JPH05140145A - 環状化合物，その製造方法およびそれからなる有機エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱安定性に優れ、青色系エレクトロルミネッ
センス発光が可能とする新規な環状化合物，その製造方
法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素
子を開発すること。 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² およびＡｒは明細書に記載の通りで
ある。）で表される環状化合物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、環状化合物，その製造
方法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス
素子（有機ＥＬ素子）に関し、詳しくは、熱安定性に優
れ、青色系ＥＬ発光が可能とする新規な環状化合物，そ
の製造方法およびそれからなる有機ＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＥＬ素
子は、自己発光のため視認性が高く、また完全固体素子
であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、
現在、無機，有機化合物を発光層に用いた様々なＥＬ素
子が提案され、実用化が試みられている。このうち、有
機薄膜ＥＬ素子は、印加電圧を大幅に低下させることが
できるため、各種材料が開発されつつある。例えば、特
開昭５９−１９４３９３号公報には２５Ｖ以下の低電圧
印加で高輝度を発現する有機薄膜ＥＬ素子が開示されて
いる。この有機ＥＬ素子は、陽極／正孔注入層／発光層
／陰極とした積層型のものであるが、電極間の膜厚が１
μｍ以下のものであることが必要であり、そのため発光
層に用いる化合物によってはピンホールが生じやすく、
生産性が低いという問題があるとともに、発光層にテト
ラフェニルブタジエンを用いた実施例では青色発光にお
ける発光効率が著しく小さい。また、欧州特許公開第０
２８１３８１号公報によれば、陽極／正孔注入輸送帯／
発光帯域／陰極とした積層型のものが開示されている。
ここで発光帯域は、ホスト物質（host material)とホス
ト物質内の微量の蛍光物質（fluorescent material) よ
りなる薄膜から構成されたものである。しかし、ここに
開示されたＥＬ素子は、緑色〜赤色領域の発光に関して
は、高出力を低電圧の印加で達成できるものの、青色発
光は実現できない。

【０００３】さらに、米国特許第４６７２２６５号明細
書，同第４７２５５１３号明細書，同第４７３４３３８
号明細書，同第４７４１９７６号明細書，同第４７７５
８２０号明細書及び特開昭６１−３７８９０号公報など
には、電子受容性の電気的発光性化合物よりなる発光層
と電子供与性の電気的発光性化合物よりなる発光層の二
層の積層を基本構成として含む積層構造の有機ＥＬ素子
が開示されている。ここで電気的発光性化合物は、高い
発光量子効率を有するとともに、外部摂動を受けやすい
π電子系を有し、電気的励起が可能な化合物である。し
かしこれらにおいては、発光層は２層とすることが必須
であり、この２層の界面付近における２層を形成する電
子供与性化合物と受容性化合物の励起錯体の形成に代表
される各種相互作用による発光であり、界面の状態に発
光性能は大きく依存するため、作製条件が難しく、界面
の劣化による発光の減少が著しい。

【０００４】また、米国特許第４６７２２６５号明細書
及び同第４７２５５１３号明細書における有機ＥＬ素子
は、２層の発光層のうち少なくとも１層はＬＢ法による
分子累積膜であり、この分子累積膜に用いられる長鎖ア
ルキル鎖は耐熱温度が１００℃程度であるので、熱に弱
い（高分子学会誌 36, 267(1987)）。従って対向電極
の蒸着時に、上記の分子累積膜等が損傷を受け素子の歩
留りは悪いものとなる。さらにこれに関する重要な欠点
は、長鎖アルキル鎖は一般に移動度が著しく小さいため
に、電荷の移動性を著しく疎外することであり、これに
より、この素子の発光性能は充分でなく実用性に欠け
る。米国特許第４７３４３３８号明細書，同第４７４１
９７６号明細書，同第４７７５８２０号明細書には、絶
縁層を付加した発光層２層構成が開示されているが、同
様に電荷の移動性が疎外される理由で、発光性能は充分
でなく、実用性に欠ける。なお、ジスチリルベンゼン誘
導体単独を発光層として用いたものとしては、特開平１
−２４５０８７号公報に開示されている。ここで示され
る有機ＥＬ素子は、発光層だけの単層型のものであり、
発光強度や発光効率も単層型としては良好であるが、実
用的には未だ改善の余地があった。

【０００５】また、欧州特許公開第０３７３５８２号公
報では、新規なジスチリルベンゼン誘導体である発光材
料を用いることにより、高輝度な青色発光の有機ＥＬ素
子を得ているが、実用的な発光効率を得ることができて
おらず、最近では、低電圧，高輝度及び高効率の有機Ｅ
Ｌ素子が報告されている（第５１回応用物理学会，学術
講演会，予稿集１２０４頁，JSAP, Co, No. AP901125-0
0及び同発表）が、未だ実用的な発光効率( 0.８ルーメ
ン／Ｗ以上）には至っていなかった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、ジケトン化
合物とビスホスホン酸エステルをカップリングして得ら
れる環状化合物を用いることにより上記問題を解決でき
ることを見出した。

【０００７】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、一般式（Ｉ）

【０００８】

【化４】

【０００９】（式中、Ｒ¹ およびＲ² はそれぞれ炭素数
１〜６のアルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜
２０のアリール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシ
ル基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あ
るいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ基また
は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここで、置換基
は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキ
シ基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル
基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これら
の置換基は単一でも複数でもよい。また、Ｒ¹ およびＲ
² は同一でも、また互いに異なっていてもよい。Ａｒは
置換あるいは無置換の炭素数１０〜２０のアリーレン基
を表わし、単一置換されていても、複数置換されていて
もよく、また結合部位は、オルト，パラあるいはメタの
いずれでもよい。なお、置換基は前記と同じである。）
で表される環状化合物を提供するものである。また、一
般式（II）

【００１０】

【化５】

【００１１】（式中、Ｒ¹ およびＲ² は前記と同じであ
る。）で表されるジケトン化合物と、一般式（III)

【００１２】

【化６】

【００１３】（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基あ
るいはフェニル基を示す。Ａｒは前記と同じである。）
で表されるビスホスホン酸エステルとを、塩基存在下で
カップリングさせることを特徴とする上記環状化合物の
製造方法を提供するものである。さらに、上記環状化合
物を用いた有機ＥＬ素子を提供するものである。

【００１４】本発明の環状化合物は、上記一般式（Ｉ）
で表されるものである。式中、Ｒ¹ およびＲ² はそれぞ
れ炭素数１〜６のアルキル基（例えば、メチル基，エチ
ル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル
基，ｉ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基，
ｉ−ペンチル基，ｔ−ペンチル基，ネオペンチル基，ｎ
−ヘキシル基，ｉ−ヘキシル基等），置換あるいは無置
換の炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル
基，ビフェニル基，ナフチル基，ターフェニル基，アン
トリル基，ピレニル基，ペリレニル基等），置換あるい
は無置換のシクロヘキシル基または炭素数１〜６のアル
コキシ（例えば、例えば、メトキシ基，エトキシ基，プ
ロポキシ基，ｉ−プロポキシ基，ブチルオキシ基，ｉ−
ブチルオキシ基，ｓｅｃ−ブチルオキシ基，ｉ−ペンチ
ルオキシ基，ｔ−ペンチルオキシ基，ｎ−ヘキシルオキ
シ基等）基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜６のア
ルキル基（例えば、メチル基，エチル基，ｎ−プロピル
基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，ｓ
ｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基，ｉ−ペンチル基，ｔ−
ペンチル基，ネオペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｉ−ヘ
キシル基等），炭素数１〜６のアルコキシ基（例えば、
メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ｉ−プロポキ
シ基，ブチルオキシ基，ｉ−ブチルオキシ基，ｓｅｃ−
ブチルオキシ基，ｉ−ペンチルオキシ基，ｔ−ペンチル
オキシ基，ｎ−ヘキシルオキシ基等），フェニル基，ニ
トロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。Ａｒは置換あ
るいは無置換の炭素数１０〜２０のアリーレン基（例え
ば、ナフチレン基，ビフェニレン基，ターフェニレン基
等）を表わし、単一置換されていても、複数置換されて
いてもよく、また結合部位は、オルト，パラまたはメタ
いずれでもよい。なお置換基は前記と同じである。）で
表される環状化合物を提供するものである。また、上記
一般式（Ｉ）で表される環状化合物は、一分子中に下記
式Ａ，Ｂで表される２つのビニル基を有する。

【００１５】

【化７】

【００１６】この部位の幾何異性にはトランス体とシス
体が存在するが、本発明の環状化合物はいずれでもよく
幾何異性体の混合したものでもよい。好ましくは、全て
トランス体の環状化合物である。ここで、上記一般式
（Ｉ）で表される環状化合物の具体例としては、次の式
（１）〜（１８）等が挙げられる。

【００１７】

【化８】

【００１８】

【化９】

【００１９】

【化１０】

【００２０】

【化１１】

【００２１】

【化１２】

【００２２】

【化１３】

【００２３】

【化１４】

【００２４】

【化１５】

【００２５】

【化１６】

【００２６】

【化１７】

【００２７】

【化１８】

【００２８】

【化１９】

【００２９】

【化２０】

【００３０】

【化２１】

【００３１】

【化２２】

【００３２】

【化２３】

【００３３】

【化２４】

【００３４】

【化２５】

【００３５】本発明の一般式（Ｉ）の環状化合物を製造
する方法は種々あるが、好ましいものとして前述の一般
式（III)で表わされるビスホスホン酸エステルと一般式
（II）で表わされるジケトンとを、カップリング（縮合
反応）させる方法が挙げられる。ここで一般式（III)中
のＡｒは、製造すべき環状化合物のＡｒに対応する。ま
た、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル
基，エチル基，プロピル基，ブチル基）及びフェニル基
である。このビスホスホン酸エステルは、公知の方法、
例えばＡrbsov 反応：つまり、一般式 ＸＨ₂ Ｃ−Ａｒ−ＣＨ₂ Ｘ 〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒは前記と同じで
ある。〕で表わされる芳香族ビスハロメチル化合物と、
一般式 (ＲＯ)₃Ｐ 〔式中Ｒは前記と同じである。〕で表わされる亜リン酸
トリアルキルまたは亜リン酸トリフェニルを反応させる
ことにより得ることができる。

【００３６】また、一般式（II）のジケトンにおいて、
Ｒ¹ およびＲ² は、製造すべき環状化合物（一般式
（Ｉ））のＲ¹ およびＲ² に対応して選定される。一般
式（III)のビスホスホン酸エステルと一般式（II）のジ
ケトンとのカップリングは、様々な条件で進行させるこ
とができる。ここで用いる反応溶媒としては、炭化水
素，アルコール類，エーテル類が良好である。具体的に
は、メタノール；エタノール；イソプロパノール；ブタ
ノール；２−メトキシエタノール；１，２−ジメトキシ
エタン；ビス（２−メトキシエチル）エーテル；ジオキ
サン；テトラヒドロフラン；トルエン；キシレン；ジメ
チルスルホキシド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ
−メチルピロリドン；１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。中でもテトラヒドロフラ
ン，ジメチルスルホキシドが好適である。本発明のカッ
プリングは、塩基の存在下で進行する。ここで塩基は、
主にカップリング剤として作用するものであり、例えば
苛性ソーダ，苛性カリ，ナトリウムアミド，水素化ナト
リウム，ｎ−ブチルリチウム、さらにはナトリウムメチ
ラート及びカリウム−ｔ−ブチラート等のアルコラート
が、適宜用いられる。中でもｎ−ブチルリチウム，カリ
ウム−ｔ−ブトキシドが好適である。反応温度は、用い
る反応原料の種類や他の条件により異なり、一義的に定
めることはできないが、通常は約０℃〜約１００℃まで
広範囲に選択することができる。特に好ましくは０℃〜
３０℃の範囲である。このようにして得られる環状化合
物は、蒸着温度まで加熱しても、分解や変質することな
く、均一な微結晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、
ピンホールが生成しないという長所がある。

【００３７】このようにして得られた本発明の前記一般
式（Ｉ）で表される環状化合物は、ＥＬ素子における発
光材料または正孔注入材料として有効である。この環状
化合物を発光層とする場合は、例えば蒸着法，スピンコ
ート法，キャスト法などの公知の方法によって、一般式
（Ｉ）の化合物を薄膜化してことにより形成することが
できるが、特に分子堆積膜とすることが好ましい。ここ
で分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形
成された薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から
固体化され形成された膜のことであり、例えば蒸着膜な
どを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により形成さ
れた薄膜（分子累積膜）とは区別することができる。ま
た、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公報など
に開示されているように、樹脂などの結着剤と該化合物
とを、溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコ
ート法などにより薄膜化し、形成することができる。

【００３８】このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常５ｎｍないし５μｍの範囲で選定され
る。このＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時
に、陽極又は正孔注入層により正孔を注入することがで
き、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することが
できる注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を
電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再
結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる
発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやす
さと、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、
正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があっても
よいが、どちらか一方の電荷を移動することが好まし
い。この発光層に用いる前記一般式（Ｉ）で表される化
合物は、一般にイオン化エネルギーが6.０ｅＶ程度より
小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、
比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は2.８ｅＶ
程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物を
選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子，正孔の輸
送能力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強いた
め、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔の
再結晶時に形成された励起状態を光に変換する能力が大
きい。

【００３９】本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極（陽
極と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれ
ばよい。介在方法としては、ポリマーへの混ぜ込みや同
時求着がある。具体的には（１）陽極／発光層／陰極，
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極，（３）陽極／
正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極，（４）陽極／
発光層／電子注入層／陰極などの構成を挙げることがで
きる。該正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要では
ないが、これらの層があると発光性能が一段と向上す
る。また、前記構成の素子においては、いずれも基板に
支持されていることが好ましく、該基板については特に
制限はなく、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例え
ばガラス，透明プラスチック，石英などから成るものを
用いることができる。

【００４０】このＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ₂ ，ＺｎＯなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常１０ｎｍないし１μｍ，好ましくは１０〜
２００ｎｍの範囲で選ばれる。

【００４１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム／銅混合物，Ａｌ／ＡｌＯ₂ ，インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
ないし１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。

【００４２】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又
は（３）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔注
入輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽
極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、
この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入され
た電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の
障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効
率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。

【００４３】前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合
物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば１０⁴ 〜１０⁶ Ｖ／ｃ
ｍの電界印加時に、少なくとも１０^-6ｃｍ² ／（Ｖ・
秒）の正孔移動度をもつものが好適である。このような
正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有す
るものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料にお
いて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものやＥ
Ｌ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。

【００４４】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体（米国特許第３,1１２,1９７号明細書などに記
載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第３,1
８９,4４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾール
誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載のも
の）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３,6１
５,4０2 号明細書，同３,8２０,9８9 号明細書，同３,5
４２,5４4 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５
１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公
報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公
報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５
３号公報，同５６−３６６５６号公報などに記載のも
の）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特
許第３,1８０,7２9 号明細書，同４,2７８,7４6 号明細
書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８０６
５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−５１
０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６−８
８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５４−
１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報などに
記載のもの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第
３,6１５,4０4 号明細書，特公昭５１−１０１０５号公
報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公
報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５
３６号公報，同５４−１１９９２５号公報などに記載の
もの）、アリールアミン誘導体（米国特許第３,5６７,4
５0 号明細書，同３,1８０,7０3 号明細書，同３,2４
０,5９7 号明細書，同３,6５８,5２0 号明細書，同４,2
３２,1０3 号明細書，同４,1７５,9６1 号明細書，同
４,0１２,3７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号公
報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４２
５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−２
２４３７号公報，西独特許第１,1１０,5１8 号明細書な
どに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特
許第３,5２６,5０1 号明細書などに記載のもの）、オキ
サゾール誘導体（米国特許第３,2５７,2０3 号明細書な
どに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開
昭５６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フルオ
レノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報などに
記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３,7１
７,4６2 号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同
５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，
同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公
報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９
号公報などに記載されているもの）、スチルベル誘導体
（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４
５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２
２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３
６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−
３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０
−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同
６０−１７５０５２号公報などに記載のもの）などを挙
げることができる。

【００４５】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４,1２７,4１２号明細書，特開昭５３−
２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４
−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同
５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。

【００４６】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン；１，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（II）；１，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル
−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン；
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジア
ミン；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラ−ｐ−トリル−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス
（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニル
メタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フ
ェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（４−メトキシフェニル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフ
ェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ
−トリルアミン）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミ
ン）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルア
ミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキ
シ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。

【００４７】上記ＥＬ素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、

【００４８】

【化２６】

【００４９】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、

【００５０】

【化２７】

【００５１】などのチオピランジオキシド誘導体，

【００５２】

【化２８】

【００５３】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints)，ジャパン」第
３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）などに
記載のもの〕、あるいは

【００５４】

【化２９】

【００５５】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（J.Apply.Phys．）」第２７巻，
第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号
公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５１５
１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−１０
４０６１号公報などに記載のもの）、フレオレニリデン
メタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同６１
−１４３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公報な
どに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１−２
２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報などに
記載のもの）また、次の一般式（IV）又は（Ｖ）

【００５６】

【化３０】

【００５７】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ³ 及びＡｒ⁵ はそれ
ぞれ独立に置換又は無置換のアリール基を示し、Ａｒ⁴
は置換又は無置換のアリーレン基を示す。）で表される
電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基とし
てはフェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アントラ
ニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としてはフェニレン基，ナフチレン基，ビフェ
ニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン基，ピレ
ニレン基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数
１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコキシ基
又はシアノ基等が挙げられる。この一般式（IV）又は
（Ｖ）で表される化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。一般式（IV）又は（Ｖ）で表される化合物の具体例
としては、

【００５８】

【化３１】

【００５９】

【化３２】

【００６０】

【化３３】

【００６１】等が挙げられる。

【００６２】「Appl.Phys.Lett. 」第５５巻、第１４８
９ページ（１９８９年）に開示されているオキサジアゾ
ール誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入
層及び電子注入層は電化の注入性，輸送性，障壁性のい
ずれかを有する層であり、上記した有機材料の他にＳｉ
系，ＳｉＣ系，ＣｄＳ系などの結晶性ないし非結晶性材
料などの無機材料を用いることもできる。有機材料を用
いた正孔注入層及び電子注入層は発光層と同様にして形
成することができ、無機材料を用いた正孔注入層及び電
子注入層は真空蒸着法やスパッタリングなどにより形成
できるが、有機及び無機のいずれの材料を用いた場合で
も発光層のときと同様の理由から真空蒸着法により形成
することが好ましい。

【００６３】次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成さ
せ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法として
は、例えばスピンコート法，キャスト法，蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材
料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条
件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類，分子
堆積膜の目的とする結晶構造，会合構造などにより異な
るが、一般にボート加熱温度５０〜４００℃，真空度１
０^-5〜１０^-3Ｐａ，蒸着速度0.０１〜５０ｎｍ／ｓｅ
ｃ，基板温度−５０〜＋３００℃，膜厚５ｎｍないし５
μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層
の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ
以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になる
ように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が
得られる。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製
順序を逆にして、陰極，発光層，陽極の順に作製するこ
とも可能である。

【００６４】また、一対の電極間に正孔注入材料，発光
材料，電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持させ
発光層とした、陽極／発光層／陰極からなる素子の場合
の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽極用
物質からなる薄膜を形成し、正孔注入材料，発光材料，
電子注入材料，ポリビニルカルバゾール等の結着剤等か
らなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸漬塗工法
により薄膜を形成させ発光層とし、その上に陰極用物質
からなる薄膜を形成させるものがある。ここで、作製し
た発光層上に、さらに発光層の材料となる素子材料を真
空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させ
てもよい。あるいは、正孔注入材料，電子注入材料およ
び発光材料を同時蒸着させ発光層とし、その上に陰極用
物質からなる薄膜を形成させてもよい。

【００６５】次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極か
ら成るＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物から成る薄膜をスピンコート
法などにより形成し、正孔注入層を設ける。この際の条
件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じればよい。
次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極を、
前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極，発光層，
正孔注入層，陽極の順に作製することも可能である。さ
らに、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極か
ら成るＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、前
記のＥＬ素子の作製の場合と同様にして、陽極，正孔注
入層，発光層を順次設けたのち、この発光層の上に、電
子伝達化合物から成る薄膜をスピンコート法などにより
形成して、電子注入層を設け、次いでこの上に、陰極を
前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陽極，電子注入
層，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製してもよい。

【００６６】このようにして得られた本発明の有機ＥＬ
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極
を−の極性として電圧１〜３０Ｖ程度を印加すると、発
光が透明又は半透明の電極側より観測できる。また、逆
の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋，陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。

【００６７】

【実施例】次に本発明を、参考例，実施例及び比較例に
よりさらに詳しく説明する。 参考例１ （ビスホスホン酸エステルの製造）４，４’−ビス（ブ
ロモメチル）ビフェニル9.０ｇと亜リン酸トリエチル１
１ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、温度１４０℃で
６時間加熱攪拌を行った。その後、過剰の亜リン酸トリ
エチル及び副生した臭化エチルを減圧留去した。一晩放
置後、白色結晶9.５ｇ（収率８０％）を得た。このもの
の融点は９7.０〜１０0.０℃であった。また、プロトン
核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭＲ）分析の結果は以下の通りで
ある。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.０〜7.６ppm （ｍ；８Ｈ，ビフェニレン基−Ｈ） δ＝4.０ppm （ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−Ｃ
Ｈ₂ ) δ＝3.１ppm （ｄ；４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ（³¹Ｐ− ¹Ｈカ
ップリング）Ｐ−ＣＨ₂ ） δ＝1.３ppm （ｔ；１２Ｈ，エトキシ基メチル−Ｃ
Ｈ₃ ) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表わされる
ビスホスホン酸エステルであることが確認された。

【００６８】

【化３４】

【００６９】参考例２ ｐ−クロロ安息香酸クロライドの合成 ｐ−クロロ安息香酸７６ｇ（0.４８６モル），ピリジン
0.３ミリリットル，塩化チオニル１５０ミリリットルの
混合物を攪拌しながらゆっくり昇温し、４５〜６０℃で
カルボン酸が無くなる迄反応した。カルボン酸が無くな
った時点で減圧蒸留して、橙黄色液体８６ｇを得た。上
記化学反応を下記に記す。

【００７０】

【化３５】

【００７１】ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル−４−
クロロベンゼンの合成 無水塩化アルミニウム６４ｇ（0.４８モル），塩化メチ
レン２００ミリリットルを室温で攪拌しながらで得ら
れたｐ−クロロ安息香酸クロライド８４ｇ（0.４８モ
ル）を滴下した。生成した茶色溶液に、ｔｅｒｔ−ブチ
ルベンゼン７６ｇ（0.５６７モル）を滴下した。滴下終
了後、３０分で酸クロライドは無くなっていたのを確認
して、反応液を氷水中に投入し、イソプロピルエタノー
ルで抽出した。油層を希塩酸で洗浄し、希重曹水で洗
浄，水洗，無水硫酸ソーダで乾燥後、エバポレートして
１４５ｇの粘性液体を得た。これは、室温で放置すると
結晶化した。得られた粘性液体をシリカゲルカラムを用
いて精製し、８５ｇの微黄色固体を得た。上記化学反応
を下記に記す。

【００７２】

【化３６】

【００７３】１，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゾイルフェノキシ）ベンゼンの合成ハイドロキノン１
５ｇ（0.１３６モル），水酸化カリウム１5.３ｇ（0.２
７３モル），水７０ミリリットルからなる溶液を減圧蒸
留で水を除き、次いで１２０℃の減圧乾燥機で１５時間
乾燥後、参考例１で得られたｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゾイル−４−クロロベンゼン８０ｇ（0.２９４モ
ル），ポリエチレングリコル（ＰＥＧ−６０００）1.３
ｇ，ジメチルスルホキサイド１５０ミリリットルを加え
１５０℃で４１時間加熱攪拌した。この反応液を冷却
後、水７００ミリリットルを加え濾過し、シリカゲルカ
ラムで精製した。得られた淡黄色固体をヘキサンで再結
晶すると２２ｇの白色結晶が得られた。この白色結晶の
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）純度は、９9.
６％，融点は１９２〜１９３℃であった。また、 ¹Ｈ−
ＮＭＲ分析の結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.９ppm （ｍ；２０Ｈ，芳香環−Ｈ） δ＝1.３ppm （ｓ；１８Ｈ，ｔ−ブチル基−Ｈ) さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₄₀Ｈ₃₈Ｏ₄ として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８2.１７％（８2.４５％） Ｈ：6.４９％（6.５７％） Ｎ：0.００％（０％） また、マススペクトル測定より ｍ／Ｚ＝５８２ が得られた。以上の結果から、上述の生成物は、下記式
で表わされる環状化合物であることが確認された。上記
化学反応を下記に記す。

【００７４】

【化３７】

【００７５】実施例１ 三口フラスコに参考例１で得られたビスホスホン酸エス
テル1.５ｇ（0.００３モル）と参考例２で得られたジ
ケトン2.０ｇ（0.００３モル）を、ジメチルスルホキシ
ド１００ミリリットルに溶解させ、カリウム−ｔ−ブト
キシド0.８ｇ（0.００７モル）を加え、室温にて攪拌し
た。その結果得られた溶液は直ちに赤茶色を呈した。そ
のまま５時間室温で攪拌した後、析出した結晶を濾過し
た。得られた結晶にクロロホルムを加え、クロロホルム
可溶分についてカラム精製（展開溶媒に塩化メチレンを
用いたシリカゲルカラム）を行った結果、淡黄色粉末0.
５ｇを得た（収率２５％）。得られた生成物の融点は３
００℃以上であった。また、 ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の結果は
以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.４ppm （ｍ；３０Ｈ，芳香環−Ｈ，＝Ｃ＝
ＣＨ−） δ＝1.３ppm （ｓ；１８Ｈ，ｔ−ブチル基−Ｈ) さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₅₄Ｈ₄₈Ｏ₂ として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８9.３５％（８8.９７％） Ｈ：6.８１％（6.６４％） Ｎ：0.００％（０％） また、マススペクトル測定より ｍ／Ｚ＝７２８ が得られた。以上の結果から、上述の生成物は、前記式
（２）で表わされる環状化合物であることが確認され
た。

【００７６】実施例２ 参考例１で得られたビスホスホン酸エステルの代わりに
３，３’−ジメチルビフェニレンのホスホン酸エステル
を用い、参考例２で得られたジケトンの代わりにトリ
ルジケトンを用いた以外は、実施例１と同様に操作した
結果、淡黄色粉末0.７ｇを得た（収率３１％）。得られ
た生成物の融点は３００℃以上であった。また、 ¹Ｈ−
ＮＭＲ分析の結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.４ppm （ｍ；２８Ｈ，芳香環−Ｈ，＝Ｃ＝
ＣＨ−） δ＝2.２ppm （ｓ；６Ｈ，中心ビフェニレン基−Ｈ） δ＝1.３ppm （ｓ；１８Ｈ，ｔ−ブチル基−ＣＨ₃ ) さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₅₆Ｈ₅₂Ｏ₂ （分子量：
７５7.０３）として以下の通りである。なお括弧内は理
論値である。 Ｃ：８9.１５％（８8.８５％） Ｈ：7.３１％（6.９２％） Ｎ：0.００％（０％） また、マススペクトル測定より ｍ／Ｚ＝７５６ が得られた。以上の結果から、上述の生成物は、前記式
（３）で表わされる環状化合物であることが確認され
た。

【００７７】実施例３ 参考例１で得られたビスホスホン酸エステルの代わりに
ターフェニレンのホスホン酸エステルを用い、参考例２
で得られたジケトンの代わりにトリルジケトンを用い
た以外は、実施例１と同様に操作した結果、淡黄色粉末
0.８５ｇを得た（収率３９％）。得られた生成物の融点
は３００℃以上であった。また、 ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の結
果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.４ppm （ｍ；３４Ｈ，芳香環−Ｈ，＝Ｃ＝
ＣＨ−） δ＝1.３ppm （ｓ；６Ｈ，ｔ−ブチル基−ＣＨ₃ ) さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₅₄Ｈ₄₀Ｏ₂ （分子量：
７２0.９１）として以下の通りである。なお括弧内は理
論値である。 Ｃ：９0.２１％（８9.９７％） Ｈ：5.８１％（5.５９％） Ｎ：0.００％（０％） また、マススペクトル測定より ｍ／Ｚ＝７２０ が得られた。以上の結果から、上述の生成物は、前記式
（９）で表わされる環状化合物であることが確認され
た。

【００７８】実施例４ 参考例１で得られたビスホスホン酸エステルの代わりに
２，６−ナフチレンのホスホン酸エステルを用い、参考
例２で得られたジケトンの代わりに２−ナフチルジケ
トンを用いた以外は、実施例１と同様に操作した結果、
淡黄色粉末0.７６ｇを得た（収率３７％）。得られた生
成物の融点は３００℃以上であった。また、 ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ分析の結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.８ppm （ｍ；３４Ｈ，芳香環−Ｈ，＝Ｃ＝
ＣＨ−） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₅₂Ｈ₃₄Ｏ₂ （分子量：
６９0.８４）として以下の通りである。なお括弧内は理
論値である。 Ｃ：９0.８１％（９0.４１％） Ｈ：5.１５％（4.９６％） Ｎ：0.００％（０％） また、マススペクトル測定より ｍ／Ｚ＝６９０ が得られた。以上の結果から、上述の生成物は、前記式
（１３）で表わされる環状化合物であることが確認され
た。

【００７９】実施例５ 参考例１で得られたビスホスホン酸エステルの代わりに
３，３’−ジクロロフェニレンのホスホン酸エステルを
用い、参考例２で得られたジケトンの代わりにビフェ
ニルジケトンを用いた以外は、実施例１と同様に操作し
た結果、淡黄色粉末1.０ｇを得た（収率４０％）。得ら
れた生成物の融点は３００℃以上であった。また、 ¹Ｈ
−ＮＭＲ分析の結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.６ppm （ｍ；３８Ｈ，芳香環−Ｈ，＝Ｃ＝
ＣＨ−） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₅₈Ｈ₃₈Ｏ₂ Ｃｌ₂ （分
子量：８３7.８４）として以下の通りである。なお括弧
内は理論値である。 Ｃ：８3.５１％（８3.１５％） Ｈ：4.７３％（4.５７％） Ｎ：0.００％（０％） また、マススペクトル測定より ｍ／Ｚ＝８３７ が得られた。以上の結果から、上述の生成物は、前記式
（６）で表わされる環状化合物であることが確認され
た。

【００８０】実施例６ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄を行っ
た後、イソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さら
にＵＶオゾン洗浄装置（サムコインターナショナル社
製）にて洗浄を行った。この透明支持基板を乾燥窒素ガ
スで乾燥させ、市販の蒸着装置（日本真空技術（株）
製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートに正孔注入層の材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３
−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，
１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を
２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製ボートに発光層
の材料として前記式（２）で表される化合物を２００ｍ
ｇ入れ、また別のモリブデン製ボートに電子注入材料
（ｔ−ＢｕＰＢＤ：同仁化学研究所製（Butyl-PBD ）を
２００ｍｇ入れて真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧し
た。その後、ＴＰＤ入りの前記ボートを２２０℃まで加
熱し、透明支持基板を構成するＩＴＯ膜上に0.１〜0.７
ｎｍ／秒の蒸着速度でＴＰＤを堆積させ、膜厚５０ｎｍ
の正孔注入層を製膜した。このときの基板温度は室温で
あった。次いで、これを真空槽より取り出すことなく、
正孔注入層上に、もう一つのボートより式（２）で表さ
れる化合物を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。この
ときのボート温度は３６０℃、蒸着速度は0.１〜0.３ｎ
ｍ／秒、基板温度は室温であった。次いで、発光層上
に、もう一つのボートよりｔ−ＢｕＰＢＤを電子注入層
として積層蒸着した。このときのボート温度は１６０
℃、蒸着速度は0.１〜0.４ｎｍ／秒、基板温度は室温で
あった。次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボン３ｇを入れ、また別のタングステン製の抵抗
加熱フィラメントにインジウムを５００ｍｇを装着し
た。その後、真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧し、上記
ボートを５００℃程度に加熱しマグネシウムを蒸着速度
４〜５ｎｍ／秒、同時にもう一方のボートも８００℃程
度に加熱しインジウムを蒸着速度0.２〜0.３ｎｍ／秒で
蒸着した。このようにして、マグネシウムとインジウム
の混合金属電極を発光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向
電極とした。この混合金属電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽
極として直流7.５Ｖを印加した結果、電流が2.１ｍＡ／
ｃｍ² 程度流れ、ピーク波長４７５ｎｍのＢｌｕｅの均
一光を得た。分光測定の結果、発光輝度は８８ｃｄ／ｍ
² であった。

【００８１】実施例７ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄を行っ
た後、イソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さら
にＵＶオゾン洗浄装置（サムコインターナショナル社
製）にて洗浄を行った。この透明支持基板を乾燥窒素ガ
スで乾燥させ、市販の蒸着装置（日本真空技術（株）
製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートに正孔注入層の材料として、ＴＰＤを２００ｍｇ入
れ、また別のモリブデン製ボートに発光層の材料として
前記式（３）で表される化合物を２００ｍｇ入れ、また
別のモリブデン製ボートに電子注入材料（ｔ−ＢｕＰＢ
Ｄ）を２００ｍｇ入れて真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減
圧した。その後、ＴＰＤ入りの前記ボートを２２０℃ま
で加熱し、透明支持基板を構成するＩＴＯ膜上に0.１〜
0.７ｎｍ／秒の蒸着速度でＴＰＤを堆積させ、膜厚５０
ｎｍの正孔注入層を製膜した。このときの基板温度は室
温であった。次いで、これを真空槽より取り出すことな
く、正孔注入層上に、もう一つのボートより式（３）で
表される化合物を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。
このときのボート温度は３６０℃、蒸着速度は0.１〜0.
３ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。次いで、発光層
上に、もう一つのボートよりｔ−ＢｕＰＢＤを電子注入
層として積層蒸着した。このときのボート温度は１６０
℃、蒸着速度は0.１〜0.４ｎｍ／秒、基板温度は室温で
あった。次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボン３ｇを入れ、また別のタングステン製の抵抗
加熱フィラメントにインジウムを５００ｍｇを装着し
た。その後、真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧し、上記
ボートを５００℃程度に加熱しマグネシウムを蒸着速度
４〜５ｎｍ／秒、同時にもう一方のボートも８００℃程
度に加熱しインジウムを蒸着速度0.２〜0.３ｎｍ／秒で
蒸着した。このようにして、マグネシウムとインジウム
の混合金属電極を発光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向
電極とした。この混合金属電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽
極として直流7.５Ｖを印加した結果、電流が７０ｍＡ／
ｃｍ² 程度流れ、ピーク波長４８６ｎｍのＧｒｅｅｎｉ
ｓｈＢｌｕｅの均一光を得た。分光測定の結果、発光輝
度は７５ｃｄ／ｍ² であった。

【００８２】実施例８ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄を行っ
た後、イソプロピルアルコールに浸漬して洗浄し、さら
にＵＶオゾン洗浄装置（サムコインターナショナル社
製）にて洗浄を行った。この透明支持基板を乾燥窒素ガ
スで乾燥させ、市販の蒸着装置（日本真空技術（株）
製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートに正孔注入層の材料として前記式（３）で表される
化合物を２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製ボート
に発光層の材料として

【００８３】

【化３８】

【００８４】で表されるトリス（８−キノリノール）ア
ルミニウム（Ａｌｑ₃ ）を２００ｍｇ入れ、また別のモ
リブデン製ボートに電子注入材料（ｔ−ＢｕＰＢＤ）を
２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧し
た。その後、式（３）で表される化合物入りの前記ボー
トを３５０℃まで加熱し、透明支持基板を構成するＩＴ
Ｏ膜上に0.１〜0.７ｎｍ／秒の蒸着速度で堆積させ、膜
厚５０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このときの基板温
度は室温であった。次いで、これを真空槽より取り出す
ことなく、正孔注入層上に、もう一つのボートよりＡｌ
ｑ₃ を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。このときの
ボート温度は２８５℃、蒸着速度は0.１〜0.２ｎｍ／
秒、基板温度は室温であった。次いで、発光層上に、も
う一つのボートよりｔ−ＢｕＰＢＤを電子注入層として
積層蒸着した。このときのボート温度は１６０℃、蒸着
速度は0.１〜0.４ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。
次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のタングステン製の抵抗加熱フィ
ラメントにインジウムを５００ｍｇを装着した。その
後、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧し、上記ボートを
５００℃程度に加熱しインジウムを蒸着速度0.１ｎｍ／
秒、同時にもう一方のボートも８００℃程度に加熱しマ
グネシウムを蒸着速度1.７〜2.８ｎｍ／秒で蒸着した。
このようにして、マグネシウムとインジウムの混合金属
電極を発光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とし
た。この混合金属電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽極として
直流１０Ｖを印加した結果、電流が１００ｍＡ／ｃｍ²
程度流れ、発光波長域が４５０〜７００ｎｍでピーク波
長５５０ｎｍのＧｒｅｅｎの均一光を得た。分光測定の
結果、発光輝度は８００ｃｄ／ｍ² であった。得られた
発光は、Ａｌｑ₃ の蛍光と一致することより、前記式
（３）で表される化合物により陽極から正孔が発光層で
あるＡｌｑ₃ へ注入され、その注入された正孔が陰極か
ら注入された電子と再結合した結果、ＥＬ発光が生じて
いると考えられる。この発光は、低電圧でかつ極めて安
定していた。

【００８５】

【発明の効果】以上の如く、本発明の環状化合物を用い
たＥＬ素子は耐熱性に優れ、かつ青色発光を可能とし
た。従って、本発明は、発光材料，正孔注入材料，蛍光
色素及び電子写真の輸送層として、様々な工業分野にお
いて利用することができる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² はそれぞれ炭素数１〜６のアル
   キル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリー
   ル基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あ
   るいは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無置換
   の炭素数６〜１８のアリールオキシ基または炭素数１〜
   ６のアルコキシ基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜
   ６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数
   ６〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，ニトロ基，
   水酸基あるいはハロゲンを示す。これらの置換基は単一
   でも複数でもよい。また、Ｒ¹ およびＲ² は同一でも、
   また互いに異なっていてもよい。Ａｒは置換あるいは無
   置換の炭素数１０〜２０のアリーレン基を表わし、単一
   置換されていても、複数置換されていてもよく、また結
   合部位は、オルト，パラあるいはメタのいずれでもよ
   い。なお、置換基は前記と同じである。）で表される環
   状化合物。
2. 【請求項２】 Ｒ¹ およびＲ² は互いに等しく、かつ置
   換あるいは無置換のフェニル基，置換あるいは無置換の
   ナフチル基，置換あるいは無置換のビフェニル基，置換
   あるいは無置換のアリールオキシ基，置換あるいは無置
   換のシクロヘキシル基，または置換あるいは無置換のピ
   リジル基を示し、Ａｒが置換あるいは無置換のナフチレ
   ン基，置換あるいは無置換のビフェニレン基，または置
   換あるいは無置換のテーフェニレン基（ただし、置換基
   は、前記と同じである。）を示すものである請求項１の
   環状化合物。
3. 【請求項３】 一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は前記と同じである。）で表さ
   れるジケトン化合物と、一般式（III) 【化３】 （式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基あるいはフェニ
   ル基を示す。Ａｒは前記と同じである。）で表されるビ
   スホスホン酸エステルとを、塩基存在下でカップリング
   させることを特徴とする請求項１記載の環状化合物の製
   造方法。
4. 【請求項４】 請求項１記載の環状化合物を陽極と陰極
   との間に挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス素
   子。
5. 【請求項５】 請求項１記載の環状化合物を発光材料と
   する有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 【請求項６】 請求項１記載の環状化合物を正孔注入材
   料とする有機エレクトロルミネッセンス素子。