JPH05144774A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH05144774A JPH05144774A JP33288291A JP33288291A JPH05144774A JP H05144774 A JPH05144774 A JP H05144774A JP 33288291 A JP33288291 A JP 33288291A JP 33288291 A JP33288291 A JP 33288291A JP H05144774 A JPH05144774 A JP H05144774A
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Abstract
つイオンエネルギ−の制御を容易にする。 【構成】 ECRエッチング装置において、プラズマ発
生室22と処理室24をそれぞれ導体で形成し、独立の
直流電源26、28によって電位を印加する。プラズマ
発生室22と処理室24の間には絶縁スペ−サ30、3
2と導体スペ−サ34を配置する。導体スペ−サ34に
は金属メッシュ36を張ってあり、直流電源40によっ
て電位を印加できる。石英窓50を通してマイクロ波5
2をプラズマ発生室22内に供給し、ECRプラズマを
発生させる。プラズマ発生室22と処理室24と金属メ
ッシュ36の電位を制御することにより、処理室24に
向かうイオンの流れを誘起する。また、電子シャワ−装
置62によって電子シャワ−を処理室24の内部に向け
て放出する。
Description
中性活性種を用いて、エッチング、アッシング、CVD
などのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
例の正面断面図である。この装置は、マイクロ波プラズ
マエッチング装置であって、ECR(電子サイクロトロ
ン共鳴)によってプラズマを発生し、プラズマ中のイオ
ンを基板16に衝突させて基板16のエッチングを行う
ものである。イオンの加速エネルギ−は、基板ホルダ−
18のDCバイアスに依存するが、この装置では、基板
ホルダ−18に印加する高周波電力を制御することによ
って、DCバイアスを制御している。高周波を利用する
理由は、基板上に絶縁物が堆積していても基板表面にD
Cバイアスを誘起できるからである。装置構成として
は、マイクロ波4を発生するマグネトロン2、導波管
6、石英ベルジャ8、磁場発生コイル10、エッチング
ガス導入口12、排気口14、基板ホルダ−18、高周
波電源20などを備えている。
ング装置は、基板ホルダ−に高周波を印加することによ
ってイオンエネルギ−を制御しているので、イオンエネ
ルギ−の分布幅が広がるという欠点があった。図8は、
閉じ込められた高周波放電中の基板付近のイオンエネル
ギ−の分布状態の一例を示すグラフである。高周波の周
波数は13.56MHzである。イオンエネルギ−はサ
ドル状に広がっている。
と、基板は、高エネルギ−のイオンによって必要以上の
激しい衝撃を受けることになる。その結果、格子欠陥が
生じたり、エッチング活性種や不純物の基板への打ち込
みが生じたりして、基板がダメ−ジを受けやすい。
幅が狭くて、かつイオンエネルギ−の制御が容易なプラ
ズマ処理装置を提供することにある。
なるプラズマ発生室と、導体からなる処理室とを設け、
プラズマ発生室と処理室とを電気的に絶縁して異なる電
位にするとともに、プラズマ発生室の内部空間と処理室
の内部空間とを連通させたことを特徴としている。
ズマ発生室に電位を印加する第1電源と、処理室に電位
を印加する第2電源とを設けたことを特徴としている。
ズマ発生室の内部空間と処理室の内部空間との間に、導
体からなる仕切り板を配置し、この仕切り板に複数の貫
通孔を設けるとともに、この仕切り板をプラズマ発生室
および処理室から電気的に絶縁したことを特徴としてい
る。
り板に電位を印加する第3電源を設けたことを特徴とす
る請求項3記載のプラズマ処理装置。
ズマ発生室および処理室の内壁面を覆うように、複数の
貫通孔を有する複数のシ−ルドプレ−トを互いに間隔を
隔てて重ねて設け、任意のシ−ルドプレ−トの貫通孔と
他のシ−ルドプレ−トの貫通孔とが互いに重ならないよ
うにしたことを特徴としている。
室に配置した基板の表面に対して垂直な磁場を発生する
磁場発生装置を設けたことを特徴としている。
室に電子シャワ−発生装置を設けたことを特徴としてい
る。
異なる電位にすることにより、プラズマ発生室の内部の
プラズマの電位と、処理室の内部のプラズマの電位とを
異ならせることができる。さらに、プラズマ発生室と処
理室とに別個の電源から電位を印加することにより、二
つのプラズマの電位を制御することが可能になる。そし
て、プラズマ電位の差によってイオンを加速できる。イ
オンは、DC的に加速されるので、イオンエネルギ−分
布の広がりは生じない。
シュなどの仕切り板を配置して、この仕切り板をプラズ
マ発生室および処理室と電気的に絶縁すると、プラズマ
発生用電磁波がプラズマ発生室から処理室に侵入するの
を防ぐことができる。これにより、処理室の内部空間は
電場フリ−(ベクトルE=0)の状態にすることができ
る。仕切り板にDCバイアスを印加すると、プラズマ発
生室から処理室に向かう電子およびイオンの流れを制御
することができる。
うようにシ−ルドプレ−トを設けると、イオンの逆スパ
ッタリングにより壁面物質がプラズマ空間に戻る現象を
防ぐことができる。このシ−ルドプレ−トは、重金属を
発生しないあるいは発生の可能性の少ない物質で作るの
が好ましい。また、シ−ルドプレ−トに多数の貫通孔を
開けることによって、プラズマの電位がチャンバ−内壁
面の電位と連動するようにしている。ただし、貫通孔を
通ったイオンがプラズマ発生室および処理室の内壁面を
直接衝撃しないように、シ−ルドプレ−トを複数枚重ね
て、貫通孔が重なり合わないようにしている。
ン運動をするので、基板表面に対して垂直な磁場を発生
させることによって、基板に対してイオンを垂直に入射
させることができる。この特徴と、エネルギ−分布の広
がりの少ないイオン流とを組み合わせることによって、
制御性の良好な異方性エッチングを実現できる。
が選択的に導入されるので、基板は正に帯電するが、こ
れを中和するのに電子シャワ−を用いることができる。
電子シャワ−の働きによって、正のイオンの一部は中性
粒子となって基板を衝撃するが、こうすると、荷電粒子
の影響を避けたい場合には都合がよい。また、中性粒子
になってもエッチング能力にはほとんど影響しない。
面図である。この装置は、ECR型エッチング装置に本
発明を適用したものである。プラズマ発生室22と処理
室24は、それぞれ導体からなり、独立の直流電源2
6、28によって電位を印加できる。プラズマ発生室2
2と処理室24の間には、二つの絶縁スペ−サ30、3
2と、導体スペ−サ34が配置されている。これによ
り、プラズマ発生室22と処理室24と導体スペ−サ3
4は互いに電気的に絶縁される。導体スペ−サ34には
金属メッシュ36が張られていて、この金属メッシュ3
6は、プラズマ発生室22の内部空間と処理室24の内
部空間とを仕切っている。金属メッシュ36には多数の
貫通孔が開いている。導体スペ−サ34はスイッチ38
を介して直流電源40に接続されており、スイッチ38
を開くと金属メッシュ36を電気的浮遊状態にでき、ス
イッチ40を閉じると金属メッシュ36に電位を印加す
ることができる。
壁面の近傍には、2枚のシ−ルドプレ−ト42、44が
互いに所定間隔を隔てて配置されている。シ−ルドプレ
−ト42、44には、図2に示すように、多数の貫通孔
46が形成されていて、二つのシ−ルドプレ−ト42、
44の貫通孔は重なり合わないように互い違いに配置さ
れている。このシ−ルドプレ−トは、セラミックや水晶
などの、重金属汚染の恐れのない材料で作られている。
シ−ルドプレ−トは3枚以上重ねてもよい。
置48が配置され、プラズマ発生室22の上部には石英
窓50を通してマイクロ波52の供給装置が配置されて
いる。また、プラズマ発生室22にはガス導入口54が
接続されている。これらの構成により、プラズマ発生室
22の内部にECRプラズマを発生することができる。
基板ホルダ−58がある。処理室24の周囲には磁場発
生装置59があり、基板56の表面に垂直な磁場60を
発生することができる。また、処理室24には電子シャ
ワ−発生装置62が接続されている。この電子シャワ−
発生装置62は、小型のECRプラズマ発生装置であっ
て、マイクロ波64の供給装置とガス導入口66と磁場
発生装置68を備えている。電子シャワ−発生装置62
と処理室24の間には二つの絶縁スペ−サ70、72と
導体スペ−サ74が配置され、互いに絶縁されている。
導体スペ−サ74には金属メッシュ76が張られ、直流
電源78によって電位を印加できるようになっている。
説明する。排気系によりプラズマ発生室22と処理室2
4を排気し、磁場発生装置48によりECR磁場49
を、磁場発生装置59により基板56に垂直な磁場60
を形成する。また、図示しないマスフロ−コントロ−ラ
によって流量制御されたプロセスガスをガス導入口54
を通してプラズマ発生室22内に供給する。その後、マ
イクロ波52を石英窓50を通してプラズマ発生室22
内に供給し、電子サイクロトロン共鳴現象によりプラズ
マを発生させる。
れぞれ直流電源26、28から所定の電位を印加して、
プラズマ電位を制御する。これにより、プラズマ発生室
22から処理室24に向かう、正に帯電したイオンの流
れを誘起する。
スまたはプロセスガスと同一のガスを導入してから、マ
イクロ波を印加する。この電子シャワ−発生装置62の
壁面には直流電源80から負の電位を印加し、金属メッ
シュ76には正の電位を印加する。これにより、処理室
24の内部に向けて電子シャワ−を放出する。
た電位は、その内部のプラズマ電位を制御する働きがあ
る。すなわち、電気的に浮遊した状態のプラズマにおい
ては、図3に示すように、壁面から離れた箇所(例えば
図1のA点)のプラズマ電位Vpが壁面の電位に対して
+10〜20Vの電位にあることが知られている。した
がって、プラズマ発生室22と処理室24の壁面の電位
を独立に制御することによって、その内部にあるプラズ
マの電位を独立に制御することができる。プラズマ発生
室22に正の電位を与え、電源28によって処理室24
に負の電位を与えると、プラズマ発生室22から処理室
24へ向かって正のイオンの流れが生じ、このイオン
は、二つのプラズマの電位差に対応した分だけ均一に加
速される。特に、プラズマ源としてECRプラズマを採
用した場合は、イオンのエネルギ−の広がりが元来小さ
いので、基板上の磁束密度をプラズマ発生位置での磁束
密度と同一にすることにより、基板上においてエネルギ
−の広がりの極めて小さい(すなわち均一に加速され
た)イオン流を得ることができる。得られるイオン流の
エネルギ−の広がり幅は20eV程度である。したがっ
て、イオンのエネルギ−を、エッチングが可能でかつ基
板にダメ−ジを与えないようなエネルギ−範囲に制御す
ることができる。
ロ波が侵入するのを防ぐ働きがある。また、この金属メ
ッシュ36にDCバイアスを印加することにより、処理
室24へのイオン侵入量と電子侵入量を制御することが
できる。すなわち、金属メッシュ36を浮遊状態にした
ときは、この金属メッシュ36はマイナス数十Vに帯電
し、多くの電子はそこで追い返される。このとき、イオ
ンは影響は受けない。これに対して、金属メッシュ36
に直流電源40から電位を印加して正に帯電させると、
電子は通りやすくなる。金属メッシュ36に、プラズマ
発生室22よりも大きな正のDCバイアスを印加する
と、正イオンは部分的に追い返されて、イオン流量を制
御できる。後者のような制御は、エッチング速度が低く
ても高い制御性が要求される分野に有用である。
中のイオンが壁面を直接衝撃するのを防ぐ働きがある。
また、シ−ルドプレ−トの貫通孔は、そこにプラズマが
満たされることによって、壁面の電位をプラズマ発生室
および処理室の内部中央のプロセスプラズマに伝える働
きがある。
は、イオンを基板に対して垂直に入射させる働きがあ
る。というのは、イオン82は回転運動をしながら磁場
に沿って動くからである。これにより、基板の異方性エ
ッチングが可能になる。
のイオンが選択的に導入されるので、基板56は正に帯
電する。電子シャワ−発生装置62は、これを中和し
て、所定のバイアスを基板にもたらす。この電子シャワ
−は、プラズマ発生室22から流入した正のイオンの一
部を中和することになるが、イオンが中和されても、エ
ッチング特性にはほとんど影響しない。というのは、イ
オンはすでに所定のエネルギ−で加速されているので、
そのエネルギ−のまま基板に垂直に衝突するからであ
る。エッチング特性は、エッチング粒子の加速エネルギ
−に大きく依存しているが、その荷電状態にはほとんど
影響しない。
である。図1に対応する部分には同じ符号を付けてあ
る。図1の実施例と異なるところは、プラズマ発生機構
がアノ−ドカップル型であることである。その他の装置
構成は図1の実施例とほとんど同じである。この実施例
は、基板に入射するイオンエネルギ−の分布幅にあまり
厳しい要求がない場合に適しており、装置が安価に構成
できる利点がある。
る。この実施例は、プラズマ発生室をマグネトロンタイ
プとしている。プラズマ発生室84の周囲には回転磁界
発生装置86が配置されている。磁場を利用することに
より、よりイオン密度の高いプラズマを利用できる利点
がある。図6は、図5の装置の回転磁界発生装置86の
平面断面図である。ポ−ルピ−ス92の内部にコイル8
8が配置され、電源90に接続されている。プラズマ発
生室84の内部には図に示すような磁界94が発生す
る。図5のプラズマ発生室84の下流側には、第1実施
例と同様に、電気的に絶縁されたメッシュを介して、電
気的に絶縁された処理室が配置されている。そして、こ
の処理室は図示しない直流電源により主に負電位にバイ
アスされる。
シング装置、CVD装置などプラズマを利用して基板を
処理するその他の形式のプラズマ処理装置にも適用でき
るものである
発生室と処理室とを別個の電位にすることによって、基
板に入射するイオンのエネルギ−分布幅を狭くすること
ができ、かつ、そのイオンエネルギ−を高精度に制御す
ることができる。また、イオン流の利用に伴って生じる
であろう重金属汚染や基板のチャ−ジアップの問題を回
避することができる。
る。
る。
る。
図である。
フである。
Claims (7)
- 【請求項1】 導体からなるプラズマ発生室と、導体か
らなる処理室とを設け、プラズマ発生室と処理室とを電
気的に絶縁して異なる電位にするとともに、プラズマ発
生室の内部空間と処理室の内部空間とを連通させたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項2】 プラズマ発生室に電位を印加する第1電
源と、処理室に電位を印加する第2電源とを設けたこと
を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】 プラズマ発生室の内部空間と処理室の内
部空間との間に、導体からなる仕切り板を配置し、この
仕切り板に複数の貫通孔を設けるとともに、この仕切り
板をプラズマ発生室および処理室から電気的に絶縁した
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】 仕切り板に電位を印加する第3電源を設
けたことを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項5】 プラズマ発生室および処理室の内壁面を
覆うように、複数の貫通孔を有する複数のシ−ルドプレ
−トを互いに間隔を隔てて重ねて設け、任意のシ−ルド
プレ−トの貫通孔と他のシ−ルドプレ−トの貫通孔とが
互いに重ならないようにしたことを特徴とする請求項1
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項6】 処理室に配置した基板の表面に対して垂
直な磁場を発生する磁場発生装置を設けたことを特徴と
する請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項7】 処理室に電子シャワ−発生装置を設けた
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33288291A JP3280406B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33288291A JP3280406B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05144774A true JPH05144774A (ja) | 1993-06-11 |
JP3280406B2 JP3280406B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=18259855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33288291A Expired - Fee Related JP3280406B2 (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3280406B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011518408A (ja) * | 2008-03-21 | 2011-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 単色中性ビームで活性化される化学プロセスシステム及び当該システムの使用方法 |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33288291A patent/JP3280406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011518408A (ja) * | 2008-03-21 | 2011-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 単色中性ビームで活性化される化学プロセスシステム及び当該システムの使用方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3280406B2 (ja) | 2002-05-13 |
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