JPH0514959U - 超伝導量子干渉素子用磁気シールド - Google Patents
超伝導量子干渉素子用磁気シールドInfo
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- JPH0514959U JPH0514959U JP071190U JP7119091U JPH0514959U JP H0514959 U JPH0514959 U JP H0514959U JP 071190 U JP071190 U JP 071190U JP 7119091 U JP7119091 U JP 7119091U JP H0514959 U JPH0514959 U JP H0514959U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超伝導量子干渉素子に対するノイズ磁束の影
響排除効果を著しく向上させる。 【構成】 超伝導ループ2、磁束入力コイル22および
変調コイル23を包囲する磁気シールド1を、外層が超
伝導体層11であり、内層が高透磁率材料層12である
積層構造とした。
響排除効果を著しく向上させる。 【構成】 超伝導ループ2、磁束入力コイル22および
変調コイル23を包囲する磁気シールド1を、外層が超
伝導体層11であり、内層が高透磁率材料層12である
積層構造とした。
Description
【0001】
この考案は超伝導量子干渉素子(Superconducting Quantum Interference Dev ice 、以下、SQUIDと略称する)に対するノイズ磁束を効果的に遮断する磁 気シールドに関する。
【0002】
従来から非常に高感度の磁束検出を行なうことができるという特質に着目して 、種々の分野でSQUIDが応用されている。また、SQUIDにはジョセフソ ン接合(以下、JJと略称する)を1つだけ有するrf−SQUIDと、JJを 2つ有するdc−SQUIDとがあり、従来はrf−SQUIDが一般的に用い られていたが、最近では薄膜製造技術が進歩して特性が揃った2つのJJが得ら れるようになってきたので、磁束検出感度が高いdc−SQUIDが広く用いら れるようになってきた。
【0003】 そして、何れのSQUIDも磁束検出感度が高いのであるから、所定位置にJ Jが形成された超伝導ループにノイズ磁束が侵入することを阻止しなければなら ず、このために、Nb等の超伝導材料からなる磁気シールドでSQUIDを包囲 するようにしている。
【0004】
上記のように超伝導材料からなる磁気シールドでSQUIDを包囲すれば、超 伝導材料のマイスナー効果によりノイズ磁束の侵入を効果的に防止できる。 しかし、例えば、dc−SQUIDを用いる場合には、外部磁束検出コイルと 超伝導ループに外部磁束を導く磁束入力コイルとを接続する配線、外部磁束をキ ャンセルすべく磁束を超伝導ループに供給する変調コイルに対する配線、超伝導 ループに対してバイアスを供給するための配線を貫通させるための穴を上記磁気 シールドに形成しておかなければならない。
【0005】 この結果、穴を通して磁気シールドの内部に侵入する磁束が磁束入力コイルに より超伝導ループに導かれる磁束に重畳してしまい、磁束計測精度が低下してし まうという不都合がある。 以上はdc−SQUIDに対する磁気シールドについてのみ説明したが、rf −SQUIDの場合にも磁気シールドに穴を形成する必要があるので同様の不都 合が生じる。但し、rf−SQUIDの方がdc−SQUIDよりも感度が低い のであるから、穴を通して侵入するノイズ磁束による影響はdc−SQUIDよ りも小さくなる。
【0006】
この考案は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、SQUIDに必須の配 線を貫通させる穴を磁気シールドに形成した状態において十分な磁気シールド効 果を達成できる超伝導量子干渉素子用磁気シールドを提供することを目的として いる。
【0007】
上記の目的を達成するための、請求項1の超伝導量子干渉素子用磁気シールド は、外側に位置する超伝導体層と内側に位置する高透磁率材料層との積層構造を 有しているとともに、少なくとも超伝導量子干渉素子に対する配線を貫通させる 穴を有している。
【0008】 ここで、超伝導量子干渉素子としてはdc−SQUIDであることが好ましい 。 また、超伝導体としては、Nb、Pb等の純金属系超伝導材料、Nb−Ti、 Nb−Zr等の合金系超伝導材料、BaPb1-xBixO3系、化1系、化2系等 の酸化物超伝導材料、TMTSF系、BEDT−TTF系等の有機系超伝導体等 が例示できる。
【化1】
【化2】
【0009】 高透磁率材料としては、純鉄、ケイ素鋼、パーマロイ、フェライト等が例示で きる。
【0010】
請求項1の超伝導量子干渉素子用磁気シールドであれば、外側に位置する超伝 導体層によりノイズ磁束の殆どの侵入を阻止し、配線貫通用の穴を通して内部に 侵入する微少なノイズ磁束を内側に位置する高透磁率材料層により吸い込ませる ことができる。この結果、SQUIDに作用するノイズ磁束を超伝導体層のみか らなる従来の磁気シールドと比較して著しく低減でき、ノイズ磁束の影響を殆ど 受けない状態でSQUIDによる磁束検出を行なうことができる。
【0011】
以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。 図1はこの考案の超伝導量子干渉素子用磁気シールドによりdc−SQUID を包囲した状態を示す概略図であり、外層としての超伝導体層11と内層として の高透磁率材料層12との積層体を所定のケーシング形状に形成することにより 磁気シールド1を構成している。そして、磁気シールド1の内部に、1対のJJ 21を有する超伝導ループ2を収容しているとともに、超伝導ループ2に外部磁 束を導く磁束入力コイル22および外部磁束をキャンセルすべく超伝導ループ2 に磁束を導く変調コイル23を収容している。
【0012】 上記磁束入力コイル22は磁気シールド1の外部に位置する外部磁束検出コイ ル24と接続されており、上記超伝導ループ2および変調コイル23は図示しな い磁束ロック・ループ回路と接続されている。そして、これらの配線に対応して 磁気シールド1の所定位置に配線貫通用の穴13が形成されている。 上記構成の磁気シールド1に収容されたdc−SQUIDの作用は次のとおり である。
【0013】 少なくとも磁気シールド1および磁気シールド1に収容された各部を臨界温度 以下に冷却するとともに、外部磁束検出コイル24を磁束測定箇所に位置させる ことにより、以下のようにして外部磁束を計測できる。即ち、外部磁束検出コイ ル24により検出された外部磁束が磁束入力コイル22により、バイアス電流が 供給されている超伝導ループ1に導かれる。そして、2つのJJを挾んで超伝導 ループ2の出力電圧が磁束ロック・ループに供給され、磁束ロック・ループから のフィードバック電流が変調コイル23に供給されることにより上記外部磁束を 打ち消す磁束が発生され、超伝導ループ2に導かれる。そして、フィードバック 電流をモニタすることにより外部磁束を計測できる。
【0014】 以上の場合において、測定対象箇所における磁束以外のノイズ磁束が皆無の状 態は一般的に期待できず、ノイズ磁束が存在している場合が殆どである。そして 、このような条件下において、ノイズ磁束の大部分は磁気シールド1の超伝導体 層11により内部への侵入が阻止され、配線貫通用の穴13を通して磁気シール ド1の内部に侵入するノイズ磁束は高透磁率材料層12により吸い込まれるので 、超伝導ループ2には殆ど悪影響を及ぼさない。この結果、微弱磁場の計測を行 なう場合であっても、ノイズ磁束による影響を殆ど皆無にして高精度の磁場計測 を達成できることになる。
【0015】 この実施例における超伝導体層11と高透磁率材料層12とは、前者がNb、 Pb等の純金属系超伝導材料、Nb−Ti、Nb−Zr等の合金系超伝導材料、 BaPb1-xBixO3系、化1系、化2系等の酸化物超伝導材料、TMTSF系 、BEDT−TTF系等の有機系超伝導体等であり、後者が純鉄、ケイ素鋼、パ ーマロイ、フェライト等であればよいが、成形の容易さ等を考慮すれば、Pb合 金とパーマロイとの組合せが最も好ましい。
【0016】 また、dc−SQUIDに代えてrf−SQUIDに適用できることはもちろ んである。
【0017】
以上のように請求項1の考案は、外側に位置する超伝導体層によりノイズ磁束 の殆どの侵入を阻止し、配線貫通用の穴を通して内部に侵入する微少なノイズ磁 束を内側に位置する高透磁率材料層により吸い込ませることにより、SQUID に作用するノイズ磁束を超伝導体層のみからなる従来の磁気シールドと比較して 著しく低減でき、ノイズ磁束の影響を殆ど受けない状態でSQUIDによる磁束 検出を行なうことができるという特有の実用的効果を奏する。
【図1】この考案の超伝導量子干渉素子用磁気シールド
によりdc−SQUIDを包囲した状態を示す概略図で
ある。
によりdc−SQUIDを包囲した状態を示す概略図で
ある。
1 磁気シールド 2 超伝導ループ 11 超伝
導体層 12 高透磁率材料層 13 穴 21 JJ
導体層 12 高透磁率材料層 13 穴 21 JJ
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも超伝導量子干渉素子(2,2
1)を包囲する磁気シールド(1)が、外側に位置する
超伝導体層(11)と内側に位置する高透磁率材料層
(12)との積層構造を有しているとともに、少なくと
も超伝導量子干渉素子(2,21)に対する配線を貫通
させる穴(13)を有していることを特徴とする超伝導
量子干渉素子用磁気シールド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP071190U JPH0514959U (ja) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | 超伝導量子干渉素子用磁気シールド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP071190U JPH0514959U (ja) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | 超伝導量子干渉素子用磁気シールド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0514959U true JPH0514959U (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=13453500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP071190U Pending JPH0514959U (ja) | 1991-08-10 | 1991-08-10 | 超伝導量子干渉素子用磁気シールド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0514959U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014143243A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Institute Of Physical & Chemical Research | 荷電粒子ビームの電流検知装置 |
-
1991
- 1991-08-10 JP JP071190U patent/JPH0514959U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014143243A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Institute Of Physical & Chemical Research | 荷電粒子ビームの電流検知装置 |
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