JPH0515149B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0515149B2 JPH0515149B2 JP22073082A JP22073082A JPH0515149B2 JP H0515149 B2 JPH0515149 B2 JP H0515149B2 JP 22073082 A JP22073082 A JP 22073082A JP 22073082 A JP22073082 A JP 22073082A JP H0515149 B2 JPH0515149 B2 JP H0515149B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- electrostatic induction
- thyristors
- voltage
- series
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直列接続された静電誘導形サイリスタ
より構成される例えば高圧のコンバータ、インバ
ータのような半導体電力変換装置に関する。
より構成される例えば高圧のコンバータ、インバ
ータのような半導体電力変換装置に関する。
静電誘導形サイリスタはゲート電圧によつてタ
ーンオン、ターンオフが可能である。従つて直列
接続された静電誘導形サイリスタをオン、オフす
るためには、各サイリスタにそれぞれパルストラ
ンス、パルス電送回路などのゲート回路を設けな
ければならないが、本発明はそのようなゲート回
路を省略して各静電誘導形サイリスタをオン、オ
フできる電力変換装置を提供することを目的とす
る。
ーンオン、ターンオフが可能である。従つて直列
接続された静電誘導形サイリスタをオン、オフす
るためには、各サイリスタにそれぞれパルストラ
ンス、パルス電送回路などのゲート回路を設けな
ければならないが、本発明はそのようなゲート回
路を省略して各静電誘導形サイリスタをオン、オ
フできる電力変換装置を提供することを目的とす
る。
この目的は、直列接続された静電誘導形サイリ
スタにさらに一端に１個のPNPNサイリスタを
直列接続し、すべてのサイリスタにそれぞれ分圧
抵抗を並列接続し、それぞれの前記分圧抵抗の中
間接続部を並列接続されたサイリスタのアノード
側に隣接する静電誘導形サイリスタのゲートにそ
れぞれ接続することにより達成される。そして、
静電誘導形サイリスタのゲートと前記中間接続部
との間にバイアスを阻止する方向にダイオードを
接続することが有効である。
スタにさらに一端に１個のPNPNサイリスタを
直列接続し、すべてのサイリスタにそれぞれ分圧
抵抗を並列接続し、それぞれの前記分圧抵抗の中
間接続部を並列接続されたサイリスタのアノード
側に隣接する静電誘導形サイリスタのゲートにそ
れぞれ接続することにより達成される。そして、
静電誘導形サイリスタのゲートと前記中間接続部
との間にバイアスを阻止する方向にダイオードを
接続することが有効である。
引下回路図を引用して本発明の実施例について
説明する。図において、直列接続されたＮチヤネ
ルの静電誘導形サイリスタ１にさらにPNPNサ
イリスタ２が直列接続されている。PNPNサイ
リスタ２は静電誘導形サイリスタ１と耐圧および
電流容量の同程度のものを選ぶ。PNPNサイリ
スタ２を含めて各サイリスタにはそれぞれ分圧抵
抗３および４が並列接続されている。たゞし
PNPNサイリスタ２と反対の側の端部にある静
電誘導形サイリスタ１に対しては、分圧抵抗３お
よび４の代りにそれらの抵抗値の和に等しい抵抗
値を待つ抵抗５を並列接続してもよい。さらに各
サイリスタ１および２には抵抗６とコンデンサ７
からなるサージ電圧保護用の周知のスナバ回路が
別に並列接続されている。各分圧抵抗３および４
の中間点は図示のように隣接の静電誘導形サイリ
スタ１のＰ形ゲート領域に設けられたゲート電極
８に接続されているが、その間にはゲートが正バ
イアスされるのを防止するためのダイオード９が
挿入されている。いま、この電力変換装置のアー
ムに各サイリスタに対する順方向電圧、すなわち
線路１１側が正、線路１２側が電圧が印加された
状態で、PNPNサイリスタ２が点弧されていな
いとすると、サイリスタ２のアノード、カソード
間の電圧は分圧抵抗３および４によつて分圧さ
れ、抵抗３の両端電圧Ｖは隣接の静電誘導形サイ
リスタ１のＰ形ゲート領域とＮ形チヤネル領域の
間のPN接合に対する逆バイアスとして印加され
る。分圧抵抗３および４の抵抗値を適当に選ぶこ
とにより、この逆バイアスによつてサイリスタ１
を確実に阻止状態にすることができ、同様に各サ
イリスタ１が阻止状態となつてアーム全体が阻止
状態になる。このアームを導通状態にするために
はサイリスタ２をゲート回路により点弧させれば
よく、これによりサイリスタ２のアノード、カソ
ード間の電圧は低下し従つて分圧Ｖも低くなるた
め隣接のサイリスタ１はオン状態になり、同様に
各サイリスタ１が順次オン状態になる。静電誘導
形サイリスタはPNPNサイリスタに比してスイ
ツチング時間が短いので、PNPNサイリスタ２
の点弧によりアーム全体が短時間に導通状態にな
る。なおサイリスタに並列接続の抵抗３，４ある
いは５は各サイリスタの分担電圧の均一化にも役
立つ。
説明する。図において、直列接続されたＮチヤネ
ルの静電誘導形サイリスタ１にさらにPNPNサ
イリスタ２が直列接続されている。PNPNサイ
リスタ２は静電誘導形サイリスタ１と耐圧および
電流容量の同程度のものを選ぶ。PNPNサイリ
スタ２を含めて各サイリスタにはそれぞれ分圧抵
抗３および４が並列接続されている。たゞし
PNPNサイリスタ２と反対の側の端部にある静
電誘導形サイリスタ１に対しては、分圧抵抗３お
よび４の代りにそれらの抵抗値の和に等しい抵抗
値を待つ抵抗５を並列接続してもよい。さらに各
サイリスタ１および２には抵抗６とコンデンサ７
からなるサージ電圧保護用の周知のスナバ回路が
別に並列接続されている。各分圧抵抗３および４
の中間点は図示のように隣接の静電誘導形サイリ
スタ１のＰ形ゲート領域に設けられたゲート電極
８に接続されているが、その間にはゲートが正バ
イアスされるのを防止するためのダイオード９が
挿入されている。いま、この電力変換装置のアー
ムに各サイリスタに対する順方向電圧、すなわち
線路１１側が正、線路１２側が電圧が印加された
状態で、PNPNサイリスタ２が点弧されていな
いとすると、サイリスタ２のアノード、カソード
間の電圧は分圧抵抗３および４によつて分圧さ
れ、抵抗３の両端電圧Ｖは隣接の静電誘導形サイ
リスタ１のＰ形ゲート領域とＮ形チヤネル領域の
間のPN接合に対する逆バイアスとして印加され
る。分圧抵抗３および４の抵抗値を適当に選ぶこ
とにより、この逆バイアスによつてサイリスタ１
を確実に阻止状態にすることができ、同様に各サ
イリスタ１が阻止状態となつてアーム全体が阻止
状態になる。このアームを導通状態にするために
はサイリスタ２をゲート回路により点弧させれば
よく、これによりサイリスタ２のアノード、カソ
ード間の電圧は低下し従つて分圧Ｖも低くなるた
め隣接のサイリスタ１はオン状態になり、同様に
各サイリスタ１が順次オン状態になる。静電誘導
形サイリスタはPNPNサイリスタに比してスイ
ツチング時間が短いので、PNPNサイリスタ２
の点弧によりアーム全体が短時間に導通状態にな
る。なおサイリスタに並列接続の抵抗３，４ある
いは５は各サイリスタの分担電圧の均一化にも役
立つ。
以上述べたように本発明による変換装置はアー
ムを形成する直列接続の静電誘導形サイリスタの
一端にPNPNサイリスタを１個付加し、各サイ
リスタのアノード、カソード間の順方向電圧を分
圧して隣接サイリスタのゲート、チヤネル間の逆
バイアスとすることによつてPNPNサイリスタ
のオン、オフによつてアーム全体をオン、オフす
るものであり、各静電誘導形サイリスタに対する
ゲート回路が不要となるため、装置の価格の低
減、信頼性の向上に対し極めて有効である。なお
上の実施例ではＮ形チヤネルの静電誘導形サイリ
スタを用いたが、Ｐ形チヤネル静電誘導形サイリ
スタを用いても同様に実施できることは勿論であ
る。
ムを形成する直列接続の静電誘導形サイリスタの
一端にPNPNサイリスタを１個付加し、各サイ
リスタのアノード、カソード間の順方向電圧を分
圧して隣接サイリスタのゲート、チヤネル間の逆
バイアスとすることによつてPNPNサイリスタ
のオン、オフによつてアーム全体をオン、オフす
るものであり、各静電誘導形サイリスタに対する
ゲート回路が不要となるため、装置の価格の低
減、信頼性の向上に対し極めて有効である。なお
上の実施例ではＮ形チヤネルの静電誘導形サイリ
スタを用いたが、Ｐ形チヤネル静電誘導形サイリ
スタを用いても同様に実施できることは勿論であ
る。
図は本発明の一実施例の回路図である。
１……静電誘導形サイリスタ、２……PNPN
サイリスタ、３，４……分圧抵抗。
サイリスタ、３，４……分圧抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直列接続された静電誘導形サイリスタにさら
に一端に１個のPNPNサイリスタを直列接続し、
すべてのサイリスタにそれぞれ分圧抵抗を並列接
続し、それぞれの前記分圧抵抗の中間接続部を並
列接続されたサイリスタのアノード側に隣接する
静電誘導形サイリスタのゲートにそれぞれ接続し
たことを特徴とする半導体電力変換装置。 ２ 第１項記載の半導体電力変換装置において、
前記静電誘導形サイリスタのゲートと前記中間接
続部との間に正バイアスを阻止する方向にダイオ
ードを接続したことを特徴とする半導体電力変換
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22073082A JPS59110370A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 半導体電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22073082A JPS59110370A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 半導体電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110370A JPS59110370A (ja) | 1984-06-26 |
| JPH0515149B2 true JPH0515149B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16755621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22073082A Granted JPS59110370A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 半導体電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110370A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3991450B2 (ja) | 1998-06-16 | 2007-10-17 | 三菱電機株式会社 | 高周波交流電源装置 |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22073082A patent/JPS59110370A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59110370A (ja) | 1984-06-26 |
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