JPH05159389A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁性層の構成材料の選択の容易な光磁気記録
媒体を得る。 【構成】 四層型の光磁気記録媒体における第四磁性層
と第三磁性層との間と、第三磁性層と第二磁性層との間
とに、それぞれ個別に設けた水平磁化膜として機能する
強磁性金属原子層、及び前記した第四磁性層と第三磁性
層との間と、前記した第三磁性層と第二磁性層との間
と、前記した第二磁性層と第一磁性層との間とに、それ
ぞれ個別に設けた水平磁化膜として機能する強磁性金属
原子層として用いた例えばコバルト、鉄、ニッケルの少
なくとも一つを含む厚さが１オングストローム乃至５オ
ングストロームの薄層を調整層とし、その調整層の両側
の磁性層中に含まれる重希土類金属元素と遷移金属元素
同士の磁気モーメントを適度に結合させるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】磁性材料における熱による磁気特性の変
化を利用して磁気記録媒体の磁性層に記録情報と対応し
た磁化の変化によって情報の記録を行なったり、前記し
た磁気記録媒体の磁性層に記録されていた記録情報と対
応した磁化の変化の状態をファラディ効果やカー効果な
どのような磁気に付随する光学効果を利用して読出すよ
うにした光磁気記録再生方式は、前記の磁性層として垂
直磁化膜を使用することにより高密度記録再生が可能な
ために、各種の光磁記記録媒体を使用した多くの方式が
提案されている。ところで、円盤状の光磁気記録媒体を
用いた光ディスクメモリは、記録再生装置に対する着脱
が可能で、かつ、書換えができる大量容ファイルとして
盛んに研究開発が行われており、商品化がなされている
例も見られるに至っているが、現状においては書換え可
能とはいっても書換え手段が単純ではなく、従来から広
く使用されている磁気記録媒体が着脱不能となされてい
る構成態様の所謂ハードディスク装置(例えば、ウイン
チェスター型磁気ディスク装置)に比べて使い勝手が悪
いという欠点があった。

【０００３】それで、光磁気ディスクにおいて直接にオ
ーバーライトを実現できるようにするための各種の提案
が行なわれて来ているが、 (1)回転する光磁気ディスク
を一定の光強度の微小なスポットで照射するとともに、
記録バイアス磁界強度を記録の対象にされている情報信
号によって強度変調して光磁気ディスクにオーバーライ
トを行なう。 (2)例えば特開昭６２ー１７５９４８号公
報、その他の文献に開示されているように重希土類金属
と遷移金属との非晶質合金により高保磁力と低キュリー
温度を有していて記録再生のための記録層として機能す
る第一磁性層と、重希土類金属と遷移金属との非晶質合
金により低保磁力と高キュリー温度を有していて書込み
の補助を行なう補助層としての機能を有する第二磁性層
とを備えて構成された二層型の光磁気ディスクを用いて
オーバーライトを行なう。 (3)例えば、特開昭６３ー２
６８１０３号公報、特開平１ー２４１０５１号公報、そ
の他の文献等に開示されているように、前記した二層型
の光磁気ディスクにおける重希土類金属と遷移金属との
非晶質合金による記録層や補助層などの他に、少なくと
も初期化層を備えて構成させた三層型、あるいは四層型
の光磁気ディスクを用いてオーバーライトを行なう。等
が代表的な既提案として知られている。

【０００４】そして、前記した (1)の既提案は記録の対
象にされている情報信号によって磁界を発生させること
が必要とされるために、高密度記録に対しては高い周波
数で変化する高周波磁界を発生させなければならない
が、周知のように高周波で充分な強度の磁界を発生させ
ることは困難であるから、この (1)の光磁気オーバーラ
イト方式では情報の転送速度を大にすることは困難であ
り高密度記録再生を実現することが容易でないという点
が問題になる。前記した (1)の光磁気オーバーライト方
式における情報の転送速度を大にすることが困難である
という問題点は、(2),(3)に示した既提案の光磁気ディ
スクを使用すれば解消できる。しかし、前記した(2)の
二層型の光磁気ディスクは、第二磁性層の初期化のため
の外部磁界の印加手段と、記録時に必要とされるバイア
ス磁界の印加手段との２つの外部磁界が不可欠とされて
おり、そのために装置が大型化するという点が問題にな
る他、前記した(2)の二層型の光磁気ディスク及び(3)の
三層型の光磁気ディスクは、記録層として機能する第一
磁性層と書込みの補助を行なう補助層として機能する第
二磁性層、その他の磁性層として、それぞれ必要な磁気
特性を有するものとして構成させることが困難であると
いう点が問題になる。

【０００５】図９は前記した(2)の二層型の光磁気ディ
スクの記録再生動作の概略を説明するための図であり、
図９の（ａ）は記録再生系の一部の斜視図、図９の
（ｂ）は二層型の光磁気ディスクの記録再生動作の説明
図、図９の（ｃ）は情報の記録に当って変化されるレー
ザ光強度を示す図である。図９の（ａ），（ｂ）におい
てＤは二層型の光磁気ディスクであり、二層型の光磁気
ディスクＤは図示されていない回転駆動機構によって矢
印ａ方向に回転されており、結像レンズＬによって集光
されたレーザ光によって二層型の光磁気ディスクＤの磁
性層の温度が上昇される。図９の（ｂ）において二層型
の光磁気ディスクＤにおける１は基板であり、また、２
は重希土類金属と遷移金属との非晶質合金により高保磁
力Ｈc1と低キュリー温度Ｔc1を有していて記録再生のた
めの記録層として機能する第一磁性層であり、さらに、
３は重希土類金属と遷移金属との非晶質合金により低保
磁力Ｈc2と高キュリー温度Ｔc2を有していて書込みの補
助を行なう補助層としての機能を有する第二磁性層であ
り、さらにまた、Ｍｉは初期化のための磁界Ｈｉを発生
する永久磁石、Ｍｗは情報の記録時に用いられるバイア
ス磁界Ｈｗを発生する永久磁石である。

【０００６】前記した二層型の光磁気ディスクＤの記録
層２の保磁力Ｈc1と、補助層３の保磁力Ｈc2と、永久磁
石Ｍｉによって発生される初期化のための磁界強度Ｈｉ
と、永久磁石Ｍｗによって発生される記録時のバイアス
磁界の磁界強度Ｈｗとの関係は図１０の（ｂ）に示され
ているように、Ｈc1＞Ｈｉ＞Ｈc2＞Ｈｗの関係を有する
ようにされており、また前記した二層型の光磁気ディス
クＤの記録層２のキュリー温度Ｔc1と、補助層３のキュ
リー温度Ｔc2との関係は図１０の(ａ),（ｂ)に示されて
いるように、Ｔc2＞Ｔc1の関係を有するものとされてい
る。また、結像レンズＬによって集光されたレーザ光で
加熱されるべき二層型の光磁気ディスクＤの磁性層の温
度は、記録層に対して情報「１」を記録する際にはレー
ザ光強度Ｐ1を有するレーザ光の照射により、記録層２
のキュリー温度Ｔc1と、補助層３のキュリー温度Ｔc2と
に対して、Ｔc2＞Ｔp1＞Ｔc1の関係に在る温度Ｔp1に加
熱され、また、記録層に対して情報「０」を記録する際
にはレーザ光強度Ｐoを有するレーザ光の照射により、
二層型の光磁気ディスクＤの磁性層の温度が、補助層３
のキュリー温度Ｔc2よりも高い温度Ｔpoにされる｛図９
の（ｃ）及び図１０の（ａ）参照｝。

【０００７】図９の（ａ），（ｂ）を参照して二層型の
光磁気ディスクに対するオーバライトの動作について説
明すると次のとおりである。図示されていない回転駆動
機構によって矢印ａ方向に回転されている二層型の光磁
気ディスクＤにおける記録層として機能する第一磁性層
２と、書込みの補助を行なう補助層としての機能を有す
る第二磁性層３とが、永久磁石Ｍｉによって発生されて
いる初期化磁界Ｈｉ中に入ると、室温における保磁力と
初期化磁界強度との関係が図１０の（ｂ）に示されてい
るようにＨc1＞Ｈｉ＞Ｈc2の関係にあるために、記録層
として機能する第一磁性層２の磁化の状態は前記した初
期化磁界によっても変化することはないが、前記した初
期化磁界Ｈｉによって書込みの補助を行なう補助層とし
ての機能を有する第二磁性層３の磁化の方向は初期化磁
界Ｈｉの方向（図９においては図中で上向きの状態）に
整列される。

【０００８】レーザ光強度を図１０の（ａ）中に示され
ているＰ1として、記録層２のキュリー温度Ｔc1よりは
高く、補助層３のキュリー温度Ｔc2よりは低いＴc2＞Ｔ
p1＞Ｔc1の関係に在る温度Ｔp1となるように、前記した
記録層２と補助層３からなる磁性層を加熱すると、記録
層２のキュリー温度Ｈc1以上に加熱された記録層２は一
たん磁化を失なうが、補助層３はキュリー温度Ｔc2に達
しない温度までにしか加熱されないために、補助層３の
磁化の状態は初期化磁界Ｈｉの方向（図９においては図
中で上向きの状態）に磁化された状態のままに保持され
ている。前記した補助層３の磁化の状態は、永久磁石Ｍ
ｗによって発生されたＨc2＞Ｈｗの関係にあるバイアス
磁界Ｈｗの印加によっても変化しない。光磁気ディスク
の回転に伴ってレーザ光が照射していた部分がレーザ光
の照射位置からずれて、記録層２の温度がそれのキュリ
ー温度Ｔc1以下に低下したときには、記録層２に補助層
３の磁化が転写されて、情報「１」を表わす上向きの磁
化が記録層２に記録されることになる。

【０００９】次に、記録層２に情報「０」を記録する場
合には、レーザ光強度を図１０の（ａ）中に示されてい
るＰｏとして、記録層２のキュリー温度Ｔc1と、補助層
３のキュリー温度Ｔc2との何れよりも高いＴpo＞Ｔc2＞
Ｔc1の関係に在る温度Ｔp2となるように、前記した記録
層２と補助層３からなる磁性層を加熱すると、記録層２
と補助層３との双方が、それらのキュリー温度Ｈc1，Ｈ
c2以上に加熱されるために、記録層２と補助層３との双
方が一たん磁化を失なう。光磁気ディスクの回転に伴っ
てレーザ光が照射していた部分がレーザ光の照射位置か
らずれると、まず、補助層３の温度がキュリー温度Ｔc2
以下に低下し、それにより補助層３がバイアス磁石Ｍｗ
によって発生されているバイアス磁界Ｈｗ（図９におい
ては図中で下向きの状態）の方向に磁化される。次いで
記録層２の温度がそれのキュリー温度Ｔc1以下に低下し
たときには、記録層２に補助層３の磁化が転写されて、
情報「０」を表わす上向きの磁化が記録層２に記録され
ることになる。

【００１０】前記した二層型の光磁気ディスクは、既述
のように補助層３の初期化のための外部磁界の印加手段
と、記録時に必要とされるバイアス磁界の印加手段との
２つの外部磁界が不可欠とされており、そのために装置
が大型化するという点が問題になったので、前記の点を
解決できる光磁気ディスクとして、補助層３の初期化の
ための永久磁石として機能する初期化層を少なくとも付
加したような構成の三層型、または四層型の光磁気ディ
スクが提案された。図１１は記録再生のための記録層と
して機能する第一磁性層と、書込みの補助を行なう補助
層としての機能を有する第二磁性層と、前記した第一磁
性層及び第二磁性層と初期化層として機能する第四磁性
層との間の磁気的交換相互作用を接断制御するスイッチ
層として機能する第三磁性層とからなる四層型の光磁気
記録媒体における前記した各磁性層の保磁力Ｈc1，Ｈc
2，Ｈc3，Ｈc4と、キュリー温度Ｔc1，Ｔc2，Ｔc3，Ｔc
4との関係を示す図{図１１の（ａ）｝と、記録再生系の
一部の概略構成を示す図{図１１の（ｂ）｝である。

【００１１】前記したように、記録層と補助層とスイッ
チ層と初期化層との四層の磁性層を備えた光磁気ディス
クにおいては、初期化層として他のどの磁性層よりも高
いキュリー温度Ｔc4を示す磁性層を使用して、記録層ま
たは補助層における磁化の反転直後における冷却過程に
おいて、初期化層からの磁気的交換作用または漏洩磁界
によって、補助層の磁化の方向を初期化層の磁化の方向
と一致させることができるようにしており、また、四層
型の光磁気ディスクでは補助層と初期化層との間に設け
たスイッチ層として、他のどの磁性層よりも低いキュリ
ー温度Ｔc3を示す磁性層を用いて、記録層と補助層がレ
ーザ光の照射によって磁化が反転する過程に、初期化層
からの磁気的な影響が遮断されるようにして、記録層と
補助層との磁化反転過程と初期化過程との干渉の防止に
より直接重ね書きのＣ／Ｎの向上が期待される。初期化
層を備えた光磁気ディスクでは、図１１の（ｂ）に例示
されているように、情報の記録時に用いられるバイアス
磁界Ｈｗを発生する永久磁石Ｍｗだけが必要で、初期化
のための磁界Ｈｉを発生する永久磁石Ｍｉは不要とされ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前記のように四層型の
光磁気ディスクでは、二層型の光磁気ディスクにおいて
必要としていたような初期化用の永久磁石が不要とされ
るために、二層型の光磁気ディスクに比べて有利であ
り、またスイッチ層を備えていない三層型の光磁気ディ
スクに比べても、重ね書き動作がより一層確実となる点
において優れていると考えられる。しかしながら、前記
の四層型の光磁気ディスクは、４つの層を構成する各磁
性層が、それぞれ異なる所定の保磁力Ｈｃと所定のキュ
リー温度とを示す磁性層となるように、組成、成分、膜
厚が定められた重希土類金属と遷移金属との非晶質合金
磁性層による４つの磁性層を積層して構成されているも
のであるから、各磁性層が積層された状態において各磁
性層が示す保磁力の保磁力Ｈｃの値は、各層間に働く磁
気的交換相互作用の存在により、前記した各磁性層が単
独に存在している場合にそれぞれの磁性層が示す保磁力
の値とは異なったものになる。

【００１３】前記のように、各層間に働く磁気的交換相
互作用の存在によって各磁性層の保磁力の値に生じる変
化は、積層される各磁性層の組成、成分、膜厚や、成膜
過程に依存して変化するものであるために、四層型の光
磁気ディスククの全体として所望の特性を得ること自体
が困難であり、また、再現性に乏しいということが問題
になる。また、四層型の光磁気ディスクにおいては、ス
イッチ層自体の磁気的な影響や初期化層の磁気的な影響
が、補助層には及ぶようにしなければならないが、前記
のスイッチ層や初期化層からの磁気的な影響が、仮に記
録層にまで及んだ場合には重ね書きのＣ／Ｎが低下する
という問題が生じる。ところが、前記した４つの層は相
互に磁気的に強く結合して一体化している状態にあるか
ら、四層型の光磁気ディスクにおいて、スイッチ層自体
の磁気的な影響や初期化層の磁気的な影響が補助層には
及ぶが、補助層には及ばないようにする、というように
することは容易ではない。それで、前記のような諸問題
点のない光磁気ディスクの出現が望まれた。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は記録再生のため
の記録層として機能する第一磁性層と、書込みの補助を
行なう補助層としての機能を有する第二磁性層と、前記
した第一磁性層及び第二磁性層と初期化層として機能す
る第四磁性層との間の磁気的交換相互作用を接断制御す
るスイッチ層として機能する第三磁性層と、前記した第
四磁性層とを少なくとも備えている光磁気ディスクにお
いて、前記した第四磁性層と第三磁性層との間と、前記
した第三磁性層と第二磁性層との間とに、それぞれ個別
に水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層を備えさ
せてなる光磁気ディスク、及び記録再生のための記録層
として機能する第一磁性層と、書込みの補助を行なう補
助層としての機能を有する第二磁性層と、前記した第一
磁性層及び第二磁性層と初期化層として機能する第四磁
性層との間の磁気的交換相互作用を接断制御するスイッ
チ層として機能する第三磁性層と、前記した第四磁性層
とを少なくとも備えている光磁気ディスクにおいて、前
記した第四磁性層と第三磁性層との間と、前記した第三
磁性層と第二磁性層との間と、前記した第二磁性層と第
一磁性層との間とに、それぞれ個別に水平磁化膜として
機能する強磁性金属原子層を備えさせてなる光磁気ディ
スク、ならびに前記した光磁気ディスクにおいて、水平
磁化膜として機能する強磁性金属原子層を、コバルト、
鉄、ニッケルの少なくとも一つを含む厚さが１オングス
トローム乃至５オングストロームの薄層によって構成し
た光磁気ディスクを提供する。

【００１５】

【作用】四層型の光磁気ディスクにおいて、第四磁性層
と第三磁性層との間と、第三磁性層と第二磁性層との間
とに、それぞれ個別に設けた水平磁化膜として機能する
強磁性金属原子層、及び前記した第四磁性層と第三磁性
層との間と、前記した第三磁性層と第二磁性層との間
と、前記した第二磁性層と第一磁性層との間とに、それ
ぞれ個別に設けた水平磁化膜として機能する強磁性金属
原子層として用いた例えばコバルト、鉄、ニッケルの少
なくとも一つを含む厚さが１オングストローム乃至５オ
ングストロームの薄層が、それの両側の磁性層中に含ま
れる重希土類金属元素と遷移金属元素同士の磁気モーメ
ントを適度に結合させる。そのために、前記した水平磁
化膜として機能する強磁性金属原子層の両側の垂直磁化
膜として機能する磁性層は、それらのキュリー温度の相
互関係だけが所定のように定められていれば、各磁性層
の保磁力は任意に設定できるから所定の特性を有する光
磁気ディスクを容易に提供できる。

【００１６】

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の光磁気記
録媒体の具体的な内容を詳細に説明する。図１と図２及
び図５ならびに図６は本発明の光磁気記録媒体の一部の
断面図、図３は各磁性層の磁気特性例図、図４はレーザ
光の強度変調の状態を示す図、図７及び図８は再生特性
例を示す曲線図である。図１及び図２は本発明の光磁気
記録媒体の一部を示す断面図である。まず、図１に示す
光磁気記録媒体Ｄは、例えばポリカーボネート樹脂製の
基板１上に、例えばタンタルの酸化物によるエンハンス
層（反射防止膜）６と、記録再生のための記録層として
機能する第一磁性層２と、書込みの補助を行なう補助層
としての機能を有する第二磁性層３と、水平磁化膜とし
て機能する強磁性金属原子層による第二調整層８と、前
記した第一磁性層２及び第二磁性層３と初期化層として
機能する第四磁性層５との間の磁気的交換相互作用を接
断制御するスイッチ層として機能する第三磁性層４と、
水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による第一
調整層７と、初期化層として機能する第四磁性層５とを
順次に積層することにより構成されている。

【００１７】また、図２に示す光磁気記録媒体Ｄは、例
えばポリカーボネート樹脂製の基板１上に、例えばタン
タルの酸化物によるエンハンス層（反射防止膜）６と、
記録再生のための記録層として機能する第一磁性層２
と、水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による
第三調整層９と、書込みの補助を行なう補助層としての
機能を有する第二磁性層３と、水平磁化膜として機能す
る強磁性金属原子層による第二調整層８と、前記した第
一磁性層２及び第二磁性層３と初期化層として機能する
第四磁性層５との間の磁気的交換相互作用を接断制御す
るスイッチ層として機能する第三磁性層４と、水平磁化
膜として機能する強磁性金属原子層による第一調整層７
と、初期化層として機能する第四磁性層５と、保護層１
０とを順次に積層することにより構成されている。そし
て、前記した図１及び図２に示されている本発明の光磁
気記録媒体Ｄにおいて、記録再生のための記録層として
機能する第一磁性層２と、書込みの補助を行なう補助層
としての機能を有する第二磁性層３と、前記した第一磁
性層２及び第二磁性層３と初期化層として機能する第四
磁性層５との間の磁気的交換相互作用を接断制御するス
イッチ層として機能する第三磁性層４と、初期化層とし
て機能する第四磁性層５などの各磁性層は、それぞれ重
希土類金属と遷移金属との非晶質合金によって構成され
ており、また、水平磁化膜として機能する強磁性金属原
子層による第一調整層７と、水平磁化膜として機能する
強磁性金属原子層による第二調整層８と、水平磁化膜と
して機能する強磁性金属原子層による第三調整層９と
は、コバルト、鉄、ニッケルの少なくとも一つを含む厚
さが１オングストローム乃至５オングストロームの薄層
によって構成される。図３は前記した図１及び図２に示
されている本発明の光磁気記録媒体Ｄにおける各磁性層
の保磁力とキュリー温度、及び水平磁化膜として機能す
る強磁性金属原子層による各調整層の保磁力とキュリー
温度などの相互の関係を例示している図である。

【００１８】本発明の光磁気記録媒体Ｄにおける特定な
磁性層間に設けられている水平磁化膜として機能する強
磁性金属原子層による各調整層は、既述のようにコバル
ト、鉄、ニッケルの少なくとも一つを含む厚さが１オン
グストローム乃至５オングストロームの薄層によって構
成されるものであるが、この調整層はそれの両側に設け
られている磁性層中に含まれているＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等
の重希土類金属元素やＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属元素同士
の磁気モーメントを結合させるものであるが、調整層自
体は膜面内に磁気異方性を有して水平磁化膜として機能
するものであるために、調整層の両面に配置されている
垂直磁化膜として構成されている磁性層間の磁気的な結
合は、前記した水平磁化膜として機能する調整層の膜厚
の増大とともに振動しつつ速やかに減衰するものである
（所謂、ＲＫＫＹ相互作用を想定して、前記した調整層
の両側に配置されている垂直磁化膜として構成されてい
る磁性層間の磁気的な結合力を零にさせる調整層の厚さ
は１０オングストローム程度と推定される）。

【００１９】本発明の光磁気記録媒体Ｄにおいては、前
述のように特定な磁性層間に、水平磁化膜として機能す
る強磁性金属原子層（コバルト、鉄、ニッケルの少なく
とも一つを含む厚さが１オングストローム乃至５オング
ストロームの薄層)によって構成される調整層を設けて
いるために、前記した重希土類金属と遷移金属とによっ
て構成されている第一磁性層乃至第四磁性層の室温にお
ける保磁力の値の相互関係は任意であってもよいのであ
り、互に他の磁性層の保磁力とは無関係に独自に定める
ことができる。ただし、本発明の光磁気記録媒体Ｄにお
いては、第一磁性層乃至第四磁性層における各キュリー
温度が、図３中に示されているように初期化層として機
能する第四磁性層５のキュリー温度Ｔc4＞書込みの補助
を行なう補助層としての機能を有する第二磁性層３のキ
ュリー温度Ｔc2＞記録再生のための記録層として機能す
る第一磁性層２のキュリー温度Ｔc1＞第一磁性層２及び
第二磁性層３と初期化層として機能する第四磁性層５と
の間の磁気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層と
して機能する第三磁性層４のキュリー温度Ｔc3のような
関係であることが必要である。なお、本発明の光磁気記
録媒体Ｄにおける所定の磁性層間に設けられる各調整
層、すなわち水平磁化膜として機能する強磁性金属原子
層による各調整層の保磁力は、それがどのような値であ
っても構わないのであるが、図３中には水平磁化膜とし
て機能する強磁性金属原子層による各調整層の保磁力が
Ｈｃｈであるとして例示している。また、前記した水平
磁化膜として機能する強磁性金属原子層による各調整層
のキュリー温度は、図３に示されている温度範囲よりも
遥かに高い温度であるために図３中には示されていな
い。

【００２０】前記した本発明の光磁気記録媒体Ｄは、既
述のように記録再生のための記録層として機能する第一
磁性層２と、書込みの補助を行なう補助層としての機能
を有する第二磁性層３と、前記した第一磁性層２及び第
二磁性層３と初期化層として機能する第四磁性層５との
間の磁気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層とし
て機能する第三磁性層４と、初期化層として機能する第
四磁性層５とを備えて構成されている従来の四層型の光
磁気ディスクと同様に、外部の初期化用の永久磁石によ
って補助層３の初期化を行なうという過程が不要である
から、２層型の光磁気ディスクに関する従来技術におい
て説明したように従来の２層型の光磁気ディスクでは記
録層の保磁力Ｈc1を補助層の保磁力Ｈc2よりも高くして
おかないと所期の重ね書き動作が行なわれない、という
ような制約は、本発明の光磁気記録媒体Ｄには存在しな
い。

【００２１】本発明の光磁気記録媒体Ｄにおいても従来
の四層型の光磁気ディスクの場合と同様に、記録再生の
ための記録層として機能する第一磁性層２と、書込みの
補助を行なう補助層としての機能を有する第二磁性層３
と、初期化層として機能する第四磁性層５との間の磁気
的交換相互作用を接断制御するスイッチ層として機能す
る第三磁性層４を備えており、前記のスイッチ層として
機能する第三磁性層４は図３にも示されているように光
磁気記録媒体Ｄを構成しているすべての磁性層の内で最
も低いキュリー温度Ｔc3を有するものとされている。前
記のスイッチ層として機能する第三磁性層４は、それの
温度がキュリー温度Ｔc3以上になって磁性を失なった状
態において、初期化層として機能する第四磁性層５から
記録層２と補助層３への磁気的交換相互作用を切断し、
初期化層として機能する第四磁性層５の磁気的な影響が
記録層２と補助層３とに与えられない状態にして、前記
の記録層２と補助層３との磁化の状態がレーザ光強度だ
けに依存して所定のように変化することが必要とされる
のであるが、従来の四層型の光磁気ディスクでは、磁化
反転終了直後の冷却過程において、初期化層として機能
する第四磁性層５の磁気的な影響が補助層３には有効に
働き、記録層２には初期化層として機能する第四磁性層
５の磁気的な影響が及ばないような状態となるように、
前記したスイッチ層として機能する第三磁性層４の厚さ
を精密に定めることが要求されていたが、本発明の光磁
気記録媒体Ｄでは前記したスイッチ層として機能する第
三磁性層４と初期化層として機能する第四磁性層５の間
に、水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による
第一調整層７を設けたことにより、従来の光磁気ディス
クにおけるようにスイッチ層として機能する第三磁性層
４の厚さを精密に定める必要はない。

【００２２】また、同様にスイッチ層として機能する第
三磁性層４の温度が、それのキュリー温度Ｔc3以下にお
いては、スイッチ層として機能する第三磁性層４自体の
磁化の状態が、書込みの補助を行なう補助層としての機
能を有する第二磁性層３を超えて、記録再生のための記
録層として機能する第一磁性層２に転写されてはならな
いが、本発明の光磁気記録媒体Ｄでは前記したスイッチ
層として機能する第三磁性層４と書込みの補助を行なう
補助層としての機能を有する第二磁性層３との間に、水
平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による第二調
整層８を設けたことにより、スイッチ層として機能する
第三磁性層４自体の磁化の状態が、記録再生のための記
録層として機能する第一磁性層２に転写されるようなこ
とは起こらない。本発明の光磁気記録媒体Ｄにおいて、
記録再生のための記録層として機能する第一磁性層２
と、書込みの補助を行なう補助層としての機能を有する
第二磁性層３とは、それぞれ図３に示されているような
相互関係にあるようなキュリー温度Ｔc1，Ｔc2を備えて
いるとともに、レーザ光の照射時に微小な磁区が形成で
きるようにするために必要な大きさの保磁力を有してい
るものとして構成される。

【００２３】図２に示されている本発明の光磁気記録媒
体Ｄにおいては、記録再生のための記録層として機能す
る第一磁性層２と、書込みの補助を行なう補助層として
の機能を有する第二磁性層３との間に、水平磁化膜とし
て機能する強磁性金属原子層による第三調整層９を設け
た構成としているが、前記した記録層２と補助層３との
間に設けた第三調整層９は、記録再生のための記録層と
して機能する第一磁性層２を構成している磁性材料と、
書込みの補助を行なう補助層としての機能を有する第二
磁性層３を構成している磁性材料とに応じて、前記した
２つの磁性層間に働く磁気的交換相換相互作用によって
生じる媒体ノイズが増大したり、記録された磁区の不安
定さを生じる等のことがあった場合に、前記した記録層
２と補助層３との間に第三調整層９を設けることにより
前述のような不都合は除去できるのである。初期化層と
して機能する第四磁性層５は、光磁気記録媒体Ｄの使用
に先立って一度だけ予め定められた一定の方向に着磁さ
れることにより、初期化層として使用されるのである。
図４は本発明の光磁気記録媒体Ｄに情報信号の記録を行
なう場合に使用されるレーザ光強度ＰｏとＰ1との光強
度の違いを示している図であり、レーザ光強度Ｐｏは情
報「０」を記録する際の光強度であり、また、レーザ光
強度Ｐ1は情報「１」を記録する際の光強度である。な
お、前記した情報の記録時には磁化反転を助けるため
に、バイアス磁石によって発生されているバイアス磁界
が記録点に印加されるようにすることが必要である。な
お、本発明の光磁気記録媒体Ｄにおける重ね書き記録の
際の記録の態様は、従来の四層型の光磁気ディスクにお
ける重ね書き記録の際の記録の態様と同様である。

【００２４】図１に示した本発明の光磁気記録媒体の構
成態様に従って実施した本発明の光磁気記録媒体の具体
的な構成例を示す図５において１は直径が１３０ｍｍの
ポリカーボネート樹脂製の基板であり、基板１には５５
０オングストロームの厚さでタンタルの酸化物（ＴａＯ
ｘ）のエンハンス層(反射防止層)６が成膜される。前記
のタンタルの酸化物（ＴａＯｘ）のエンハンス層(反射
防止層)６の成膜は、アルゴンガス３５ｃｃと酸素１５
ｃｃとの混合ガス雰囲気中で、タンタルのターゲットを
用いて直流スパッタリング法によって行なった。タンタ
ル酸化物の成膜率は、タンタルの成膜率よりも大きいた
めに特異かつ有利であり、所定の厚さのタンタルの酸化
物（ＴａＯｘ）のエンハンス層(反射防止層)６の成膜を
短い時間で実現できる。前記したタンタルの酸化物（Ｔ
ａＯｘ）のエンハンス層(反射防止層)６は、高温多湿下
でもクラックを生じ難いことから保護膜として好適であ
り、また、透明で屈折率が高いことからエンハンス膜と
して適している。

【００２５】図５において、記録再生のための記録層と
して機能する第一磁性層２と、書込みの補助を行なう補
助層としての機能を有する第二磁性層３とは、ともに、
ＴｂＦｅＣｏを用いて構成されているが、前記した記録
層２と補助層３とは、各磁性層についての磁気特性を示
している表１中にも記載されているようにコバルトの含
有率の差によって、それぞれの磁性層におけるキュリー
温度が所定のように異なるように構成されているのであ
る。

【００２６】

【表１】

【００２７】図５において、第一磁性層２及び第二磁性
層３と初期化層として機能する第四磁性層５との間の磁
気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層として機能
する第三磁性層４は、ＤｙＴｂＦｅＣｏによって構成さ
れているが、このような構成により表１に示されている
ように図５に示されている各磁性層の内で最低のキュリ
ー温度にされている。また、初期化層として機能する第
四磁性層５はＴｂＣｏによって構成されていて、この層
は表１にも示されているように図５に示されている各磁
性層の内で最高のキュリー温度にされている。

【００２８】例えば、４ターゲットを有する成膜装置を
使用して、前記した各磁性層を成膜する場合には、Ｄ
ｙ，Ｃｏ，Ｔｂ，ＴｂＦｅＣｏの４つのターゲットを用
意して、前記の４つのターゲットの内から必要なターゲ
ットを選択して成膜に使用する。すなわち、図５に示さ
れている光磁気記録媒体における記録層２と補助層３と
の成膜に際してはＣｏのターゲットと、Ｔｂのターゲッ
トと、ＴｂＦｅＣｏのターゲットとの３つのターゲット
を選択使用し、また、スイッチ層４の成膜に際してはＤ
ｙのターゲットと、ＴｂＦｅＣｏのターゲットとの２つ
のターゲットを選択使用し、さらに初期化層５の成膜に
際してはＣｏのターゲットと、Ｔｂのターゲットとの２
つのターゲットを選択使用する。

【００２９】本発明の光磁気記録媒体においては、前記
した磁性層における特定な磁性層間に、水平磁化膜とし
て機能する強磁性金属原子層（コバルト、鉄、ニッケル
の少なくとも一つを含む厚さが１オングストローム乃至
５オングストロームの薄層)によって構成される調整層
を設けているのであるが、図５中で前記した水平磁化膜
として機能する強磁性金属原子層によって構成される調
整層７，８は、膜厚モニターによって推定される成膜率
を毎秒０.０５オングストローム程度として、例えば１
オングストローム、２オングストローム、３オングスト
ローム…というような極端に薄い膜を充分な再現性を以
って成膜することができた。前記のように極端に薄い膜
の場合には、成膜された膜は単原子層、二原子層等のよ
うに、結晶格子を形成しているのではなく、原子が乱雑
に沈着されているような状態になっているものと推定さ
れる。

【００３０】図２に示した本発明の光磁気記録媒体の構
成態様に従って実施した本発明の光磁気記録媒体の具体
的な構成例を示す図６において、１は直径が１３０ｍｍ
のポリカーボネート樹脂製の基板であり、また、基板１
には５５０オングストロームの厚さでタンタルの酸化物
（ＴａＯｘ）のエンハンス層(反射防止層)６を成膜して
ある。図６において、記録再生のための記録層として機
能する第一磁性層２と、書込みの補助を行なう補助層と
しての機能を有する第二磁性層３とは、図５について既
述した構成例と同様に、ともにＴｂＦｅＣｏを用いて構
成されているが、前記した記録層２と補助層３とは、各
磁性層についての磁気特性を示している表２中にも記載
されているようにコバルトの含有率の差によって、それ
ぞれの磁性層におけるキュリー温度が所定のように異な
るように構成されているのである。

【００３１】

【表２】

【００３２】図６において、第一磁性層２及び第二磁性
層３と初期化層として機能する第四磁性層５との間の磁
気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層として機能
する第三磁性層４は、ＴｂＦｅＣｏによって構成されて
いるが、このような構成により表２に示されているよう
に図６に示されている各磁性層の内で最低のキュリー温
度にされており、また、初期化層として機能する第四磁
性層５はＴｂＣｏによって構成されていて、この層は表
２に示されているように図６に示されている各磁性層の
内で最高のキュリー温度にされている。

【００３３】例えば、３ターゲットを有する成膜装置を
使用して、前記した各磁性層を成膜する場合には、Ｃ
ｏ，Ｔｂ，ＴｂＦｅＣｏの３つのターゲットを用意し
て、前記の３つのターゲットの内から必要なターゲット
を選択して成膜に使用する。すなわち、図６に示されて
いる光磁気記録媒体における記録層２と補助層３との成
膜に際してはＣｏのターゲットと、Ｔｂのターゲット
と、ＴｂＦｅＣｏのターゲットとの３つのターゲットを
選択使用し、またスイッチ層４の成膜に際してはＴｂＦ
ｅＣｏのターゲットを選択使用し、さらに初期化層５の
成膜に際してはＣｏのターゲットと、Ｔｂのターゲット
との２つのターゲットを選択使用する。

【００３４】本発明の光磁気記録媒体における磁性層に
おける特定な磁性層間に、水平磁化膜として機能する強
磁性金属原子層（コバルト、鉄、ニッケルの少なくとも
一つを含む厚さが１オングストローム乃至５オングスト
ロームの薄層)によって構成される調整層として、図６
中で用いられている調整層７，８，９は、膜厚モニター
によって推定される成膜率を毎秒０.０５オングストロ
ーム程度として、例えば１オングストローム、２オング
ストローム、３オングストローム…というような極端に
薄い膜を充分な再現性を以って成膜することができた。

【００３５】さて、表２に示されている磁気特性を有す
る各磁性層を備えている図６に示されている構成態様の
光磁気記録媒体において、初期化層として機能する第四
磁性層５と、第一磁性層２及び第二磁性層３と初期化層
として機能する第四磁性層５との間の磁気的交換相互作
用を接断制御するスイッチ層として機能する第三磁性層
４との間に設けた水平磁化膜として機能する強磁性金属
原子層による第一調整層７、及び前記の第三磁性層４
と、書込みの補助を行なう補助層としての機能を有する
第二磁性層３との間に設けた水平磁化膜として機能する
強磁性金属原子層による第二調整層８、ならびに前記し
た書込みの補助を行なう補助層としての機能を有する第
二磁性層３と、記録再生のための記録層として機能する
第一磁性層２との間に設けた水平磁化膜として機能する
強磁性金属原子層による第三調整層９などのすべての調
整層の厚さを１オングストロームとした場合と、前記し
たすべての調整層の厚さを２オングストロームとした場
合と、前記したすべての調整層の厚さを３オングストロ
ームとした場合との３種類の光磁気記録媒体を試料と
し、前記した試料の光磁気記録媒体を再生装置に装着し
て毎分１８００回転で回転させた状態にして、光磁気記
録媒体の半径が３０ｍｍに位置する部分の１つの記録跡
に対して、周波数値が２ＭＨｚでデューティサイクルが
５０％の矩形波と周波数値が３ＭＨｚでデューティサイ
クルが５０％の矩形波とを交互に記録したときに得られ
るＣ／Ｎの値によって直接重ね書きの性能を判断しとこ
ろ、表４に示されるような結果が得られた。前記の記録
時におけるレーザ光の強度は、情報「０」の記録時の記
録媒体上では１０ミリワット、情報「１」の記録時の記
録媒体上では５ミリワットであった。

【００３６】

【表４】

【００３７】表４にされている実験の結果をみると、表
２に示されている磁気特性を有する各磁性層を備えてい
る図６に示されている構成態様の光磁気記録媒体におい
ては初期化層として機能する第四磁性層５と、第一磁性
層２及び第二磁性層３と初期化層として機能する第四磁
性層５との間の磁気的交換相互作用を接断制御するスイ
ッチ層として機能する第三磁性層４との間に設けた水平
磁化膜として機能する強磁性金属原子層による第一調整
層７、及び前記の第三磁性層４と、書込みの補助を行な
う補助層としての機能を有する第二磁性層３との間に設
けた水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による
第二調整層８、ならびに前記した書込みの補助を行なう
補助層としての機能を有する第二磁性層３と、記録再生
のための記録層として機能する第一磁性層２との間に設
けた水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による
第三調整層９などのすべてのコバルトによる調整層の膜
厚を２オングストロームとした場合に、最も良好なＣ／
Ｎを得ることができたこと、及び、前記した各調整層７
〜８の膜厚が零の場合（各調整層７〜９を設けない場合
と同じ）には重ね書きが不可能であったこと、ならびに
コバルトによる調整層７〜９の膜厚が大となるのにつれ
てバイアス磁界の最適強度が増大していること等が判か
る。前記のようにコバルトによる調整層７〜９の膜厚が
大となるのにつれてバイアス磁界の最適強度が増大して
いるのは、コバルトによる調整層７〜９の膜厚が大とな
るのにつれて、補助層３と記録層２との間の磁気的交換
換相互作用が減少することを補うのに必要なためであろ
うと考えられる。

【００３８】また表５は、前記した表４の実験結果を得
るのに用いられた光磁気記録媒体、すなわち、表２に示
されている磁気特性を有する各磁性層を備えている図６
に示されている構成態様の光磁気記録媒体に設けられて
いたそれぞれ膜厚が２ミクロンのコバルトの層によって
構成されている３つの調整層（第一調整層７と第二調整
層８と第三調整層９）について、前記した３つの調整層
の内のどれか１個の調整層を除去した構成態様の３種類
の光磁気記録媒体を作って試料に用い、試料とされた前
記の３種類の光磁気記録媒体について、重ね書きの可能
性の有無を調べた結果を示す表である。表５に示されて
いる結果をみると、それぞれの磁性層が表２に示されて
いる磁気特性を有しているような各磁性層を備えている
図６に示されている構成態様の光磁気記録媒体から、膜
厚が２オングストロームのコバルトの層で構成された第
一調整層７だけが除去された構成態様の光磁気記録媒体
の場合と、それぞれの磁性層が表２に示されている磁気
特性を有しているような各磁性層を備えている図６に示
されている構成態様の光磁気記録媒体から、膜厚が２オ
ングストロームのコバルトの層で構成された第二調整層
８だけが除去された構成態様の光磁気記録媒体の場合と
においては、ともに重ね書きが不可能であり、また、そ
れぞれの磁性層が表２に示されている磁気特性を有して
いるような各磁性層を備えている図６に示されている構
成態様の光磁気記録媒体から、膜厚が２オングストロー
ムのコバルトの層で構成された第三調整層９だけが除去
された構成態様の光磁気記録媒体の場合とにおいては、
重ね書きが可能であることが判かる。

【００３９】前記した表５に示されている結果による
と、表４の実験結果を得るのに用いられた光磁気記録媒
体（表２に示されている磁気特性を有する各磁性層を備
えている図６に示されている構成態様の光磁気記録媒
体）に設けられていたそれぞれ膜厚が２ミクロンのコバ
ルトの層によって構成されている３つの調整層（第一調
整層７と第二調整層８と第三調整層９）の内で、第一調
整層７と第二調整層８とは重ね書きのためには不可欠で
あるが、第三調整層９はそれの有無がＣ／Ｎには影響し
ないという結果になっている。しかし、前記の第三調整
層９は記録再生のための記録層として機能する第一磁性
層２と、書込みの補助を行なう補助層としての機能を有
する第二磁性層３とにおける記録過程での同時磁化反転
の状態を左右するものであって、既述のように第三調整
層９は、記録再生のための記録層として機能する第一磁
性層２を構成している磁性材料と、書込みの補助を行な
う補助層としての機能を有する第二磁性層３を構成して
いる磁性材料とに応じて、前記した２つの磁性層間に働
く磁気的交換相換相互作用によって生じる媒体ノイズが
増大したり、記録された磁区の不安定さを生じる等のこ
とがあった場合に、前記した記録層２と補助層３との間
に第三調整層９を設けることにより前述のような不都合
を除去するために有効である。

【００４０】次に図７と図８とは、表１に示されている
磁気特性を有する各磁性層を備えている図５に示されて
いる構成態様の光磁気記録媒体において、初期化層とし
て機能する第四磁性層５と、第一磁性層２及び第二磁性
層３と初期化層として機能する第四磁性層５との間の磁
気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層として機能
する第三磁性層４との間に設けた水平磁化膜として機能
する強磁性金属原子層による第一調整層７、及び前記の
第三磁性層４と、書込みの補助を行なう補助層としての
機能を有する第二磁性層３との間に設けた水平磁化膜と
して機能する強磁性金属原子層による第二調整層８など
の各調整層として、膜厚が２オングストロームのコバル
ト膜を用いて構成した光磁気記録媒体を再生装置に装着
して毎分１８００回転で回転させた状態とし、光磁気記
録媒体の半径が３０ｍｍに位置する部分の１つの記録跡
に対して記録した周波数値が３ＭＨｚでデューティサイ
クルが５０％の矩形波を再生したときに得られる再生信
号強度の特性曲線図（図７）と、前記の光磁気記録媒体
に半径が３０ｍｍに位置する部分の１つの記録跡に対し
て記録した周波数値が４ＭＨｚでデューティサイクルが
５０％の矩形波を再生したときに得られる再生信号強度
の特性曲線図（図８）とを示している。前記したコバル
ト層を用いた調整層の厚さを種々に変えて実験したとこ
ろ、膜厚が２オングストロームの場合に最良の結果が得
られた。なお、光磁気記録媒体に対する信号の記録時に
おけるレーザ光の強度は、情報「０」の記録時の記録媒
体上では１０ミリワット、情報「１」の記録時の記録媒
体上では５ミリワットであった。

【００４１】

【表３】

【００４２】本発明の光磁気記録媒体は表３に示されて
いる磁気特性を有する各磁性層を備えてさせても構成で
きる。すなわち、図１に示す構成態様の光磁気記録媒体
において、各磁性層として表３に示されている磁気特性
を有するものとし、初期化層として機能する第四磁性層
５と、第一磁性層２及び第二磁性層３と初期化層として
機能する第四磁性層５との間の磁気的交換相互作用を接
断制御するスイッチ層として機能する第三磁性層４との
間に設けた水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層
による第一調整層７、及び前記の第三磁性層４と、書込
みの補助を行なう補助層としての機能を有する第二磁性
層３との間に設けた水平磁化膜として機能する強磁性金
属原子層による第二調整層８などのすべての調整層とし
て、膜厚が２オングストロームのコバルト膜を用いて構
成した光磁気記録媒体のように、記録層等の磁性層とし
て組成の異なる磁性層が用いられた場合においても直接
重ね書きを良好に行なうことができた。すなわち、前記
のような構成の光磁気記録媒体を再生装置に装着して毎
分１８００回転で回転させた状態にして、光磁気記録媒
体の半径が３０ｍｍに位置する部分の１つの記録跡に対
して記録した周波数値が３ＭＨｚでデューティサイクル
が５０％の矩形波を再生したときに得られる再生信号強
度は４２ｄＢであり、また、前記の記録跡に記録した周
波数値が４ＭＨｚでデューティサイクルが５０％の矩形
波を再生したときに得られる再生信号強度は４０ｄＢで
あった。なお、前記の記録時におけるレーザ光の強度
は、情報「０」の記録時の記録媒体上では１０ミリワッ
ト、情報「１」の記録時の記録媒体上では５ミリワット
であった。

【００４３】本発明の磁気記録媒体において使用される
水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層による調整
層として、コバルトと同じ遷移金属で磁気構造が似てい
る鉄やニッケルを用いることができることは明らかであ
る。なお、水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層
による調整層としてＴｂの層を用いても、Ｔｂを用いて
構成した調整層では、コバルトの層を調整層として用い
たときに調整層に生じた調整作用は生じなかった。その
理由としては、Ｔｂは低温では強磁性を示すが、室温以
上では磁化を有さないために、室温での動作時には磁気
的交換相互作用を及ぼすことができないからであろうと
考えられる。

【００４４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明の光磁気記録媒体は、四層型の光磁気デ
ィスクにおいて、第四磁性層と第三磁性層との間と、第
三磁性層と第二磁性層との間とに、それぞれ個別に設け
た水平磁化膜として機能する強磁性金属原子層、及び前
記した第四磁性層と第三磁性層との間と、前記した第三
磁性層と第二磁性層との間と、前記した第二磁性層と第
一磁性層との間とに、それぞれ個別に設けた水平磁化膜
として機能する強磁性金属原子層として用いた例えばコ
バルト、鉄、ニッケルの少なくとも一つを含む厚さが１
オングストローム乃至５オングストロームの薄層によ
り、それの両側の磁性層中に含まれる重希土類金属元素
と遷移金属元素同士の磁気モーメントを適度に結合させ
るようにしたので、前記した水平磁化膜として機能する
強磁性金属原子層の両側の垂直磁化膜として機能する磁
性層は、それらのキュリー温度の相互関係だけが所定の
ように定められていれば、各磁性層の保磁力は任意に設
定できるから所定の特性を有する光磁気ディスクを容易
に提供できるのであり、また、本発明の光磁気記録媒体
では第三磁性層と第四磁性層とが第二磁性層に及ぼす磁
気的交換相互作用を水平磁化膜として機能する強磁性金
属原子層によって調整できるので、レーザ光による記録
感度を低下させることがなく、さらに四層型の光磁気記
録媒体における４つの磁性層だけを備えても直接重ね書
きができない場合であっても、水平磁化膜として機能す
る強磁性金属原子層による調整層により直接重ね書きを
可能にできるので、本発明によれば直接重ね書きのでき
る光磁気記録媒体の構成に用いられる磁性層の構成材料
の選択の巾が広がるという利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の一部の断面図であ
る。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の一部の断面図であ
る。

【図３】各磁性層の磁気特性例図である。

【図４】レーザ光の強度変調の状態を示す図である。

【図５】本発明の光磁気記録媒体の一部の断面図であ
る。

【図６】本発明の光磁気記録媒体の一部の断面図であ
る。

【図７】再生特性例を示す曲線図である。

【図８】再生特性例を示す曲線図である。

【図９】従来の光磁気記録媒体の説明図である。

【図１０】光磁気記録媒体の磁性層の磁気特性例図であ
る。

【図１１】従来の光磁気記録媒体の説明図と、光磁気記
録媒体の磁性層の磁気特性例図である。

【符号の説明】

１…基板、２…記録再生のための記録層として機能する
第一磁性層、３…書込みの補助を行なう補助層としての
機能を有する第二磁性層、４…スイッチ層として機能す
る第三磁性層、５…初期化層として機能する第四磁性
層、６…エンハンス層(反射防止層)、７〜９…水平磁化
膜として機能する強磁性金属原子層によって構成される
調整層、

【表５】

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録再生のための記録層として機能する
   第一磁性層と、書込みの補助を行なう補助層としての機
   能を有する第二磁性層と、前記した第一磁性層及び第二
   磁性層と初期化層として機能する第四磁性層との間の磁
   気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層として機能
   する第三磁性層と、前記した第四磁性層とを少なくとも
   備えている光磁気記録媒体において、前記した第四磁性
   層と第三磁性層との間と、前記した第三磁性層と第二磁
   性層との間とにそれぞれ個別に水平磁化膜として機能す
   る強磁性金属原子層を備えさせてなる光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 記録再生のための記録層として機能する
   第一磁性層と、書込みの補助を行なう補助層としての機
   能を有する第二磁性層と、前記した第一磁性層及び第二
   磁性層と初期化層として機能する第四磁性層との間の磁
   気的交換相互作用を接断制御するスイッチ層として機能
   する第三磁性層と、前記した第四磁性層とを少なくとも
   備えている光磁気記録媒体において、前記した第四磁性
   層と第三磁性層との間と、前記した第三磁性層と第二磁
   性層との間と、前記した第二磁性層と第一磁性層との間
   とに、それぞれ個別に水平磁化膜として機能する強磁性
   金属原子層を備えさせてなる光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 水平磁化膜として機能する強磁性金属原
   子層を、コバルト、鉄、ニッケルの少なくとも一つを含
   む厚さが１オングストローム乃至５オングストロームの
   薄層によって構成した請求項１または請求項２の光磁気
   記録媒体。