RU2763463C1 - Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения - Google Patents

Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения Download PDF

Info

Publication number
RU2763463C1
RU2763463C1 RU2021109205A RU2021109205A RU2763463C1 RU 2763463 C1 RU2763463 C1 RU 2763463C1 RU 2021109205 A RU2021109205 A RU 2021109205A RU 2021109205 A RU2021109205 A RU 2021109205A RU 2763463 C1 RU2763463 C1 RU 2763463C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gase
single crystal
value
growth
nonlinear
Prior art date
Application number
RU2021109205A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Иванович Лобанов
Людмила Ивановна Исаенко
Александр Павлович Елисеев
Алина Александровна Голошумова
Алексей Федорович Курусь
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ)
Priority to RU2021109205A priority Critical patent/RU2763463C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2763463C1 publication Critical patent/RU2763463C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3551—Crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов для нелинейной оптики. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной I
Figure 00000018
2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,991<a<6,842
Figure 00000019
, 5,991<b<8,251
Figure 00000019
, 6,549<с<10,884
Figure 00000019
, объем 369,711<V<390,584
Figure 00000020
характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности 0,37-19,6 мкм, шириной запрещенной зоны при температуре 300 К 1,8-3,34 эВ, величиной двулучепреломления Δn>0,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм. Способ получения монокристалла LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98, состоит в том, что предварительно синтезируют соединения LixAg1-xGaSe2 из элементарных компонентов Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N) в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, затем выращивают монокристалл методом Бриджмена в вакуумированной ампуле, установленной в печи, при скорости выращивания от 5 до 10 мм/сут и среднем значении аксиального температурного градиента от 10 до 20°С/см и охлаждают печь при комнатной температуре. Полученные кристаллы прозрачны в широком интервале длин волн и позволяют реализовать перестройку лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. 3 ил., 1 табл., 3 пр.

Description

Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике. Кристаллы прозрачны в широком интервале длин волн и позволяют реализовать перестройку лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний РЖ-диапазон.
Кристаллы халькогенидов являются перспективными нелинейно-оптическими материалами для среднего инфракрасного (ИК) диапазона. Они необходимы для создания эффективных широкоперестраиваемых лазерных систем, которые используются для дистанционной связи, мониторинга и зондирования окружающей среды, визуализации органических тканей и многих других применений. Эффективный нелинейный ИК кристалл должен обладать комплексом характеристик: высокая оптическая прозрачность в широком диапазоне, особенно в двух атмосферных окнах, охватывающих 3-5 мкм и 8-13 мкм; эффективная генерация второй гармоники (ГВГ) с коэффициентами dij превышающими значения для AgGaS2 (d36=13 пм/В); высокий порог лазерного повреждения для получения лазера высокой мощности; умеренное двулучепреломление Δn (0.03-0.10); технологичность процессов выращивания кристаллов и их физико-химическая стабильность.
Получение материала, сочетающего все перечисленные условия, остается сложной и актуальной задачей. Так, эффективность ГВГ обычно обратно пропорциональна оптической стойкости, поскольку увеличение dij как правило сопровождается уменьшением ширины запрещенной зоны Eg [1, 2]. Поэтому достижение оптимального баланса между указанными характеристиками является ключевым моментом для создания эффективного ИК кристалла. До настоящего времени основными коммерческими нелинейными ИК материалами остаются кристаллы структурного типа халькопирита: AgGaC2 (С=S, Se) и ZnGeP2, которые характеризуются высокими значениями dij (13, 39.5 и 75 и пм/В, соответственно) [3]. Тем не менее, края ИК-поглощения для AgGaS2 и ZnGeP2 составляют менее 13 мкм, что затрудняет генерацию лазерного излучения в области второго атмосферного окна (8-13 мкм). Кроме того, AgGaC2 (С=S, Se) имеет довольно низкую оптическую стойкость, все три указанных материала характеризуются значительным двухфотонным поглощением и поэтому не подходят для лазерных систем с высокой мощностью.
Было установлено, что замена катионов серебра литием в структурах AgGaC2 может существенно улучшить оптическую стойкость и оптимизировать двухфотонное поглощение [1, 3], однако кристаллы состава LiGaC2 имеют ряд недостатков, включая достаточно низкие значения dij (<10 пм/В) и относительно узкий диапазон прозрачности (например, ИК-край для LiGaSe2 - 13 мкм, тогда как для AgGaSe2 - 18 мкм). Авторы [2] исследовали соединение смешанного халькогенида LixAg2-xGa2S4. Результаты показали, что введение лития позволяет достичь значительного нелинейного эффекта при высоких значениях порога разрушения: для состава Li1.2Ag0.8Ga2S4 ширина запрещенной зоны равна 3.4 эВ, нелинейная восприимчивость в 1.1 раза больше, а оптическая стойкость в 8.6 раз выше по сравнению с AgGaS2 [2]. Селениды обладают более широким диапазоном прозрачности, поэтому при получении нового перспективного соединения в качестве аниона был выбран селен.
Известен способ получения монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 (патент RU 2699639), который включает предварительный синтез соединения из элементарных компонентов в условиях обеспечения их стехиометрического соотношения и выращивание монокристалла модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле при изменении соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле. Этот способ наиболее близок к предлагаемому тем, что включает стадии синтеза и кристаллизации, однако условия осуществления обеих стадий для нового монокристалла являются предметом исследований и установления неизвестных параметров процесса, не следующих из уровня техники.
Задачей настоящего изобретения является создание нелинейного материала на базе твердых растворов LixAg1-xGaSe2, характеризующегося комплексом оптимальных характеристик нелинейно-оптического преобразователя: значительные нелинейные коэффициенты, высокая оптическая стойкость, умеренные значения двулучепреломления, широкий диапазон прозрачности.
Поставленная задача решена созданием нелинейного монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где x принимает любое значение от 0.01 до 0.98.
Монокристаллы получали следующим образом:
Взвешивание и загрузку исходных элементарных веществ проводили в сухой камере, продуваемой чистым аргоном. Шихту для выращивания кристаллов получали методом пиросинтеза путем сплавления элементарных Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N). Синтез проводили в кварцевом контейнере, внутреннюю поверхность которого графитизировали во избежание взаимодействия кварца с литием. Взвешенные в стехиометрическом соотношении компоненты помещали в контейнер, вакуумировали до 10-2 мм рт.ст. и герметично запаивали, затем помещали в горизонтальную двузонную печь так, чтобы Se находился в «холодной» зоне при Т=500°С, а все металлы в «горячей» зоне при Т=1000°С. Контейнер со скоростью 1 см/час перемещали из холодной зоны в горячую до тех пор, пока не заканчивался селен, после чего печь выключали и смесь охлаждали до комнатной температуры.
Кристаллы выращивали методом Бриджмена. Шихту загружали в графитизированную квацевую ампулу с коническим дном, вакуумировали до 10-2 мм рт.ст. и герметично запаивали. Ампулу устанавливали в вертикальную двузонную печь. Температура в горячей зоне составляла 900°С, в холодной -700°С. Температура плавления LixAg1-xGaSe2 по мере увеличения значения x варьируется от 850°С [4] до 890°С [5]. В печи в точке плавления температурный градиент составлял от 10 до 20°/cм. Ампулу перемещали из горячей зоны в холодную со скоростью 5-10 мм/сутки, по окончании кристаллизации печь выключали и охлаждали до комнатной температуры. Полученную монокристаллическую булю перекристаллизовывали повторно. В результате получали прозрачный слиток длиной до 35 мм и диаметром до 25 мм.
Полученный халькогенидный монокристалл имеет формулу LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0.01 до 0.98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной
Figure 00000001
до ромбической Pna21 (при x=0.98), параметры элементарной ячейки 5.99<a<6.842
Figure 00000002
, 5.99<b<8.251
Figure 00000003
, 10.884>с>6.549
Figure 00000004
, объем 390.584>V>369.711
Figure 00000005
Монокристалл состава LixAg1-xGaSe2 представляет собой ряд твердых растворов тетрагональной модификации при x от 0.01 до 0.98 и характеризуется оптимальным сочетанием функциональных параметров: при x=0.5 диапазон прозрачности составляет от 0.57 до 19.6 микрон, ширина запрещенной зоны равна 2.365 эВ при 300 К, рассчитанное значение двулучепреломления Δn>0.02, нелинейный коэффициент оценен методом Куртца-Перри - 26.0 пм/В. Значения порога оптического разрушения в 5 раз превышают соответствующее значение для AgGaSe2 при длительности импульса 6 нc (длина волны 1.053 мкм, частота повторения 100 Гц), при 0.5 нc (длина волны 1.064 мкм, частота повторения 1 кГц) эта величина составляет 1 ГВт/см2.
Результаты показывают, что частичное замещение ионов Li+ на Ag+ позволяет получить материал, превосходящий по совокупности параметров тройные аналоги AgGaSe2, LiGaSe2: нелинейный коэффициент, значительно превышающий показатель литиевого кристалла, более длинноволновый край поглощения - до 19 мкм, более высокую оптическую стойкость.
На фиг. 1 представлен выращенный слиток LixAg1-xGaSe2 (а), образец в проходящем поляризованном свете (b), призма для исследований дисперсионных характеристик (с).
На фиг. 2 приведена кристаллическая структура LixAg1-xGaSe2.
На фиг. 3 представлены спектры пропускания кристаллов LixAg1-xGaSe2 при х=0.01; 0.5; 0.98 (а, кривые 1, 2 и 3, соответственно) и построение по Тауцу для прямых межзонных электронных переходов при 300 (1) и 80 (2) К для Li0.5Ag0.5GaSe2 (b).
Примеры конкретного выполнения.
Пример 1. Для получения монокристаллического образца Li0.98Ag0.02GaSe2 (х=0.98) используют шихту, полученную описанным выше методом из исходных элементарных компонентов: литий, серебро, галлий, и селен высокой чистоты, взятых в стехиометрическом соотношении.
Кристаллы выращивают методом Бриджмена (вертикальный вариант). Температура плавления равна 890°С. Температурный градиент в зоне роста составляет около 20°/см. В результате получают слитки состава Li0.98Ag0.02GaSe2 массой до 30 г. Кристаллы относятся к ромбической симметрии с пространственной группой Pna21, параметры элементарной ячейки а=6.842
Figure 00000002
, b=8.251
Figure 00000002
, с=6.549
Figure 00000002
, V=369.711
Figure 00000006
Диапазон прозрачности составляет от 0.37 до 13.2 микрон, ширина запрещенной зоны 3.34 эВ при 300 К, рассчитанное значение двулучепреломления Δn>0.05, нелинейный коэффициент равен 9.9 пм/В (2.3 мкм), порог оптического разрушения составляет 90 МВт/см2 (длительность импульса 6 не, частота повторения 100 Гц, длина волны 1.064 мкм).
Пример 2. Для получения образца Li0.5Ag0.5GaSe2 (х=0.5) массой 30 г используют исходные элементарные компоненты: литий, серебро, галлий и селен высокой чистоты, взятые в стехиометрическом соотношении. Условия /получения, как в примере 1. Температура плавления составляет 868°С. Температурный градиент в зоне роста равен около 15°/см. Структура кристаллов - тетрагональная
Figure 00000007
с параметрами решетки: а=5.929
Figure 00000008
с=10.794
Figure 00000009
, V=379.50(4)
Figure 00000010
Диапазон прозрачности от 0.57 до 19.6 мкм, ширина запрещенной зоны 2.365 эВ при 300 К, рассчитанные значения двулучепреломления Δn>0.02; нелинейный коэффициент измерен методом Куртца-Перри 26.0 пм/В. Значение порога оптического разрушения составляет 70 МВт/см2 (6 нc, 100 Гц, 1.064 мкм).
Пример 3. Для получения образца Li0.01Ag0.99GaSe2 (x=0.01) массой до 30 г используют исходные элементарные компоненты: литий, серебро, галлий и селен высокой чистоты, взятые в стехиометрическом соотношении. Условия получения, как в примере 1. Температура плавления составляет 850°С. Температурный градиент в зоне роста равен около 10%м. Выращенные кристаллы описываются тетрагональной симметрией (пространственная группа
Figure 00000001
), параметры ячейки: а=5.991
Figure 00000011
с=10.884
Figure 00000012
V=390.584
Figure 00000013
Прозрачность от 0.76 до 18.0 мкм, ширина запрещенной зоны 1.8 эВ при 300 К, рассчитанные значения двулучепреломления Δn>0.04; нелинейный коэффициент составляет 39.0 пм/В (1.06 мкм), величина порога оптического разрушения равна 15 МВт/см2 (6 нc, 100 Гц, 1.064 мкм).
В таблице 1 приведены основные параметры и физические характеристики полученных монокристаллов.
Список использованной литературы:
[1] L. Isaenko, A. Yelisseyev, S. Lobanov, A. Titov, V. Petrov, J.-J. Zondy, P. Krinitsin, A. Merkulov, V. Vedenyapin. J. Smirnova, Cryst. Res. Technol. (2003), 38, 379.
[2] H.-M. Zhou, L. Xiong, L. Chen, L. -M. Wu, Angew. Chem., Int. Ed. (2019), 58, 9979.
[3] D. N. Nikogosyan, Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey, Springer, New York, NY 2005.
[4] A. Yelisseyev, P. Krinitsin, L. Isaenko, J. of Crystal Growth (2014), 387, 41-47.
[5] L.I. Isaenko, A.P. Yelisseyev. Semiconductor Science and Technology (2016), 31, 123001.
Figure 00000014

Claims (5)

1. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной I
Figure 00000015
2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,991<a<6,842
Figure 00000016
, 5,991<b<8,251
Figure 00000016
, 6,549<с<10,884
Figure 00000016
, объем 369,711<V<390,584
Figure 00000017
характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности 0,37-19,6 мкм, шириной запрещенной зоны при температуре 300 К 1,8-3,34 эВ, величиной двулучепреломления Δn>0,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм.
2. Способ получения монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98, состоит в том, что предварительно синтезируют соединения LixAg1-xGaSe2 из элементарных компонентов Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N) в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, затем выращивают монокристалл методом Бриджмена в вакуумированной ампуле, установленной в печи, при скорости выращивания от 5 до 10 мм/сут и среднем значении аксиального температурного градиента от 10 до 20°С/см и охлаждают печь при комнатной температуре.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что выращивание монокристалла состава Li0,98Ag0,02GaSe2 осуществляют при соблюдении в зоне роста температурного градиента 20°С/см.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что выращивание монокристалла состава Li0,01Ag0,99GaSe2 осуществляют при соблюдении температурного градиента в зоне роста 10°С/см.
5. Способ по п. 2, отличающийся тем, что выращивание монокристалла состава Li0,5Ag0,5GaSe2 осуществляют при соблюдении градиента в зоне роста 15°С/см.
RU2021109205A 2021-06-07 2021-06-07 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения RU2763463C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021109205A RU2763463C1 (ru) 2021-06-07 2021-06-07 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021109205A RU2763463C1 (ru) 2021-06-07 2021-06-07 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2763463C1 true RU2763463C1 (ru) 2021-12-29

Family

ID=80039861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021109205A RU2763463C1 (ru) 2021-06-07 2021-06-07 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2763463C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115896950A (zh) * 2022-12-06 2023-04-04 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硒锗镁钠和硒锗镁钠红外双折射光学晶体及制备方法和应用
CN115928207A (zh) * 2022-11-17 2023-04-07 四川大学 一种硒锂化合物多晶材料的合成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1839800A1 (ru) * 1980-07-07 2005-05-27 Кубанский государственный университет Нелинейный монокристаллический материал
RU2344208C1 (ru) * 2007-05-28 2009-01-20 Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (ИГМ СО РАН) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов
RU2699639C1 (ru) * 2019-02-26 2019-09-06 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1839800A1 (ru) * 1980-07-07 2005-05-27 Кубанский государственный университет Нелинейный монокристаллический материал
RU2344208C1 (ru) * 2007-05-28 2009-01-20 Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (ИГМ СО РАН) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов
RU2699639C1 (ru) * 2019-02-26 2019-09-06 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
КУРУСЬ А.Ф. и др., Монокристаллы халькогенидов для полупроводниковых детекторов нейтронного излучения, "Фундаментальные проблемы современного материаловедения", 2019, Т.16, N 1, стр.16-21. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115928207A (zh) * 2022-11-17 2023-04-07 四川大学 一种硒锂化合物多晶材料的合成方法
CN115896950A (zh) * 2022-12-06 2023-04-04 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硒锗镁钠和硒锗镁钠红外双折射光学晶体及制备方法和应用
CN115896950B (zh) * 2022-12-06 2024-03-22 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硒锗镁钠和硒锗镁钠红外双折射光学晶体及制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Isaenko et al. Ternary chalcogenides LiBC2 (B= In, Ga; C= S, Se, Te) for mid-IR nonlinear optics
RU2763463C1 (ru) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения
US10626519B2 (en) Lead oxychloride, infrared nonlinear optical crystal, and preparation method thereof
Goel et al. Enhanced optical, NLO, dielectric and thermal properties of novel sodium hydrogen phthalate single crystals doped with zinc
Yelisseyev et al. The optical properties of the nonlinear crystal BaGa4Se7
WO2017005081A1 (zh) BaHgSe2非线性光学晶体及制法和用途
US6391229B1 (en) Borate crystal, growth method of the same and laser equipment using the same
Anis et al. Impact of increasing concentration of l-alanine environment on structural, UV–vis, SHG efficiency, luminescence and dielectric traits of zinc thiourea chloride (ZTC) crystal
Avanesov et al. Phase equilibrium studies in the PbTe–Ga2Te3 and PbTe–In2Te3 systems for growing new nonlinear optical crystals of PbGa6Te10 and PbIn6Te10 with transparency extending into the far-IR
Wang et al. Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal
US11932965B2 (en) Nonlinear optical crystal, method for preparing the same and application thereof
RU2344208C1 (ru) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов
Hu et al. Large-size high-quality CdSe-OPO component for far IR laser output prepared by directional crystal growth technique
Parthasarathy et al. Unidirectional growth of Methyl 2-amino-5-bromobenzoate crystal by Sankaranarayanan–Ramasamy method and its characterization
Liu et al. Hydrothermal growth and optical properties of RbBe2BO3F2 crystals
Qi et al. Growth and non-critical phase-matching frequency conversion properties of La x Y 1− x COB crystals
RU2699639C1 (ru) Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения
Wang et al. Growth and properties of UV nonlinear optical crystal ZnCd (SCN) 4
CN114507901B (zh) 包含铌酸钾钠单晶的非线性光学器件
CN114457427A (zh) 硒镓锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
RU2255151C2 (ru) Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания
Perumal et al. Synthesis, crystalline perfection, optical and dielectric studies on metal–organic tri-allylthiourea cadmium chloride (ATCC) nonlinear optical single crystal by solution growth technique
Wang et al. Growth and optical properties of infrared nonlinear optical crystal BaGa4Se7
Wang et al. Growth and properties of UV nonlinear optical crystal ZnCd (SCN) 4
CN109778302B (zh) 一种单晶材料及其制备方法和应用