JPH05144415A - 蛍光ランプ - Google Patents
蛍光ランプInfo
- Publication number
- JPH05144415A JPH05144415A JP3300930A JP30093091A JPH05144415A JP H05144415 A JPH05144415 A JP H05144415A JP 3300930 A JP3300930 A JP 3300930A JP 30093091 A JP30093091 A JP 30093091A JP H05144415 A JPH05144415 A JP H05144415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- emissivity
- fluorescent lamp
- wavelength
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】蛍光ランプの放電にともなう管壁温度の上昇を
規制して蛍光ランプの温度を適正な条件に維持し発光効
率を良好にする。 【構成】蛍光ランプの放電路中最も管壁温度の低くなる
部分およびその近傍の管壁に、４マイクロメートルより
長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメート
ルより短波長の放射率よりも大きな値を持つ赤外放射材
料、または、４マイクロメートルより短波長の放射に対
する反射率（α）と放射率（ε）の比（α／ε）が１よ
り大きい物質を付着させる。
規制して蛍光ランプの温度を適正な条件に維持し発光効
率を良好にする。 【構成】蛍光ランプの放電路中最も管壁温度の低くなる
部分およびその近傍の管壁に、４マイクロメートルより
長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメート
ルより短波長の放射率よりも大きな値を持つ赤外放射材
料、または、４マイクロメートルより短波長の放射に対
する反射率（α）と放射率（ε）の比（α／ε）が１よ
り大きい物質を付着させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ツイン型コンパクト蛍
光ランプなどの蛍光ランプに関するものである。
光ランプなどの蛍光ランプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンパクト蛍光ランプでは、ラン
プ単体でランプ冷却のための施策を考えるのが困難なた
め、照明器具とランプを組み合わせた関連で解決しよう
としていた。つまり、コンパクト蛍光ランプのうちツイ
ン型蛍光ランプについては放電経路を構成するブリッジ
部より先端の部分が、放電路の中で最冷点になる場合が
多く、この種のランプを使用する場合には、使用照明器
具は下面解放型のものを用い、かつツイン型蛍光ランプ
の口金部が上方に、蛍光ランプの先端部が下方になるよ
うに設置されて使用するといった方法が取られている場
合が多い。このように、ツイン型蛍光ランプの最冷点と
なる先端部分は下方に位置するとともに密閉されておら
ず、これにより、温度の放射が良好なものとなり、最冷
点となる先端部分の温度が良好に維持される。
プ単体でランプ冷却のための施策を考えるのが困難なた
め、照明器具とランプを組み合わせた関連で解決しよう
としていた。つまり、コンパクト蛍光ランプのうちツイ
ン型蛍光ランプについては放電経路を構成するブリッジ
部より先端の部分が、放電路の中で最冷点になる場合が
多く、この種のランプを使用する場合には、使用照明器
具は下面解放型のものを用い、かつツイン型蛍光ランプ
の口金部が上方に、蛍光ランプの先端部が下方になるよ
うに設置されて使用するといった方法が取られている場
合が多い。このように、ツイン型蛍光ランプの最冷点と
なる先端部分は下方に位置するとともに密閉されておら
ず、これにより、温度の放射が良好なものとなり、最冷
点となる先端部分の温度が良好に維持される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近、よく使
用されているコンパクト蛍光ランプでは、従来の直管型
蛍光ランプに比べて、小さい体積で大きな電力を要して
点灯させる目的で、比較的大きな電流で使用されるた
め、どうしても管壁温度が高くなり、その結果として管
内水銀蒸気圧が高くなる。このため、水銀蒸気中の放電
で発生した紫外線が圧力の高くなった水銀蒸気で吸収さ
れ、管壁内面に塗布した蛍光物質にまで到達しにくくな
り発光効率が低下するという問題があった。
用されているコンパクト蛍光ランプでは、従来の直管型
蛍光ランプに比べて、小さい体積で大きな電力を要して
点灯させる目的で、比較的大きな電流で使用されるた
め、どうしても管壁温度が高くなり、その結果として管
内水銀蒸気圧が高くなる。このため、水銀蒸気中の放電
で発生した紫外線が圧力の高くなった水銀蒸気で吸収さ
れ、管壁内面に塗布した蛍光物質にまで到達しにくくな
り発光効率が低下するという問題があった。
【０００４】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、蛍光ランプの放電にともなう管壁温度の上昇を規制
して蛍光ランプの温度を適正な条件に維持し発光効率の
良い蛍光ランプを提供することを目的とするものであ
る。
で、蛍光ランプの放電にともなう管壁温度の上昇を規制
して蛍光ランプの温度を適正な条件に維持し発光効率の
良い蛍光ランプを提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の蛍光ランプは、蛍光ランプの放電路中最も管
壁温度の低くなる部分およびその近傍の管壁に、４マイ
クロメートルより長波長の赤外放射に対する放射率が、
４マイクロメートルより短波長の放射率よりも大きな値
を持つ赤外放射材料、または、４マイクロメートルより
短波長の放射に対する反射率（α）と放射率（ε）の比
（α／ε）が１より大きい物質を付着させた構成であ
る。
に本発明の蛍光ランプは、蛍光ランプの放電路中最も管
壁温度の低くなる部分およびその近傍の管壁に、４マイ
クロメートルより長波長の赤外放射に対する放射率が、
４マイクロメートルより短波長の放射率よりも大きな値
を持つ赤外放射材料、または、４マイクロメートルより
短波長の放射に対する反射率（α）と放射率（ε）の比
（α／ε）が１より大きい物質を付着させた構成であ
る。
【０００６】また、本発明の蛍光ランプは、蛍光ランプ
の放電路中最も管壁温度の低くなる部分およびその近傍
の管壁に対してガラス表面を粗面に構成したものであ
る。
の放電路中最も管壁温度の低くなる部分およびその近傍
の管壁に対してガラス表面を粗面に構成したものであ
る。
【０００７】
【作用】上記構成により、４マイクロメータより短い波
長の放射に対してはガラスを透過して赤外放射体で反射
させることで発光効率に寄与し、また、４マイクロメー
タより長い波長の放射はガラス管壁の内面で吸収されて
管壁の温度上昇の原因になるが、４マイクロメートルよ
り長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメー
トルより短波長の放射に対する放射率よりも大きな値を
持つ赤外放射材料を付着させるので、４マイクロメータ
より長い波長の放射による冷却が促進されて赤外放射材
料を付着した部分の温度が低下しランプ特性が好適に維
持される。
長の放射に対してはガラスを透過して赤外放射体で反射
させることで発光効率に寄与し、また、４マイクロメー
タより長い波長の放射はガラス管壁の内面で吸収されて
管壁の温度上昇の原因になるが、４マイクロメートルよ
り長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメー
トルより短波長の放射に対する放射率よりも大きな値を
持つ赤外放射材料を付着させるので、４マイクロメータ
より長い波長の放射による冷却が促進されて赤外放射材
料を付着した部分の温度が低下しランプ特性が好適に維
持される。
【０００８】また、蛍光ランプの放電路中最も管壁温度
の低くなる部分およびその近傍のガラス表面を粗面にし
たので、ガラス表面積が大きくなって放射率が増大しそ
の部分における温度が良好に維持されることになる。
の低くなる部分およびその近傍のガラス表面を粗面にし
たので、ガラス表面積が大きくなって放射率が増大しそ
の部分における温度が良好に維持されることになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例のツイン型
コンパクト蛍光ランプの側面図である。図１において、
コンパクト蛍光ランプの口金部１は電源の差込み部２を
有し、かつ各ガラス管３を保持している。これらガラス
管３は並列して設けられ、各ガラス管３をブリッジ部４
で繋いでツイン型コンパクト蛍光ランプの放電路ａを形
成している。このブリッジ部４の水銀蒸気プラズマ通路
は管端部３ａより数ミリメートル内部に位置している。
したがって、プラズマ状の水銀蒸気中の放電路ａはガラ
ス管３の管端部３ａを通らず、各ガラス管３の管端部３
ａとその近傍は管壁中最も温度が低くなり、かつランプ
としてほとんど発光しない部分となる。この管端部３ａ
の低下温度は周囲温度によって影響を受けるので定量的
には特定できないが、蛍光ランプの放電路中最も管壁温
度の低くなる管端部３ａとその近傍に管壁温度を低下さ
せる手段を設置すれば有効に管壁温度をコントロールが
できる。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例のツイン型
コンパクト蛍光ランプの側面図である。図１において、
コンパクト蛍光ランプの口金部１は電源の差込み部２を
有し、かつ各ガラス管３を保持している。これらガラス
管３は並列して設けられ、各ガラス管３をブリッジ部４
で繋いでツイン型コンパクト蛍光ランプの放電路ａを形
成している。このブリッジ部４の水銀蒸気プラズマ通路
は管端部３ａより数ミリメートル内部に位置している。
したがって、プラズマ状の水銀蒸気中の放電路ａはガラ
ス管３の管端部３ａを通らず、各ガラス管３の管端部３
ａとその近傍は管壁中最も温度が低くなり、かつランプ
としてほとんど発光しない部分となる。この管端部３ａ
の低下温度は周囲温度によって影響を受けるので定量的
には特定できないが、蛍光ランプの放電路中最も管壁温
度の低くなる管端部３ａとその近傍に管壁温度を低下さ
せる手段を設置すれば有効に管壁温度をコントロールが
できる。
【００１０】すなわち、ツイン型蛍光ランプの管壁最低
温度はほぼ50℃程度であるから、このガラス表面から放
射される波長は約８マイクロメータに中心波長を持つプ
ランクの放射則に従った分光分布を持つ温度放射をす
る。したがって、遠赤外放射材料のように４マイクロメ
ータより短い波長の放射に対して小さい放射率を持ち、
４マイクロメータより長い波長の放射に対しては大きな
放射率を持つ物質、すなわち、４マイクロメートルより
長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメート
ルより短波長の放射に対する放射率よりも大きな値を持
つ遠赤外放射物質５を管端部３ａとその近傍のガラス管
壁に付着させて温度低下の処置を施せばランプの特性を
好適に維持可能である。
温度はほぼ50℃程度であるから、このガラス表面から放
射される波長は約８マイクロメータに中心波長を持つプ
ランクの放射則に従った分光分布を持つ温度放射をす
る。したがって、遠赤外放射材料のように４マイクロメ
ータより短い波長の放射に対して小さい放射率を持ち、
４マイクロメータより長い波長の放射に対しては大きな
放射率を持つ物質、すなわち、４マイクロメートルより
長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメート
ルより短波長の放射に対する放射率よりも大きな値を持
つ遠赤外放射物質５を管端部３ａとその近傍のガラス管
壁に付着させて温度低下の処置を施せばランプの特性を
好適に維持可能である。
【００１１】そして、この遠赤外放射物質５は、放射率
の高い波長域ではその波長域の放射の吸収率が高く、放
射率の低い波長域では放射の吸収率が小さい特性があ
る。この遠赤外放射物質５を付着させることにより、そ
の物質に照射する短波長の放射を反射させ、管壁温度に
対して高い放射率で遠赤外線を放射し管壁を冷却する。
この方法によると、次の様な利点がある。ガラスの分光
透過率は３〜４マイクロメータより短い波長の放射に対
して透過するが、これより長い放射に対しては透過しな
い。したがって、４マイクロメータより短い波長の放射
は蛍光ランプの内部で発生した放射がガラスを透過して
管壁表面に付着した遠赤外放射物質５に達し、この放射
は管壁に付着した遠赤外放射物質５で反射される。ま
た、４マイクロメータより長い波長の放射はガラス管壁
の内面で吸収され、管壁の温度上昇の原因になる。
の高い波長域ではその波長域の放射の吸収率が高く、放
射率の低い波長域では放射の吸収率が小さい特性があ
る。この遠赤外放射物質５を付着させることにより、そ
の物質に照射する短波長の放射を反射させ、管壁温度に
対して高い放射率で遠赤外線を放射し管壁を冷却する。
この方法によると、次の様な利点がある。ガラスの分光
透過率は３〜４マイクロメータより短い波長の放射に対
して透過するが、これより長い放射に対しては透過しな
い。したがって、４マイクロメータより短い波長の放射
は蛍光ランプの内部で発生した放射がガラスを透過して
管壁表面に付着した遠赤外放射物質５に達し、この放射
は管壁に付着した遠赤外放射物質５で反射される。ま
た、４マイクロメータより長い波長の放射はガラス管壁
の内面で吸収され、管壁の温度上昇の原因になる。
【００１２】したがって、ガラス表面の放射率より大き
い放射率をもつ物質をガラス表面に塗布すればガラス表
面からの放射を増加せしめ有効に放射冷却に寄与する。
図２は図１の遠赤外線放射物質５の分光放射率を示して
いる。図２において、炭化珪素Ａ、酸化珪素Ｂおよび酸
化アルミニウムＣの３種類の遠赤外線放射物質５の分光
放射率の特性を示している。いずれもほぼ２〜３マイク
ロメータを最小値として、４マイクロメータ以下の波長
では分光放射率が小さく、この波長以上では分光放射率
が大きいことを示している。
い放射率をもつ物質をガラス表面に塗布すればガラス表
面からの放射を増加せしめ有効に放射冷却に寄与する。
図２は図１の遠赤外線放射物質５の分光放射率を示して
いる。図２において、炭化珪素Ａ、酸化珪素Ｂおよび酸
化アルミニウムＣの３種類の遠赤外線放射物質５の分光
放射率の特性を示している。いずれもほぼ２〜３マイク
ロメータを最小値として、４マイクロメータ以下の波長
では分光放射率が小さく、この波長以上では分光放射率
が大きいことを示している。
【００１３】ここで、図１の管端部３ａに示す範囲に付
着させる遠赤外線放射物質５の特性を一般的な定義に置
き換えてみる。特定の波長範囲について考えた場合、放
射の反射率の大きい物質は、その波長域において放射率
は小さい。したがって、反射率（α）と放射率（ε）の
比（α／ε）が小さい物質と言うことは、反射率が小さ
く放射率が相対的に大きいことを意味する。また、反射
率が大きい場合は、同時に放射率がさらに高いことを意
味している。これにより、４マイクロメートルより長波
長の放射に対する反射率（α）と放射率（ε）の比（α
／ε）が１より小さい物質で、４マイクロメートルより
短波長の放射に対する反射率（α）と放射率（ε）の比
（α／ε）が１より大きい物質を、管端部３ａに付着さ
せても本発明の効果が有効に発揮される。
着させる遠赤外線放射物質５の特性を一般的な定義に置
き換えてみる。特定の波長範囲について考えた場合、放
射の反射率の大きい物質は、その波長域において放射率
は小さい。したがって、反射率（α）と放射率（ε）の
比（α／ε）が小さい物質と言うことは、反射率が小さ
く放射率が相対的に大きいことを意味する。また、反射
率が大きい場合は、同時に放射率がさらに高いことを意
味している。これにより、４マイクロメートルより長波
長の放射に対する反射率（α）と放射率（ε）の比（α
／ε）が１より小さい物質で、４マイクロメートルより
短波長の放射に対する反射率（α）と放射率（ε）の比
（α／ε）が１より大きい物質を、管端部３ａに付着さ
せても本発明の効果が有効に発揮される。
【００１４】なお、本実施例における管端部３ａのガラ
ス表面をエッチングあるいは研磨などにより表面を粗面
に構成して見かけ上大きくしても、ガラス表面の熱を放
射放熱するため同様な効果が生じる。
ス表面をエッチングあるいは研磨などにより表面を粗面
に構成して見かけ上大きくしても、ガラス表面の熱を放
射放熱するため同様な効果が生じる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、蛍光ラン
プの点灯使用状態において、放射による冷却を増加させ
て放電にともなう管壁温度の温度上昇を適正な条件に維
持することことができて蛍光ランプの発光効率を高い状
態に維持することができるものである。
プの点灯使用状態において、放射による冷却を増加させ
て放電にともなう管壁温度の温度上昇を適正な条件に維
持することことができて蛍光ランプの発光効率を高い状
態に維持することができるものである。
【図１】本発明の一実施例のツイン型コンパクト蛍光ラ
ンプの側面図である。
ンプの側面図である。
【図２】図１の遠赤外線放射物質５の分光放射率を示し
ている。
ている。
３ ガラス管 ３ａ 管端部 ５ 遠赤外線放射物質
Claims (2)
- 【請求項１】蛍光ランプの放電路中最も管壁温度の低く
なる部分およびその近傍の管壁に、４マイクロメートル
より長波長の赤外放射に対する放射率が、４マイクロメ
ートルより短波長の放射率よりも大きな値を持つ赤外放
射材料、または、４マイクロメートルより短波長の放射
に対する反射率（α）と放射率（ε）の比（α／ε）が
１より大きい物質を付着させた構成の蛍光ランプ。 - 【請求項２】蛍光ランプの放電路中最も管壁温度の低く
なる部分およびその近傍の管壁に対してガラス表面を粗
面に構成した蛍光ランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300930A JPH05144415A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 蛍光ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300930A JPH05144415A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 蛍光ランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144415A true JPH05144415A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17890831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3300930A Pending JPH05144415A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 蛍光ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103325658A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-09-25 | 李家敏 | H型荧光灯 |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP3300930A patent/JPH05144415A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103325658A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-09-25 | 李家敏 | H型荧光灯 |
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