JPH0515420U - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 化合物半導体ウェーハに均一にメッキ液を供
給し、且つ、給電し、ウェーハ全面に亘って均一なメッ
キ層を形成する半導体製造装置を提供する。 【構成】 上方開口の処理槽１２にメッキ液１０を収容
すると共に、側壁面にオーバーフロー管路１２ａを設
け、槽内部でメッキ液１０を上方に噴流させてオーバー
フロー管路１２ａより排出する。そして、化合物半導体
ウェーハ１３を処理槽１２の上方開口面周縁のウェーハ
支持部となる環状電極１７に処理面を下に向けて支承
し、上記処理面に垂直にメッキ液１０を供給する。そこ
で、給電部１４より、処理槽１２内に配設した電極体１
８と半導体ウェーハ１３の電極部１９との間に環状電極
１７を介して通電してメッキする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は化合物半導体ウェーハ等をメッキ処理する場合に好適する半導体製造 装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

化合物半導体ウェーハは例えば、金属−半導体の接合を利用したＭＥＳ電界効 果トランジスタの基板となり、図３に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板（１） に上方からＮ型及びＮ+型不純物を注入して電子の流れる活性層（２）を形成し てなり、更に、その上に全面にスパッタや蒸着等によりＴｉＡｕの通電パス（３ ）を設ける。そこで、通電パス（３）上にフォトレジスト（４）を塗布すると共 に、露光・現像によりパターニングして電極パッド形成領域を窓開けし、その窓 開け部に金メッキを施してゲート、ソース、ドレイン或いは他の電極パッドとな る電極パッド（５）を形成する。更に、電極パッド形成後、フォトレジスト（４ ）を有機溶剤にて除去すると共に、不要の通電パス（３）をイオンミリングにて 除去しておく。

【０００３】 上記金メッキに際しては、まず図２（ａ）にも示すように、化合物半導体ウェ ーハ（以下、単にウェーハと称す。）（６）の外周部の一部のフォトレジスト（ ４）を有機溶剤にて除去して電極部（７）を形成した後、図４に示すように、ウ ェーハ（６）を取付け板（８）にセットして処理槽（９）内にウェーハ面を垂直 に保持して浸す。上記処理槽（９）はメッキ液（１０）を収容すると共に、ウェ ーハ面に対向する電極板（１１）を槽内に有する。そこで、槽内で供給口（９ａ ）からメッキ液（１０）を供給して内部で上方に噴流させて電極板（１１）とウ ェーハ（６）の電極部（７）との間に通電し、ウェーハ表面の窓開け部を金メッ キする。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】 解決しようとする課題は、ウェーハ（６）の外周部の一部に形成した電極部（ ７）が小さいため、ウェーハ全面に均等に通電出来ず、電極部（７）に近い領域 と遠い領域とでメッキ層厚が異なったり、通電不良を招くこと、又、槽内で上方 に噴流するメッキ液（１０）がウェーハ表面に平行に流れるため、特に微細パタ ーンではメッキ液（１０）が十分に供給されず、メッキ層が不均一になる点であ る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

本考案は、メッキ液を収容すると共に、側壁面にオーバーフロー管路を設け、 且つ、内部でメッキ液が上方に噴流してオーバーフロー管路より排出する上方開 口の処理槽と、上記処理槽の上方開口面周縁に形成され、半導体ウェーハの外周 部をその処理面に垂直にメッキ液が供給されるように支承する電極を兼ねるウェ ーハ支持部と、上記処理槽内に配設した電極体と半導体ウェーハとの間に通電す る給電部とを具備し、又、半導体ウェーハ処理面の外周部全周に亘って電極部を 形成すると共に、上記電極部を支承するウェーハ支持部に環状電極を設け、環状 電極を介して半導体ウェーハに給電することを特徴とする。

【０００６】

【作用】

上記技術的手段によれば、半導体ウェーハの処理面に垂直にメッキ液を供給す ると共に、ウェーハ外周部全周に亘って電極部を設け、処理槽開口面周縁のウェ ーハ支持部に設けた環状電極を介して上記電極部に通電する。

【０００７】

【実施例】

本考案の実施例を図１及び図２（ｂ）を参照して以下に説明する。まず図１に おいて（１２）は処理槽、（１３）はウェーハ、（１４）は給電部である。上記 処理槽（１２）はメッキ液（１０）を収容する上方開口の槽で、側壁面に側周面 全周に亘るオーバーフロー管路（１２ａ）を設けると共に、底面に形成した供給 口（１２ｂ）から供給したメッキ液（１０）が槽内部で上方に噴流してオーバー フロー管路（１２ａ）の全周から排出する。そして、オーバーフロー管路（１２ ａ）から排出したメッキ液（１０）は外部濾過槽（１５）に流入してフィルタ（ １６）を通り、再び供給口（１２ｂ）から槽内に還流する。又、開口面周縁に全 周に亘ってウェーハ支持部となる環状電極（１７）を埋設すると共に、槽内に電 極体（１８）を配設しておく。ウェーハ（１３）は化合物半導体ウェーハで、図 ２（ｂ）に示すように、外周部全周に亘って環状にフォトレジスト（４）を除去 して全周に亘る電極部（１９）を形成する。そして、処理面を下に向けて電極部 （１９）を処理槽開口面周縁の環状電極（１７）に支承すると共に、蓋（２０） を被せて電気的接触を保持する。給電部（１４）は電極体（１８）と環状電極（ １７）とにそれぞれ正負電圧を印加してウェーハ処理面をメッキする。

【０００８】 上記構成においてウェーハ（１３）をメッキする際、処理槽（１２）内に供給 口（１２ｂ）からメッキ液（１０）を供給すると共に、内部で上方に噴流させ、 ウェーハ処理面に垂直にメッキ液（１０）を供給する。且つ、給電部（１４）か ら環状電極（１７）を介し電極部（１９）を経てウェーハ（１３）の外周部全周 より給電する。そこで、ウェーハ表面全面に略均一にメッキ液（１０）を供給出 来ると共に、ウェーハ全体に略均一に給電される。

【０００９】

【考案の効果】

本考案によれば、ウェーハ処理面に垂直にメッキ液を供給する共に、環状電極 を介してウェーハの外周部全周より給電したから、ウェーハ表面全面に略均一に メッキ液を供給出来、且つ、ウェーハ全体に略均一に給電され、微細パターンで も均一にメッキ層を形成出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る半導体製造装置の実施例を示す一
部概略側断面図である。

【図２】（ａ）は従来の化合物半導体ウェーハの平面図
である。 （ｂ）は本考案に係る化合物半導体ウェーハの平面図で
ある。

【図３】従来の化合物半導体ウェーハの要部側断面図で
ある。

【図４】従来の半導体製造装置の一例を示す概略側断面
図である。

【符号の説明】

１０ メッキ液 １２ 処理槽 １３ 化合物半導体ウェーハ １４ 給電部 １７ 環状電極（ウェーハ支持部）

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 メッキ液を収容すると共に、側壁面にオ
   ーバーフロー管路を設け、且つ、内部でメッキ液が上方
   に噴流してオーバーフロー管路から排出する上方開口の
   処理槽と、上記処理槽の上方開口面周縁に形成され、半
   導体ウェーハの外周部をその処理面に垂直にメッキ液が
   供給されるように支承する電極を兼ねるウェーハ支持部
   と、上記処理槽内に配設した電極体と半導体ウェーハと
   の間に通電する給電部とを具備したことを特徴とする半
   導体製造装置。
2. 【請求項２】 半導体ウェーハ処理面の外周部全周に亘
   って電極部を形成すると共に、上記電極部を支承するウ
   ェーハ支持部に環状電極を設け、環状電極を介して半導
   体ウェーハに給電することを特徴とする請求項１記載の
   半導体製造装置。