JPH05161259A

JPH05161259A - サージ保護システム

Info

Publication number: JPH05161259A
Application number: JP4136998A
Authority: JP
Inventors: Pravin Popat; ポパットプラビン; Diethard Unterweger; ウンターウェーガーディーサード; Ronald J Candelet; ジェイ．キャンデレットロナルド
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1991-06-25
Filing date: 1992-05-28
Publication date: 1993-06-25
Anticipated expiration: 2017-10-21
Also published as: EP0520636A3; JP3337236B2; DE69215442T2; DE69215442D1; EP0520636B1; US5224008A; EP0520636A2

Abstract

(57)【要約】【目的】システム中に明瞭な電気的サージが発生した
時に進歩した敏速さを持って回路部品を保護する望まし
いサージ保護を提供できるサージ保護デバイスおよびサ
ージ保護システムを得る。【構成】本発明のサージ保護システムは２つの電極間
に取り付けられた半導体円盤要素を含み、前記要素は前
記電極間で電気的エネルギーを選択的に導通させて前記
回路に対して第１レベルのサージ保護を提供しており、
前記電極は第２のより大きいレベルのサージ保護を提供
する場合に前記要素が破壊された時に電極間に短絡回路
を形成保持するように互いに接近する方向へ移動できる
ようになっている。前記半導体要素は前記要素の一方の
側面の選ばれた限定部分と他方の要素側面との間に臨界
エネルギー導通経路を提供し、第２レベルのサージ保護
を提供する間に加熱によって要素の破壊がその経路に沿
って優先的に発生するようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般的にはサージ（ｓｕ
ｒｇｅ）保護システムに関するものであり、更に詳細に
は固体サージ保護要素を含むサージ保護システムに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】固体サージ保護システムでは従来から、
一対の電極間に半導体要素をつないだサージ保護デバイ
スを採用している。この要素は回路中に組み込まれ、そ
の回路は、例えばその回路中での落雷や短絡回路、その
他同様の原因によってその回路にサージが生じた場合
に、電話回線の一部と大地との間で電気的エネルギーを
選択的に導通させて、それによってその回路中につなが
れている電気部品をサージ状態による損傷から保護する
ようになっている。場合によってこの回路は、その半導
体要素を破壊させ、そのためそれに引き続いて発生する
サージ状態に対してその回路部品が無防備になるような
電気的サージを経験するであろう。従って、従来のサー
ジ保護システムでは、半導体要素が破壊された場合に
は、電極を互いに電気的に結合状態にしてしまう手段を
設けるのが通例であって、それによって半導体要素が取
り替えられるまでは、発生するサージ状態に対して短絡
状態になった電極が回路部品を保護するようになってい
る。しかし、半導体要素が破壊された時に電極間に望ま
しい短絡状態を実現し、それを保持することにはしばし
ば困難がつきまとう。回路中に明瞭な電気的サージが発
生した場合に、より敏速に望ましい短絡回路を確立する
ことによって、より確かに回路に対する保護を提供する
ために、サージ保護システム中にそのようなサージ保護
デバイスを組み込むことが望ましい。

【０００３】

【発明の概要】本発明の１つの目的は新規な、進歩した
サージ保護システムを得ること；そのようなシステム中
に使用するための新規な、進歩したサージ保護デバイス
を得ること；進歩した信頼性を持ってそのようなサージ
保護を提供できるそのような進歩したサージ保護デバイ
スを得ること；そして、システム中に明瞭な電気的サー
ジが発生した時に進歩した敏速さを持って回路部品を保
護する望ましいサージ保護を提供できるようなサージ保
護デバイスを得ることである。

【０００４】要約すると、本発明の新規な、進歩したサ
ージ保護システムは回路と新規な、進歩したサージ保護
デバイスとを含み、そのデバイスはその回路と回路中の
電気部品とに対して第１と第２の２つのレベルのサージ
保護を提供している。本発明の進歩したサージ保護デバ
イスは、半導体要素を含み、その要素はその両側面へ電
気的に導通状態で取り付けられた第１と第２の電極を有
しており、その要素はまた通常それらの電極間で電気的
エネルギーを選択的に導通させて、その回路に対する第
１レベルのサージ保護を提供する。例えば、１つの好適
実施例では、それらの電極が電話回線の一部と大地とへ
それぞれつながれており、前記半導体要素は通常の電話
回路電圧の状態では非導通状態にある。この要素は落
雷、その他同様の原因によって回路中に選ばれたサージ
電圧が発生した時に導通状態になり、その回路を大地へ
つなぐことによってその回路および回路部品を電圧サー
ジから保護する。サージ状態が去った後は、前記半導体
要素はそれの非導通状態へ復帰し、通常の回路動作の回
復を許可する。このようにして、本サージ保護デバイス
は、回路およびシステムに対して第１レベルのサージ保
護を提供する。

【０００５】前記電極は、前記デバイスが上に述べたよ
うなサージ保護の第１レベルを越えるようなより大きい
電圧サージに曝されることによって破壊された場合に
は、電極間に短絡回路を形成するように互いに接近する
方向へ移動し、それによって第２レベルのサージ保護を
提供するようになっている。典型的には、例えば、前記
デバイスの電極はバネを取り付けた電気的コンタクトア
ームまたは同等物間へ弾性的に取り付けられており、上
に述べたようなより大きいサージ状態によって前記半導
体要素が破壊された場合に、前記バネコンタクトアーム
によって互いに押しつけられるようになっている。本発
明に従えば、前記電極の一方が前記半導体要素の片面の
限られた部分へ電気的につながれており、要素破壊時に
電極間に望ましい短絡回路状態を確立し、また保持し易
くしている。前記半導体要素には臨界エネルギー導通経
路が要素の対向面間に設けられて、サージ保護の第２レ
ベルを提供する時に加熱または同様の原因によって要素
が破壊される場合に、そこを経由して優先的に要素破壊
が発生するようにしておくことが望ましい。この経路は
要素の前記片面の選ばれた限定部分と要素の他の面との
間に延びている。更に、前記第１の電極は、円盤部と、
円盤部よりも小さい断面寸法の柱部とを含んでいること
が望ましい。前記第１電極の柱部の末端は要素の前記片
面の選ばれた限定部分へ電気的に導通状態に固定されて
おり、それによって臨界エネルギー導通経路に沿って半
導体要素の破壊が発生した場合に、前記第１の電極の柱
部が容易且つ信頼性高くその経路に沿って要素中を貫通
し、第２の電極との間に第２レベルのサージ保護を提供
するための短絡回路を形成するように電気的に結合する
ようになっている。本発明の１つの好適実施例では、前
記第２電極がその中に凹部を有しており、その凹部へ半
導体要素の前記他の面が受けとめられて前記第２電極と
予め定められた揃った位置関係を構成するようになって
いる。前記第１の電極は前記第２の電極と同一の外延を
持つように釣り合った円盤部を有し、前記半導体要素は
交番極性のシステム中で、コンタクトアームまたは同等
物間へのデバイスの搭載を容易にするためにいずれか極
性でも動作するようになっていることが望ましい。同一
の外延を持つ電極構造は、第１電極の柱部を第２導通要
素の臨界エネルギー導通経路と位置合わせする手助けに
なり、望ましい。

【０００６】電気的絶縁性のシールコーティング（ｓｅ
ａｌｃｏａｔｉｎｇ）または同等物の雰囲気（ｅｎｖ
ｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ）シールのようなシールを第１電
極の柱部周りの半導体要素の前記片面の一部に取り付け
ることが望ましい。本発明の１つの好適実施例では、こ
のシールは前記第１電極の円盤部から離されており、第
２レベルのサージ保護を提供する場合に短絡回路状態へ
の電極の移動を容易にしている。本発明の別の好適実施
例では、このシールには選ばれた限定厚みと脆さとが与
えられて、半導体要素の破壊時に第２レベルのサージ保
護を提供するように、電極を互いに近づけるバイアスに
よって容易に破られるようになっている。別の好適実施
例では、このシールは半導体要素の加熱によって破られ
るように選ばれており、それによって電極の短絡回路状
態への移動を容易にしている。

【０００７】本発明の新規な、進歩したサージ保護デバ
イスおよびシステムの、これ以外の目的、特長、そして
詳細については、以下の図面を参照した詳細な説明から
明らかになろう。

【０００８】

【実施例】図面を参照すると、図４ａの１０は本発明の
新規な、進歩したサージ保護システムの１つの好適実施
例を示しており、それは回路１２と、回路１２に対して
第１および第２レベルのサージ保護を提供するように組
み込まれたサージ保護デバイス１４とを含むように示さ
れている。前記サージ保護デバイスは半導体のサージ保
護要素１６を含んでおり、それは要素の対向する側面１
６．１と１６．２とへ電気的に導通関係を持って取り付
けられた電極１８と２０を有している。前記半導体要素
１６は通常は非導通状態にあるが、選ばれたレベルの電
圧が要素の電極間に印加された時には導通状態になり、
それによって回路に対して第１レベルのサージ保護を提
供するようになっている。この半導体要素は電圧サージ
状態が取り去られた後は再び非導通状態へ戻って回路１
２の通常動作を許容するようになっている。前記電極
は、第１レベルのサージ保護を越える電気的サージが回
路中に発生することによって半導体要素が破壊された場
合の短絡回路状態において、互いに電気的に結合するよ
うに互いに接近する方向へ移動し、それによって破壊さ
れた半導体要素が取り替えられるまで、次に発生するサ
ージ状態に対して回路を確実に保護するようになってい
る。典型的には、例えば、回路１２中のコンタクトアー
ム２２、２４はバネ手段または同等物によって２５で示
されたように互いに押しつけられるように弾性的にバイ
アスを与えられており、図４ａに模式的に示されたよう
に、コンタクトアーム２２は電話システム中のラインへ
つながれ、コンタクトアーム２４は大地へつながれてい
る。このように、デバイス１４は電話回路の瞬時的な中
断だけで第１レベルのサージ状態から電話回路の要素１
２ａを保護するようになっており、またもしこのシステ
ムに半導体サージ保護要素を破壊するような第２のより
大きいレベルの電気的サージが発生した時には、このデ
バイスは第２レベルのサージ保護を提供して、破壊され
た要素が取り替えられるまでは回路と回路部品とを保護
するようになっている。

【０００９】本発明に従えば、前記半導体サージ保護要
素１６は一般的な従来型のものである。本デバイスは逆
方向ブレークダウンＰＮ接合を有するシリコン半導体母
体を含んでいることが望ましい。本発明の１つの好適実
施例では、本デバイスはテキサスインスツルメンツ社に
よって製造・販売されているＴＩＳＰ３１８０要素のよ
うな双方向性シリコン半導体デバイスを含んでいる。こ
の要素は英国特許第Ｐｕｂｌｎ．２１１３９０７Ｂ号に
示され、図４ａに２７で模式的に示されたように、要素
の片側１６．１の選ばれた限定部分と要素の他の側面１
６．２との間に臨界エネルギー導通経路を有し、その経
路に沿って電気的エネルギーが要素側面間で優先的に導
通し、また要素の加熱によってその経路に沿って要素の
破壊が優先的に発生して、既に述べたように第２レベル
のサージ保護を提供するようになっている。例えば、臨
界エネルギー導通経路は要素の片側１６．１の選ばれた
限定部分上に取り付けられた端子２６（図１にのみ示さ
れている）と、要素の他の側面１６．２上に取り付けら
れた対応する端子２８とで定義されていることが望まし
く、また前記端子は金属堆積または同様の従来の方法で
形成される。要素が望ましいように双方向的であって、
それぞれの導通方向に対応して２つの隣接する優先的な
導通経路を有している場合は、前記臨界エネルギー導通
経路はそれら２つの隣接する経路で重なりあうと考えら
れる。典型的には、図１の要素側面１６．１上に二点鎖
線３０で模式的に示されたように、半導体要素側面の一
部分は、腐食または同様原因から要素の特定の部分を保
護し、あるいは湿気または同様原因によって要素端子間
に短絡が発生することを防止するために、雰囲気シール
または誘電性障壁（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｂａｒｒｉ
ｅｒ）シールまたは同等物を必要とする。半導体要素
は、本発明の範囲内でその他の外形も可能ではあるが、
典型的には正方形または直線的な形状をしている。

【００１０】本発明に従えば、第１の電気的に導電性の
電極１８はそれの幾何学的形状を通して半導体要素１６
の一方の側面の限定された部分へ電気的に導通関係を保
って取り付けられている。例えば、前記第１の電極は円
盤部１８．１と、円盤部よりも比較的小さい断面寸法を
有する柱部１８．２とを有していることが望ましい。第
１電極の柱部の末端１８．３には、はんだコーティング
３２が行われ、要素側面１６．１の望みの限定部分へ電
気的に導通関係を持たせて固定される。例えば、柱部１
８．２の末端は、既に述べたように臨界エネルギー導通
経路を定義する要素側面１６．１の選ばれた限定部分と
電気的に導通状態で結合するように第１電極の柱部を取
り付けるために、端子２６へはんだ付けされることが望
ましい。要素が双方向的な場合には、既に述べたように
柱部１８．２と端子２６とは各方向での優先的導通経路
が重なり合うように配置される。第１電極の柱部１８．
２は半導体要素１６の厚さｔに少なくとも等しいか、望
ましくはそれを越える長さを有する。

【００１１】本サージ保護デバイス１４は更に、半導体
要素の反対側の側面１６．２へ電気的に導通関係を持っ
て取り付けられた第２の電気的に導電性の電極２０を含
んでいる。第２の電極には凹部２０．１が設けられて、
そこへ半導体要素１６を正しく受けとめて、要素を第２
電極と相対的に予め定められた位置関係に揃えるように
することが望ましい。凹部２０．１にはその上に要素１
６を受けとめるためのはんだ材料の層３４が設けられ、
そのはんだは溶融して半導体要素の側面１６．２全体を
電極に対して電気的に導通状態にしっかり固定するよう
になっており、また第２の要素側面から要素への熱放散
を確保する様になっていることが望ましい。第２電極が
銅または高い熱伝導度を有する同等物でできている場合
は、上述の第１レベルのサージ保護を提供する上で第２
電極は半導体要素からの急速な熱放散を行わせることに
役立つ。図１−図６に示されたように、第１電極と第２
電極とが同一の外延を持つことで、互いに同一の外延を
持つような位置関係に揃えられた電極の配置は、要素の
端子２６の下側に定義された臨界エネルギー導通経路に
対して第１電極の末端１８．３を正確に位置ぎめするよ
うになっていることが望ましい。望ましくは、要素１６
は双方向性のものあるいは交番極性で動作するものに選
ばれ、また電極が同一の外延を持つものであることによ
って、デバイス１４が、交番極性で、システム１０中に
組み込まれた場合に特定の方向性を要求しないコンタク
トアーム２２、２４またはその他のコンタクト結合手段
の間に組み込まれることが許容されることが望ましい。

【００１２】本発明に従えば、図４ａに示されたよう
に、半導体要素の選ばれた部分上にシール３６が取り付
けられている。例えば、図４ａに示されたような本発明
の１つの好適実施例に従えば、このシールはルース・エ
ポキシ・プレフォーム（ｌｏｏｓｅｅｐｏｘｙｐｒ
ｅｆｏｒｍ）またはそれと同等物を含み、それは半導体
要素側面１６．２の第２の限定部分３０上に接着して取
り付けられており、その要素の第２の部分３０（図４ａ
には示されていない）に対する雰囲気シールおよび誘電
性障壁シールを提供している。電極の円盤部１８．１
は、図４ａに示されているように、シール３６から離さ
れていることが望ましい。この配置において、デバイス
１４の電極１８、２０はサージ保護システム回路１２中
でコンタクトアーム２２、２４と組み合わされるように
なっており、またデバイス１４中の半導体要素１６は通
常は非導通状態にあるが、要素両端間の電位差が要素の
ブレークダウン電圧を越える場合には回路中の第１レベ
ルサージに応答して導通状態になり、回路を大地へつな
ぎ、それによって回路に対して第１レベルのサージ保護
を提供するようになっている。回路中で電気的サージ状
態が終了した時には、要素１６は再び非導通となって、
回路の正常動作を回復する。しかし、半導体要素が急速
に加熱して、要素を通って臨界エネルギー導通経路に沿
って優先的に破壊されるような、サージ保護の第１レベ
ルを越えるサージ状態が回路に発生した場合には、電極
１８と２０が敏速に互いに接近する方向へ移動し、図４
ｂに示されたように、電極の柱部が優先的に臨界エネル
ギー導通経路を貫通して要素を貫き、敏速に第２電極と
結合することによって電極間に短絡回路を形成し、破壊
された要素１６が取り替えられるまでその状態を保持す
る。第１電極の柱部の断面積は第２のサージ保護レベル
に相対的に選ばれるようになっており、上述のように要
素１６の破壊につながるサージ条件では、図４ｂに（３
８）で示されたように第２電極へ第１電極の柱部の末端
１８．３を溶着させるようになっていることが望まし
い。典型的には、はんだ３２、３４と要素１６の貫通さ
れた材料（図４ｂには示されていない）とは、要素破壊
の際の力によって溶融部分から散逸している。シール３
６が第１電極の円盤部から離されている場合には、明ら
かなように、電極はシールからの干渉なしに自由に互い
に接近する方向へ動くことができる。

【００１３】対応する部品を対応する参照符号で示して
いる図５ａ−図５ｂに（４０）で示したように、本発明
のサージ保護デバイスの別の好適実施例では、雰囲気シ
ール３６ａが半導体要素の片面１６．１と末端上に取り
付けられ、第１電極の柱部１８．２と第２電極とへ接着
されている。シール３６ａは図５ａに示されたように、
重合体材料のような比較的薄く、脆い成形コーティング
材料でできている。シール材料は、それが図５ｂに示さ
れたように、電極間の半導体要素１６の破壊時に互いに
接近する方向へ電極が移動することに応じて容易に破ら
れるようなものに選ばれる。

【００１４】ここでも対応する参照符号を用いている図
６ａ−図６ｂに（４２）に示したように、本発明のサー
ジ保護デバイスの別の好適実施例では、シール３６ｂは
図６ａに示されたように、半導体要素の周囲および第１
電極の柱部の周囲に電極間の空間を本質的に埋めるよう
に取り付けられ、両電極へ接着されている。シールの材
料には、要素の破壊の結果生ずる半導体要素中の加熱の
発生時に、熱膨張、その他同様な状況において、蒸発し
たり飛散するか、あるいは図６ｂに破線３６ｂで模式的
に示したように破られるような性質の、パリレン（Ｐａ
ｒｙｌｅｎｅ）という製品名で一般に市販されている材
料のようなものが選ばれ、それによって電極がより容易
に移動でき、図６ｂに示されたように第２レベルのサー
ジ保護を提供できるようになっている。

【００１５】この配置において、サージ保護デバイス１
４、４０、４２は信頼性高く、且つ効率よい方法で望ま
しい第１レベルのサージ保護を提供するようになってお
り、また本発明の新規なサージ保護システム中で回路部
品や同等物に対して適正な保護を保証するための、高い
信頼性を進歩した高速性を持つ望ましい第２レベルのサ
ージ保護を提供するようになっている。本サージ保護デ
バイスはまた、いずれかの電極がいずれかのコンタクト
アームに結合しているコンタクトアーム２２、２４間に
取り付けられるようになっている。すなわち、半導体要
素はいずれの極性でも動作できるものに優先的に選ばれ
ており、互いに同一の外延を持つようになった電極の配
置のために、前記デバイスが電極のいずれ方向性におい
てもコンタクトアームまたはそれと同等物の間に組み込
まれることが許容されるようになっている。本サージ保
護デバイスはまた、製造および組立の容易さによって特
徴付けられる。

【００１６】本発明の特定の実施例について説明するこ
とによって本発明の説明を行ってきたが、本発明は特許
請求の範囲に含まれる、開示された実施例に対する修正
や等価例をすべて含むものと解釈されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の新規な、進歩したサージ保護デバイス
の主要な部品の互いの組み上げ関係を示す展開図。

【図２】図１に対応する側面展開図。

【図３】図２に対応する正面展開図であって、図１のサ
ージ保護デバイスの部品のサーブグループごとの組み上
げ図。

【図４】ａは本発明のサージ保護デバイスの１つの好適
実施例の、一例として動作中の電話回路を保護する場合
のサージ保護システム中における前記デバイスの中心軸
に沿っての断面図。ｂはシステム中で短絡状態にあるデ
バイスを示す図４ａと同様の断面図。

【図５】本発明のサージ保護デバイスの別の好適実施例
についての中心軸に沿っての断面図であって、ａは図４
ａと同様の非導通状態にあるデバイスの断面図、ｂは図
４ｂと同様の短絡状態にあるデバイスの断面図。

【図６】本発明のサージ保護デバイスの更に別の好適実
施例についての中心軸に沿っての断面図であって、ａは
図４ａと同様の非導通状態にあるデバイスの断面図、ｂ
は図４ｂと同様の短絡状態にあるデバイスの断面図。

【符号の説明】

１０本発明のサージ保護システム１２回路１２ａ電話回路部品１４サージ保護デバイス１６半導体サージ保護要素１６．１要素側面１６．２要素側面１８電極１８．１円盤部１８．２柱部１８．３柱部末端２０電極２０．１凹部２２コンタクトアーム２４コンタクトアーム２６端子２８端子３０第２の限定部分３２臨界エネルギー導通経路３４はんだコーティング３６シール３６ａ，３６ｂシール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ロナルドジェイ．キャンデレットアメリカ合衆国マサチューセッツ州アトルボロ，リンドセイストリート 353

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１つの回路と、その回路に対
して第１および第２レベルのサージ保護を提供するため
のサージ保護デバイスとを有するサージ保護システムで
あって、前記サージ保護デバイスが、２つの対向する側
面を有する半導体円盤要素、前記要素の側面の片側へ電
気的に導通状態で結合した第１の電極、前記要素の他方
の側面へ電気的に導通状態で結合した第２の電極を含
み、前記要素が電気的エネルギーを電極間で選択的に導
通させることで第１レベルのサージ保護を提供してお
り、前記電極が前記要素が破壊された時に、互いに電気
的に導通状態となって電極間に短絡回路を形成するよう
に移動して第２レベルのサージ保護を提供するようにな
っており、また少なくとも前記第１電極が前記要素の前
記片側の限定された部分と電気的に結合するように取り
付けられて要素破壊時に電極間に短絡状態を確立し保持
することを容易している、サージ保護システム。
【請求項２】請求項１記載のサージ保護システムであ
って、前記半導体円盤要素が要素の対向する側面間に臨
界エネルギー導通経路を提供し、それに沿って要素破壊
が優先的に発生し、それによって第２レベルのサージ保
護が提供されており、前記経路が前記一方の要素側面の
選ばれた限定部分と前記第２の側面との間に定義されて
おり、また前記第１電極が前記一方の要素側面の前記選
ばれた限定部分へ前記のような電気的に導通状態の結合
を形成して取り付けられているサージ保護システム。
【請求項３】請求項２記載のサージ保護システムであ
って、前記要素が選ばれた厚さを有し、前記第１電極が
円盤部と、円盤部から延びたより小さい断面寸法の柱部
とを含み、前記柱部が少なくとも前記要素厚さに等しい
程度の長さを有し、また前記柱部がそれの末端を前記要
素の一方の側面の前記選ばれた限定部分へ前記のような
電気的に導通状態の結合を形成して取り付けられている
サージ保護システム。
【請求項４】請求項３記載のサージ保護システムであ
って、前記第１電極の前記柱部の周囲の、前記要素の一
方の側面の第２の部分にシール手段が取り付けられてい
るサージ保護システム。
【請求項５】請求項３記載のサージ保護システムであ
って、前記要素の側面が選ばれた面積を有しており、前
記第１電極の円盤部が前記第１の要素側面よりも広い面
積を有し、交番極性の回路中で電極の接続を容易にする
ために前記第２電極と同一の外延を持つようになってい
るサージ保護システム。
【請求項６】請求項３記載のサージ保護システムであ
って、前記第１電極の柱の断面寸法が、前記柱部を前記
第２電極へ溶着させて第２レベルのサージ保護を提供す
ることを容易にする大きさに選ばれているサージ保護シ
ステム。
【請求項７】請求項１記載のサージ保護システムであ
って、前記第２電極が前記他方の要素側面のすべてと電
気的に導通状態で結合して、第１レベルのサージ保護を
提供する間に要素からの熱放散を容易にするようになっ
ているサージ保護システム。
【請求項８】請求項７記載のサージ保護システムであ
って、前記第２電極が凹部を有し、そこへ前記第２の要
素側面を受けとめ、要素と第２電極との位置合わせを行
うようになっているサージ保護システム。