JPS59110370A - 半導体電力変換装置 - Google Patents
半導体電力変換装置Info
- Publication number
- JPS59110370A JPS59110370A JP22073082A JP22073082A JPS59110370A JP S59110370 A JPS59110370 A JP S59110370A JP 22073082 A JP22073082 A JP 22073082A JP 22073082 A JP22073082 A JP 22073082A JP S59110370 A JPS59110370 A JP S59110370A
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- JP
- Japan
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- scrs
- thyristor
- series
- voltage
- type
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直列接続された静電誘導形サイリスタより構成
される例えば高圧のコンバータ、インバータのような半
導体電力変換装置に関する。
される例えば高圧のコンバータ、インバータのような半
導体電力変換装置に関する。
静電誘導形サイリスタはゲート電圧によってターンオン
、ターンオフが可能である。従って直列接続された静電
誘導形サイリスタをオン、オフするためには、各サイリ
スタにそれぞれパルストランス、パルス伝送回路などの
ゲート回路を設けなければならないが、本発明はそのよ
うなゲート回路の省略して各静電誘導形サイリスタをオ
ン、オフできる電力変換装置を提供することを目的とす
るＯ この目的は直列接続された静電誘導形サイリスタにさら
に一端に１個のＰＮＰＮサイリスタを直列接続し、他端
の静電誘導形サイリスタを除くすべてのサイリスタにそ
れぞれ分圧抵抗を並列接続し、各サイリスタに対する順
方向電圧の分圧抵抗による分圧が隣接の静電誘導形サイ
リスタのゲート領域とチャネル領域の間のＰＮ接合の逆
バイアスとして印加されるように接続することによって
達成される。
、ターンオフが可能である。従って直列接続された静電
誘導形サイリスタをオン、オフするためには、各サイリ
スタにそれぞれパルストランス、パルス伝送回路などの
ゲート回路を設けなければならないが、本発明はそのよ
うなゲート回路の省略して各静電誘導形サイリスタをオ
ン、オフできる電力変換装置を提供することを目的とす
るＯ この目的は直列接続された静電誘導形サイリスタにさら
に一端に１個のＰＮＰＮサイリスタを直列接続し、他端
の静電誘導形サイリスタを除くすべてのサイリスタにそ
れぞれ分圧抵抗を並列接続し、各サイリスタに対する順
方向電圧の分圧抵抗による分圧が隣接の静電誘導形サイ
リスタのゲート領域とチャネル領域の間のＰＮ接合の逆
バイアスとして印加されるように接続することによって
達成される。
引下回路図を引用して本発明の実施例について説明する
。図において、直列接続されたＮチャネルの静電誘導形
サイリスタ１にさらにＰＮＰＮサイリスタ２が直列接続
されている。ＰＮＰＮサイリスタ２は静電誘導形サイリ
スタ１と耐圧および電流容量の同程度のものを選ぶ。Ｐ
ＮＰＮサイリスタ２を含めて各サイリスタにはそれぞれ
分圧抵抗３および４が並列接続されている。たソしＰＮ
ＰＮザイリスタ２と反対の側の端部にある静電訪導形サ
イリスタ１に対しては、分圧抵抗３および４の代９にそ
れらの抵抗値の和に等しい抵抗値を持つ抵抗５を並列接
続してもよい。さらに各サイリスタ１および２には抵抗
６とコンデンサ７からなるサージ電圧保護用の周知のス
ナバ回路が別に並列接続されている。各分圧抵抗３およ
び４の中間点は図示のように隣接の静電誘導形サイリス
タ１のＰ形ゲート領域に設けられたゲート電極８に接続
されているが、その間にはゲートか正バイアスされるの
を防止するためのダイオード９が挿入されている。い・
ま、この電力変換装置のアームに各サイリスタに対する
順方向電圧、すなわち線路１１側が正、線路１２側が負
の電圧が印加された状態で、ＰＮＰＮサイリスタ２が点
弧されていないとすると、サイリスタ２のアノード、カ
ソード間の電圧は分圧抵抗３および４によって分圧され
、抵抗３の両端電圧Ｖは隣接の静電誘導形サイリスタ１
のＰ形ゲート領域とＮ形チャネル領域の間のＰＮ接合に
対する逆バイアスとして印加される。分圧抵抗３および
４の抵抗値を適当に選ぶことにより、この逆バイアスに
よってサイリスタ１を確実に阻止状態にすることができ
、同様に各サイリスタ１が阻止状態となってアーム全体
が阻止状態（てなる。このアームを導通状態にするため
にはサイリスク２をゲート回路により点弧させればよく
、これによりサイリスタ２のアノード、カソード間の電
圧は低下し従って分圧Ｖも低くなるため瞬接のサイリス
タ１はオン状態になり、同様に各サイリスタ１が順次オ
ン状態になる。静電誘導形サイリスタはＰＮＰＮサイリ
スタに比してスイッチング時間が短いので、ＰＮＰＮす
・ｆリスク２の点弧によりアーム全体が短時間に導通状
態になる。なおサイリスタに並列接続の抵抗３．４ある
いは５は各サイリスクの分担電圧の均一化にも役立つ。
。図において、直列接続されたＮチャネルの静電誘導形
サイリスタ１にさらにＰＮＰＮサイリスタ２が直列接続
されている。ＰＮＰＮサイリスタ２は静電誘導形サイリ
スタ１と耐圧および電流容量の同程度のものを選ぶ。Ｐ
ＮＰＮサイリスタ２を含めて各サイリスタにはそれぞれ
分圧抵抗３および４が並列接続されている。たソしＰＮ
ＰＮザイリスタ２と反対の側の端部にある静電訪導形サ
イリスタ１に対しては、分圧抵抗３および４の代９にそ
れらの抵抗値の和に等しい抵抗値を持つ抵抗５を並列接
続してもよい。さらに各サイリスタ１および２には抵抗
６とコンデンサ７からなるサージ電圧保護用の周知のス
ナバ回路が別に並列接続されている。各分圧抵抗３およ
び４の中間点は図示のように隣接の静電誘導形サイリス
タ１のＰ形ゲート領域に設けられたゲート電極８に接続
されているが、その間にはゲートか正バイアスされるの
を防止するためのダイオード９が挿入されている。い・
ま、この電力変換装置のアームに各サイリスタに対する
順方向電圧、すなわち線路１１側が正、線路１２側が負
の電圧が印加された状態で、ＰＮＰＮサイリスタ２が点
弧されていないとすると、サイリスタ２のアノード、カ
ソード間の電圧は分圧抵抗３および４によって分圧され
、抵抗３の両端電圧Ｖは隣接の静電誘導形サイリスタ１
のＰ形ゲート領域とＮ形チャネル領域の間のＰＮ接合に
対する逆バイアスとして印加される。分圧抵抗３および
４の抵抗値を適当に選ぶことにより、この逆バイアスに
よってサイリスタ１を確実に阻止状態にすることができ
、同様に各サイリスタ１が阻止状態となってアーム全体
が阻止状態（てなる。このアームを導通状態にするため
にはサイリスク２をゲート回路により点弧させればよく
、これによりサイリスタ２のアノード、カソード間の電
圧は低下し従って分圧Ｖも低くなるため瞬接のサイリス
タ１はオン状態になり、同様に各サイリスタ１が順次オ
ン状態になる。静電誘導形サイリスタはＰＮＰＮサイリ
スタに比してスイッチング時間が短いので、ＰＮＰＮす
・ｆリスク２の点弧によりアーム全体が短時間に導通状
態になる。なおサイリスタに並列接続の抵抗３．４ある
いは５は各サイリスクの分担電圧の均一化にも役立つ。
以上述べたように本発明による変換装置はアームを形成
する直列接続の静電誘導形サイリスクの一端にＰＮＰＮ
サイリスタを１個付加し、各サイリスタのアノード、カ
ソード間の順方向電圧を分圧して隣接サイリスタのゲー
ト、チャネル間の逆バイアスとすることによってＰＮＰ
Ｎサイリスタのオン、オフによってアーム全体をオン、
オフするものであり、各静電誘導形サイリスタに対する
ゲート回路が不要となるため、装置の価格の低減、イム
顕性の向上に対し極めて有効である。なお上の実施例で
はＮ形チャネルの静電誇導形サイリスタを用いたが、Ｐ
形チャネル静電誘専形サイリスタを用いても同様に実施
できることは勿論である。
する直列接続の静電誘導形サイリスクの一端にＰＮＰＮ
サイリスタを１個付加し、各サイリスタのアノード、カ
ソード間の順方向電圧を分圧して隣接サイリスタのゲー
ト、チャネル間の逆バイアスとすることによってＰＮＰ
Ｎサイリスタのオン、オフによってアーム全体をオン、
オフするものであり、各静電誘導形サイリスタに対する
ゲート回路が不要となるため、装置の価格の低減、イム
顕性の向上に対し極めて有効である。なお上の実施例で
はＮ形チャネルの静電誇導形サイリスタを用いたが、Ｐ
形チャネル静電誘専形サイリスタを用いても同様に実施
できることは勿論である。
図は本発明の一実施例の回路図である０１・静電銹導形
サイリスタ、２−ＰＮＰＮサイリスタ、３．４ 分圧抵
抗。
サイリスタ、２−ＰＮＰＮサイリスタ、３．４ 分圧抵
抗。
Claims (1)
- １）直列接続された静電誘導形サイリスタにさらに一端
に１個のＰＮＰＮサイリスタを直列接続し、他端の静電
誘導形サイリスタを除くすべてのサイリスタにそれぞれ
分圧抵抗を並列接続し、各サイリスタに対する順方向電
圧の分圧抵抗による分圧が隣接の静電誘導形サイリスク
のゲート領域とチャネル領域の間のＰＮ接合の逆バイア
スとして印加されるように接続したことを特徴とする半
導体電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22073082A JPS59110370A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 半導体電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22073082A JPS59110370A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 半導体電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110370A true JPS59110370A (ja) | 1984-06-26 |
| JPH0515149B2 JPH0515149B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16755621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22073082A Granted JPS59110370A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 半導体電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304475B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Switching power supply for gas laser |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22073082A patent/JPS59110370A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304475B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Switching power supply for gas laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515149B2 (ja) | 1993-02-26 |
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