 A JPH05178694 A JP H05178694A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】非線型光学定数が大きく、レーザーダメージが
少なく、室温で使用可能な非線型光学結晶として有用で
あり、KNbO3 又はLiNbO3 と組み合わせて容易
に導波路を形成できる単結晶の提供。 【構成】一般式NaMO3 又は一般式Na1-y Xy MO
3 (但し、MはNb及びTaから選ばれる少なくとも1
種の元素であり、XはLi又はKであり、XがLiの場
合、yは0.2以下であり、XがKの場合、yは1未満
である)で表される単結晶。この単結晶は、2次の非線
型光学効果が大きく、第二高周波への変換が可能であ
り、非線型光学素子として用いることができる。
少なく、室温で使用可能な非線型光学結晶として有用で
あり、KNbO3 又はLiNbO3 と組み合わせて容易
に導波路を形成できる単結晶の提供。 【構成】一般式NaMO3 又は一般式Na1-y Xy MO
3 (但し、MはNb及びTaから選ばれる少なくとも1
種の元素であり、XはLi又はKであり、XがLiの場
合、yは0.2以下であり、XがKの場合、yは1未満
である)で表される単結晶。この単結晶は、2次の非線
型光学効果が大きく、第二高周波への変換が可能であ
り、非線型光学素子として用いることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は非線型光学材料として用
いられる単結晶に関する。本発明の単結晶は、二次の非
線型光学効果が大きく、第二高調波への極めて高い変換
が可能な、第二高調波発生用非線型光学結晶であり、非
線型光学素子として好ましく用いられる。
いられる単結晶に関する。本発明の単結晶は、二次の非
線型光学効果が大きく、第二高調波への極めて高い変換
が可能な、第二高調波発生用非線型光学結晶であり、非
線型光学素子として好ましく用いられる。
【0002】
【従来の技術】近年、光記録媒体の記録の高密度化、各
種可視光センサー等の要請により、緑色から青色領域の
光が求められている。こういった光を得るための一つの
方法として、二次の非線型光学効果を利用して、レーザ
ーの基本波長を1/2 にする方法がある。この効果を利用
する際、多くの場合、二次の非線型光学効果を持つ無機
及び有機の結晶を用いる。
種可視光センサー等の要請により、緑色から青色領域の
光が求められている。こういった光を得るための一つの
方法として、二次の非線型光学効果を利用して、レーザ
ーの基本波長を1/2 にする方法がある。この効果を利用
する際、多くの場合、二次の非線型光学効果を持つ無機
及び有機の結晶を用いる。
【0003】その際、用いられる無機非線型光学結晶と
して、KNbO3 (KN)、LiNbO3 (LN)等が
あり、使用されている。これらの結晶の中で、KNbO
3 は二次の非線型効果が大きく、かつ800nm台の半
導体レーザーの直接波長変換が可能な結晶として重要で
ある(Appl.Phys.Lett.35(6)、1
5September1979 461〜463)。さ
らにKNbO3 は機械的強度にも優れている。又、Li
NbO3 は非線型光学定数が大きく、育成も比較的容易
である(J.Cry.Grouth.99(1990)
832〜836)。
して、KNbO3 (KN)、LiNbO3 (LN)等が
あり、使用されている。これらの結晶の中で、KNbO
3 は二次の非線型効果が大きく、かつ800nm台の半
導体レーザーの直接波長変換が可能な結晶として重要で
ある(Appl.Phys.Lett.35(6)、1
5September1979 461〜463)。さ
らにKNbO3 は機械的強度にも優れている。又、Li
NbO3 は非線型光学定数が大きく、育成も比較的容易
である(J.Cry.Grouth.99(1990)
832〜836)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、KNb
O3 は結晶成長速度が小さく、屈折率変動を伴う成長縞
が入りやすいことから、良質の大型単結晶が得にくい。
さらに、高調波発生のためには約100℃近くでないと
使用できず、精密な温度制御と波長の安定化が必要であ
るという欠点がある。又、LiNbO3 はレーザー光の
ダメージを受けやすいという欠点がある。
O3 は結晶成長速度が小さく、屈折率変動を伴う成長縞
が入りやすいことから、良質の大型単結晶が得にくい。
さらに、高調波発生のためには約100℃近くでないと
使用できず、精密な温度制御と波長の安定化が必要であ
るという欠点がある。又、LiNbO3 はレーザー光の
ダメージを受けやすいという欠点がある。
【0005】ところで、屈折率の異なる2種の単結晶を
組み合わせると導波路を形成できることは知られてい
る。しかし、KNbO3 とLiNbO3 とでは、屈折率
は異なるが、結晶構造も異なるため、導波路の形成は容
易ではない。そこでKNbO3 又はLiNbO3 と結晶
構造は同じで屈折率が異なる単結晶が得られれば、導波
路を容易に形成できる。
組み合わせると導波路を形成できることは知られてい
る。しかし、KNbO3 とLiNbO3 とでは、屈折率
は異なるが、結晶構造も異なるため、導波路の形成は容
易ではない。そこでKNbO3 又はLiNbO3 と結晶
構造は同じで屈折率が異なる単結晶が得られれば、導波
路を容易に形成できる。
【0006】したがって、本発明の目的は、非線型光学
定数が大きく、レーザーダメージが少なく室温で使用可
能な無機非線型光学結晶材料として有用な単結晶の提供
にある。
定数が大きく、レーザーダメージが少なく室温で使用可
能な無機非線型光学結晶材料として有用な単結晶の提供
にある。
【0007】さらに、本発明の目的はKNbO3 又はL
iNbO3 と組み合わせて容易に導波路を形成できる単
結晶を提供することにある。
iNbO3 と組み合わせて容易に導波路を形成できる単
結晶を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式NaM
O3 (MはNb及びTaから選ばれる少なくとも一種の
元素である)で表される単結晶に関する。
O3 (MはNb及びTaから選ばれる少なくとも一種の
元素である)で表される単結晶に関する。
【0009】本発明の別の態様は、一般式Na1-y Xy
MO3 (MはNb及びTaから選ばれる少なくとも一種
の元素であり、XはLi又はKであり、XがLiの場合
は、yは0.2以下であり、XがKの場合は、yは1未
満である。)で表される単結晶に関する。
MO3 (MはNb及びTaから選ばれる少なくとも一種
の元素であり、XはLi又はKであり、XがLiの場合
は、yは0.2以下であり、XがKの場合は、yは1未
満である。)で表される単結晶に関する。
【0010】本発明の一般式NaMO3 で表される単結
晶において、MはNb、Ta又は両者の併用である。N
bとTaとの併用物は、一般式NaNb1-z Taz O3
(z=0〜1)で表すことができる。
晶において、MはNb、Ta又は両者の併用である。N
bとTaとの併用物は、一般式NaNb1-z Taz O3
(z=0〜1)で表すことができる。
【0011】又、本発明の一般式Na1-y Xy MO3 で
表される単結晶においても、MはNb、Ta又は両者の
併用である。NbとTaとの併用物は、一般式Na1-y
Xy Nb1-z Taz O3 (z=0〜1)で表すことがで
きる。さらに、XがLiの場合、yが0.2以下に限定
されるのは、yが0.2を超えると、LiがNaMO3
に固溶しなくなり、単結晶が得られなくなるからであ
る。XがLiの場合のyは、非線型性を持つという観点
から、好ましくは0〜0.1である。一方、XがKの場
合には、y(NaとKの割合)にかかわらず固溶して、
単結晶が得られる。XがKの場合のyは、非線型性を持
つという観点から、好ましくは0.1〜1.0である。
表される単結晶においても、MはNb、Ta又は両者の
併用である。NbとTaとの併用物は、一般式Na1-y
Xy Nb1-z Taz O3 (z=0〜1)で表すことがで
きる。さらに、XがLiの場合、yが0.2以下に限定
されるのは、yが0.2を超えると、LiがNaMO3
に固溶しなくなり、単結晶が得られなくなるからであ
る。XがLiの場合のyは、非線型性を持つという観点
から、好ましくは0〜0.1である。一方、XがKの場
合には、y(NaとKの割合)にかかわらず固溶して、
単結晶が得られる。XがKの場合のyは、非線型性を持
つという観点から、好ましくは0.1〜1.0である。
【0012】尚、本発明の単結晶において、Mは、Nb
及び/又はTa以外にアンチモンであるか、あるいはN
b及び/又はTaの一部がアンチモンであることもでき
る。
及び/又はTa以外にアンチモンであるか、あるいはN
b及び/又はTaの一部がアンチモンであることもでき
る。
【0013】以下に本発明の単結晶の製造方法について
説明する。原料は、Na2 CO3 、K2 CO3 、Li2
CO3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 、KOH、NaOH等
を使用できる。但し、これらに限定されるものではな
い。方法は、チョクラルスキー法、ブリッジマン法、フ
ローティング・ゾーン法等の公知の方法を用いることが
できる。一般式NaMO3 で表される単結晶の育成は、
目的とする単結晶の組成になるように融液を調製する。
この融液表面の温度を液相線付近の温度(約1150
℃)に保ち、例えば白金のコールドフィンガーを用い、
温度及び引上げ速度を調節して自然核成長からネッキン
グを実施し、引き上げを行なって単結晶を作製すること
ができる。
説明する。原料は、Na2 CO3 、K2 CO3 、Li2
CO3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 、KOH、NaOH等
を使用できる。但し、これらに限定されるものではな
い。方法は、チョクラルスキー法、ブリッジマン法、フ
ローティング・ゾーン法等の公知の方法を用いることが
できる。一般式NaMO3 で表される単結晶の育成は、
目的とする単結晶の組成になるように融液を調製する。
この融液表面の温度を液相線付近の温度(約1150
℃)に保ち、例えば白金のコールドフィンガーを用い、
温度及び引上げ速度を調節して自然核成長からネッキン
グを実施し、引き上げを行なって単結晶を作製すること
ができる。
【0014】一方、一般式Na1-y Xy MO3 で表され
る単結晶の育成では、固溶体組成であるため、融液(原
料)の組成と結晶の組成とは異なる。このため、大型の
坩堝を使用して、固溶体育成の際の組成のずれが作製結
晶に影響を及ぼすことを回避することが好ましい。融液
表面は温度を液相線付近の温度(約1150℃)に保
ち、例えば白金のコールドフィンガーを用い、温度及び
引上げ速度を調節して自然核成長からネッキングを実施
し、引き上げを行なって単結晶を作製することができ
る。尚、液相線付近の温度は、融液の組成により異なる
が、例えばNa1-x KNbO3 (x=0〜1.0)の場
合、1050℃〜1450℃である。
る単結晶の育成では、固溶体組成であるため、融液(原
料)の組成と結晶の組成とは異なる。このため、大型の
坩堝を使用して、固溶体育成の際の組成のずれが作製結
晶に影響を及ぼすことを回避することが好ましい。融液
表面は温度を液相線付近の温度(約1150℃)に保
ち、例えば白金のコールドフィンガーを用い、温度及び
引上げ速度を調節して自然核成長からネッキングを実施
し、引き上げを行なって単結晶を作製することができ
る。尚、液相線付近の温度は、融液の組成により異なる
が、例えばNa1-x KNbO3 (x=0〜1.0)の場
合、1050℃〜1450℃である。
【0015】本発明の単結晶は以下のような特徴を有す
る。 1) 二次の非線型光学効果が大きい。 2) M、X、yを変化させることにより、KNbO3
と同一の結晶構造でありながら、非線型効果、屈折率等
の諸特性、物性を細かく変化させることが可能である。 3) 作製が容易である。即ち、育成結晶と融液の組成
が同じであるため、組成の変動がなく、良質な結晶を比
較的速く育成することが可能である。
る。 1) 二次の非線型光学効果が大きい。 2) M、X、yを変化させることにより、KNbO3
と同一の結晶構造でありながら、非線型効果、屈折率等
の諸特性、物性を細かく変化させることが可能である。 3) 作製が容易である。即ち、育成結晶と融液の組成
が同じであるため、組成の変動がなく、良質な結晶を比
較的速く育成することが可能である。
【0016】従って、本発明の単結晶を非線型光学材料
として用いて光導波型光学素子、例えば非線型光学素子
を構成することが可能である。即ち、ある基板上にその
基板より屈折率を大きくした上記組成の薄膜単結晶を作
製する。この薄膜単結晶は、その物性にあわせて多くの
光導波型光学素子(例えば、非線型光学、電気光学素
子)として使用可能である。特に本発明の結晶では、例
えば、大きな二次の非線型性があり、波長変換用光学素
子として使用することができる。
として用いて光導波型光学素子、例えば非線型光学素子
を構成することが可能である。即ち、ある基板上にその
基板より屈折率を大きくした上記組成の薄膜単結晶を作
製する。この薄膜単結晶は、その物性にあわせて多くの
光導波型光学素子(例えば、非線型光学、電気光学素
子)として使用可能である。特に本発明の結晶では、例
えば、大きな二次の非線型性があり、波長変換用光学素
子として使用することができる。
【0017】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【0018】実施例1(NaNbO3 ) 無機非線型光学結晶としてのNaNbO3 の単結晶の第
二高調波の評価を行った。Na2 CO3 とNb2 O
5 (共に純度99.9%)をモル比1:1に秤量し、乳
ばちにて調合し、その粉末をペレット状に成型し、10
00℃にて120時間(5日間)焼結、炉内で自然放冷
し、室温で取り出した。得られた焼結試料を粉砕し、ス
ライドガラスに約500μmの厚さではさみ、Ti:A
l2 O3 レーザーの870nmの光を照射した。その結
果、図1に示すように、第二高調波である435nmの
光の発生を確認した。この第二高調波の強度は、同様な
方法で作製し、評価したKNbO3 粉末の第二高調波の
強度とほぼ同程度(約1.0〜1.3倍)であった。
二高調波の評価を行った。Na2 CO3 とNb2 O
5 (共に純度99.9%)をモル比1:1に秤量し、乳
ばちにて調合し、その粉末をペレット状に成型し、10
00℃にて120時間(5日間)焼結、炉内で自然放冷
し、室温で取り出した。得られた焼結試料を粉砕し、ス
ライドガラスに約500μmの厚さではさみ、Ti:A
l2 O3 レーザーの870nmの光を照射した。その結
果、図1に示すように、第二高調波である435nmの
光の発生を確認した。この第二高調波の強度は、同様な
方法で作製し、評価したKNbO3 粉末の第二高調波の
強度とほぼ同程度(約1.0〜1.3倍)であった。
【0019】実施例2(固溶範囲の確認と二次の非線型
光学定数の見積もり) 1)固溶の確認 NaNbO3 のNaに代えてK又はLiで置き換えを行
った。表1に示す、各組成になるように原料(Na2 C
O3 、K2 CO3 、Li2 CO3 、Nb2 O3 )を調合
し、ペレット状に成型して焼結した。焼結体は炉内で自
然冷却した。得られた焼結体の固溶の確認をした。即
ち、粉末X線回析のピークの様子で単一相であること、
又はピークのずれにより固溶が確認された。結果を表1
に示す。
光学定数の見積もり) 1)固溶の確認 NaNbO3 のNaに代えてK又はLiで置き換えを行
った。表1に示す、各組成になるように原料(Na2 C
O3 、K2 CO3 、Li2 CO3 、Nb2 O3 )を調合
し、ペレット状に成型して焼結した。焼結体は炉内で自
然冷却した。得られた焼結体の固溶の確認をした。即
ち、粉末X線回析のピークの様子で単一相であること、
又はピークのずれにより固溶が確認された。結果を表1
に示す。
【0020】その結果、Na1-y Xy NbO3 において
XがKの場合、0<y<1の範囲で固溶が確認さた。
又、Na1-y Xy NbO3 においてXがLiの場合、0
<y≦0.2の範囲において、固溶が確認さた。yが
0.2を超えるとNaNbO3 と他の相との共存系とな
った。
XがKの場合、0<y<1の範囲で固溶が確認さた。
又、Na1-y Xy NbO3 においてXがLiの場合、0
<y≦0.2の範囲において、固溶が確認さた。yが
0.2を超えるとNaNbO3 と他の相との共存系とな
った。
【0021】
【表1】
【0022】2)二次の非線型光学定数の見積もり 二次の非線型光学定数を見積もるために粉末法による評
価を行った。すなわち、尿素及び上記各焼結体の粉末を
2枚のスライドガラスの間に約500μmの厚さではさ
み、これらにTi:Al2 O3 レーザーの830nmの
光を照射し、発生した第二高調波の散乱光強度を同一条
件で測定した。KNbO3 の散乱光強度を基準(1.
0)とした場合の各粉末の散乱光強度を表2に示す。
価を行った。すなわち、尿素及び上記各焼結体の粉末を
2枚のスライドガラスの間に約500μmの厚さではさ
み、これらにTi:Al2 O3 レーザーの830nmの
光を照射し、発生した第二高調波の散乱光強度を同一条
件で測定した。KNbO3 の散乱光強度を基準(1.
0)とした場合の各粉末の散乱光強度を表2に示す。
【0023】表2からわかるように、XがKである場
合、KNbO3 の散乱光強度との比で、本発明のNa
1-y Ky NbO3 は、同程度以上の非線型光学定数を有
していた。また、XがLiである場合も、本発明のNa
1-y Liy NbO3 は、KNbO3 と同程度の非線型光
学定数を有していた。
合、KNbO3 の散乱光強度との比で、本発明のNa
1-y Ky NbO3 は、同程度以上の非線型光学定数を有
していた。また、XがLiである場合も、本発明のNa
1-y Liy NbO3 は、KNbO3 と同程度の非線型光
学定数を有していた。
【0024】
【表2】
【0025】実施例3(NaNbO3 単結晶育成) NaNbO3 の単結晶の育成をチョクラルスキー法によ
り行った。原料としてNa2 CO3 及びNb2 O3 (各
試薬共に純度99.9%)を用い、両者をモル比1:1
(Na2 CO3 :32.5g、Nb2 O5 :81.4
g)で秤量し、調合し、坩堝に充填した。坩堝を約15
00℃に加熱した後、融液の温度を約1450°にして
この温度に保ちつつ、単結晶の育成を行った。得られた
単結晶は良質であり、約20×20×10mm程度の大
きさであった。室温でKNbO3 と同じ斜方晶、空間群
Amm2であった。10GW/cm2 のYAG(12u
s)を照射しても単結晶に破壊は起こらなかった。
り行った。原料としてNa2 CO3 及びNb2 O3 (各
試薬共に純度99.9%)を用い、両者をモル比1:1
(Na2 CO3 :32.5g、Nb2 O5 :81.4
g)で秤量し、調合し、坩堝に充填した。坩堝を約15
00℃に加熱した後、融液の温度を約1450°にして
この温度に保ちつつ、単結晶の育成を行った。得られた
単結晶は良質であり、約20×20×10mm程度の大
きさであった。室温でKNbO3 と同じ斜方晶、空間群
Amm2であった。10GW/cm2 のYAG(12u
s)を照射しても単結晶に破壊は起こらなかった。
【0026】実施例4(NaTaO3 単結晶育成) NaTaO3 の単結晶の育成をチョクラルスキー法によ
り行った。Na2 CO3 とTa2 O5 (共に純度99.
9%)とをモル比1:1(NaCO3 :21.1g、T
a2 O5 :87.8g)で秤量し、調合した後、坩堝に
充填した。坩堝を雰囲気制御の下で約1800℃に加熱
した後、融液の温度を約1750℃にしてこの温度を保
ちつつ、単結晶の育成を行った。その結果、NaNbO
3 と同じく、得られた単結晶は良質であり、約20×2
0×10mm程度の大きさであった。室温でKNbO3
と同じ斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/c
m2 のYAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は
起こらなかった。
り行った。Na2 CO3 とTa2 O5 (共に純度99.
9%)とをモル比1:1(NaCO3 :21.1g、T
a2 O5 :87.8g)で秤量し、調合した後、坩堝に
充填した。坩堝を雰囲気制御の下で約1800℃に加熱
した後、融液の温度を約1750℃にしてこの温度を保
ちつつ、単結晶の育成を行った。その結果、NaNbO
3 と同じく、得られた単結晶は良質であり、約20×2
0×10mm程度の大きさであった。室温でKNbO3
と同じ斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/c
m2 のYAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は
起こらなかった。
【0027】実施例5(Na1-y Ky NbO3 単結晶育
成) 固溶体組成の単結晶(Na1-y Ky NbO3 、y=0.
4)の組成の育成を行った。方法はチョクラルスキー法
とした。原料として、K2 CO3 、Na2 CO3 、Nb
2 O5 (各試薬共に純度99.9%)を用いた。K2 C
O3 を629,2g、Na2 CO3 を120.6g、N
b2 O5 を1510.2g秤量し、調合した後、坩堝に
充填した。結晶は、固溶体組成であり、融液の組成と結
晶の組成とが異なる。そこで、固溶体育成の際の融液の
組成のずれが作製結晶に影響を及ぼすことを回避するた
め、大型の坩堝100mm×100mmhを使用した。
原料を充填した坩堝を約1300℃に加熱した。次い
で、融液表面の温度を液相線付近の温度である約115
0℃に保ち、白金のコールドフィンガーを用いて、温度
及び引上げ速度を調節することにより自然核成長からの
ネッキングを実施した後、引上げを行なって単結晶を作
製した。得られた単結晶は良質であり、約10×10×
5mm程度の大きさであった。室温でKNbO3 と同じ
斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/cm2 の
YAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こら
なかった。
成) 固溶体組成の単結晶(Na1-y Ky NbO3 、y=0.
4)の組成の育成を行った。方法はチョクラルスキー法
とした。原料として、K2 CO3 、Na2 CO3 、Nb
2 O5 (各試薬共に純度99.9%)を用いた。K2 C
O3 を629,2g、Na2 CO3 を120.6g、N
b2 O5 を1510.2g秤量し、調合した後、坩堝に
充填した。結晶は、固溶体組成であり、融液の組成と結
晶の組成とが異なる。そこで、固溶体育成の際の融液の
組成のずれが作製結晶に影響を及ぼすことを回避するた
め、大型の坩堝100mm×100mmhを使用した。
原料を充填した坩堝を約1300℃に加熱した。次い
で、融液表面の温度を液相線付近の温度である約115
0℃に保ち、白金のコールドフィンガーを用いて、温度
及び引上げ速度を調節することにより自然核成長からの
ネッキングを実施した後、引上げを行なって単結晶を作
製した。得られた単結晶は良質であり、約10×10×
5mm程度の大きさであった。室温でKNbO3 と同じ
斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/cm2 の
YAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こら
なかった。
【0028】得られたNa0.6 K0.4 NbO3 は、2ヵ
月間室温で放置しても何ら変化はなく、大気中での安定
性は高かった。
月間室温で放置しても何ら変化はなく、大気中での安定
性は高かった。
【0029】さらに、得られたNa0.6 K0.4 NbO3
を約1mmの厚さに切り出した。この時、結晶の切削加
工性は良好であった。次に切り出した試料を研磨して平
行平板試料を得、その透過率を測定した。その結果、吸
収端はKNbO3 とほぼ同等であり、波長800nm帯
の半導体レーザーの第二高調波の波長400nm台に吸
収が現れることはなかった。
を約1mmの厚さに切り出した。この時、結晶の切削加
工性は良好であった。次に切り出した試料を研磨して平
行平板試料を得、その透過率を測定した。その結果、吸
収端はKNbO3 とほぼ同等であり、波長800nm帯
の半導体レーザーの第二高調波の波長400nm台に吸
収が現れることはなかった。
【0030】実施例6(NaNb1-z Taz O3 単結晶
育成) 固溶体組成の単結晶(NaNb1-z Taz O3 、z=
0.4)の育成を行った。方法はチョクラルスキー法と
した。原料として、Na2 CO3 :573.0g、Nb
2 O5 :1077.0g、Ta2 O5 :594.8g
(各試薬共に純度99.9%)を用いた。実施例5と同
様に、固溶体育成の際の融液組成のずれを回避するた
め、大型の坩堝を使用した。融液表面の温度を液相線付
近(約1500℃)の温度に保っ他は、実施例5と同様
の方法により単結晶を作製した。得られた単結晶(Na
Nb0.6 Ta0.4 O3 )は良質であり、約10×10×
5mm程度の大きさであった。室温でKNbO3 と同じ
斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/cm2 の
YAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こら
なかった。
育成) 固溶体組成の単結晶(NaNb1-z Taz O3 、z=
0.4)の育成を行った。方法はチョクラルスキー法と
した。原料として、Na2 CO3 :573.0g、Nb
2 O5 :1077.0g、Ta2 O5 :594.8g
(各試薬共に純度99.9%)を用いた。実施例5と同
様に、固溶体育成の際の融液組成のずれを回避するた
め、大型の坩堝を使用した。融液表面の温度を液相線付
近(約1500℃)の温度に保っ他は、実施例5と同様
の方法により単結晶を作製した。得られた単結晶(Na
Nb0.6 Ta0.4 O3 )は良質であり、約10×10×
5mm程度の大きさであった。室温でKNbO3 と同じ
斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/cm2 の
YAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こら
なかった。
【0031】実施例7(Na1-y Liy NbO3 単結晶
育成) 実施例5と同様の方法により、固溶体組成の単結晶(N
a1-y Liy NbO3 、y=0.1)の育成を行った。
原料としてはLi2 CO3 :42.2g、Na2 C
O3 :740.4g、Ta2 O5 1510.0g(各試
薬共に純度99.9%)を用いた。得られた単結晶(N
a0.9 Li0.1 NbO3 )は良質であり、約10×10
×5mm程度の大きさであった。室温でKNbO3 と同
じ斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/cm2
のYAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こ
らなかった。
育成) 実施例5と同様の方法により、固溶体組成の単結晶(N
a1-y Liy NbO3 、y=0.1)の育成を行った。
原料としてはLi2 CO3 :42.2g、Na2 C
O3 :740.4g、Ta2 O5 1510.0g(各試
薬共に純度99.9%)を用いた。得られた単結晶(N
a0.9 Li0.1 NbO3 )は良質であり、約10×10
×5mm程度の大きさであった。室温でKNbO3 と同
じ斜方晶、空間群Amm2であった。10GW/cm2
のYAG(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こ
らなかった。
【0032】実施例8(Na1-y Liy TaO3 単結晶
育成) 実施例5と同様の方法により、固溶体組成の単結晶(N
a1-y Liy TaO3 、y=0.1)の育成を行った。
原料としてはLi2 CO3 8.9g、Na2 CO3 41
0.9g、Ta2 O5 1764.9g(各試薬共に純度
99.9%)を用い。得られた単結晶(Na0.9 Li
0.1 NbO3 )は良質であり、約10×10×5mm程
度の大きさであった。室温でKNbO3 と同じ斜方晶、
空間群Amm2であった。10GW/cm2 のYAG
(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こらなかっ
た。
育成) 実施例5と同様の方法により、固溶体組成の単結晶(N
a1-y Liy TaO3 、y=0.1)の育成を行った。
原料としてはLi2 CO3 8.9g、Na2 CO3 41
0.9g、Ta2 O5 1764.9g(各試薬共に純度
99.9%)を用い。得られた単結晶(Na0.9 Li
0.1 NbO3 )は良質であり、約10×10×5mm程
度の大きさであった。室温でKNbO3 と同じ斜方晶、
空間群Amm2であった。10GW/cm2 のYAG
(12us)を照射しても単結晶に破壊は起こらなかっ
た。
【0033】実施例9((Na1-y Ky )(Nb1-z T
az O3 )単結晶育成) 実施例5と同様の方法により、固溶体組成の単結晶
((Na1-y Ky )(Nb1-z Taz )O3 、y=0.
5、z=0.5)の育成を行った。方法はチョクラルス
キー法とした。原料として、K2 CO3 :526.0
g、Na2 CO3 :134.0g、Nb2 O5 :101
4.0g、Ta2 O5 :558.0g(各試薬共に純度
99.9%)を用いた。得られた単結晶((Na0.5 K
0.5 )(Nb0.5 Ta0.5 )O3 )では良質であり、約
10×10×5mm程度の大きさであった。室温でKN
bO3 と同じ斜方晶、空間群Amm2であった。10G
W/cm2 のYAG(12us)を照射しても単結晶に
破壊は起こらなかった。
az O3 )単結晶育成) 実施例5と同様の方法により、固溶体組成の単結晶
((Na1-y Ky )(Nb1-z Taz )O3 、y=0.
5、z=0.5)の育成を行った。方法はチョクラルス
キー法とした。原料として、K2 CO3 :526.0
g、Na2 CO3 :134.0g、Nb2 O5 :101
4.0g、Ta2 O5 :558.0g(各試薬共に純度
99.9%)を用いた。得られた単結晶((Na0.5 K
0.5 )(Nb0.5 Ta0.5 )O3 )では良質であり、約
10×10×5mm程度の大きさであった。室温でKN
bO3 と同じ斜方晶、空間群Amm2であった。10G
W/cm2 のYAG(12us)を照射しても単結晶に
破壊は起こらなかった。
【0034】上記実施例3〜9で作製した単結晶の第二
高調波強度を粉末S.H.G.法を用いて測定した。そ
の結果、すべての試料で、別途作製したKNbO3 単結
晶体の粉末の第二高調波強度とほぼ同等かそれ以上の第
二高調波強度が得られた。
高調波強度を粉末S.H.G.法を用いて測定した。そ
の結果、すべての試料で、別途作製したKNbO3 単結
晶体の粉末の第二高調波強度とほぼ同等かそれ以上の第
二高調波強度が得られた。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、非線型特性が大きく、
レーザーダメージが少なく室温で使用可能な単結晶が得
られる。さらに、本発明の単結晶は、大気中で安定で、
加工性に優れ、作製が容易であるという利点を有する。
レーザーダメージが少なく室温で使用可能な単結晶が得
られる。さらに、本発明の単結晶は、大気中で安定で、
加工性に優れ、作製が容易であるという利点を有する。
【0036】本発明の単結晶は、光高調波発生用光学材
料として好ましく用いることができる。又、これらの材
料を基に薄膜を形成して、光導波型光学素子、例えば非
線型光学素子を構成することが可能である。
料として好ましく用いることができる。又、これらの材
料を基に薄膜を形成して、光導波型光学素子、例えば非
線型光学素子を構成することが可能である。
【図1】実施例1のNaNbO3 結晶にTi:Al2 O
3 レーザーの870nmの光を照射した際の第二高調波
である435nmの光の発生を示す。
3 レーザーの870nmの光を照射した際の第二高調波
である435nmの光の発生を示す。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式NaMO3 ( 但し、MはNb及び
Taから選ばれる少なくとも一種の元素である)で示さ
れる単結晶。 - 【請求項2】 一般式Na1-y Xy MO3 (但し、Mは
Nb及びTaからばれる少なくとも一種の元素であり、
XはLi又はKであり、XがLiの場合はyは0.2以
下であり、XがKの場合はyは1未満である。)で示さ
れる単結晶。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の単結晶を用いた
非線型光学材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35755991A JPH05178694A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 無機非線型光学結晶材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35755991A JPH05178694A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 無機非線型光学結晶材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05178694A true JPH05178694A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=18454750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35755991A Pending JPH05178694A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 無機非線型光学結晶材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05178694A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102351246A (zh) * | 2011-07-05 | 2012-02-15 | 深圳大学 | 一种棒状或一维NaNbO3晶体及其制备方法 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP35755991A patent/JPH05178694A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102351246A (zh) * | 2011-07-05 | 2012-02-15 | 深圳大学 | 一种棒状或一维NaNbO3晶体及其制备方法 |
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