JPH05174410A - 光ヘッド用スライダー - Google Patents
光ヘッド用スライダーInfo
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- JPH05174410A JPH05174410A JP3343434A JP34343491A JPH05174410A JP H05174410 A JPH05174410 A JP H05174410A JP 3343434 A JP3343434 A JP 3343434A JP 34343491 A JP34343491 A JP 34343491A JP H05174410 A JPH05174410 A JP H05174410A
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- aluminum nitride
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【構成】光ヘッド用スライダーを、気孔率0.3%以下
の窒化アルミニウム質セラミックスで形成し、ABS面
のボイド占有率を0.3〜1.5%とする。 【効果】半導体レーザから発せられる熱を逃がすことが
でき、かつ光ディスクとスライダ−の付着、接触による
ダメージの発生を抑えることが出来る。
の窒化アルミニウム質セラミックスで形成し、ABS面
のボイド占有率を0.3〜1.5%とする。 【効果】半導体レーザから発せられる熱を逃がすことが
でき、かつ光ディスクとスライダ−の付着、接触による
ダメージの発生を抑えることが出来る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置に組み
込まれる光ヘッド用スライダーに関するものである。
込まれる光ヘッド用スライダーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大容量の記憶媒体として光ディス
ク装置が用いられているが、このような光ディスク装置
(媒体可変型)のヘッド部の構造は図3に示すようにな
っていた。
ク装置が用いられているが、このような光ディスク装置
(媒体可変型)のヘッド部の構造は図3に示すようにな
っていた。
【0003】まず、半導体レーザ37から発せられた光
は、コリメータレンズ36により平行な光に変換され、
光アイソレータ38を通り、対物レンズ32で集光され
て光ディスク基板31の記録層30に達する。そして、
記録層30で反射された光は、再び光アイソレータ38
を通過する際に反射して光検出器35に送られるように
なっていた。なお、上記光アイソレータ38は、偏光ビ
ームスプリッタ34とλ/4波長板33からなり、入射
光と反射光を効率よく分離するものである。
は、コリメータレンズ36により平行な光に変換され、
光アイソレータ38を通り、対物レンズ32で集光され
て光ディスク基板31の記録層30に達する。そして、
記録層30で反射された光は、再び光アイソレータ38
を通過する際に反射して光検出器35に送られるように
なっていた。なお、上記光アイソレータ38は、偏光ビ
ームスプリッタ34とλ/4波長板33からなり、入射
光と反射光を効率よく分離するものである。
【0004】しかし、図3に示すような光ヘッドは、記
録層30から対物レンズ32までの距離が約2.5mm
あり、また光学部品、機構部品が数十個有るため、寸法
が大きく重いものであった。
録層30から対物レンズ32までの距離が約2.5mm
あり、また光学部品、機構部品が数十個有るため、寸法
が大きく重いものであった。
【0005】そこで、小形の光ヘッドとして、図4に示
す近接型光ヘッドが開発されている。これは、半導体レ
ーザ42と光ディスク基板41の記録面40が複合共振
系を構成し、記録面40の反射率の大小で半導体レーザ
42をスイッチングさせ、その光出力を光検出器43で
受光するというものである。そして、これらの半導体レ
ーザ42と光検出器43をスライダー(不図示)に取り
つけて、従来の磁気ヘッドと類似の構造としてある。な
お、この近接型光ヘッドでは、半導体レーザ42の光ビ
ームは直近での広がりが小さいため、従来の磁気ヘッド
のように記録面40との距離を1μm以下と小さくする
必要がなく、装置信頼性の高いものである。
す近接型光ヘッドが開発されている。これは、半導体レ
ーザ42と光ディスク基板41の記録面40が複合共振
系を構成し、記録面40の反射率の大小で半導体レーザ
42をスイッチングさせ、その光出力を光検出器43で
受光するというものである。そして、これらの半導体レ
ーザ42と光検出器43をスライダー(不図示)に取り
つけて、従来の磁気ヘッドと類似の構造としてある。な
お、この近接型光ヘッドでは、半導体レーザ42の光ビ
ームは直近での広がりが小さいため、従来の磁気ヘッド
のように記録面40との距離を1μm以下と小さくする
必要がなく、装置信頼性の高いものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図4に示す
近接型光ヘッドにおいて、スライダーの材質として従来
の磁気ヘッドと同様のセラミックスを用いたのでは、熱
伝導率が低いため、半導体レーザ42より発せられる熱
を逃がすことが困難であり、長時間使用時の発振安定性
が悪くなり、誤動作を生じる恐れがあるという問題点が
あった。
近接型光ヘッドにおいて、スライダーの材質として従来
の磁気ヘッドと同様のセラミックスを用いたのでは、熱
伝導率が低いため、半導体レーザ42より発せられる熱
を逃がすことが困難であり、長時間使用時の発振安定性
が悪くなり、誤動作を生じる恐れがあるという問題点が
あった。
【0007】また、光ディスクの場合、磁気ディスクに
見られるようなテクスチャ加工(溝加工)がされていな
いため、駆動開始時や終了時に光ヘッドを構成するスラ
イダーのABS(Air Bearing Surfa
ce)面と光ディスクとの付着が発生し、光ディスクに
ダメージが発生するという問題があった。
見られるようなテクスチャ加工(溝加工)がされていな
いため、駆動開始時や終了時に光ヘッドを構成するスラ
イダーのABS(Air Bearing Surfa
ce)面と光ディスクとの付着が発生し、光ディスクに
ダメージが発生するという問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記に鑑みて本発明は、
光ヘッド用スライダーを、気孔率が0.3%以下の窒化
アルミニウム質セラミックスで形成したものであり、さ
らにはABS面のボイド占有率を0.3〜1.5%の範
囲としたものである。
光ヘッド用スライダーを、気孔率が0.3%以下の窒化
アルミニウム質セラミックスで形成したものであり、さ
らにはABS面のボイド占有率を0.3〜1.5%の範
囲としたものである。
【0009】
【作用】本発明によれば、極めて熱伝導率の高い窒化ア
ルミニウム質セラミックスを用いたため放熱性に優れ、
半導体レーザの発振安定性を高められる。また、ABS
面のボイド占有率を適度な範囲としてあるため、光ディ
スクに吸着することなく、ダメージを与えにくくするこ
とができる。
ルミニウム質セラミックスを用いたため放熱性に優れ、
半導体レーザの発振安定性を高められる。また、ABS
面のボイド占有率を適度な範囲としてあるため、光ディ
スクに吸着することなく、ダメージを与えにくくするこ
とができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明実施例の光ヘッド用スライダー
を図によって説明する。
を図によって説明する。
【0011】図1に斜視図を示すように、本発明のスラ
イダー10は窒化アルミニウム質セラミックスからなる
略直方体であり、端面に電極取り出し用のメタライズ層
11を形成し、このメタライズ層11上に半導体レーザ
および光検出器のチップ12を取りつけてある。また、
スライダー10の上面にはアーム(不図示)へ取付ける
ための凹部13を備えている。さらに、図2に示すよう
に、スライダー10の下面は、溝部22、テーパ部21
を備えたABS面20となっている。
イダー10は窒化アルミニウム質セラミックスからなる
略直方体であり、端面に電極取り出し用のメタライズ層
11を形成し、このメタライズ層11上に半導体レーザ
および光検出器のチップ12を取りつけてある。また、
スライダー10の上面にはアーム(不図示)へ取付ける
ための凹部13を備えている。さらに、図2に示すよう
に、スライダー10の下面は、溝部22、テーパ部21
を備えたABS面20となっている。
【0012】このスライダー10を不図示のアームに取
りつけておいて、回転する光ディスク上の所定位置に移
動させれば、上記ABS面20の形状によってスライダ
ー10は、光ディスクから浮上するようになる。そし
て、チップ12によって光ビームを照射、検出すること
によって情報の読み出しを行うことができる。
りつけておいて、回転する光ディスク上の所定位置に移
動させれば、上記ABS面20の形状によってスライダ
ー10は、光ディスクから浮上するようになる。そし
て、チップ12によって光ビームを照射、検出すること
によって情報の読み出しを行うことができる。
【0013】なお、上記スライダー10を構成する窒化
アルミニウム質セラミックスとは、窒化アルミニウム
(AlN)を主成分とし、焼結助剤としてCa、Yなど
の周期律表第2a族、3a族元素の酸化物、フッ化物等
を添加してなる原料を所定形状に成形し、焼成したもの
であり、熱伝導率が極めて高い焼結体である。そのた
め、本発明のスライダー10は、半導体レーザに発生し
た熱を逃がしやすく、半導体レーザの性能を安定させる
ことができる。
アルミニウム質セラミックスとは、窒化アルミニウム
(AlN)を主成分とし、焼結助剤としてCa、Yなど
の周期律表第2a族、3a族元素の酸化物、フッ化物等
を添加してなる原料を所定形状に成形し、焼成したもの
であり、熱伝導率が極めて高い焼結体である。そのた
め、本発明のスライダー10は、半導体レーザに発生し
た熱を逃がしやすく、半導体レーザの性能を安定させる
ことができる。
【0014】また、高い熱伝導率を維持するためには窒
化アルミニウム質セラミックスの気孔率が重要であり、
気孔率が0.3%より高いと熱伝導率が150W/m・
Kより低くなり、放熱性が悪くなってしまう。したがっ
て、スライダー10を構成する窒化アルミニウム質セラ
ミックスの気孔率は0.3%以下のものがよい。
化アルミニウム質セラミックスの気孔率が重要であり、
気孔率が0.3%より高いと熱伝導率が150W/m・
Kより低くなり、放熱性が悪くなってしまう。したがっ
て、スライダー10を構成する窒化アルミニウム質セラ
ミックスの気孔率は0.3%以下のものがよい。
【0015】また、スライダー10のABS面20は、
平坦度0.3μm以下の極めて平坦な面となっている
が、その表面には、気孔や結晶脱粒によるボイドが存在
する。そして、このボイド占有率が1.5%より高いと
光ディスクに傷をつけやすくなり、一方ボイド占有率が
0.3%より低いとスライダー10が光ディスクに吸着
して傷を付けやすくなる。したがって、スライダー10
のABS面20の表面のボイド占有率は0.3〜1.5
%がよく、好ましくは0.4〜1.2%がよい。
平坦度0.3μm以下の極めて平坦な面となっている
が、その表面には、気孔や結晶脱粒によるボイドが存在
する。そして、このボイド占有率が1.5%より高いと
光ディスクに傷をつけやすくなり、一方ボイド占有率が
0.3%より低いとスライダー10が光ディスクに吸着
して傷を付けやすくなる。したがって、スライダー10
のABS面20の表面のボイド占有率は0.3〜1.5
%がよく、好ましくは0.4〜1.2%がよい。
【0016】なお、ここでボイド占有率とは、一定面積
中におけるボイド面積の占める割合のことであり、画像
処理装置によって測定することができる。また、上記気
孔率やボイド占有率は、窒化アルミニウム質セラミック
スの焼成条件によって、自由にコントロールすることが
できる。
中におけるボイド面積の占める割合のことであり、画像
処理装置によって測定することができる。また、上記気
孔率やボイド占有率は、窒化アルミニウム質セラミック
スの焼成条件によって、自由にコントロールすることが
できる。
【0017】実験例1 図1に示す光ヘッド用スライダーを試作した。本発明実
施例として、さまざまな気孔率を有する窒化アルミニウ
ム質セラミックスを用い、比較例として、SiCを主成
分とする炭化珪素質セラミックスやサファイヤ(単結晶
アルミナ)を用いた。それぞれについて、光ディスク装
置に組み込み、回転数3600rpmにて連続再生動作
試験を行い、半導体レーザの発振安定性の確認を行っ
た。評価は半導体レーザの発振閾値電流が初期の値の
1.2倍になるまでの時間にて評価した。
施例として、さまざまな気孔率を有する窒化アルミニウ
ム質セラミックスを用い、比較例として、SiCを主成
分とする炭化珪素質セラミックスやサファイヤ(単結晶
アルミナ)を用いた。それぞれについて、光ディスク装
置に組み込み、回転数3600rpmにて連続再生動作
試験を行い、半導体レーザの発振安定性の確認を行っ
た。評価は半導体レーザの発振閾値電流が初期の値の
1.2倍になるまでの時間にて評価した。
【0018】結果は表1に示すように、No.4、5の
ものでは、熱伝導率が低いことから放熱性が悪く、半導
体レーザの発振安定性が悪かった。また、No.3に示
すように、窒化アルミニウム質セラミックスを用いたも
のでも気孔率が0.3%より高いと、放熱性が悪く、半
導体レーザの発振安定性が悪かった。
ものでは、熱伝導率が低いことから放熱性が悪く、半導
体レーザの発振安定性が悪かった。また、No.3に示
すように、窒化アルミニウム質セラミックスを用いたも
のでも気孔率が0.3%より高いと、放熱性が悪く、半
導体レーザの発振安定性が悪かった。
【0019】これらに対し、No.1、2の気孔率0.
3%以下の窒化アルミニウム質セラミックスを用いたも
のは、熱伝導率が高いことから放熱性に優れ、実用上満
足できる連続発振時間が得られた。
3%以下の窒化アルミニウム質セラミックスを用いたも
のは、熱伝導率が高いことから放熱性に優れ、実用上満
足できる連続発振時間が得られた。
【0020】
【表1】
【0021】実験例2 次に、上記と同じ材質を用いて、スライダー10のAB
S面20のボイド占有率の異なるものを用意し、光ディ
スク装置に組み込んで、CSS(ContactSta
rt/Stop)テストを行った。評価としてCSS回
数10,000回後における光ディスク表面を顕微鏡で
観察し、傷のあるものを×、無いものを○とした。な
お、ボイド占有率は、画像処理装置(ルーゼックス)に
よって測定した。
S面20のボイド占有率の異なるものを用意し、光ディ
スク装置に組み込んで、CSS(ContactSta
rt/Stop)テストを行った。評価としてCSS回
数10,000回後における光ディスク表面を顕微鏡で
観察し、傷のあるものを×、無いものを○とした。な
お、ボイド占有率は、画像処理装置(ルーゼックス)に
よって測定した。
【0022】結果は表2に示すように、材質、気孔率に
係わらず、ABS面のボイド占有率によって、光ディス
クに与える傷の有無が決定されることがわかる。そし
て、ボイド占有率が1.5%より大きいもの(No.3
〜5)は、光ディスクに傷が発生した。一方ボイド占有
率が0.3%より小さいもの(No.8、9)は、スラ
イダーが光ディスクに吸着しやすく、そのために傷が発
生した。
係わらず、ABS面のボイド占有率によって、光ディス
クに与える傷の有無が決定されることがわかる。そし
て、ボイド占有率が1.5%より大きいもの(No.3
〜5)は、光ディスクに傷が発生した。一方ボイド占有
率が0.3%より小さいもの(No.8、9)は、スラ
イダーが光ディスクに吸着しやすく、そのために傷が発
生した。
【0023】これらに対し、ボイド占有率が0.3〜
1.5%のもの(No.1、2)は、適度にボイドが存
在するため、光ディスクと吸着することがなくダメージ
を与えにくくできることがわかる。
1.5%のもの(No.1、2)は、適度にボイドが存
在するため、光ディスクと吸着することがなくダメージ
を与えにくくできることがわかる。
【0024】
【表2】
【0025】
【発明の効果】このように、本発明によれば、光ヘッド
用スライダーを、気孔率0.3%以下の窒化アルミニウ
ム質セラミックスで形成したことによって、半導体レー
ザから発生する熱を逃がすことができるため、半導体レ
ーザの発振安定性を高めることができ、長時間使用して
も誤動作などを生じる恐れがなくなる。またスライダー
のABS面のボイド占有率を0.3〜1.5%とするこ
とによって、光ディスクとの付着、接触によるダメージ
の発生を抑えることができるなどの効果を奏することが
できる。
用スライダーを、気孔率0.3%以下の窒化アルミニウ
ム質セラミックスで形成したことによって、半導体レー
ザから発生する熱を逃がすことができるため、半導体レ
ーザの発振安定性を高めることができ、長時間使用して
も誤動作などを生じる恐れがなくなる。またスライダー
のABS面のボイド占有率を0.3〜1.5%とするこ
とによって、光ディスクとの付着、接触によるダメージ
の発生を抑えることができるなどの効果を奏することが
できる。
【図1】本発明実施例に係る光ヘッド用スライダーを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図2】図1中のA矢視図である。
【図3】従来の光ヘッドを示す概略図である。
【図4】近接型の光ヘッドを示す概略図である。
10・・スライダー 11・・メタライズ層 12・・チップ 20・・ABS面 21・・テーパ部 22・・溝部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山内 幹夫 東京都中央区八重洲2丁目3番14号 京セ ラ株式会社東京八重洲事業所内 (72)発明者 浮田 宏生 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 中田 宏 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】気孔率が0.3%以下の窒化アルミニウム
質セラミックスで形成したことを特徴とする光ヘッド用
スライダー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3343434A JP2922698B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 光ヘッド用スライダー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3343434A JP2922698B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 光ヘッド用スライダー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05174410A true JPH05174410A (ja) | 1993-07-13 |
JP2922698B2 JP2922698B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=18361488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3343434A Expired - Fee Related JP2922698B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 光ヘッド用スライダー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2922698B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5497359A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-05 | National Business Machines Corporation | Optical disk data storage system with radiation-transparent air-bearing slider |
US6445453B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-09-03 | Zetetic Institute | Scanning interferometric near-field confocal microscopy |
US6552805B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-04-22 | Zetetic Institute | Control of position and orientation of sub-wavelength aperture array in near-field microscopy |
US6667809B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-12-23 | Zetetic Institute | Scanning interferometric near-field confocal microscopy with background amplitude reduction and compensation |
US6775009B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-08-10 | Zetetic Institute | Differential interferometric scanning near-field confocal microscopy |
US6847029B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-01-25 | Zetetic Institute | Multiple-source arrays with optical transmission enhanced by resonant cavities |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3343434A patent/JP2922698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5497359A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-05 | National Business Machines Corporation | Optical disk data storage system with radiation-transparent air-bearing slider |
US6445453B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-09-03 | Zetetic Institute | Scanning interferometric near-field confocal microscopy |
US6606159B1 (en) | 1999-08-02 | 2003-08-12 | Zetetic Institute | Optical storage system based on scanning interferometric near-field confocal microscopy |
US6753968B2 (en) | 1999-08-02 | 2004-06-22 | Zetetic Institute | Optical storage system based on scanning interferometric near-field confocal microscopy |
US6552805B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-04-22 | Zetetic Institute | Control of position and orientation of sub-wavelength aperture array in near-field microscopy |
US6667809B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-12-23 | Zetetic Institute | Scanning interferometric near-field confocal microscopy with background amplitude reduction and compensation |
US6775009B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-08-10 | Zetetic Institute | Differential interferometric scanning near-field confocal microscopy |
US6847029B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-01-25 | Zetetic Institute | Multiple-source arrays with optical transmission enhanced by resonant cavities |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2922698B2 (ja) | 1999-07-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |