JPH05171465A - 二酸化ケイ素膜の形成方法 - Google Patents
二酸化ケイ素膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH05171465A JPH05171465A JP34450891A JP34450891A JPH05171465A JP H05171465 A JPH05171465 A JP H05171465A JP 34450891 A JP34450891 A JP 34450891A JP 34450891 A JP34450891 A JP 34450891A JP H05171465 A JPH05171465 A JP H05171465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sio
- substrate
- acid
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5035—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理材の表面を損傷したり変質させたりす
ることなく、その被処理材の表面にＳｉＯ2 膜を形成す
る。 【構成】 【化１】 （式中、Ｒは水素、ハロゲン、フェニル基、炭素数１〜
５のアルキル基の群から選ばれる少なくとも１種を表わ
し、Ｒ’は水素、炭素数１〜５のアルキル基の群から選
ばれる少なくとも１種を表わし、ｘは０、１、２、３の
いずれかの数を表わす）で示されるケイ素化合物、およ
び酸が含有されている処理液の中に被処理材を浸漬し
て、前記被処理材の表面にＳｉＯ2 膜を成膜する。
ることなく、その被処理材の表面にＳｉＯ2 膜を形成す
る。 【構成】 【化１】 （式中、Ｒは水素、ハロゲン、フェニル基、炭素数１〜
５のアルキル基の群から選ばれる少なくとも１種を表わ
し、Ｒ’は水素、炭素数１〜５のアルキル基の群から選
ばれる少なくとも１種を表わし、ｘは０、１、２、３の
いずれかの数を表わす）で示されるケイ素化合物、およ
び酸が含有されている処理液の中に被処理材を浸漬し
て、前記被処理材の表面にＳｉＯ2 膜を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳｉＯ2 膜の形成方法に
関し、更に詳しくは、被処理材の表面を物理的・化学的
にも損傷することなく、その表面にＳｉＯ2 膜を成膜す
る方法に関する。
関し、更に詳しくは、被処理材の表面を物理的・化学的
にも損傷することなく、その表面にＳｉＯ2 膜を成膜す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、各種半導体基板の表面を被覆し
てその機能を保持するために、基板表面にその保護膜と
してＳｉＯ2 膜が形成される。このようなＳｉＯ2 の成
膜方法としては、従来から各種の方法が採用されてい
る。
てその機能を保持するために、基板表面にその保護膜と
してＳｉＯ2 膜が形成される。このようなＳｉＯ2 の成
膜方法としては、従来から各種の方法が採用されてい
る。
【０００３】例えば、反応室内に基板をセットしてこの
基板を３００〜４５０℃程度の温度に加熱し、反応室内
にＳｉＨ4 （シラン）と酸素を所定の混合割合で送入
し、前記基板の表面で、ＳｉＨ4 ＋２Ｏ2 →ＳｉＯ2 ＋
２Ｈ2 Ｏの反応を起させることにより、前記表面にＳｉ
Ｏ2 膜を成膜する熱ＣＶＤ法；反応室内にＳｉＨ4 とＮ
2 Ｏを所定の混合割合で送入し、これらにＲＦパワーを
入力してプラズマ化し、それを所定温度にある基板の表
面でＳｉＯ2 膜として成膜するプラズマＣＶＤ法；ま
た、真空容器内にＳｉＯ2 材をターゲットとしてセット
し、これを例えばマグネトロンスパッタ法でスパッタリ
ングして所定の温度に加熱されている基板の表面で成膜
させるスパッタ法；更には、反応室内にＳｉＨ4 とＮ2
Ｏを所定の混合割合で送入し、ここに例えば紫外線を照
射することにより、ＳｉＨ4 ＋２Ｎ2 Ｏ→ＳｉＯ2 ＋２
Ｎ2 ＋２Ｈ2 の反応を起させて、所定温度にある基板の
表面にＳｉＯ2 膜を成膜させる光ＣＶＤ法；などが知ら
れている。
基板を３００〜４５０℃程度の温度に加熱し、反応室内
にＳｉＨ4 （シラン）と酸素を所定の混合割合で送入
し、前記基板の表面で、ＳｉＨ4 ＋２Ｏ2 →ＳｉＯ2 ＋
２Ｈ2 Ｏの反応を起させることにより、前記表面にＳｉ
Ｏ2 膜を成膜する熱ＣＶＤ法；反応室内にＳｉＨ4 とＮ
2 Ｏを所定の混合割合で送入し、これらにＲＦパワーを
入力してプラズマ化し、それを所定温度にある基板の表
面でＳｉＯ2 膜として成膜するプラズマＣＶＤ法；ま
た、真空容器内にＳｉＯ2 材をターゲットとしてセット
し、これを例えばマグネトロンスパッタ法でスパッタリ
ングして所定の温度に加熱されている基板の表面で成膜
させるスパッタ法；更には、反応室内にＳｉＨ4 とＮ2
Ｏを所定の混合割合で送入し、ここに例えば紫外線を照
射することにより、ＳｉＨ4 ＋２Ｎ2 Ｏ→ＳｉＯ2 ＋２
Ｎ2 ＋２Ｈ2 の反応を起させて、所定温度にある基板の
表面にＳｉＯ2 膜を成膜させる光ＣＶＤ法；などが知ら
れている。
【０００４】また、上記した成膜法とは全く異なり、
【０００５】
【化２】
【０００６】（式中、ｘは０、１、２、３の数を表わ
し、Ｒは通常メチル基である）で示されるシラノール
を、アルコール，エステル，ケトンのような有機溶媒に
溶解せしめ、得られた溶液を基板の表面に塗布したの
ち、全体を約１０００℃程度の温度に加熱して、前記シ
ラノールを熱分解して基板表面を被覆するＳｉＯ2 膜に
するという方法も知られている。
し、Ｒは通常メチル基である）で示されるシラノール
を、アルコール，エステル，ケトンのような有機溶媒に
溶解せしめ、得られた溶液を基板の表面に塗布したの
ち、全体を約１０００℃程度の温度に加熱して、前記シ
ラノールを熱分解して基板表面を被覆するＳｉＯ2 膜に
するという方法も知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前者の各種
ＣＶＤ法の場合は、いずれも３００〜４５０℃の酸素雰
囲気中で成膜が進められるので、この過程で、基板が例
えば半導体材料から成るときは、表面の酸化が起り不都
合である。また、ＣＶＤやスパッタのいずれの場合も、
熱やプラズマの衝撃が基板の表面に加わり、そのことに
よって、表面の物理的な損傷や、表面に熱変成層が形成
されたり、表面の準位密度が増加して目的とする表面機
能が変質するという不都合を招く。
ＣＶＤ法の場合は、いずれも３００〜４５０℃の酸素雰
囲気中で成膜が進められるので、この過程で、基板が例
えば半導体材料から成るときは、表面の酸化が起り不都
合である。また、ＣＶＤやスパッタのいずれの場合も、
熱やプラズマの衝撃が基板の表面に加わり、そのことに
よって、表面の物理的な損傷や、表面に熱変成層が形成
されたり、表面の準位密度が増加して目的とする表面機
能が変質するという不都合を招く。
【０００８】一方、前記シラノールを用いたＳｉＯ2 の
成膜方法においては、その処理温度が約１０００℃と高
温であるため、基板がＧａＡｓのようなIII-IV族半導体
のように耐熱度の低い材料の場合、基板それ自体の変質
を招くことになる。本発明は、上記した先行技術におけ
る問題を解消し、基板の表面に物理的・化学的損傷を与
えることなく、低温で、しかも簡単な設備で被処理材の
表面にＳｉＯ2 膜を成膜する方法の提供を目的とする。
成膜方法においては、その処理温度が約１０００℃と高
温であるため、基板がＧａＡｓのようなIII-IV族半導体
のように耐熱度の低い材料の場合、基板それ自体の変質
を招くことになる。本発明は、上記した先行技術におけ
る問題を解消し、基板の表面に物理的・化学的損傷を与
えることなく、低温で、しかも簡単な設備で被処理材の
表面にＳｉＯ2 膜を成膜する方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、
ために、本発明においては、
【００１０】
【化３】
【００１１】（式中、Ｒは水素、ハロゲン、フェニル
基、炭素数１〜５のアルキル基の群から選ばれる少なく
とも１種を表わし、Ｒ’は水素、炭素数１〜５のアルキ
ル基の群から選ばれる少なくとも１種を表わし、ｘは
０、１、２、３のいずれかの数を表わす）で示されるケ
イ素化合物、および酸が含有されている処理液の中に被
処理材を浸漬して、前記被処理材の表面に二酸化ケイ素
膜を成膜することを特徴とする二酸化ケイ素膜の形成方
法が提供される。
基、炭素数１〜５のアルキル基の群から選ばれる少なく
とも１種を表わし、Ｒ’は水素、炭素数１〜５のアルキ
ル基の群から選ばれる少なくとも１種を表わし、ｘは
０、１、２、３のいずれかの数を表わす）で示されるケ
イ素化合物、および酸が含有されている処理液の中に被
処理材を浸漬して、前記被処理材の表面に二酸化ケイ素
膜を成膜することを特徴とする二酸化ケイ素膜の形成方
法が提供される。
【００１２】本発明方法は、上記した処理液に被処理材
を浸漬し、処理液中のケイ素化合物の酸による重合を進
めて、前記処理材の表面をＳｉＯ2 膜で被覆する方法で
ある。ここで用いる処理液は、上式で示されるケイ素化
合物と後述の酸を必須成分として含んでいる。
を浸漬し、処理液中のケイ素化合物の酸による重合を進
めて、前記処理材の表面をＳｉＯ2 膜で被覆する方法で
ある。ここで用いる処理液は、上式で示されるケイ素化
合物と後述の酸を必須成分として含んでいる。
【００１３】このケイ素化合物において、ＲまたはＲ’
がアルキル基であった場合、そのアルキル基の炭素数が
６以上のものは、酸や他の溶媒に溶解しない場合もある
ので、そのような処理液を用いても、被処理材へのＳｉ
Ｏ2 膜の成膜は困難になることがある。用いるケイ素化
合物としては、例えばSi(OCH3)4 （テトラメトキシシラ
ン）、Ｓi(ＯＣ2 Ｈ5)4(テトラエトキシシラン）、Ｓi
(ＯＣ3 Ｈ7)4 （テトラプロポキシシラン）、Ｓi(ＯＣ
4 Ｈ9)4(テトラブトキシシラン）、（Ｃ6 Ｈ5)3 ＳｉＯ
Ｈ（トリフェニルシラノール）、（Ｃ6 Ｈ5)Ｓi(ＯＣＨ
3)3 （フェニルトリメトキシシラン）、
がアルキル基であった場合、そのアルキル基の炭素数が
６以上のものは、酸や他の溶媒に溶解しない場合もある
ので、そのような処理液を用いても、被処理材へのＳｉ
Ｏ2 膜の成膜は困難になることがある。用いるケイ素化
合物としては、例えばSi(OCH3)4 （テトラメトキシシラ
ン）、Ｓi(ＯＣ2 Ｈ5)4(テトラエトキシシラン）、Ｓi
(ＯＣ3 Ｈ7)4 （テトラプロポキシシラン）、Ｓi(ＯＣ
4 Ｈ9)4(テトラブトキシシラン）、（Ｃ6 Ｈ5)3 ＳｉＯ
Ｈ（トリフェニルシラノール）、（Ｃ6 Ｈ5)Ｓi(ＯＣＨ
3)3 （フェニルトリメトキシシラン）、
【００１４】
【化４】
【００１５】をあげることができる。また、酸として
は、塩酸，硫酸，リン酸のような強酸；ギ酸，酢酸，酒
石酸，乳酸，グルコール酸，ケイ皮酸，安息香酸のよう
な弱酸；をあげることができる。これらの酸のうち、強
酸を使用すると室温下においてもＳｉＯ2 の成膜は可能
であるが、しかし、弱酸を使用した場合は、室温下での
成膜は起らないこともあるので、その場合には、処理液
の温度を高めることが必要になる。
は、塩酸，硫酸，リン酸のような強酸；ギ酸，酢酸，酒
石酸，乳酸，グルコール酸，ケイ皮酸，安息香酸のよう
な弱酸；をあげることができる。これらの酸のうち、強
酸を使用すると室温下においてもＳｉＯ2 の成膜は可能
であるが、しかし、弱酸を使用した場合は、室温下での
成膜は起らないこともあるので、その場合には、処理液
の温度を高めることが必要になる。
【００１６】この処理液の中では次のような縮合重合反
応が継時的に進行して、被処理材にゲル状のＳｉＯ2 が
成膜される。今、ケイ素化合物として、Ｓi(ＯＲ')4 、
酸として塩酸（ＨＣｌ）用いた場合、次式：
応が継時的に進行して、被処理材にゲル状のＳｉＯ2 が
成膜される。今、ケイ素化合物として、Ｓi(ＯＲ')4 、
酸として塩酸（ＨＣｌ）用いた場合、次式：
【００１７】
【化５】
【００１８】の反応に基づき、テトラヒドロキシシラン
が生成する。そして、このテトラヒドロキシシランは、
次式：
が生成する。そして、このテトラヒドロキシシランは、
次式：
【００１９】
【化６】
【００２０】の反応に基づき、シロキサン結合
【００２１】
【化７】
【００２２】を介して、３次元的に重合し、ゲル状のＳ
ｉＯ2 膜へと成長していく。
ｉＯ2 膜へと成長していく。
【００２３】
【化８】
【００２４】の反応により、トリヒドロキシシランが生
成し、このトリヒドロキシシランが互いに縮合重合して
シロキサン結合を介して３次元のゲル状膜として成長し
ていく。なお、このような反応で被処理材の表面に成膜
されたＳｉＯ2 膜は、ポリシロキサンと無機質のＳｉＯ
2 膜との中間に位置するような重合膜であるため、例え
ば、半導体基板の絶縁保護膜にする場合には、必要に応
じて更に熱処理を加え、生成膜を完全に無機質の膜に転
化すればよい。
成し、このトリヒドロキシシランが互いに縮合重合して
シロキサン結合を介して３次元のゲル状膜として成長し
ていく。なお、このような反応で被処理材の表面に成膜
されたＳｉＯ2 膜は、ポリシロキサンと無機質のＳｉＯ
2 膜との中間に位置するような重合膜であるため、例え
ば、半導体基板の絶縁保護膜にする場合には、必要に応
じて更に熱処理を加え、生成膜を完全に無機質の膜に転
化すればよい。
【００２５】また、被処理材の表面への成膜時に、前記
したように、処理液を所定の温度に保持することの外
に、処理液に外部から所定エネルギーの光を照射して成
膜反応を促進してもよい。その場合の照射光のエネルギ
ー（ｈν）は、例えば被処理材がＳi 基板，III −IV族
化合物半導体の基板などであった場合、それら半導体基
板のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）よりも大きなエ
ネルギーであることが好ましい。すなわち、ｈν≧Ｅｇ
となるような波長の光を照射光として選定する。
したように、処理液を所定の温度に保持することの外
に、処理液に外部から所定エネルギーの光を照射して成
膜反応を促進してもよい。その場合の照射光のエネルギ
ー（ｈν）は、例えば被処理材がＳi 基板，III −IV族
化合物半導体の基板などであった場合、それら半導体基
板のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）よりも大きなエ
ネルギーであることが好ましい。すなわち、ｈν≧Ｅｇ
となるような波長の光を照射光として選定する。
【００２６】
実施例１ 酢酸２００重量部、水１重量部にテトラエトキシシラン
４重量部を溶解して、用いる処理液を調製した。この処
理液の液温を６５℃に保持し、ここに、ＧａＡｓ基板を
１時間浸漬したのち基板を取出し、これを純水で洗浄し
た。
４重量部を溶解して、用いる処理液を調製した。この処
理液の液温を６５℃に保持し、ここに、ＧａＡｓ基板を
１時間浸漬したのち基板を取出し、これを純水で洗浄し
た。
【００２７】基板の表面は茶色の膜で被覆されていた。
ついで、この基板に、３００℃，４００℃の各温度の窒
素ガス流中で１時間の熱処理を施し、形成された膜の膜
厚と屈折率を測定した。熱処理温度３００℃の場合は、
膜厚４８０Å、屈折率1.４６、熱処理温度４００℃の場
合は、膜厚４７５Å、屈折率1.４７であった。
ついで、この基板に、３００℃，４００℃の各温度の窒
素ガス流中で１時間の熱処理を施し、形成された膜の膜
厚と屈折率を測定した。熱処理温度３００℃の場合は、
膜厚４８０Å、屈折率1.４６、熱処理温度４００℃の場
合は、膜厚４７５Å、屈折率1.４７であった。
【００２８】金属Ｓi を酸素雰囲気中で熱酸化して表面
に形成したＳｉＯ2 膜の屈折率を測定したところ、1.４
６であった。したがって、実施例１で形成されている茶
色膜は、ＳｉＯ2 膜であることが判明した。 実施例２ イオン注入法によって自由電子密度約１×１０17／cm3
である活性層を表面に形成したＧａＡｓ基板のその表面
に、Ａu から成るオーミック電極を形成し、ついで、オ
ーミック電極をマスキングした状態で、実施例１の場合
と同じ処理液中に１時間浸漬した。
に形成したＳｉＯ2 膜の屈折率を測定したところ、1.４
６であった。したがって、実施例１で形成されている茶
色膜は、ＳｉＯ2 膜であることが判明した。 実施例２ イオン注入法によって自由電子密度約１×１０17／cm3
である活性層を表面に形成したＧａＡｓ基板のその表面
に、Ａu から成るオーミック電極を形成し、ついで、オ
ーミック電極をマスキングした状態で、実施例１の場合
と同じ処理液中に１時間浸漬した。
【００２９】ついで、基板を処理液から取出し、充分に
純水で洗浄したのち、３００℃の窒素ガス流中で１時間
の熱処理を施し、オーミック電極以外の基板表面を厚み
４８０ÅのＳｉＯ2 膜で被覆して図１に示す構造のサン
プルとした。図中、１はＧａＡｓ基板、２はオーミック
電極、３はＳｉＯ2 膜である。ＳｉＯ2 膜３の上にＡｌ
を蒸着してＡｌ電極４を形成し、オーミック電極２とＡ
ｌ電極４の間にＬＣＲメータ５を接続して、各周波数に
おけるＣ−Ｖ特性（容量−電圧特性）を測定した。その
結果を図２に示した。
純水で洗浄したのち、３００℃の窒素ガス流中で１時間
の熱処理を施し、オーミック電極以外の基板表面を厚み
４８０ÅのＳｉＯ2 膜で被覆して図１に示す構造のサン
プルとした。図中、１はＧａＡｓ基板、２はオーミック
電極、３はＳｉＯ2 膜である。ＳｉＯ2 膜３の上にＡｌ
を蒸着してＡｌ電極４を形成し、オーミック電極２とＡ
ｌ電極４の間にＬＣＲメータ５を接続して、各周波数に
おけるＣ−Ｖ特性（容量−電圧特性）を測定した。その
結果を図２に示した。
【００３０】図２から明らかなように、印加電圧の変化
に応じて容量が大きく変化しているが、このことは、Ｇ
ａＡｓ−ＳｉＯ2 界面において、界面準位の小さいＭＩ
Ｓ構造が形成されていることを示している。 実施例３ グリセリン２００重量部，テトラエトキシシラン４重量
部，リン酸４重量部を混合して処理液を調製し、液温を
７０℃に保持して、ここに実施例１で用いたＧａＡｓ基
板を１時間浸漬した。基板を取出したのち純水で充分に
洗浄し、３００℃の窒素ガス流中で１時間の熱処理を施
した。
に応じて容量が大きく変化しているが、このことは、Ｇ
ａＡｓ−ＳｉＯ2 界面において、界面準位の小さいＭＩ
Ｓ構造が形成されていることを示している。 実施例３ グリセリン２００重量部，テトラエトキシシラン４重量
部，リン酸４重量部を混合して処理液を調製し、液温を
７０℃に保持して、ここに実施例１で用いたＧａＡｓ基
板を１時間浸漬した。基板を取出したのち純水で充分に
洗浄し、３００℃の窒素ガス流中で１時間の熱処理を施
した。
【００３１】基板の表面には、厚み６００Å，屈折率1.
４６のＳｉＯ2 膜が形成された。
４６のＳｉＯ2 膜が形成された。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法によれば、被処理材（基板）の表面に従来のようなプ
ラズマ衝撃や熱変成を与えることなく、ＳｉＯ2 膜を成
膜することができる。つまり、被処理材の表面の物質的
・化学的損傷を引き起すことなく、すなわち表面変質を
招くことなくＳｉＯ2 膜を形成することができる。
法によれば、被処理材（基板）の表面に従来のようなプ
ラズマ衝撃や熱変成を与えることなく、ＳｉＯ2 膜を成
膜することができる。つまり、被処理材の表面の物質的
・化学的損傷を引き起すことなく、すなわち表面変質を
招くことなくＳｉＯ2 膜を形成することができる。
【００３３】処理液中で成膜されたＳｉＯ2 膜に必要に
応じて熱処理を加えた場合であっても、その処理温度は
高々４００℃であり、しかも既にＳｉＯ2 膜で被処理材
の表面は被覆されているので、被処理材の熱変成の虞れ
は皆無といってよい。また、本発明方法においては、用
いる設備は処理液容器，恒温設備などであり、従来のＣ
ＶＤ法やスパッタ法の場合に比べて著しく安価になる。
更には、被処理材を処理液に所定の時間浸漬するだけで
よいので、例えば大口径の半導体基板に対しても適用す
ることができる。
応じて熱処理を加えた場合であっても、その処理温度は
高々４００℃であり、しかも既にＳｉＯ2 膜で被処理材
の表面は被覆されているので、被処理材の熱変成の虞れ
は皆無といってよい。また、本発明方法においては、用
いる設備は処理液容器，恒温設備などであり、従来のＣ
ＶＤ法やスパッタ法の場合に比べて著しく安価になる。
更には、被処理材を処理液に所定の時間浸漬するだけで
よいので、例えば大口径の半導体基板に対しても適用す
ることができる。
【００３４】また、本発明方法によれば、実施例２で明
らかなように、ＳｉＯ2 −ＧａＡｓ界面のフェルミレベ
ルのピンニングが外れている良好なＭＩＳ構造を形成す
ることもできるので、ＭＩＳＦＥＴ，ＭＩＳダイオー
ド，太陽電池などの素子製造にも適用することができ
る。
らかなように、ＳｉＯ2 −ＧａＡｓ界面のフェルミレベ
ルのピンニングが外れている良好なＭＩＳ構造を形成す
ることもできるので、ＭＩＳＦＥＴ，ＭＩＳダイオー
ド，太陽電池などの素子製造にも適用することができ
る。
【図１】本発明方法で成膜したＳｉＯ2 膜を有するサン
プルにつきそのＣ−Ｖ特性を測定するための測定回路図
である。
プルにつきそのＣ−Ｖ特性を測定するための測定回路図
である。
【図２】Ｃ−Ｖ特性を示すグラフである。
１ ＧａＡｓ基板 ２ Ａｕオーミック電極 ３ ＳｉＯ2 膜 ４ Ａｌ電極 ５ ＬＣＲメータ
Claims (1)
- 【請求項１】 【化１】 （式中、Ｒは水素、ハロゲン、フェニル基、炭素数１〜
５のアルキル基の群から選ばれる少なくとも１種を表わ
し、Ｒ’は水素、炭素数１〜５のアルキル基の群から選
ばれる少なくとも１種を表わし、ｘは０、１、２、３の
いずれかの数を表わす）で示されるケイ素化合物、およ
び酸が含有されている処理液の中に被処理材を浸漬し
て、前記被処理材の表面に二酸化ケイ素膜を成膜するこ
とを特徴とする二酸化ケイ素膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34450891A JPH05171465A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 二酸化ケイ素膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34450891A JPH05171465A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 二酸化ケイ素膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05171465A true JPH05171465A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=18369816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34450891A Pending JPH05171465A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 二酸化ケイ素膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05171465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011055553A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 国立大学法人信州大学 | 親水性シリカ膜の製造方法、親水性シリカ膜ならびに親水性シリカ膜付きのアクリル樹脂基板 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP34450891A patent/JPH05171465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011055553A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 国立大学法人信州大学 | 親水性シリカ膜の製造方法、親水性シリカ膜ならびに親水性シリカ膜付きのアクリル樹脂基板 |
| JP4942057B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2012-05-30 | 国立大学法人信州大学 | 親水性シリカ膜の製造方法および親水性シリカ膜付きのアクリル樹脂基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6548899B2 (en) | Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing | |
| US5609925A (en) | Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam | |
| KR950001671B1 (ko) | 실리카 피막을 형성시키기 위한 급속 열처리법 | |
| US3798061A (en) | Method for forming a single-layer nitride film or a multi-layer nitrude film on a portion of the whole of the surface of a semiconductor substrate or element | |
| US6372666B1 (en) | Process for producing dielectric thin films | |
| KR100532239B1 (ko) | 고피에이치에서의 나노 다공성 유전필름 제조방법 | |
| JP2004500695A (ja) | 電子ビーム露光により変質された、低誘電率で低含水率の、ナノサイズの多孔誘電体膜 | |
| JPH02178330A (ja) | 平面化ラダー型シルセスキオキサンポリマー絶縁層の形成方法 | |
| US5057336A (en) | Method of forming high purity SiO2 thin film | |
| KR20010073054A (ko) | 나노다공성 실리카의 기계적 강도를 최적화하기 위한 공정 | |
| US4109030A (en) | Method for thermally oxidizing silicon | |
| US6235353B1 (en) | Low dielectric constant films with high glass transition temperatures made by electron beam curing | |
| KR20000011599A (ko) | 수소실세스퀴옥산수지로부터저유전성코팅을제조하기위한방법 | |
| Nguyen et al. | Plasma-assisted chemical vapor deposition and characterization of high quality silicon oxide films | |
| JPH1116898A (ja) | 水素シルセスキオキサン樹脂から無割れ被膜の製造法 | |
| JPH05171465A (ja) | 二酸化ケイ素膜の形成方法 | |
| KR19990036520A (ko) | 낮은 유전율을 갖는 전자 피막 | |
| JP3509781B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR940010494B1 (ko) | 플라즈마법에 의한 스핀-온-글래스의 경화 및 표면 안정화법 및 이러한 방법으로 제조한 제품 | |
| Ma et al. | MIS structures based on spin‐on SiO2 on GaAs | |
| JPH07193002A (ja) | ガリウムヒ素の分子線エピタキシャル成長用シリコン窒化物ガリウム拡散障壁の作成方法 | |
| JP2005532974A (ja) | 高い密着性を有するガラス状膜を製造するためのゾル−ゲル法及び前記方法を実施するのに適している安定なコロイド溶液 | |
| RU2374358C1 (ru) | Способ получения углеродсодержащих покрытий | |
| US6340642B1 (en) | Process for manufacturing a silicon semiconductor device having a reduced surface recombination velocity | |
| JPH0127574B2 (ja) |