JPH05152253A - ドライエツチングにおけるエツチング終点検出装置 - Google Patents
ドライエツチングにおけるエツチング終点検出装置Info
- Publication number
- JPH05152253A JPH05152253A JP31268491A JP31268491A JPH05152253A JP H05152253 A JPH05152253 A JP H05152253A JP 31268491 A JP31268491 A JP 31268491A JP 31268491 A JP31268491 A JP 31268491A JP H05152253 A JPH05152253 A JP H05152253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- etching
- end point
- capacitor
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】反応雰囲気に関係なくドライエッチングのエッ
チングの終点を正確に検出する。 【構成】反応容器１０内に半導体基板１５を載置する第
１電極１３と、第１電極１３に対向した第２電極１４を
設ける。第１電極１３にはコンデンサ２５と第１電極１
３及び第２電極１４間に高周波電圧を印加する高周波電
源２６が接続される。コンデンサ２５とグランド間には
コンデンサ２５に生じる電位差を検出する直流電圧計２
７が接続され、直流電圧計２７には同直流電圧計による
検出値と所定基準値とを比較し同比較結果に基づいてエ
ッチングの終点を判定するエッチング制御手段２８が接
続される。半導体基板１５の表面の絶縁膜１５ｂがエッ
チングされると、電子が移動してコンデンサ２５に蓄積
される。コンデンサに生じた電位差を直流電圧計により
検出し、エッチング制御装置２８が検出電圧値によりエ
ッチングの終点を検出する。
チングの終点を正確に検出する。 【構成】反応容器１０内に半導体基板１５を載置する第
１電極１３と、第１電極１３に対向した第２電極１４を
設ける。第１電極１３にはコンデンサ２５と第１電極１
３及び第２電極１４間に高周波電圧を印加する高周波電
源２６が接続される。コンデンサ２５とグランド間には
コンデンサ２５に生じる電位差を検出する直流電圧計２
７が接続され、直流電圧計２７には同直流電圧計による
検出値と所定基準値とを比較し同比較結果に基づいてエ
ッチングの終点を判定するエッチング制御手段２８が接
続される。半導体基板１５の表面の絶縁膜１５ｂがエッ
チングされると、電子が移動してコンデンサ２５に蓄積
される。コンデンサに生じた電位差を直流電圧計により
検出し、エッチング制御装置２８が検出電圧値によりエ
ッチングの終点を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチングにお
けるエッチング終点検出装置に関する。
けるエッチング終点検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置においては、例えば
特公平３ー５４４６０号公報に示されているように、エ
ッチングにより発生する反応生成ガスの発光スペクトル
をモニターすることにより、発光スペクトルの強度変化
からエッチングの終点を検出する発光分光分析法が広く
用いられている。例えば、二酸化シリコン膜（SiO2）を
フロンガス（CF4） を用いてエッチングする場合、下記
数１の反応等によってエッチングが行われる。
特公平３ー５４４６０号公報に示されているように、エ
ッチングにより発生する反応生成ガスの発光スペクトル
をモニターすることにより、発光スペクトルの強度変化
からエッチングの終点を検出する発光分光分析法が広く
用いられている。例えば、二酸化シリコン膜（SiO2）を
フロンガス（CF4） を用いてエッチングする場合、下記
数１の反応等によってエッチングが行われる。
【０００３】
【数１】CF4→ CF3 +＋F*, SiO2 ＋ 4F* → SiF4 + O2 そして反応生成ガスであるSiF4 または O2の発光スペク
トルの強度変化を分光分析器により測定し、エッチング
が終了して反応生成ガスが発生しなくなり発光スペクト
ル強度が減少した時点でエッチングの終点を判定してい
る。
トルの強度変化を分光分析器により測定し、エッチング
が終了して反応生成ガスが発生しなくなり発光スペクト
ル強度が減少した時点でエッチングの終点を判定してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ドライエッ
チングを行う場合に、エッチング速度を向上させたり反
応容器内の汚染を軽減するために、反応生成ガスと同種
のガスを反応ガスに添加することがしばしば行われる。
例えば、上記SiO2のエッチングにおいては反応ガスCF4
にO2ガスが添加される。しかし、上記した反応生成ガス
の発光スペクトルをモニターすることによりエッチング
の終点を検出する方法においては、反応生成ガスと同種
のガスが反応ガスに添加されることにより、添加ガスの
影響を受けてエッチング終点を正確に検出することが出
来なくなる。本発明は、上記した問題を解決しようとす
るもので、反応雰囲気に関係なくエッチングの終点を正
確に検出するドライエッチングの終点検出装置を提供す
ることを目的とする。
チングを行う場合に、エッチング速度を向上させたり反
応容器内の汚染を軽減するために、反応生成ガスと同種
のガスを反応ガスに添加することがしばしば行われる。
例えば、上記SiO2のエッチングにおいては反応ガスCF4
にO2ガスが添加される。しかし、上記した反応生成ガス
の発光スペクトルをモニターすることによりエッチング
の終点を検出する方法においては、反応生成ガスと同種
のガスが反応ガスに添加されることにより、添加ガスの
影響を受けてエッチング終点を正確に検出することが出
来なくなる。本発明は、上記した問題を解決しようとす
るもので、反応雰囲気に関係なくエッチングの終点を正
確に検出するドライエッチングの終点検出装置を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の構成上の特徴
は、真空ポンプにより内部が所定の低圧状態にされる反
応容器と、同反応容器内に配設されてその表面に半導体
基板を載置する第１電極と、同第１電極の前記半導体基
板載置面に対向して前記反応容器内に配設される第２電
極と、一端にて前記第１電極に接続され他端にて接地さ
れて前記第１電極及び第２電極間に高周波電圧を印加す
る高周波電源と、前記第１電極と前記高周波電源間に接
続されたコンデンサとを備え、前記反応容器内に所定の
反応ガスを導入して前記高周波電源により前記第１電極
と前記第２電極間に放電を起こさせ、同放電により生成
される前記反応ガスの電離生成物により前記半導体基板
の表面に形成された絶縁膜のエッチングを行うドライエ
ッチング装置において、前記コンデンサに生じる電位差
を検出する電位差検出手段と、同電位差検出手段による
検出値と所定の基準値とを比較し同比較結果に基づいて
エッチングの終点を判定する終点判定手段とを設けたこ
とにある。
は、真空ポンプにより内部が所定の低圧状態にされる反
応容器と、同反応容器内に配設されてその表面に半導体
基板を載置する第１電極と、同第１電極の前記半導体基
板載置面に対向して前記反応容器内に配設される第２電
極と、一端にて前記第１電極に接続され他端にて接地さ
れて前記第１電極及び第２電極間に高周波電圧を印加す
る高周波電源と、前記第１電極と前記高周波電源間に接
続されたコンデンサとを備え、前記反応容器内に所定の
反応ガスを導入して前記高周波電源により前記第１電極
と前記第２電極間に放電を起こさせ、同放電により生成
される前記反応ガスの電離生成物により前記半導体基板
の表面に形成された絶縁膜のエッチングを行うドライエ
ッチング装置において、前記コンデンサに生じる電位差
を検出する電位差検出手段と、同電位差検出手段による
検出値と所定の基準値とを比較し同比較結果に基づいて
エッチングの終点を判定する終点判定手段とを設けたこ
とにある。
【０００６】
【作用】以上のように本発明を構成したことにより、反
応容器内に反応ガスが導入され、さらに高周波電源によ
り第１電極と第２電極間に高周波電圧が印加されると、
両電極間に放電が起こり、反応ガスが電離して電子，イ
オン，ラジカル等の電離生成物が生成される。この電子
が半導体基板上に移動して半導体基板は負に帯電され、
これによりイオンが半導体基板に引き寄せられ、これに
周囲のラジカルも加わり半導体基板上に形成された絶縁
膜と反応してエッチングが行われる。このとき、半導体
基板上の電子は絶縁膜により移動することが出来ない
が、エッチングの進行により絶縁膜が除去されて半導体
基板の導電部分が露出し始めると、電子は露出した導電
部分を通って移動し第１電極と高周波電源間に設けられ
たコンデンサに電荷が徐々に蓄積され、エッチングの終
了により蓄積電荷は飽和状態になる。このような電荷の
蓄積により、コンデンサに電位差が生じ、この電位差を
電位差検出手段が検出し、終点判定手段が検出電位差と
所定の基準値を比較し、その比較結果に基づいてエッチ
ングの終点を判定する。
応容器内に反応ガスが導入され、さらに高周波電源によ
り第１電極と第２電極間に高周波電圧が印加されると、
両電極間に放電が起こり、反応ガスが電離して電子，イ
オン，ラジカル等の電離生成物が生成される。この電子
が半導体基板上に移動して半導体基板は負に帯電され、
これによりイオンが半導体基板に引き寄せられ、これに
周囲のラジカルも加わり半導体基板上に形成された絶縁
膜と反応してエッチングが行われる。このとき、半導体
基板上の電子は絶縁膜により移動することが出来ない
が、エッチングの進行により絶縁膜が除去されて半導体
基板の導電部分が露出し始めると、電子は露出した導電
部分を通って移動し第１電極と高周波電源間に設けられ
たコンデンサに電荷が徐々に蓄積され、エッチングの終
了により蓄積電荷は飽和状態になる。このような電荷の
蓄積により、コンデンサに電位差が生じ、この電位差を
電位差検出手段が検出し、終点判定手段が検出電位差と
所定の基準値を比較し、その比較結果に基づいてエッチ
ングの終点を判定する。
【０００７】
【発明の効果】上記作用説明からも理解できるように、
本発明によれば、絶縁膜のドライエッチングによりコン
デンサに生じた電位差を基準値と比較し、この比較結果
に基づいてエッチングの終点を判定しているので、反応
ガスの種類に影響されることなく常に正確にエッチング
の終点を検出することが出来る。
本発明によれば、絶縁膜のドライエッチングによりコン
デンサに生じた電位差を基準値と比較し、この比較結果
に基づいてエッチングの終点を判定しているので、反応
ガスの種類に影響されることなく常に正確にエッチング
の終点を検出することが出来る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
すると、図１はドライエッチング装置の全体を模式的に
示したものである。このドライエッチング装置は、台
（図示しない）に固定されたベースプレート１１と同ベ
ースプレート１１上にパッキングを介して載置されたベ
ルジャ１２からなり内部に反応室Ｒを形成する反応容器
１０を備えている。反応容器１０はベルジャ１２を上方
へ移動させることにより開放されるようになっており、
また、反応室Ｒ内は真空ポンプ２１により超高真空に維
持されるようになっている。さらに、反応室Ｒ内には反
応容器１０の外部に設けられたCF4供給源２２および O2
供給源２３から反応ガスCF4および O2が供給されるよう
になっている。
すると、図１はドライエッチング装置の全体を模式的に
示したものである。このドライエッチング装置は、台
（図示しない）に固定されたベースプレート１１と同ベ
ースプレート１１上にパッキングを介して載置されたベ
ルジャ１２からなり内部に反応室Ｒを形成する反応容器
１０を備えている。反応容器１０はベルジャ１２を上方
へ移動させることにより開放されるようになっており、
また、反応室Ｒ内は真空ポンプ２１により超高真空に維
持されるようになっている。さらに、反応室Ｒ内には反
応容器１０の外部に設けられたCF4供給源２２および O2
供給源２３から反応ガスCF4および O2が供給されるよう
になっている。
【０００９】ベースプレート１１上には、支柱１１ａを
介して第１電極板１３が設けられており、またベルジャ
１２の内側上面には支柱１２ａを介して第１電極板１３
と平行に第２電極板１４が設けられている。第１電極板
１３内にはエッチング時における後述する半導体基板１
５の加熱を防止するための水冷装置（図示しない）が設
けられている。また、第１電極板１３にはケーブルを介
して高周波マッチング用のブロッキングコンデンサ２５
と放電用の高周波電源２６が直列接続され、高周波電源
２６の他端は接地されている。一方、第２電極板１４は
ケーブルを介して接地されている。
介して第１電極板１３が設けられており、またベルジャ
１２の内側上面には支柱１２ａを介して第１電極板１３
と平行に第２電極板１４が設けられている。第１電極板
１３内にはエッチング時における後述する半導体基板１
５の加熱を防止するための水冷装置（図示しない）が設
けられている。また、第１電極板１３にはケーブルを介
して高周波マッチング用のブロッキングコンデンサ２５
と放電用の高周波電源２６が直列接続され、高周波電源
２６の他端は接地されている。一方、第２電極板１４は
ケーブルを介して接地されている。
【００１０】第１電極板１３上には、集積回路の形成さ
れた半導体基板１５が載置されている。半導体基板１５
は、アルミニウム（Al）からなる第１層導電膜（以下、
Al膜と記す）１５ａとSiO2からなる層間絶縁膜（以下、
SiO2膜と記す）１５ｂを備えており、SiO2膜１５ｂ上に
は層間絶縁膜エッチング用開口部１５ｃ1 の設けられた
ホトレジスト膜１５ｃが形成されている。
れた半導体基板１５が載置されている。半導体基板１５
は、アルミニウム（Al）からなる第１層導電膜（以下、
Al膜と記す）１５ａとSiO2からなる層間絶縁膜（以下、
SiO2膜と記す）１５ｂを備えており、SiO2膜１５ｂ上に
は層間絶縁膜エッチング用開口部１５ｃ1 の設けられた
ホトレジスト膜１５ｃが形成されている。
【００１１】そして、ブロッキングコンデンサ２５の電
位差を測定する直流電圧計２７が一端にて第１電極板１
３とブロッキングコンデンサ２５間に、他端にて接地し
て設けられている。また直流電圧計２７と高周波電源２
６間には、エッチング制御装置２８が設けられている。
エッチング制御装置２８は直流電圧計２７の測定電圧値
と予め定められたエッチング終点時におけるブロッキン
グコンデンサ２５の電位差を示す基準値とを比較し、両
者が一致した時点でエッチング終点を判定すると共に、
エッチング終点判定の所定時間後に高周波電源２６のス
イッチを切断して高周波放電を停止させる機能を備えて
いる。
位差を測定する直流電圧計２７が一端にて第１電極板１
３とブロッキングコンデンサ２５間に、他端にて接地し
て設けられている。また直流電圧計２７と高周波電源２
６間には、エッチング制御装置２８が設けられている。
エッチング制御装置２８は直流電圧計２７の測定電圧値
と予め定められたエッチング終点時におけるブロッキン
グコンデンサ２５の電位差を示す基準値とを比較し、両
者が一致した時点でエッチング終点を判定すると共に、
エッチング終点判定の所定時間後に高周波電源２６のス
イッチを切断して高周波放電を停止させる機能を備えて
いる。
【００１２】つぎに、上記のように構成した実施例の動
作を説明する。半導体基板１５を第１電極板１３上に載
置し、ベースプレート１１上にベルジャ１２を固定した
後、真空ポンプにより反応室Ｒ内が高真空状態にされる
と共に半導体基板１５の温度上昇を防ぐために水冷装置
により第１電極板１３が冷却される。その後、CF4供給
源２２および O2供給源２３から反応室Ｒ内に所定量の
反応ガスCF4および O2を供給し、さらに高周波電源２６
を通電させることにより第１電極板１３と第２電極板１
４間に所定の値の高周波電圧を印加して両電極間にグロ
ー放電を起こさせる。この放電により反応ガスCF4 が電
離して電子，イオン，ラジカル等の生成物の混在するプ
ラズマ状態が形成される。このとき、イオン等に比べて
移動度の高い電子が高周波電界によって移動して半導体
基板１５上に到達し、第１電極１３に負の自己バイアス
電圧が発生し、半導体基板１５は負に帯電する。これに
より、イオンCF3 +等が半導体基板１５に引き寄せられフ
ッ素ラジカルF*とともにレジスト膜１５ｃの開口部１５
ｃ1 に露出したSiO2膜１５ｂと反応してエッチングが開
始される。エッチング開始からエッチングの終点に至る
直流電圧計２７の検出電圧値の変化を示す図３のタイム
チャートを参照すると、Ａ点にて放電が開始されコンデ
ンサ２５に高周波電源２６の直流分が加えられる（図３
のＢ部分参照）。
作を説明する。半導体基板１５を第１電極板１３上に載
置し、ベースプレート１１上にベルジャ１２を固定した
後、真空ポンプにより反応室Ｒ内が高真空状態にされる
と共に半導体基板１５の温度上昇を防ぐために水冷装置
により第１電極板１３が冷却される。その後、CF4供給
源２２および O2供給源２３から反応室Ｒ内に所定量の
反応ガスCF4および O2を供給し、さらに高周波電源２６
を通電させることにより第１電極板１３と第２電極板１
４間に所定の値の高周波電圧を印加して両電極間にグロ
ー放電を起こさせる。この放電により反応ガスCF4 が電
離して電子，イオン，ラジカル等の生成物の混在するプ
ラズマ状態が形成される。このとき、イオン等に比べて
移動度の高い電子が高周波電界によって移動して半導体
基板１５上に到達し、第１電極１３に負の自己バイアス
電圧が発生し、半導体基板１５は負に帯電する。これに
より、イオンCF3 +等が半導体基板１５に引き寄せられフ
ッ素ラジカルF*とともにレジスト膜１５ｃの開口部１５
ｃ1 に露出したSiO2膜１５ｂと反応してエッチングが開
始される。エッチング開始からエッチングの終点に至る
直流電圧計２７の検出電圧値の変化を示す図３のタイム
チャートを参照すると、Ａ点にて放電が開始されコンデ
ンサ２５に高周波電源２６の直流分が加えられる（図３
のＢ部分参照）。
【００１３】この時点では、半導体基板１５のAl膜１５
ａはSiO2膜１５ｂに被覆されているので、半導体基板１
５上に蓄積された電子は移動することが出来ないが、エ
ッチングの進行によりSiO2膜がエッチングされて下地の
Al膜１５ａが露出し始めると、図２に示すように、半導
体基板１５上に蓄積された電子がAl膜１５ａを介して流
れ始め、その電荷はブロッキングコンデンサ２５に蓄積
される（図３のＣ点参照）。エッチングがさらに進行す
ることにより蓄積される電荷はさらに増加し（図３のＤ
部分参照）、エッチングの終了した時点で一定値に達す
る（図３のＥ点参照）。
ａはSiO2膜１５ｂに被覆されているので、半導体基板１
５上に蓄積された電子は移動することが出来ないが、エ
ッチングの進行によりSiO2膜がエッチングされて下地の
Al膜１５ａが露出し始めると、図２に示すように、半導
体基板１５上に蓄積された電子がAl膜１５ａを介して流
れ始め、その電荷はブロッキングコンデンサ２５に蓄積
される（図３のＣ点参照）。エッチングがさらに進行す
ることにより蓄積される電荷はさらに増加し（図３のＤ
部分参照）、エッチングの終了した時点で一定値に達す
る（図３のＥ点参照）。
【００１４】エッチング制御装置２８は、上記コンデン
サ２５の電位差の変化を検出した直流電圧計２７の測定
値を入力して予め規定された基準値と比較し、両者が一
致した時点でエッチングの終点を判定する。そして、エ
ッチング制御装置２８はエッチングを完全に行わせるた
めに上記エッチング終点の後さらに所定時間放電を継続
させ（図３のＦ部分参照）、その後、高周波電源２６の
スイッチを自動的に遮断して放電を停止させる（図３の
Ｇ点参照）。
サ２５の電位差の変化を検出した直流電圧計２７の測定
値を入力して予め規定された基準値と比較し、両者が一
致した時点でエッチングの終点を判定する。そして、エ
ッチング制御装置２８はエッチングを完全に行わせるた
めに上記エッチング終点の後さらに所定時間放電を継続
させ（図３のＦ部分参照）、その後、高周波電源２６の
スイッチを自動的に遮断して放電を停止させる（図３の
Ｇ点参照）。
【００１５】以上の説明から明らかなように、本実施例
においては、ドライエッチングの終点をブロッキングコ
ンデンサ２５の電位差が予め定められた基準値に達した
ことにより判定しているので、反応ガス及び反応生成ガ
ス等に影響されることなく常に正確にエッチングの終点
を検知することが出来る。
においては、ドライエッチングの終点をブロッキングコ
ンデンサ２５の電位差が予め定められた基準値に達した
ことにより判定しているので、反応ガス及び反応生成ガ
ス等に影響されることなく常に正確にエッチングの終点
を検知することが出来る。
【００１６】なお、上記実施例においては、エッチング
終点の検知後にエッチング制御装置２８により自動的に
高周波放電を停止させるようにしているが、コンデンサ
２５の電位差が基準値に達したことを使用者が目視によ
り判定し、高周波電源２６のスイッチを手動により遮断
してもよい。また、上記実施例においては、SiO2膜のエ
ッチングに対して本発明を適用しているが、他の種類の
絶縁膜のエッチングに対して本発明を適用してもよい。
終点の検知後にエッチング制御装置２８により自動的に
高周波放電を停止させるようにしているが、コンデンサ
２５の電位差が基準値に達したことを使用者が目視によ
り判定し、高周波電源２６のスイッチを手動により遮断
してもよい。また、上記実施例においては、SiO2膜のエ
ッチングに対して本発明を適用しているが、他の種類の
絶縁膜のエッチングに対して本発明を適用してもよい。
【図１】本発明の一実施例に係るドライエッチング装置
の模式図である。
の模式図である。
【図２】半導体基板に蓄積された電荷の移動を示す模式
図である。
図である。
【図３】エッチングの進行にともなったブロッキングコ
ンデンサの直流電圧値の変化を示すタイムチャートであ
る。
ンデンサの直流電圧値の変化を示すタイムチャートであ
る。
１０…反応容器、１１…ベースプレート、１２…ベルジ
ャ、１３…第１電極板、１４…第２電極板、１５…半導
体基板、１５ａ…Al膜、１５ｂ…SiO2膜、２１…真空ポ
ンプ、２２…CF4供給源、２３…O2供給源、２５…ブロ
ッキングコンデンサ、２６…高周波電源、２７…直流電
圧計、２８…エッチング制御装置、Ｒ…反応室。
ャ、１３…第１電極板、１４…第２電極板、１５…半導
体基板、１５ａ…Al膜、１５ｂ…SiO2膜、２１…真空ポ
ンプ、２２…CF4供給源、２３…O2供給源、２５…ブロ
ッキングコンデンサ、２６…高周波電源、２７…直流電
圧計、２８…エッチング制御装置、Ｒ…反応室。
Claims (1)
- 【請求項１】 真空ポンプにより内部が所定の低圧状態
にされる反応容器と、同反応容器内に配設されてその表
面に半導体基板を載置する第１電極と、同第１電極の前
記半導体基板載置面に対向して前記反応容器内に配設さ
れる第２電極と、一端にて前記第１電極に接続され他端
にて接地されて前記第１電極及び第２電極間に高周波電
圧を印加する高周波電源と、前記第１電極と前記高周波
電源間に接続されたコンデンサとを備え、前記反応容器
内に所定の反応ガスを導入して前記高周波電源により前
記第１電極と前記第２電極間に放電を起こさせ、同放電
により生成される前記反応ガスの電離生成物により前記
半導体基板の表面に形成された絶縁膜のエッチングを行
うドライエッチング装置において、 前記コンデンサに生じる電位差を検出する電位差検出手
段と、 同電位差検出手段による検出値と所定の基準値とを比較
し、同比較結果に基づいてエッチングの終点を判定する
終点判定手段とを設けたことを特徴とするドライエッチ
ングにおけるエッチング終点検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31268491A JPH05152253A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ドライエツチングにおけるエツチング終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31268491A JPH05152253A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ドライエツチングにおけるエツチング終点検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152253A true JPH05152253A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18032183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31268491A Pending JPH05152253A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ドライエツチングにおけるエツチング終点検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152253A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372523B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method and etching device |
| US7184134B2 (en) | 2004-02-23 | 2007-02-27 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Real-time monitoring apparatus for plasma process |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP31268491A patent/JPH05152253A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372523B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method and etching device |
| US7184134B2 (en) | 2004-02-23 | 2007-02-27 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Real-time monitoring apparatus for plasma process |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10332760B2 (en) | Method for controlling plasma processing apparatus | |
| US7504040B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| O’Neill et al. | Role of the chamber wall in low‐pressure high‐density etching plasmas | |
| US8546266B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| US6774570B2 (en) | RF plasma processing method and RF plasma processing system | |
| JP2004047696A (ja) | プラズマドーピング方法及び装置、整合回路 | |
| US7754615B2 (en) | Method and apparatus for detecting endpoint in a dry etching system by monitoring a superimposed DC current | |
| Allen et al. | The Plasma Etching of Polysilicon with CF 3Cl/Argon Discharges: I. Parametric Modeling and Impedance Analysis | |
| JP5377993B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US6914207B2 (en) | Plasma processing method | |
| KR100690144B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 가스분석장치 | |
| TW472286B (en) | Plasma processing method | |
| US6599759B2 (en) | Method for detecting end point in plasma etching by impedance change | |
| US20150041060A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH05152253A (ja) | ドライエツチングにおけるエツチング終点検出装置 | |
| JPH07201814A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3563214B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3199306B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
| JPH0817807A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3946467B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05175165A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH07201832A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2005019763A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH08203865A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07283207A (ja) | プラズマ処理方法 |