JPH05142507A - 液晶表示装置およびアクテイブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびアクテイブマトリクス型液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH05142507A JPH05142507A JP30941591A JP30941591A JPH05142507A JP H05142507 A JPH05142507 A JP H05142507A JP 30941591 A JP30941591 A JP 30941591A JP 30941591 A JP30941591 A JP 30941591A JP H05142507 A JPH05142507 A JP H05142507A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程途中では各信号線の端部を短絡し
て、静電気による影響をなくすことにより、半導体スイ
ッチの破壊や特性不良、あるいは、表示器としての帯電
不良等を防止できる液晶表示装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 駆動用大規模集積回路チップ12の実装前の液
晶パネルの組立ての際に、液晶パネル側に形成された走
査線Ａ1 〜Ａm およびデータ線Ｂ1 〜Ｂn の各接続端子
15，16の端部を短絡導体17により短絡接続する。短絡導
体17により短絡し、製造工程途中での静電気の帯電によ
る影響を防止する。液晶パネルの組立てが完了した後
に、短絡導体17を切り離し、駆動用大規模集積回路チッ
プ12を実装する。
て、静電気による影響をなくすことにより、半導体スイ
ッチの破壊や特性不良、あるいは、表示器としての帯電
不良等を防止できる液晶表示装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 駆動用大規模集積回路チップ12の実装前の液
晶パネルの組立ての際に、液晶パネル側に形成された走
査線Ａ1 〜Ａm およびデータ線Ｂ1 〜Ｂn の各接続端子
15，16の端部を短絡導体17により短絡接続する。短絡導
体17により短絡し、製造工程途中での静電気の帯電によ
る影響を防止する。液晶パネルの組立てが完了した後
に、短絡導体17を切り離し、駆動用大規模集積回路チッ
プ12を実装する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、製造歩留まりを向上さ
せた液晶表示装置およびアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法に関する。
せた液晶表示装置およびアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報社会の進展に伴い、表示容量
が大きく、カラー表示が可能な平面ディスプレイが求め
られている。この平面ディスプレイとしては、カラーフ
ィルタと光源とを付加することにより、カラー表示を比
較的容易に得ることができる液晶表示装置が適してお
り、急速に普及しつつあり、液晶表示装置には、シンプ
ルマトリクス型とアクティブマトリクス型とがある。そ
して、シンプルマトリクス型液晶表示装置は、複数の行
電極と複数の列電極とを互いに間隔を保ち、かつ、直交
させて形成し、この間隔内に液晶を封入し、各行電極お
よび列電極間の電位差により間隔内に封入した液晶を駆
動するものである。また、アクティブマトリクス型液晶
表示装置は、複数の走査線と複数のデータ線とを互いに
絶縁状態で直交させ、これら走査線とデータ線との各交
点に半導体スイッチをそれぞれ設け、これら半導体スイ
ッチのオン・オフ動作により画素電極と対向電極との間
に封入した液晶を駆動するものである。
が大きく、カラー表示が可能な平面ディスプレイが求め
られている。この平面ディスプレイとしては、カラーフ
ィルタと光源とを付加することにより、カラー表示を比
較的容易に得ることができる液晶表示装置が適してお
り、急速に普及しつつあり、液晶表示装置には、シンプ
ルマトリクス型とアクティブマトリクス型とがある。そ
して、シンプルマトリクス型液晶表示装置は、複数の行
電極と複数の列電極とを互いに間隔を保ち、かつ、直交
させて形成し、この間隔内に液晶を封入し、各行電極お
よび列電極間の電位差により間隔内に封入した液晶を駆
動するものである。また、アクティブマトリクス型液晶
表示装置は、複数の走査線と複数のデータ線とを互いに
絶縁状態で直交させ、これら走査線とデータ線との各交
点に半導体スイッチをそれぞれ設け、これら半導体スイ
ッチのオン・オフ動作により画素電極と対向電極との間
に封入した液晶を駆動するものである。
【０００３】以下、液晶表示装置用液晶パネルの従来例
として、アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を
図６により説明する。
として、アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を
図６により説明する。
【０００４】図６は、液晶パネルを構成するアレイ側基
板の、製造工程途中の状態を示している。この図６にお
いて、11はガラス等の透明な絶縁基板で、この絶縁基板
11は矩形状の表示領域11a を有している。この表示領域
11a には、複数の走査線Ａ1〜Ａm と複数のデータ線Ｂ1
〜Ｂn とが図示しない絶縁膜を介して互いに直交状態
で形成されており、これら走査線Ａ1 〜Ａm とデータ線
Ｂ1 〜Ｂn との各交点には、薄膜トランジスタ（Thin F
ilm Transistor：ＴＦＴ）などの半導体スイッチＣ11〜
Ｃmnが設けられている。これら各半導体スイッチＣ11〜
Ｃmnは、ゲート電極が走査線Ａ1 〜Ａm の対応するもの
と接続され、ドレイン電極はデータ線Ｂ1 〜Ｂn の対応
するものと接続され、ソース電極は走査線Ａ1 〜Ａm と
データ線Ｂ1 〜Ｂn との各交点ごとに設けられた図示し
ない画素電極の対応するものと接続されている。
板の、製造工程途中の状態を示している。この図６にお
いて、11はガラス等の透明な絶縁基板で、この絶縁基板
11は矩形状の表示領域11a を有している。この表示領域
11a には、複数の走査線Ａ1〜Ａm と複数のデータ線Ｂ1
〜Ｂn とが図示しない絶縁膜を介して互いに直交状態
で形成されており、これら走査線Ａ1 〜Ａm とデータ線
Ｂ1 〜Ｂn との各交点には、薄膜トランジスタ（Thin F
ilm Transistor：ＴＦＴ）などの半導体スイッチＣ11〜
Ｃmnが設けられている。これら各半導体スイッチＣ11〜
Ｃmnは、ゲート電極が走査線Ａ1 〜Ａm の対応するもの
と接続され、ドレイン電極はデータ線Ｂ1 〜Ｂn の対応
するものと接続され、ソース電極は走査線Ａ1 〜Ａm と
データ線Ｂ1 〜Ｂn との各交点ごとに設けられた図示し
ない画素電極の対応するものと接続されている。
【０００５】そして、複数の走査線Ａ1 〜Ａm および複
数のデータ線Ｂ1 〜Ｂn の一端側の絶縁基板11上には、
これら走査線Ａ1 〜Ａm およびデータ線Ｂ1 〜Ｂn に接
続する駆動用大規模集積回路（Large-Scale Integrate
d：ＬＳＩ）チップ12が設けられる。すなわち、液晶表
示装置の低価格化および薄形化の要求により、駆動用大
規模集積回路チップ12を、半導体スイッチＣ11〜Ｃmnが
形成された絶縁基板11上に直接実装するＣＯＧ（Chip O
n Glass ）を採用している。なお、この駆動用大規模集
積回路チップ12の実装は、液晶パネルとしての組立てが
完了した後に行われる。
数のデータ線Ｂ1 〜Ｂn の一端側の絶縁基板11上には、
これら走査線Ａ1 〜Ａm およびデータ線Ｂ1 〜Ｂn に接
続する駆動用大規模集積回路（Large-Scale Integrate
d：ＬＳＩ）チップ12が設けられる。すなわち、液晶表
示装置の低価格化および薄形化の要求により、駆動用大
規模集積回路チップ12を、半導体スイッチＣ11〜Ｃmnが
形成された絶縁基板11上に直接実装するＣＯＧ（Chip O
n Glass ）を採用している。なお、この駆動用大規模集
積回路チップ12の実装は、液晶パネルとしての組立てが
完了した後に行われる。
【０００６】また、複数の走査線Ａ1 〜Ａm および複数
のデータ線Ｂ1 〜Ｂn の駆動用大規模集積回路チップ12
が設けられる側と反対側の端部となる他端側はそれぞれ
延長され、短絡線13により全て短絡接続されている。こ
のように短絡接続するのは、液晶パネルの組立作業時
に、半導体スイッチＣ11〜Ｃmn等が静電気にさらされて
破壊されるのを防ぐためである。
のデータ線Ｂ1 〜Ｂn の駆動用大規模集積回路チップ12
が設けられる側と反対側の端部となる他端側はそれぞれ
延長され、短絡線13により全て短絡接続されている。こ
のように短絡接続するのは、液晶パネルの組立作業時
に、半導体スイッチＣ11〜Ｃmn等が静電気にさらされて
破壊されるのを防ぐためである。
【０００７】一方、構成のアレイ側基板である絶縁基板
11は、対向電極が形成されている図示しない別の基板と
組み合わされ、互いに間隙を保って対向するように組立
てられ、間隙に液晶が封入され、偏光板が張り付けられ
る。
11は、対向電極が形成されている図示しない別の基板と
組み合わされ、互いに間隙を保って対向するように組立
てられ、間隙に液晶が封入され、偏光板が張り付けられ
る。
【０００８】このようにして液晶パネルとしての組立が
完了した後、２点鎖線で示す切断線14を切断して短絡接
続部を切り離し、複数の走査線Ａ1 〜Ａm および複数の
データ線Ｂ1 〜Ｂn の一端側の絶縁基板11上に駆動用大
規模集積回路チップ12を実装して液晶表示装置とする。
完了した後、２点鎖線で示す切断線14を切断して短絡接
続部を切り離し、複数の走査線Ａ1 〜Ａm および複数の
データ線Ｂ1 〜Ｂn の一端側の絶縁基板11上に駆動用大
規模集積回路チップ12を実装して液晶表示装置とする。
【０００９】ところで、近年、液晶表示装置の高画質・
高精細化、すなわち画素の微細化の要求が高まってお
り、液晶表示装置の大容量化が進んでいる。このように
大容量化が進むと、駆動用大規模集積回路チップ12の周
波数特性などの能力の問題から、駆動用大規模集積回路
チップ12を図６のように一辺側にだけに設置するのでは
なく、図２で示すように、対向する２辺にそれぞれ駆動
用大規模集積回路チップ12を設置し、複数の信号線とな
るデータ線Ｂ1〜Ｂn に対して、信号供給端が交互に反
対側となるように接続している。
高精細化、すなわち画素の微細化の要求が高まってお
り、液晶表示装置の大容量化が進んでいる。このように
大容量化が進むと、駆動用大規模集積回路チップ12の周
波数特性などの能力の問題から、駆動用大規模集積回路
チップ12を図６のように一辺側にだけに設置するのでは
なく、図２で示すように、対向する２辺にそれぞれ駆動
用大規模集積回路チップ12を設置し、複数の信号線とな
るデータ線Ｂ1〜Ｂn に対して、信号供給端が交互に反
対側となるように接続している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように駆
動用大規模集積回路チップ12を対向する２辺に実装する
と、従来例のように、各信号線、すなわちアクティブマ
トリクス型では図６で示した複数の走査線Ａ1 〜Ａm お
よび複数のデータ線Ｂ1 〜Ｂn 、シンプルマトリクス型
では行電極線および列電極線を延長して短絡線13により
短絡接続したり、あるいは、この短絡接続部を切り離し
たりすることができなくなる。このため、製造工程途中
での、静電気に対する対策ができないという問題が生じ
る。
動用大規模集積回路チップ12を対向する２辺に実装する
と、従来例のように、各信号線、すなわちアクティブマ
トリクス型では図６で示した複数の走査線Ａ1 〜Ａm お
よび複数のデータ線Ｂ1 〜Ｂn 、シンプルマトリクス型
では行電極線および列電極線を延長して短絡線13により
短絡接続したり、あるいは、この短絡接続部を切り離し
たりすることができなくなる。このため、製造工程途中
での、静電気に対する対策ができないという問題が生じ
る。
【００１１】本発明の目的は、少なくとも１組の対向す
る２辺に駆動用集積回路素子を直接実装する構成であっ
ても、製造工程途中では各信号線の端部を短絡して、静
電気による影響をなくすことにより、半導体スイッチの
破壊や特性不良、あるいは、表示器としての帯電不良等
を確実に防止することができる液晶表示装置およびアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する
ことにある。
る２辺に駆動用集積回路素子を直接実装する構成であっ
ても、製造工程途中では各信号線の端部を短絡して、静
電気による影響をなくすことにより、半導体スイッチの
破壊や特性不良、あるいは、表示器としての帯電不良等
を確実に防止することができる液晶表示装置およびアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置の製造方法は、液晶パネルの少なくとも１組の対向
する辺にそれぞれ駆動用集積回路素子を実装し、この駆
動用集積回路素子の出力端子を前記液晶パネルに配設さ
れた信号線に接続する液晶表示装置の製造方法におい
て、前記駆動用集積回路素子の実装前の前記液晶パネル
の組立ての際に、前記液晶パネル側に形成された前記信
号線の前記駆動用集積回路素子に対する各接続端子を短
絡導体により短絡接続し、前記液晶パネルの組立てが完
了した後に前記短絡導体を切り離し、前記駆動用集積回
路を実装するものである。
装置の製造方法は、液晶パネルの少なくとも１組の対向
する辺にそれぞれ駆動用集積回路素子を実装し、この駆
動用集積回路素子の出力端子を前記液晶パネルに配設さ
れた信号線に接続する液晶表示装置の製造方法におい
て、前記駆動用集積回路素子の実装前の前記液晶パネル
の組立ての際に、前記液晶パネル側に形成された前記信
号線の前記駆動用集積回路素子に対する各接続端子を短
絡導体により短絡接続し、前記液晶パネルの組立てが完
了した後に前記短絡導体を切り離し、前記駆動用集積回
路を実装するものである。
【００１３】請求項２記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、半導体スイッチで液晶を駆動
する液晶パネルの少なくとも１組の対向する辺にそれぞ
れ駆動用集積回路素子を実装し、この駆動用集積回路素
子の出力端子を前記液晶パネルに配設された信号線に接
続するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
において、前記駆動用集積回路素子の実装前の液晶パネ
ルの組立て工程の際に、前記液晶パネル側に形成された
前記信号線の前記駆動用集積回路素子に対する各接続端
子および前記半導体スイッチの各接続端子を短絡導体に
より短絡接続し、前記液晶パネルの組立てが完了した後
に前記短絡導体を切り離し、前記駆動用集積回路素子を
実装するものである。
晶表示装置の製造方法は、半導体スイッチで液晶を駆動
する液晶パネルの少なくとも１組の対向する辺にそれぞ
れ駆動用集積回路素子を実装し、この駆動用集積回路素
子の出力端子を前記液晶パネルに配設された信号線に接
続するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
において、前記駆動用集積回路素子の実装前の液晶パネ
ルの組立て工程の際に、前記液晶パネル側に形成された
前記信号線の前記駆動用集積回路素子に対する各接続端
子および前記半導体スイッチの各接続端子を短絡導体に
より短絡接続し、前記液晶パネルの組立てが完了した後
に前記短絡導体を切り離し、前記駆動用集積回路素子を
実装するものである。
【００１４】
【作用】請求項１記載の液晶表示装置の製造方法は、駆
動用集積回路素子を実装する以前の液晶パネル組立時で
は、各信号線を駆動用集積回路素子への接続端子を短絡
導体により短絡したので、製造工程途中での静電気によ
る影響をなくすことができる。また、短絡導体による短
絡部分は、液晶パネルの組立が完了し駆動用集積回路素
子を実装するときに切り離し、駆動用集積回路素子を実
装可能とする。
動用集積回路素子を実装する以前の液晶パネル組立時で
は、各信号線を駆動用集積回路素子への接続端子を短絡
導体により短絡したので、製造工程途中での静電気によ
る影響をなくすことができる。また、短絡導体による短
絡部分は、液晶パネルの組立が完了し駆動用集積回路素
子を実装するときに切り離し、駆動用集積回路素子を実
装可能とする。
【００１５】請求項２記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、駆動用集積回路素子を実装する以前の液
晶パネル組立時では、各信号線を駆動用集積回路素子へ
の接続端子および半導体スイッチの接続端子を短絡導体
により短絡したので、製造工程途中での静電気による影
響をなくすことができる。また、短絡導体による短絡部
分は、液晶パネルの組立が完了し駆動用集積回路素子を
実装するときに切り離し、駆動用集積回路素子を実装可
能とする。
晶表示装置は、駆動用集積回路素子を実装する以前の液
晶パネル組立時では、各信号線を駆動用集積回路素子へ
の接続端子および半導体スイッチの接続端子を短絡導体
により短絡したので、製造工程途中での静電気による影
響をなくすことができる。また、短絡導体による短絡部
分は、液晶パネルの組立が完了し駆動用集積回路素子を
実装するときに切り離し、駆動用集積回路素子を実装可
能とする。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１７】なお、図６に示す従来例に対応する部分に
は、同一符号を付して説明する。
は、同一符号を付して説明する。
【００１８】図２に示すように、少なくとも１組の対向
する２辺に集積回路素子として駆動用大規模集積回路
（Large-Scale Integrated：ＬＳＩ）チップ12を設けた
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用したものと
して説明する。
する２辺に集積回路素子として駆動用大規模集積回路
（Large-Scale Integrated：ＬＳＩ）チップ12を設けた
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用したものと
して説明する。
【００１９】ここで、アクティブマトリクス型液晶表示
装置のアレイ基板側の液晶パネルの構造は、図２で示す
ように、ガラス等の透明な絶縁基板11の枠線で囲まれた
表示領域11a 内に、複数の走査線Ａ1 〜Ａm と複数のデ
ータ線Ｂ1 〜Ｂn とが図示しない絶縁膜を介して互いに
直交状態で形成されており、これら走査線Ａ1 〜Ａmと
データ線Ｂ1 〜Ｂn との各交点には薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）などの半導体スイッ
チＣ11〜Ｃmnが設けられている。そして、これら各半導
体スイッチＣ11〜Ｃmnは、ゲート電極が走査線Ａ1 〜Ａ
m の対応するものと接続し、ドレイン電極はデータ線Ｂ
1 〜Ｂn の対応するものと接続し、ソース電極は走査線
Ａ1 〜Ａm とデータ線Ｂ1 〜Ｂn との各交点ごとに設け
られた図示しない画素電極の対応するものと接続してい
る。
装置のアレイ基板側の液晶パネルの構造は、図２で示す
ように、ガラス等の透明な絶縁基板11の枠線で囲まれた
表示領域11a 内に、複数の走査線Ａ1 〜Ａm と複数のデ
ータ線Ｂ1 〜Ｂn とが図示しない絶縁膜を介して互いに
直交状態で形成されており、これら走査線Ａ1 〜Ａmと
データ線Ｂ1 〜Ｂn との各交点には薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）などの半導体スイッ
チＣ11〜Ｃmnが設けられている。そして、これら各半導
体スイッチＣ11〜Ｃmnは、ゲート電極が走査線Ａ1 〜Ａ
m の対応するものと接続し、ドレイン電極はデータ線Ｂ
1 〜Ｂn の対応するものと接続し、ソース電極は走査線
Ａ1 〜Ａm とデータ線Ｂ1 〜Ｂn との各交点ごとに設け
られた図示しない画素電極の対応するものと接続してい
る。
【００２０】また、各信号線、すなわち複数の走査線Ａ
1 〜Ａm と複数のデータ線Ｂ1 〜Ｂn とには駆動用大規
模集積回路チップ12が設けられるが、液晶表示装置の高
画質・高精細化すなわち画素の微細化、大容量化に伴
い、駆動用大規模集積回路チップ12の周波数特性などの
能力の問題から、駆動用大規模集積回路チップ12を、図
示のように少なくとも１組の対向する２辺にそれぞれ設
置し、信号線となるデータ線Ｂ1 〜Ｂn に対して、信号
供給端が交互に反対側となるように構成する。
1 〜Ａm と複数のデータ線Ｂ1 〜Ｂn とには駆動用大規
模集積回路チップ12が設けられるが、液晶表示装置の高
画質・高精細化すなわち画素の微細化、大容量化に伴
い、駆動用大規模集積回路チップ12の周波数特性などの
能力の問題から、駆動用大規模集積回路チップ12を、図
示のように少なくとも１組の対向する２辺にそれぞれ設
置し、信号線となるデータ線Ｂ1 〜Ｂn に対して、信号
供給端が交互に反対側となるように構成する。
【００２１】さらに、駆動用大規模集積回路チップ12の
実装は、液晶パネルとしての組立てが完了してからであ
るが、各駆動用大規模集積回路チップ12の実装箇所に、
図１で示すように、この駆動用大規模集積回路チップ12
への接続端子15，16を信号線の形成時に形成しておく。
駆動用大規模集積回路チップ12の実装位置12a は、図１
において２点鎖線で示すように矩形形状であり、周囲３
辺に信号線への出力端子が設けられ、残りの１辺に入力
端子が設けられている。したがって、各信号線である走
査線Ａ1 〜Ａm またはデータ線Ｂ1 〜Ｂn の駆動用大規
模集積回路チップ12との接続端子15は、周囲３辺に設け
られた出力端子に対応して配置され、駆動用大規模集積
回路チップ12への信号供給用の接続端子16は、残りの１
辺に設けられた入力端子に対応して設けられる。
実装は、液晶パネルとしての組立てが完了してからであ
るが、各駆動用大規模集積回路チップ12の実装箇所に、
図１で示すように、この駆動用大規模集積回路チップ12
への接続端子15，16を信号線の形成時に形成しておく。
駆動用大規模集積回路チップ12の実装位置12a は、図１
において２点鎖線で示すように矩形形状であり、周囲３
辺に信号線への出力端子が設けられ、残りの１辺に入力
端子が設けられている。したがって、各信号線である走
査線Ａ1 〜Ａm またはデータ線Ｂ1 〜Ｂn の駆動用大規
模集積回路チップ12との接続端子15は、周囲３辺に設け
られた出力端子に対応して配置され、駆動用大規模集積
回路チップ12への信号供給用の接続端子16は、残りの１
辺に設けられた入力端子に対応して設けられる。
【００２２】これら接続端子15，16のうち、走査線Ａ1
〜Ａm またはデータ線Ｂ1 〜Ｂn 用の接続端子15は、駆
動用大規模集積回路チップ12の下面を覆うように形成さ
れた短絡導体17により全て短絡接続される。この短絡導
体17は、各駆動用大規模集積回路チップ12毎に設けられ
ており、それぞれ他の駆動用大規模集積回路チップ12用
の短絡導体17との接続線17a を一体に有する。
〜Ａm またはデータ線Ｂ1 〜Ｂn 用の接続端子15は、駆
動用大規模集積回路チップ12の下面を覆うように形成さ
れた短絡導体17により全て短絡接続される。この短絡導
体17は、各駆動用大規模集積回路チップ12毎に設けられ
ており、それぞれ他の駆動用大規模集積回路チップ12用
の短絡導体17との接続線17a を一体に有する。
【００２３】そして、アレイ側基板となる絶縁基板11
は、対向電極が形成されている図示しない別の基板と組
み合わされ、互いに間隙を保って対向するように組立て
られ、間隙に液晶が封入され、偏光板が張り付けられ
る。
は、対向電極が形成されている図示しない別の基板と組
み合わされ、互いに間隙を保って対向するように組立て
られ、間隙に液晶が封入され、偏光板が張り付けられ
る。
【００２４】上述した半導体スイッチＣ11〜Ｃmn等の形
成工程を含む液晶パネルの組立工程では、工程途中に静
電気が発生するが、走査線Ａ1 〜Ａm およびデータ線Ｂ
1 〜Ｂn の各信号線は、全て短絡導体17により短絡され
ているので、静電気の影響を受けることはなく、半導体
スイッチＣ11〜Ｃmnの破壊や特性不良の発生を防止する
ことができる。
成工程を含む液晶パネルの組立工程では、工程途中に静
電気が発生するが、走査線Ａ1 〜Ａm およびデータ線Ｂ
1 〜Ｂn の各信号線は、全て短絡導体17により短絡され
ているので、静電気の影響を受けることはなく、半導体
スイッチＣ11〜Ｃmnの破壊や特性不良の発生を防止する
ことができる。
【００２５】このようにして液晶パネルとしての組立が
完了した後、図３で示すように短絡導体17の各接続端子
15近くの部分を、レーザ等によりそれぞれ切断して切断
部17b を形成する。レーザの場合、接続端子15を焼き切
ることになるので、その時に発生する熱および電荷を逃
がすように構成した方が好ましい。そして、短絡導体17
を切断した後は、図４で示すように、駆動用大規模集積
回路チップ12を、その出力端子および入力端子が各接続
端子15，16の対応するものと重なるように位置決めし、
実装する。この実装作業により、各走査線Ａ1 〜Ａm お
よびデータ線Ｂ1 〜Ｂn は対応する駆動用大規模集積回
路チップ12との接続状態になり、液晶表示装置として構
成される。
完了した後、図３で示すように短絡導体17の各接続端子
15近くの部分を、レーザ等によりそれぞれ切断して切断
部17b を形成する。レーザの場合、接続端子15を焼き切
ることになるので、その時に発生する熱および電荷を逃
がすように構成した方が好ましい。そして、短絡導体17
を切断した後は、図４で示すように、駆動用大規模集積
回路チップ12を、その出力端子および入力端子が各接続
端子15，16の対応するものと重なるように位置決めし、
実装する。この実装作業により、各走査線Ａ1 〜Ａm お
よびデータ線Ｂ1 〜Ｂn は対応する駆動用大規模集積回
路チップ12との接続状態になり、液晶表示装置として構
成される。
【００２６】実装状態において、図４で示すように切り
離された短絡導体17は、実装された駆動用大規模集積回
路チップ12のたとえば能動面、表面あるいは配線パター
ンなどの底面を覆うことになり、液晶表示装置としての
使用状態において、図５に示すバックライト18からの光
を駆動用大規模集積回路チップ12に対して遮光する。し
たがって、駆動用大規模集積回路チップ12は、バックラ
イト18からの光の影響をほとんど受けないので、長期間
使用しても特性が劣化することはなく、安定した性能を
維持することができる。
離された短絡導体17は、実装された駆動用大規模集積回
路チップ12のたとえば能動面、表面あるいは配線パター
ンなどの底面を覆うことになり、液晶表示装置としての
使用状態において、図５に示すバックライト18からの光
を駆動用大規模集積回路チップ12に対して遮光する。し
たがって、駆動用大規模集積回路チップ12は、バックラ
イト18からの光の影響をほとんど受けないので、長期間
使用しても特性が劣化することはなく、安定した性能を
維持することができる。
【００２７】図４は、シンプルマトリクス型液晶表示装
置に適用した実施例を示している。シンプルマトリクス
型の液晶パネルは、図で示すように、ガラス等の絶縁基
板21，22に信号線として行電極Ａ、列電極Ｂを配置して
おり、これら行電極Ａ、列電極Ｂにはそれぞれ駆動用大
規模集積回路チップ12が接続される。この駆動用大規模
集積回路チップ12の接続のために、設置位置12b に行電
極Ａ、列電極Ｂ毎に駆動用大規模集積回路チップ12との
接続端子15と、駆動用大規模集積回路チップ12への信号
供給用の接続端子16とを形成する。そして、これら接続
端子15，16のうち、行電極Ａ、列電極Ｂ用の接続端子15
を、各駆動用大規模集積回路チップ12毎に設けた短絡導
体17により短絡接続している。
置に適用した実施例を示している。シンプルマトリクス
型の液晶パネルは、図で示すように、ガラス等の絶縁基
板21，22に信号線として行電極Ａ、列電極Ｂを配置して
おり、これら行電極Ａ、列電極Ｂにはそれぞれ駆動用大
規模集積回路チップ12が接続される。この駆動用大規模
集積回路チップ12の接続のために、設置位置12b に行電
極Ａ、列電極Ｂ毎に駆動用大規模集積回路チップ12との
接続端子15と、駆動用大規模集積回路チップ12への信号
供給用の接続端子16とを形成する。そして、これら接続
端子15，16のうち、行電極Ａ、列電極Ｂ用の接続端子15
を、各駆動用大規模集積回路チップ12毎に設けた短絡導
体17により短絡接続している。
【００２８】なお、シンプルマトリクス型では駆動用大
規模集積回路チップ12が実装される絶縁基板21，22がフ
ロント側とリア側とに分れているため、他の辺との短絡
接続は行わず、各実装箇所毎に短絡接続を行う。
規模集積回路チップ12が実装される絶縁基板21，22がフ
ロント側とリア側とに分れているため、他の辺との短絡
接続は行わず、各実装箇所毎に短絡接続を行う。
【００２９】上記実施例の場合も、行電極Ａ、列電極Ｂ
がそれぞれ短絡接続されているため、基板21，22上での
パターン形成工程や、基板21，22の組立工程中に発生す
る静電気の影響を受けることはなく、表示部の帯電不良
を防ぐことができる。
がそれぞれ短絡接続されているため、基板21，22上での
パターン形成工程や、基板21，22の組立工程中に発生す
る静電気の影響を受けることはなく、表示部の帯電不良
を防ぐことができる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置の製造方法
によれば、少なくとも１組の対向する２辺に駆動用集積
回路素子を直接実装する構成であっても、製造工程途中
では駆動用集積回路素子の各信号線を短絡して、静電気
による影響をなくしているので、特性不良、あるいは、
表示器としての帯電不良等を防止して製造歩留まりを向
上させることができる。
によれば、少なくとも１組の対向する２辺に駆動用集積
回路素子を直接実装する構成であっても、製造工程途中
では駆動用集積回路素子の各信号線を短絡して、静電気
による影響をなくしているので、特性不良、あるいは、
表示器としての帯電不良等を防止して製造歩留まりを向
上させることができる。
【００３１】請求項２記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法によれば、少なくとも１組の対向
する２辺に駆動用集積回路素子を直接実装する構成であ
っても、製造工程途中では駆動用集積回路素子および半
導体スイッチの各信号線を短絡して、静電気による影響
をなくしているので、半導体スイッチの破壊、特性不
良、あるいは、表示器としての帯電不良等を防止して製
造歩留まりを向上させることができる。
晶表示装置の製造方法によれば、少なくとも１組の対向
する２辺に駆動用集積回路素子を直接実装する構成であ
っても、製造工程途中では駆動用集積回路素子および半
導体スイッチの各信号線を短絡して、静電気による影響
をなくしているので、半導体スイッチの破壊、特性不
良、あるいは、表示器としての帯電不良等を防止して製
造歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例に使用する駆動用大規模集積回路素子の接続部を示す
平面図である。
例に使用する駆動用大規模集積回路素子の接続部を示す
平面図である。
【図２】同上アクティブマトリクス型の液晶表示装置に
おけるアレイ側基板の構成例を示す平面図である。
おけるアレイ側基板の構成例を示す平面図である。
【図３】図１で示す部分の短絡導体を切り離した状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】同上シンプルマトリクス型の液晶表示装置に適
用した場合を説明する平面図である。
用した場合を説明する平面図である。
【図５】図３で示す短絡導体を切り離した部分に駆動用
大規模集積回路を実装した状態を示す部分側面図であ
る。
大規模集積回路を実装した状態を示す部分側面図であ
る。
【図６】従来例の液晶表示素子を示す平面図である。
12 集積回路素子として駆動用大規模集積回路（Larg
e-Scale Integrated：ＬＳＩ）チップ 15，16 接続端子 17 短絡導体 Ａ1 〜Ａm ，Ｂ1 〜Ｂn 信号線
e-Scale Integrated：ＬＳＩ）チップ 15，16 接続端子 17 短絡導体 Ａ1 〜Ａm ，Ｂ1 〜Ｂn 信号線
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶パネルの少なくとも１組の対向する
辺にそれぞれ駆動用集積回路素子を実装し、この駆動用
集積回路素子の出力端子を前記液晶パネルに配設された
信号線に接続する液晶表示装置の製造方法において、 前記駆動用集積回路素子の実装前の前記液晶パネルの組
立ての際に、前記液晶パネル側に形成された前記信号線
の前記駆動用集積回路素子に対する各接続端子を短絡導
体により短絡接続し、 前記液晶パネルの組立てが完了した後に前記短絡導体を
切り離し、前記駆動用集積回路を実装することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体スイッチで液晶を駆動する液晶パ
ネルの少なくとも１組の対向する辺にそれぞれ駆動用集
積回路素子を実装し、この駆動用集積回路素子の出力端
子を前記液晶パネルに配設された信号線に接続するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、 前記駆動用集積回路素子の実装前の液晶パネルの組立て
工程の際に、前記液晶パネル側に形成された前記信号線
の前記駆動用集積回路素子に対する各接続端子および前
記半導体スイッチの各接続端子を短絡導体により短絡接
続し、 前記液晶パネルの組立てが完了した後に前記短絡導体を
切り離し、前記駆動用集積回路素子を実装することを特
徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30941591A JPH05142507A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 液晶表示装置およびアクテイブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30941591A JPH05142507A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 液晶表示装置およびアクテイブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142507A true JPH05142507A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17992732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30941591A Pending JPH05142507A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 液晶表示装置およびアクテイブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142507A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947982B2 (en) | 1995-05-31 | 2011-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor matrix device including a plurality of thin film transistors arranged on the substrate |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30941591A patent/JPH05142507A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947982B2 (en) | 1995-05-31 | 2011-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor matrix device including a plurality of thin film transistors arranged on the substrate |
| US7947983B2 (en) | 1995-05-31 | 2011-05-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor matrix device including first and second conducting connections formed outside an image display region |
| US8258513B2 (en) | 1995-05-31 | 2012-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor matrix device including first and second connection lines |
| US8592816B2 (en) | 1995-05-31 | 2013-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor matrix device including first and second connection lines |
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