RU2699639C1 - Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения - Google Patents
Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2699639C1 RU2699639C1 RU2019105444A RU2019105444A RU2699639C1 RU 2699639 C1 RU2699639 C1 RU 2699639C1 RU 2019105444 A RU2019105444 A RU 2019105444A RU 2019105444 A RU2019105444 A RU 2019105444A RU 2699639 C1 RU2699639 C1 RU 2699639C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nonlinear
- liga
- monocrystal
- value
- general formula
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3551—Crystals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к монокристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. Получен нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, имеющий пространственную группу I d тетрагональной симметрии, Z=4, с параметрами элементарной ячейки 6,3295<а<6,398 , 11,682<с<12,460 и объемом 468,01<V<510,0 , характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности от 0,76 до 14,8 микрон, шириной запрещенной зоны 1,837 эВ при 300 К, значениями двулучепреломления 0,049 при 2 мкм и нелинейными коэффициентами d13=3,70 пм/В и d14=48,73 пм/В. Способ получения монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, включает предварительный синтез соединения LiGaxIn1-xTe2 из элементарных компонентов Li, In, Ga и Te в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, рост монокристалла модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле при обеспечении изменения соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле при скорости выращивания от 2 до 10 мм/сутки и среднем значении аксиального температурного градиента от 2 до 3°С/мм и охлаждение печи со скоростью порядка 10°С/ч. Технический результат заключается в обеспечении возможности сдвига края поглощения в короткую область (по мере увеличения x) в сочетании с увеличением коэффициента преобразования за счет достижения некритичного фазового синхронизма. Ожидаемый эффект увеличения КПД преобразования лазерного излучения при использовании данного нелинейного монокристалла составит 10-30% по сравнению с нелинейными монокристаллами LiGaTe2. При варьировании значения (x) можно обеспечить согласование групповых и фазовых скоростей лазерного излучения, при котором увеличивается эффективная длина взаимодействия для фемтосекундного режима генерации, что обеспечит дополнительный эффект порядка 10-20% КПД. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
Description
Изобретение относится к монокристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон.
Монокристаллы халькогенидов являются перспективными нелинейно-оптическими материалами для среднего инфракрасного диапазона. В настоящее время для преобразования лазерного излучения в среднем ИК-диапазоне наиболее часто используют монокристаллы тиогаллата серебра AgGaS2, селеногаллата серебра AgGaSe2 и тиогаллата ртути HgGa2S4 (см., например, Rotermund F., Petrov V., Noack F. OPTICS COMMUNICATIONS. - 2000, v. 185. - P. 177-183). Недостатками этих материалов являются: во-первых, большое двухфотонное поглощение, что неизбежно снижает эффективность преобразования лазерного излучения, во-вторых, значительная анизотропия теплового расширения (для AgGaS2 и AgGaSe2) и низкая теплопроводность, которая не позволяет использовать материалы при больших мощностях излучения из-за низкой лучевой стойкости, а также значительного эффекта образования тепловых линз.
Возможность управления составом в ряду непрерывных твердых растворов нелинейных соединений позволяет реализовать наиболее эффективное преобразование излучения в перестраиваемых лазерных системах. На сегодняшний день наиболее востребованными являются лазерные системы, реализующие некритичный фазовый синхронизм, поскольку именно такие системы обладают целым рядом достоинств: обладают большими значениями спектральной и угловой ширины синхронизма, являются высокоэффективными и удобными в эксплуатации, дают возможность использовать максимальный тензорный коэффициент нелинейности. Некритичный фазовый синхронизм определяется сочетанием определенного характера дисперсии показателей преломления и двулучепреломления используемого монокристалла. Использование полупроводниковых монокристаллов, смешанных четверных халькогенидов позволяет достигать некритичного фазового синхронизма в системах параметрической генерации света в среднем ИК диапазоне. Особый интерес представляют четверные соединения ряда твердых растворов, крайние члены которых (тройные халькогениды) отличаются по своим характеристикам: например, нелинейные тройные соединения AgInSe2 характеризуются более высокими нелинейными коэффициентами второго порядка по сравнению с аналогичными галлий-содержащими монокристаллами, но коэффициент двулучепреломления для них существенно ниже, чем для AgGaSe2 [Apollonov V.V., Lebedev S.P., Komandin G.A. et al. - LASER PHYSICS, 1999, v. 9, p. 1236-1239]. Именно в таком случае в ряду AgGaxIn1-xSe2 может быть достигнута оптимальная комбинация функциональных характеристик, позволяющая достичь положительных результатов с точки зрения повышения эффективности преобразования лазерного излучения, благодаря достижению некритичного фазового синхронизма. Новый тип смешанных нелинейных монокристаллов CdxHg1-х Ga2S4 и AgGa1-х InxSe2 позволил путем подбора оптимального значения х обеспечить выполнение условий некритичного фазового синхронизма при комнатной температуре и обеспечить условия выполнения группового синхронизма в направлении фазового. Условия некритичного фазового синхронизма, реализованные в монокристаллах AgGa1-х InxSe2, при определенных значениях х обеспечили увеличение эффективности генерации второй гармоники СО2-лазеров в 1.9 раза по сравнению с тройным соединением AgGaSe2. [Bhar G.C., Das S. et al. - OPTICS LETTERS, 1995, v. 20, p. 2057]. В последнее время оптическая параметрическая генерация в диапазоне 2.85-3.27 микрон в условиях некритичного синхронизма была продемонстрирована на монокристаллах смешанного состава HgxCd1-xGa2S4 [Banerjee S., Miyata K., Kato K. - Proc. of SPIE, 2008, v. 6875, p. 687517]. Авторы изобретения на примере монокристаллов LiInSe2 и LiGaSe2 показали, что замещение Ag на Li приводит к увеличению ширины запрещенной зоны, сдвигу края пропускания в коротковолновую область и, как следствие, к уменьшению двухфотонного поглощения в Li-содержащих монокристаллах по сравнению с Ag-содержащими халькогенидами. [L. Isaenko, A. Yeliseyev, S. Lobanov etc. - Journal of Applied Physics, 2002, v. 91, №12, p. 9475-80]. Кроме того, литийсодержащие халькогениды имеют теплопроводность примерно в 5 раз выше теплопроводности наиболее распространенных серебросодержащих халькогенидов. [L. Isaenko, A. Yeliseyev, S. Lobanov etc. - Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, v. 352, p. 2439-2443]. Эффект тепловых линз в Li-содержащих монокристаллах в 10 раз ниже, чем в AgGaSe2. [A. Yeliseyev, L. Isaenko, S. Lobanov etc. - Journal of Applied Physics, 2004, v. 96 №7, p. 3659-3664]. Монокристаллы LiInSe2 и LiGaSe2 характеризуются низкой анизотропией коэффициента теплового расширения вдоль кристаллографических направлений. В результате в процессе роста не образуются типичные двойники и напряжения, связанные с этим явлением. Это обеспечивает технологичность процессов роста и изготовления элементов, а также покрытий на оптические поверхности. Монокристаллы теллурида LiGaTe2 демонстрируют увеличение нелинейной восприимчивости dij по сравнению с сульфидами и селенидами: в ряду LiGaS2 - LiGaSe2 - LiGaTe2 dij составляет 10.7, 18.2 и 43 пм/В, соответственно [Nikogosyan D.N. Nonlinear optical crystals, A complete survey - Springer Science+ Business Media, Inc.: New-York, USA, 2005]. Значения dij для индиевых аналогов этих соединений обычно на 30-50% выше, при этом теллуриды имеют примерно в 2 раза большее двулучепреломление Δn. Поэтому четверные смешанные монокристаллы на базе галлий- и индийсодержащих тройных теллуридов с большой разницей в показателях преломления могут оказаться очень перспективными с точки зрения получения некритического фазового синхронизма в системах параметрической генерации света в среднем ИК диапазоне [Isaenko L.I., Yelisseyev A.P. - Semiconductor Science and Technology, 2016, v. 31, p. 123001].
Задачей изобретения является создание нелинейного монокристаллического материала на базе твердых растворов LiGaxIn1-xTe2 при различных значениях (x) для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон, сочетающего низкое двухфотонное поглощение и достаточно высокий нелинейный коэффициент.
Технический результат заключается в обеспечении возможности сдвига края поглощения в короткую область (по мере увеличения x), в сочетании с увеличением коэффициента преобразования за счет достижения некритичного фазового синхронизма. Ожидаемый эффект увеличения КПД преобразования лазерного излучения при использовании данного нелинейного материала составит 10-30% по сравнению с нелинейными монокристаллами LiGaTe2. Также при варьировании значения (x) можно добиться такого согласования групповых и фазовых скоростей лазерного излучения, при котором увеличивается эффективная длина взаимодействия, что очень важно для фемтосекундного режима генерации, и это даст дополнительный эффект порядка 10-20% КПД. Таким образом, можно ожидать увеличение КПД на 30-50%.
Поставленная задача решена созданием нелинейного монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0.1 до 0.9, имеющего пространственную группу I d тетрагональной симметрии, Z=4, параметры элементарной ячейки 6.3295<а<6.398 , 11.682<с<12.460 , объем 468.01<V<510.0
Монокристалл состава LiGa0.55In0.45Te2 характеризуется диапазоном прозрачности от 0.76 до 14.8 микрон, шириной запрещенной зоны 1.837 эВ при 300 К. Рассчитанные значения двулучепреломления составляют 0.049 при 2 микрон и нелинейных коэффициентов d13=-3.70 пм/В и d14=-48.73 пм/В
Монокристалл общей формулой LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0.1 до 0.9, выращивают модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле с предварительным синтезом соединения состава LiGaxIn1-xTe2 из элементарных компонентов Li, In, Ga и Te в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов. В процессе роста обеспечивается изменение соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле при скорости выращивания от 2 до 10 мм/сутки при среднем значении аксиального температурного градиента от 2 до 3°С/мм. Эти условия обеспечивают сохранение постоянства состава (х) выращиваемого кристалла. Затем печь охлаждают со скоростью порядка 10°С/час. Небольшие нарушения стехиометрии, возникающие в процессе синтеза из-за высокой химической активности Li и летучести теллура, корректируют путем введения избытка лития и теллура. После загрузки исходных веществ в стеклографитовый тигель его помещают в кварцевый контейнер. Особая геометрия тигля [патент РФ 2189405, МПК: C30B 11/02, опубл. 20.09.2002] и загрузки предотвращает прямое сплавление компонентов, приводящее к выделению большого количества тепла и существенному нарушению стехиометрии в процессе синтеза.
Частичная замена ионов Ga3+ на In3+ позволяет улучшать нелинейные свойства LiGaxIn1-xTe2 по сравнению с LiGaTe2 (48.73 для LiGa0.55In0.45Te2 и 43 пм/В для LiGaTe2), сохраняя при этом возможность широкой настройки полосы в оптических параметрических осцилляторах.
На фиг. 1 представлен выращенный слиток LiGaxIn1-xTe2 (а) и его изображение в проходящем свете (b), полученное с помощью телевизионной камеры, чувствительной в инфракрасном диапазоне.
На фиг. 2 приведена кристаллическая структура LiGa0.55In0.45Te2.
На фиг. 3 представлен спектр пропускания монокристалла LiGa0.55In0.45Te2 (а) и построение по Тауцу для прямых межзонных электронных переходов (b).
Примеры конкретного выполнения.
Пример 1. Для получения образца LiGa0.55In0.45Te2 массой 30 г используют исходные элементарные компоненты: литий, галлий, индий и теллур высокой чистоты: литий - 0.763 г, галлий - 3.482 г, индий - 5.741 г, теллур - 26,158 г. Исходные элементарные вещества имели чистоту квалификации о.с.ч. Содержание основного вещества в исходных материалах: Li - 99.9 %, In - 99.9999 %, Ga - 99.9999 %, Te - 99.9999 %. Небольшие нарушения стехиометрии, возникающие в процессе синтеза из-за высокой химической активности Li и летучести теллура, корректировали путем введения избытка лития и теллура. После загрузки исходных веществ в стеклографитовый тигель его помещают внутрь кварцевого контейнера. После загрузки исходных веществ контейнер с тиглем подключают к вакуумному посту. Свободный объем контейнера откачивают или заполняют инертным газом, после чего проводят его отпайку. Для синтеза LiGaxIn1-xTe2, кварцевый контейнер с размещенным в нем стеклографитовым тиглем медленно задвигают в трубчатую печь сопротивления, прогретую до 850°С градусов. Затем контейнер выдерживают при 850°С в течение суток, снижают температуру до 700°С и выдерживают еще сутки, после чего охлаждают до комнатной температуры в режиме выключенной печи. В результате получают плотные тёмные мелкокристаллические слитки с содержанием фазы LiGa0.55In0.45Te2, близким к 100%. Раскалывание и перекладывание слитков в ростовой контейнер проводят в инертной атмосфере. Ростовой контейнер помещают в вертикальную печь сопротивления. После перекладывания контейнер с загрузкой подключают к вакуумному посту и отпаивают до остаточного давления 10-4 торр. Выращивание монокристалла осуществляют модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера с возможностью изменения соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле. Печь нагревают, доводя шихту до плавления. Аксиальный температурный градиент составляет от 2 до 3°С/мм. Скорость выращивания составляет 4 мм/сутки. Использована конструкция печи, позволяющая менять соотношение температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле, что позволяет преодолеть ряд сложных моментов, связанных с особенностью теплофизических свойств теллуридов [ Neumann H. Zeitschrift anorganische und allgemeine Chemie, 1986, v. 532, p. 150-156]. После стадии выращивания печь охлаждают со скоростью 10°С/час.
Параметры ячейки полученного монокристалла: а=6.38124 (8) A, с=12.1108 (2) A, V=493.16 (2) A3. Диапазон прозрачности от 0.76 до 14.8 мкм, ширина запрещенной зоны 1.837 эВ при 300 К, рассчитанные значения двулучепреломления 0.049 при 2 микрон и нелинейных коэффициентов d13=-3.70 пм/В и d14=-48.73 пм/В.
Пример 2. Для получения монокристаллического образца LiGa0.75In0.25Te2 используют исходные элементарные компоненты: литий, галлий, индий и теллур высокой чистоты: литий - 0.694 г, галлий - 5.301 г, индий - 2.874 г, теллур - 25.520 г. Условия получения, как в примере 1. Получен образец LiGa0.75In0.25Te2 массой до 30 г. Диапазон прозрачности от 0.64 до 15 мкм.
Пример 3. Для получения образца LiGa0.25In0.75Te2 массой до 30 г используют исходные элементарные компоненты: литий, галлий, индий и теллур высокой чистоты: литий - 0.703 г, галлий - 1.749 г, индий - 8.621 г, теллур - 25.532 г. Условия получения, как в примере 1. Диапазон прозрачности от 0.87 до 15.5 мкм.
Claims (2)
1. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, имеющий пространственную группу I d тетрагональной симметрии, Z=4, с параметрами элементарной ячейки 6,3295<а<6,398 , 11,682<с<12,460 и объемом 468,01<V<510,0 , характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности от 0,76 до 14,8 микрон, шириной запрещенной зоны 1,837 эВ при 300 К, значениями двулучепреломления 0,049 при 2 мкм и нелинейными коэффициентами d13=3,70 пм/В и d14=48,73 пм/В.
2. Способ получения монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, включает предварительный синтез соединения LiGaxIn1-xTe2 из элементарных компонентов Li, In, Ga и Te в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, рост монокристалла модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле при обеспечении изменения соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле при скорости выращивания от 2 до 10 мм/сутки и среднем значении аксиального температурного градиента от 2 до 3°С/мм и охлаждение печи со скоростью порядка 10°С/ч.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019105444A RU2699639C1 (ru) | 2019-02-26 | 2019-02-26 | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019105444A RU2699639C1 (ru) | 2019-02-26 | 2019-02-26 | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2699639C1 true RU2699639C1 (ru) | 2019-09-06 |
Family
ID=67851953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019105444A RU2699639C1 (ru) | 2019-02-26 | 2019-02-26 | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2699639C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2763463C1 (ru) * | 2021-06-07 | 2021-12-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения |
RU2783926C1 (ru) * | 2021-10-05 | 2022-11-22 | Максим Владимирович Григорьев | Способ получения селенидов (Sr,Eu)LnCuSe3 (Ln = La, Nd, Sm, Gd-Lu, Sc, Y) ромбической сингонии |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2344208C1 (ru) * | 2007-05-28 | 2009-01-20 | Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (ИГМ СО РАН) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов |
-
2019
- 2019-02-26 RU RU2019105444A patent/RU2699639C1/ru active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2344208C1 (ru) * | 2007-05-28 | 2009-01-20 | Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (ИГМ СО РАН) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
ISAENKO L.I. et al., Recent studies of nonlinear chalcogenide crystals for the mid-IR, "Semiconductor Science and Technology", 2016, Vol.31, No.12, 123001. * |
ИСАЕНКО Л.И. и др., Нелинейные кристаллы халькогенидных соединений: Рост, структура, свойства, "ГЕОЛОГИЯ И МИНЕРАГЕНИЯ СЕВЕРНОЙ ЕВРАЗИИ", материалы совещания, приуроченного к 60-летию Института геологии и геофизики СО АН СССР, 3-5 октября 2017, Новосибирск, стр.93-94. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2763463C1 (ru) * | 2021-06-07 | 2021-12-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения |
RU2783926C1 (ru) * | 2021-10-05 | 2022-11-22 | Максим Владимирович Григорьев | Способ получения селенидов (Sr,Eu)LnCuSe3 (Ln = La, Nd, Sm, Gd-Lu, Sc, Y) ромбической сингонии |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Isaenko et al. | LiInSe 2: A biaxial ternary chalcogenide crystal for nonlinear optical applications in the midinfrared | |
Isaenko et al. | Ternary chalcogenides LiBC2 (B= In, Ga; C= S, Se, Te) for mid-IR nonlinear optics | |
Furukawa et al. | The correlation of MgO-doped near-stoichiometric LiNbO3 composition to the defect structure | |
Kumar et al. | Recent advances in rare earth-based borate single crystals: Potential materials for nonlinear optical and laser applications | |
Guo et al. | Growth and characterizations of BaGa4S7 crystal | |
US10626519B2 (en) | Lead oxychloride, infrared nonlinear optical crystal, and preparation method thereof | |
Yelisseyev et al. | The optical properties of the nonlinear crystal BaGa4Se7 | |
RU2763463C1 (ru) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения | |
Wang et al. | Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal | |
Lin et al. | External influence on third-order optical nonlinearity of transparent chalcogenide glass-ceramics | |
Schunemann | Crystal growth and properties of nonlinear optical materials | |
Cheng et al. | Synthesis and growth of ZnGeP2 crystals: Prevention of non-stoichiometry | |
Avanesov et al. | Phase equilibrium studies in the PbTe–Ga2Te3 and PbTe–In2Te3 systems for growing new nonlinear optical crystals of PbGa6Te10 and PbIn6Te10 with transparency extending into the far-IR | |
Fan et al. | Synthesis of high-quality CdSiP2 polycrystalline materials directly from the constituent elements | |
RU2699639C1 (ru) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения | |
RU2344208C1 (ru) | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов | |
Zhang et al. | Vertical Bridgman growth and optical properties of CdSiP 2 crystals | |
Hu et al. | Large-size high-quality CdSe-OPO component for far IR laser output prepared by directional crystal growth technique | |
Huang et al. | Effect of thermal annealing treatment and defect analysis on AgGaGeS4 single crystals | |
Liu et al. | Hydrothermal growth and optical properties of RbBe2BO3F2 crystals | |
Guo et al. | Li7Cd4. 5Ge4Se16 and Li6. 4Cd4. 8Sn4Se16: Strong Nonlinear Optical Response in Quaternary Diamond‐Like Selenide Networks | |
JP3479111B2 (ja) | 電気光学品 | |
Singh et al. | Periodically poled materials for long wavelength infrared (LWIR) NLO applications | |
Wu et al. | Crystal growth and frequency conversion of BaMgF4 single crystal by temperature gradient technique | |
RU2255151C2 (ru) | Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания |