JPH0516735Y2 - - Google Patents
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- JPH0516735Y2 JPH0516735Y2 JP1983140009U JP14000983U JPH0516735Y2 JP H0516735 Y2 JPH0516735 Y2 JP H0516735Y2 JP 1983140009 U JP1983140009 U JP 1983140009U JP 14000983 U JP14000983 U JP 14000983U JP H0516735 Y2 JPH0516735 Y2 JP H0516735Y2
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
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- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、3相交流電源の負荷への供給を接断
制御する3相ソリツドステートリレー(以下3相
SSRと記す)に関するものである。
制御する3相ソリツドステートリレー(以下3相
SSRと記す)に関するものである。
従来、3相交流モータの駆動制御を行なう場合
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
ところで、従来、単相交流電源の負荷への供給
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いた無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いた無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
第1図はこのような単相SSRの一例を示すもの
で、図において、80は半導体主素子回路、20
はこの半導体主素子回路80をオン・オフ制御す
る制御回路、30はコンデンサ31、バリスタ3
2及び抵抗33からなり、上記主素子回路80を
雷等のサージ電圧から保護するアブソーバ回路で
あり、該アブソーバ回路30は上記制御回路20
とともに同一プリント基板60上に配置されてい
る。そしてこれらの各回路80,20,30は、
本体ケース50中に樹脂51により封入されてい
る。また52,53は上記主素子回路80と電源
側、負荷側からの単相ケーブルとを接続するため
の一対の主端子である。
で、図において、80は半導体主素子回路、20
はこの半導体主素子回路80をオン・オフ制御す
る制御回路、30はコンデンサ31、バリスタ3
2及び抵抗33からなり、上記主素子回路80を
雷等のサージ電圧から保護するアブソーバ回路で
あり、該アブソーバ回路30は上記制御回路20
とともに同一プリント基板60上に配置されてい
る。そしてこれらの各回路80,20,30は、
本体ケース50中に樹脂51により封入されてい
る。また52,53は上記主素子回路80と電源
側、負荷側からの単相ケーブルとを接続するため
の一対の主端子である。
第2図は上記単相SSRの半導体主素子回路80
を示し、同図において、81,82は電源側、負
荷側主端子、83,84は第1、第2サイリス
タ、85,86は上記制御回路20に接続される
制御端子、87,88はそれぞれ抵抗89、ダイ
オード90からなる第1、第2ゲート補助回路で
ある。
を示し、同図において、81,82は電源側、負
荷側主端子、83,84は第1、第2サイリス
タ、85,86は上記制御回路20に接続される
制御端子、87,88はそれぞれ抵抗89、ダイ
オード90からなる第1、第2ゲート補助回路で
ある。
そして上記制御回路20に外部から印加される
制御信号が“H”のときは、上記制御端子85,
86間に短絡され、これにより単相交流の正の半
サイクルにおいては、電源側主端子81、第1ゲ
ート補助回路87、制御端子85,86間、第2
サイリスタ84のゲート、負荷側主端子82の経
路で補助電流が流れて第2サイリスタ84がオン
し、これにより主電流が電源側主端子81から第
2サイリスタ84を通つて負荷側主端子82に流
れ、また単相交流の負の半サイクルでは、同様に
して第2ゲート補助回路88及び第1サイリスタ
83が動作し、主電流が負荷側から第1サイリス
タ83を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単
相電力が供給されることとなる。
制御信号が“H”のときは、上記制御端子85,
86間に短絡され、これにより単相交流の正の半
サイクルにおいては、電源側主端子81、第1ゲ
ート補助回路87、制御端子85,86間、第2
サイリスタ84のゲート、負荷側主端子82の経
路で補助電流が流れて第2サイリスタ84がオン
し、これにより主電流が電源側主端子81から第
2サイリスタ84を通つて負荷側主端子82に流
れ、また単相交流の負の半サイクルでは、同様に
して第2ゲート補助回路88及び第1サイリスタ
83が動作し、主電流が負荷側から第1サイリス
タ83を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単
相電力が供給されることとなる。
一方、上記制御信号が“L”のときは、上記制
御端子85,86間は開放状態となり、その結果
両サイリスタ83,84はオフのままで負荷には
単相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを
用いれば、上記制御信号によつて単相電源の負荷
への供給を接断制御できることとなる。
御端子85,86間は開放状態となり、その結果
両サイリスタ83,84はオフのままで負荷には
単相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを
用いれば、上記制御信号によつて単相電源の負荷
への供給を接断制御できることとなる。
このような従来の状況において、上記3相交流
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せることに
よつて上記寿命低下の問題を回避することが可能
であると考えられる。
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せることに
よつて上記寿命低下の問題を回避することが可能
であると考えられる。
しかるに、上述のような構造の従来の単相SSR
では、アブソーバ回路30と制御回路20とが同
一基板60上に配置されているので、上記制御回
路20と主素子回路80との構造体によつて形成
される閉ループ中を、上記アブソーバ回路30の
サージ電流による大電流が流れ、これによる電磁
誘導作用により上記閉ループに電流が流れ、上記
制御回路20、主素子回路80が誤動作してしま
うという恐れがある。従つて、このような従来の
単相SSRをそのまま3つ組合せただけの3相SSR
では、非常に信頼性の低いものになつてしまう。
では、アブソーバ回路30と制御回路20とが同
一基板60上に配置されているので、上記制御回
路20と主素子回路80との構造体によつて形成
される閉ループ中を、上記アブソーバ回路30の
サージ電流による大電流が流れ、これによる電磁
誘導作用により上記閉ループに電流が流れ、上記
制御回路20、主素子回路80が誤動作してしま
うという恐れがある。従つて、このような従来の
単相SSRをそのまま3つ組合せただけの3相SSR
では、非常に信頼性の低いものになつてしまう。
本考案は、かかる点に鑑み、上記電磁開閉器に
おける接点の摩耗による寿命低下という問題を回
避でき、さらにはアブソーバ回路のサージ電流に
より各回路部に誤動作を生ずることがなく、組立
が容易で、非常に信頼性の高い3相SSRを提供す
ることを目的としている。
おける接点の摩耗による寿命低下という問題を回
避でき、さらにはアブソーバ回路のサージ電流に
より各回路部に誤動作を生ずることがなく、組立
が容易で、非常に信頼性の高い3相SSRを提供す
ることを目的としている。
即ち本考案は、3相SSR交流電源の負荷への供
給を接断するための3つの半導体主素子回路を備
えた3相SSRであつて、かつ該主素子回路をサー
ジ電圧等から保護するアブソーバ部を、上記主素
子回路及びこれをオン・オフ制御する制御回路か
らなるSSR本体の外側に設け、かつ該アブソーバ
部を構成する部品を搭載するプリント基板の半田
付面を半導体主素子回路に対して外側になるよう
に組立固定したものである。
給を接断するための3つの半導体主素子回路を備
えた3相SSRであつて、かつ該主素子回路をサー
ジ電圧等から保護するアブソーバ部を、上記主素
子回路及びこれをオン・オフ制御する制御回路か
らなるSSR本体の外側に設け、かつ該アブソーバ
部を構成する部品を搭載するプリント基板の半田
付面を半導体主素子回路に対して外側になるよう
に組立固定したものである。
以下、本考案の実施例を図について説明する。
第3図〜第6図は本考案の一実施例による3相
SSRを示し、図において、1は3相交流電源、2
は負荷である3相交流モータ、3は上記3相交流
電源1とモータ2とを接続する3相ケーブル、4
はこの3相ケーブル3の途中に介挿された3相
SSRである。
第3図〜第6図は本考案の一実施例による3相
SSRを示し、図において、1は3相交流電源、2
は負荷である3相交流モータ、3は上記3相交流
電源1とモータ2とを接続する3相ケーブル、4
はこの3相ケーブル3の途中に介挿された3相
SSRである。
そしてこの3相SSR4において、10は3つの
主素子回路80及びこの主素子80を外部からの
制御信号に応じてオン・オフ制御する制御回路2
0が収納されたSSR本体であり、11,12,1
3は上記主素子回路80の主端子、21は上記制
御回路20の制御信号入力端子である。また、4
0は上記SSR本体10の上部に該SSR本体10と
独立して設けられたアブソーバ部であり、このア
ブソーバ部40には第5図に示すように、プリン
ト基板34の半田付面がSSR本体に対して外側に
なるように配設され、このプリント基板34と
SSR本体との間にコンデンサ31、バリスタ3
2、抵抗33を置き、プリント基板34の挿入穴
にこのコンデンサ31、バリスタ32、抵抗33
の外部リードを挿入貫通させ、プリント基板34
の導体パターンに半田付接続固定してなるアブソ
ーバ回路30が収納されている。
主素子回路80及びこの主素子80を外部からの
制御信号に応じてオン・オフ制御する制御回路2
0が収納されたSSR本体であり、11,12,1
3は上記主素子回路80の主端子、21は上記制
御回路20の制御信号入力端子である。また、4
0は上記SSR本体10の上部に該SSR本体10と
独立して設けられたアブソーバ部であり、このア
ブソーバ部40には第5図に示すように、プリン
ト基板34の半田付面がSSR本体に対して外側に
なるように配設され、このプリント基板34と
SSR本体との間にコンデンサ31、バリスタ3
2、抵抗33を置き、プリント基板34の挿入穴
にこのコンデンサ31、バリスタ32、抵抗33
の外部リードを挿入貫通させ、プリント基板34
の導体パターンに半田付接続固定してなるアブソ
ーバ回路30が収納されている。
また41,42,43は上記SSR本体10の各
主端子11,12,13上に接続される上記アブ
ソーバ回路30の出力端子、44はこの出力端子
41〜43を3相ケーブル3とともに上記主端子
11〜13に締付け接続するためのねじである。
主端子11,12,13上に接続される上記アブ
ソーバ回路30の出力端子、44はこの出力端子
41〜43を3相ケーブル3とともに上記主端子
11〜13に締付け接続するためのねじである。
なお第5図においては3相のうちの1相の構成
を示しているが、他の各相の構成についても上記
と全く同様である。
を示しているが、他の各相の構成についても上記
と全く同様である。
また第6図に本実施例装置の回路図を示し、図
中、第1図〜第5図と同一符号は同一のものを示
す。この回路動作については従来の単相SSRと全
く同様であり、制御回路20の入力端子21a,
21bに印加される外部制御信号により主素子回
路80がオン・オフ制御され、これにより電源の
負荷への供給が接断制御される。またサージ電圧
が主端子11a,11b間に印加された場合は、
アブソーバ回路30でこれを吸収することによ
り、主素子回路80を該サージ電圧から保護して
いる。
中、第1図〜第5図と同一符号は同一のものを示
す。この回路動作については従来の単相SSRと全
く同様であり、制御回路20の入力端子21a,
21bに印加される外部制御信号により主素子回
路80がオン・オフ制御され、これにより電源の
負荷への供給が接断制御される。またサージ電圧
が主端子11a,11b間に印加された場合は、
アブソーバ回路30でこれを吸収することによ
り、主素子回路80を該サージ電圧から保護して
いる。
このような本実施例では、3相交流電源の負荷
への供給を接断制御するものとして、半導体を用
いた3相SSRを構成したので、高頻度の開閉を行
なう使用状況下においても十分な耐久性、寿命が
得られる。また、このような3相SSRにおいて、
アブソーバ部40をSSR本体10の外側に独立し
て構成したので、アブソーバ回路30に流れるサ
ージ電流は、上記SSR本体10中の制御回路20
及び主素子回路80の構造体で構成される閉ルー
プの外を流れることとなり、上記SSR本体10が
サージ電流による電磁誘導作用を受けて誘導電流
を生じることはなく、従つて誤動作を防止でき、
信頼性を著しく向上することができる。さらにそ
の組立作業時においても、上記SSR本体10とア
ブソーバ40とを最終工程で組付ければよく、従
来の単相SSRのように同一基板上に全てを組付け
るものに比し、作業効率も向上する。
への供給を接断制御するものとして、半導体を用
いた3相SSRを構成したので、高頻度の開閉を行
なう使用状況下においても十分な耐久性、寿命が
得られる。また、このような3相SSRにおいて、
アブソーバ部40をSSR本体10の外側に独立し
て構成したので、アブソーバ回路30に流れるサ
ージ電流は、上記SSR本体10中の制御回路20
及び主素子回路80の構造体で構成される閉ルー
プの外を流れることとなり、上記SSR本体10が
サージ電流による電磁誘導作用を受けて誘導電流
を生じることはなく、従つて誤動作を防止でき、
信頼性を著しく向上することができる。さらにそ
の組立作業時においても、上記SSR本体10とア
ブソーバ40とを最終工程で組付ければよく、従
来の単相SSRのように同一基板上に全てを組付け
るものに比し、作業効率も向上する。
なお、上記実施例ではアブソーバ部をSSR本体
の上面に載置するようにしたが、該アブソーバ部
の位置はこれに限るものではなく、SSR本体の外
側に位置しておれば上記実施例と同様の効果を奏
する。
の上面に載置するようにしたが、該アブソーバ部
の位置はこれに限るものではなく、SSR本体の外
側に位置しておれば上記実施例と同様の効果を奏
する。
以上のように、本願は半導体スイツチ主素子部
とこの主素子の制御回路部とを一つのユニツトと
し筐体に収納し、このユニツトの主端子を備えた
表面外側にアブソーバ回路を外付けする構成で、
アブソーバ回路部がその基板の構成部品の高さよ
りも高い基板支持板により、その部品の半田付け
面をユニツトの主端子を備えた表面から外側にな
るように支持されているから、このような構成に
することにより、部品を接着するはんだを基板に
付着させるとき、基板にとりつけられた部品の半
田付け面がはんだ槽の溶融はんだ面上に浮かべら
れても、基板支持板のねじ締め部にはんだが付着
しないという効果がある。
とこの主素子の制御回路部とを一つのユニツトと
し筐体に収納し、このユニツトの主端子を備えた
表面外側にアブソーバ回路を外付けする構成で、
アブソーバ回路部がその基板の構成部品の高さよ
りも高い基板支持板により、その部品の半田付け
面をユニツトの主端子を備えた表面から外側にな
るように支持されているから、このような構成に
することにより、部品を接着するはんだを基板に
付着させるとき、基板にとりつけられた部品の半
田付け面がはんだ槽の溶融はんだ面上に浮かべら
れても、基板支持板のねじ締め部にはんだが付着
しないという効果がある。
第1図は単相SSRの断面構成図、第2図は該単
相SSRの主素子回路の回路図、第3図は本考案の
一実施例による3相SSRの使用状態を示す図、第
4図a,bはそれぞれ該3相SSRの平面図及び正
面図、第5図はその断面構成図、第6図はその回
路図である。 10……SSR本体、20……制御回路、40…
…アブソーバ部、80……半導体主素子回路、9
2……3相交流電源、93……負荷(モータ)。
なお図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
相SSRの主素子回路の回路図、第3図は本考案の
一実施例による3相SSRの使用状態を示す図、第
4図a,bはそれぞれ該3相SSRの平面図及び正
面図、第5図はその断面構成図、第6図はその回
路図である。 10……SSR本体、20……制御回路、40…
…アブソーバ部、80……半導体主素子回路、9
2……3相交流電源、93……負荷(モータ)。
なお図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 3相交流電源から3相ケーブルを介して負荷へ
の供給を接断する3つの半導体主素子回路及び該
半導体主素子回路を外部からの制御信号に応じて
オン・オフ制御する制御回路を有すると共にその
表面に上記3相ケーブルに接続するための主端子
を備えたソリツドステートリレー本体ユニツト
と、 このソリツドステートリレー本体ユニツトの上
記主端子が配設されたユニツト表面外側に設けら
れ、上記半導体主素子回路を異常高電圧から保護
するアブソーバ回路部と、 このアブソーバ回路部の構成部品が搭載された
プリント基板に配設され上記構成部品と同じ方向
にかつこの構成部品の高さを越えるように一体的
に延在されるとともに上記基板と電気的に接続さ
れた導電性支持板とを備え、 プリント基板に搭載された上記アブソーバ回路
部の構成部品が上記ユニツト表面に対向しかつ上
記プリント基板の半田付面が上記ソリツドステー
トリレー本体ユニツトに対し上記ユニツト表面か
ら外側の方向を向くように、上記アブソーバ回路
部が導電性支持板を介して上記主端子にねじで組
立固定してなることを特徴とする3相ソリツドス
テートリレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14000983U JPS6047335U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14000983U JPS6047335U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6047335U JPS6047335U (ja) | 1985-04-03 |
JPH0516735Y2 true JPH0516735Y2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=30313621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14000983U Granted JPS6047335U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 3相ソリツドステ−トリレ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6047335U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0514583Y2 (ja) * | 1986-04-18 | 1993-04-19 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5783830A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Controller using gate turn-off thyristor |
JPS57110072A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Hitachi Ltd | Snubber circuit for gate turn-off thyristor |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP14000983U patent/JPS6047335U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5783830A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Controller using gate turn-off thyristor |
JPS57110072A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Hitachi Ltd | Snubber circuit for gate turn-off thyristor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6047335U (ja) | 1985-04-03 |
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