JPH05138928A - イオンフロー静電記録ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は誘電体層、シリコーン系接着剤層およ
び第２電極と絶縁体層との密着性を高めて絶縁体層の膜
厚を均一化するとともに、誘電体層および第２電極と絶
縁体層との間への空隙の発生を防止し、かつ絶縁体層の
破れを防止して正しくドット潜像を形成し、画像品質向
上を図ることを最も主要な特徴とする。 【構成】少なくとも第２電極６および誘電体層４上にシ
ランカップリング剤層７を形成する前処理工程を設け、
この前処理された誘電体層４および第２電極６の表面上
に絶縁体層８を形成したことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は例えば静電式の印刷や複
写を行なう静電記録装置で使用されるイオンフロー静電
記録ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、例えば静電印刷等において、高
電流密度のイオンを発生させ、これを抽出して選択的に
被帯電部材に付与して、この被帯電部材を画像状に帯電
させる静電記録装置が知られている。

【０００３】この静電記録装置に用いられるイオンフロ
ー静電記録ヘッドは誘電体層とその誘電体層の一方の側
に固着され、第１の方向に伸びる複数の第１電極と、誘
電体層の他方の側に固着され、第１電極の伸び方向と交
差する方向に伸びる複数の第２電極とを有し、複数の第
１電極と複数の第２電極とでマトリックスを構成する。
そして、この第２電極のマトリックスと対応する部位に
はイオン発生用の開口部が形成されている。

【０００４】また、第２電極の第１電極と反対側には第
３電極が配設されている。この第３電極と第２電極との
間には絶縁体層が配設されている。これらの絶縁体層お
よび第３電極には第２電極の開口部と対応する開口部が
形成されており、これらの開口部によってイオン流通過
口が形成されている。

【０００５】そして、第１電極と第２電極との間のマト
リックスの選択された部分に対応する第１電極と第２電
極との間に交互に高電圧を印加することにより、その部
分に対向する第２電極の開口部近傍に正・負のイオンが
発生する。

【０００６】また、第２電極と第３電極との間にはバイ
アス電圧が印加され、その極性によって決まるイオンの
みが発生したイオンから選択的に抽出され、イオン流通
過口を通過し、第３電極と対向配置される被帯電部材を
部分的に帯電させることができる。したがって、マトリ
ックス構造の電極を選択的に駆動することにより、ドッ
トによる静電記録を行なうことができる。

【０００７】ここで、使用される誘電体層および絶縁体
層を形成する物質はイオン抽出のために印加される高電
圧でも絶縁破壊しないことが要求される。また、誘電体
層はイオンを効率よく発生させ、絶縁破壊にも耐えられ
る程度の厚さが必要になるため、高い誘電率を持つもの
が適している。

【０００８】さらに、誘電体層に第２電極を接着する接
着剤としては高電圧印加によって発生する熱に耐えるこ
とができる程度の耐熱性、誘電体層と第２電極との熱膨
張率の差によって発生する応力に耐えられる程度の可撓
性、さらにイオンフロー静電記録ヘッドの組立工程時に
作用する引っ張り剪断力に耐えられる程度に強い接着
力、イオン発生による放電に強い耐コロナ放電性等の条
件を備えたものが要求される。

【０００９】そこで、例えば、特開平２−１５３７６０
号公報ではこのイオンフロー静電記録ヘッドの誘電体層
の材料としてシリコーン変性ポリエステルアルキド樹脂
中に酸化チタンの粉末を分散させたものを使用してい
る。

【００１０】また、イオンフロー静電記録ヘッドの第２
電極の材料としてはステンレス鋼が使用され、この第２
電極を誘電体層に固着する接着剤としては粘着剤である
シリコーン系の感圧接着剤が用いられている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】特開平２−１５３７６
０号公報のように第２電極を誘電体層に固着する接着剤
としてシリコーン系の感圧接着剤を使用した場合には粘
着力のみで第２電極を誘電体層に固着するようになって
いた。

【００１２】しかしながら、シリコーン系の感圧接着剤
は剥離力には強いが、剪断力には弱いという特性がある
ので、このシリコーン系の粘着剤を第２電極を誘電体層
に固着する接着剤として使用した場合にはイオンフロー
静電記録ヘッドの組立工程時に作用する引っ張り剪断力
や、１００℃前後程度の熱加工時の熱、或いは使用中の
イオン発生現象による８０℃程度の発熱を受けた際に十
分に耐えることができない問題がある。そのため、第１
電極と第２電極との間に位置ずれが発生し、このイオン
フロー静電記録ヘッドを用いて画像を形成する場合に画
像品質が低下する問題があった。

【００１３】そこで、シリコーン系の粘着剤よりも接着
力が大きく、熱的にも強いシリコーン系接着剤を用いて
第２電極を誘電体層に固着するように改良された方法が
近年開発されている。

【００１４】また、絶縁体層にはエポキシ系のドライフ
ィルムフォトイメージソルダーマスクが使用されてい
る。そして、このドライフィルムフォトイメージソルダ
ーマスクを真空ラミネートにより、シリコーン系接着
剤、誘電体層および第２電極に張り合わせることによ
り、絶縁体層が成形されるようになっている。

【００１５】しかしながら、このエポキシ系のドライフ
ィルムフォトイメージソルダーマスクはシリコーン系接
着剤、誘電体層および第２電極との密着性が低いので、
真空ラミネートによる張り合わせ時にドライフィルムフ
ォトイメージソルダーマスクが誘電体層の表面および第
２電極の表面の形状に追従することができない問題があ
る。そのため、絶縁体層の膜厚が不均一になったり、絶
縁体層が誘電体層の表面および第２電極の表面に密着せ
ず、これらの間に空隙が発生する問題があった。さら
に、ドライフィルムフォトイメージソルダーマスクのラ
ミネート後の硬化・現像時にも硬化収縮により破れが発
生する問題があった。

【００１６】また、絶縁体層の膜厚が不均一になった場
合にはイオンを被帯電部材上に正しく導くことが困難に
なるので、被帯電部材上に正しくドット潜像を形成する
ことができず、画質が低下する問題があった。なお、ド
ライフィルムフォトイメージソルダーマスクの硬化・現
像時に絶縁体層の破れが発生した場合にはイオンを発生
できなくなる問題があった。

【００１７】さらに、絶縁体層と誘電体層との間に空隙
が発生した場合には誘電体層と第２電極との間で放電現
象が起こり、誘電体層が損傷するか、絶縁体層が発火、
炭化してイオンを発生できなくなる問題があった。

【００１８】本発明は上記事情に着目してなされたもの
で、その目的は、誘電体層の表面、シリコーン系接着剤
層の表面および第２電極の表面と絶縁体層との密着性を
高めて絶縁体層の膜厚を均一化することができるととも
に、誘電体層の表面および第２電極の表面と絶縁体層表
面との間に空隙が発生することを防止し、かつ絶縁体層
の破れを防止してイオンを確実に発生させ、イオンを被
帯電部材上に正しく導き、被帯電部材上に正しくドット
潜像を形成して画像品質の向上を図ることができるイオ
ンフロー静電記録ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基板上に同
方向に略直線状に延設され、略平行に並設される複数の
第１電極を形成する第１電極形成工程と、誘電体ペース
トを前記絶縁基板および前記第１電極上に塗布したの
ち、硬化させて前記誘電体層を形成する誘電体層形成工
程と、この誘電体層上に前記第１電極の延設方向と異な
る方向に延設され、前記第１電極とともにマトリックス
を構成し、かつこのマトリックスと対応する部位に開口
部が形成された複数の第２電極をシリコーン系接着剤を
介して固着する第２電極固着工程と、少なくとも前記第
２電極および前記誘電体層上にシランカップリング剤を
塗布し、シランカップリング剤層を形成する前処理工程
と、この前処理された前記誘電体層および第２電極の表
面上に前記絶縁体層を形成する絶縁体層形成工程と、前
記絶縁体層における前記マトリックスと対応する部位に
イオン流通過用の開口部を形成するイオン流通過口形成
工程と、前記マトリックスと対応する部位にイオン流通
過用の開口部が形成された第３電極を前記絶縁体層の上
に積層する第３電極積層工程とを具備したものである。

【００２０】

【作用】上記方法によれば、誘電体層および第２電極上
に形成されたシランカップリング剤層のエトキシ基、メ
トキシ基およびシラノール基が誘電体層、シリコーン系
接着剤および第２電極の表面の無機化合物と化学結合
し、シランカップリング剤層のエポキシ基およびアミノ
基が絶縁体層のエポキシ基と化学結合して誘電体層、シ
リコーン系接着剤および第２電極と絶縁体層との密着性
が向上することにより、誘電体層、シリコーン系接着剤
および第２電極と絶縁体層との間の空隙の発生を防止
し、不規則な放電による誘電体層の損傷、絶縁体層の発
火・炭化を防止してイオンを確実に発生させるようにし
たものである。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例について図１乃
至図３を参照して説明する。図１（Ａ），（Ｂ）は静電
記録装置で使用されるイオンフロー静電記録ヘッド１の
要部の概略構成を示すもので、２はイオンフロー静電記
録ヘッド１の絶縁基板である。

【００２２】この絶縁基板２上にはイオン発生用の複数
の第１電極３…が設けられている。これらの複数の第１
電極３…は一方向に向けて略平行に並設されている。ま
た、絶縁基板１上には第１電極３…の並設面側にこれら
の第１電極３…を埋設する状態で誘電体層４が設けられ
ている。

【００２３】また、誘電体層４の表面には接着剤層５を
介して複数の第２電極６…が接着されている。この場
合、複数の第２電極６…は誘電体層４における絶縁基板
２とは反対側の面に第１電極３…と交差する方向に並設
されており、第１電極３…と第２電極６…とによってマ
トリックスが構成されている。そして、第２電極６…に
はこのマトリックスと対応する部位にそれぞれイオン発
生用の開口部６ａ…が形成されている。

【００２４】さらに、第２電極６…上および第２電極６
のパターン間の誘電体層４、接着剤層５上にはシランカ
ップリング剤が塗布され、シランカップリング剤層７が
形成されている。

【００２５】また、誘電体層４の第２電極６…の並設面
側にはシランカップリング剤層７上に第２電極６…を埋
設する状態で絶縁体層８が設けられている。この絶縁体
層８には第２電極６…の各開口部６ａ…と対応する部位
に開口部８ａ…が形成されている。

【００２６】さらに、絶縁体層８の表面には帯状の第３
電極９が設けられている。この第３電極９には第１電極
３…と第２電極６…とのマトリックスと対応する部位に
開口部９ａ…が形成されている。この第３電極９の開口
部９ａ…は絶縁体層８の開口部８ａ…および第２電極６
…の開口部６ａ…と連通されてイオンフロー静電記録ヘ
ッド１のイオン流通過口１０…が形成されている。

【００２７】そして、イオンフロー静電記録ヘッド１の
動作時には印字信号にもとづいて第１電極３…と第２電
極６…との間のマトリックスが適宜選択され、選択され
たマトリックス部分に対応する第１電極３…と第２電極
６…との間に交流電圧が印加される。これにより、選択
されたマトリックス部分に対応する第２電極６…の開口
部６ａ…内の近傍部位に正負イオンが発生する。このと
き、第２電極６…と第３電極９との間にはバイアス電圧
が印加され、その極性によって決まるイオンのみが第２
電極６…の開口部６ａ…内の近傍部位に発生したイオン
から抽出される。そして、抽出されたイオンは絶縁体層
８の開口部８ａおよび第３電極９の開口部９ａ…を通過
し、図示しない誘電体ドラムを局部的に帯電させる。し
たがって、第１電極３…および第２電極６…の選択的駆
動により、誘電体ドラム上にドット潜像を形成すること
ができる。

【００２８】次に、図１（Ａ），（Ｂ）のイオンフロー
静電記録ヘッド１の製造方法について詳細に説明する。
まず、絶縁基板２上に第１電極３…が形成される（第１
電極形成工程）。この場合、絶縁基板２は例えば厚さ５
０μｍ程度のポリイミドフレキシブル絶縁基板（ＦＰ
Ｃ）が使用される。そして、この絶縁基板２上に厚さ９
μｍの銅箔が貼着されたのち、エッチング加工でパター
ニングし、第１電極３…が形成される。

【００２９】また、絶縁基板２上に第１電極３…を形成
した後、絶縁基板２上の第１電極３のパターン間および
第１電極３…上に誘電体層４が形成される（誘電体層形
成工程）。この誘電体層４の形成時には予め例えば酸化
チタンをフィラーとし、付加型変性シリコーン系樹脂を
バインダーとした誘電体ペーストを作成する。

【００３０】この誘電体ペーストは絶縁基板２上の第１
電極３のパターン間および第１電極３…上に例えばスク
リーン印刷等の手段によって塗布される。続いて、塗布
された誘電体ペーストを乾燥後、加熱硬化させ、例えば
厚さ３３μｍの誘電体層４が形成される。

【００３１】次に、図２に示すように誘電体層４の表面
上および絶縁基板２上にトルエンとシクロヘキサンで５
倍に希釈されたシリコーン系接着剤、例えば『ＴＳＥ−
３２２１』（東芝シリコーン社商品名）をディッピング
により塗布して接着剤層５を形成する。ここで、シリコ
ーン系接着剤、トルエンおよびシクロヘキサンの希釈時
の重量比は１：２：２である。

【００３２】さらに、接着剤層５の形成後、室温で２０
分間保持し、トルエンおよびシクロヘキサンを揮発・乾
燥させる。なお、シリコーン系接着剤は乾燥後の接着剤
層５の厚さが４μｍになるように塗布する。

【００３３】また、第２電極６…は、予め例えば厚さ３
３μｍのステンレス箔に第２電極６…およびこの第２電
極６の開口部６ａ…のパターンをパターニングして形成
される。

【００３４】そして、第２電極６…およびこの第２電極
６の開口部６ａ…のパターンが形成された電極板におけ
る誘電体層４との接合面が接着剤層５を介して誘電体層
４および絶縁基板２の表面に複数の第１電極３…と第２
電極６…の開口部６ａ…とが対応するように第２電極６
…が誘電体層４上に配置された状態で被せられ、１２０
℃で加熱圧着して仮硬化される（第２電極固着工程）。

【００３５】次に、第２電極６…、誘電体層４および絶
縁基板２上にシランカップリング剤を塗布し、図３に示
すようにシランカップリング剤層７を形成する前処理工
程が行なわれる。

【００３６】この前処理工程ではエタノールで１重量％
に希釈したシランカップリング剤、例えば『ＫＢＭ６０
３』（信越化学工業社商品名）をスプレーまたはディッ
ピングによって第２電極６…、誘電体層４および絶縁基
板２に塗布する。ここで、塗布されたシランカップリン
グ剤層７は室温で３０分間放置し、エタノールを揮発・
乾燥させる。続いて、接着剤層５およびシランカップリ
ング剤層７を１２０℃で６０分間加熱硬化させる。

【００３７】次に、この前処理された第２電極６とこの
第２電極６の開口部６ａ内の誘電体層４および接着剤層
５の表面上に絶縁体層８を形成する絶縁体層形成工程が
行なわれる。

【００３８】この絶縁体層形成工程では前処理された第
２電極６とこの第２電極６の開口部６ａ内の誘電体層４
および接着剤層５が絶縁体層８を形成する例えば厚さが
５８μｍのエポキシ系の水溶性フォトイメージソルダー
マスク、例えば『ｃｏｎｆｏｒ−ＭＡＳＫ ２０２３』
（モートン・ダイナケム社商品名）で真空ラミネートさ
れる。

【００３９】その後、この絶縁フィルムに露光、現像等
のフォトエッチング処理を施して図３に示すように複数
の第２電極６…の開口部６ａ…と対応したイオン流通過
用の開口部８ａを形成する（イオン流通過口形成工
程）。

【００４０】さらに、絶縁体層８が形成されたイオンフ
ロー静電記録ヘッド１の積層体は続いてシリコーン溶解
剤、例えば『ダイジェジルＮＣ』（東京材料社商品名）
に浸漬され、超音波洗浄されて絶縁体層８の開口部８ａ
…内に残るシランカップリング剤層７と接着剤層５とが
除去される。その後、処理済みの積層体は純水中に浸漬
され、シリコーン溶解剤が除去される。

【００４１】次に、このように形成された絶縁体層８の
上に例えば厚さ３０μｍ程度のステンレス箔に第２電極
６…の開口部６ａ…と対応した開口部９ａ…が形成され
た第３電極９が例えば接着等の手段で接合される（第３
電極積層工程）。この場合、第３電極９がその開口部９
ａ…を第２電極６…の開口部６ａ…と対応させた状態で
位置決めして重ね合わされることにより、イオンフロ−
静電記録ヘッド１が製造される。なお、絶縁体層８と第
３電極９とは粘着剤や両面テープで貼り合わせるか、第
３電極９を片面テープで絶縁体層８に押さえ付ける構成
にしてもよい。

【００４２】そこで、上記方法によればイオンフロ−静
電記録ヘッド１の製造時には誘電体層４の形成後、第２
電極６および誘電体層４上にシランカップリング剤を塗
布し、シランカップリング剤層７を形成する前処理工程
を設け、この前処理された誘電体層４および第２電極６
の表面上に絶縁体層８を形成したので、誘電体層４およ
び第２電極６上に形成されたシランカップリング剤層７
のエトキシ基、メトキシ基およびシラノール基を誘電体
層４、シリコーン系接着剤層５および第２電極６の表面
の無機化合物と化学結合させるとともに、シランカップ
リング剤層７のエポキシ基およびアミノ基を絶縁体層８
のエポキシ基と化学結合させることができる。

【００４３】そのため、このシランカップリング剤層７
を介して誘電体層４、シリコーン系接着剤層５および第
２電極６と絶縁体層８との間の密着性を向上させること
ができるので、従来に比べて絶縁体層８の膜厚を均一化
することができ、イオンを被帯電部材上に正しく導き、
被帯電部材上に正しくドット潜像を形成して画像品質の
向上を図ることができる。

【００４４】さらに、誘電体層８、シリコーン系接着剤
層５および第２電極６と絶縁体層８との間の空隙の発生
を防止することができるので、従来のように誘電体層４
と第２電極６との間で放電現象が発生することを防止し
て不規則な放電による誘電体層４の損傷、絶縁体層８の
発火・炭化を防止することができる。そのため、従来の
ようにイオン発生が不能になることを防止することがで
きるので、イオンを確実に発生させることができる。

【００４５】なお、この発明は上記第１の実施例に限定
されるものではない。例えば、次の第２の実施例のよう
に第２電極６…、誘電体層４および絶縁基板２上にシラ
ンカップリング剤を塗布し、シランカップリング剤層７
を形成する前処理工程の前にシランカップリング剤を塗
布を塗布する面に、光源として低圧水銀灯を用いた２５
４ｎｍ以下の低波長の紫外線を空気雰囲気下で５分間照
射してもよい。

【００４６】この場合も、上記第１の実施例と同様の効
果を得ることができるうえ、この場合には特に第２電極
６…のシランカップリング剤を塗布する面に、予め紫外
線を照射することにより、第２電極６…の表面の有機塵
埃を除去することができるとともに、水酸基・カルボキ
シル基・メトシル基等の極性基を表面に生成させること
ができるので、第２電極６…のシランカップリング剤を
塗布を塗布する面におけるシランカップリング剤に対す
る濡れ性を向上させることができる。そのため、第２電
極６…と絶縁体層８との密着性を一層向上させることが
できる。

【００４７】また、次の第３の実施例のように第１の実
施例の前処理によってシランカップリング剤層７が形成
された第２電極６とこの第２電極６の開口部６ａ内の誘
電体層４および接着剤層５をエポキシ系水溶性フォトイ
メージソルダーマスクで真空ラミネートする絶縁体層形
成工程の前に、予めシランカップリング剤層７の表面に
光源として低圧水銀灯を用いた２５４ｎｍ以下の低波長
の紫外線を空気雰囲気下で５分間照射してもよい。

【００４８】この場合も、上記第１の実施例と同様の効
果を得ることができるうえ、この場合には特に第２電極
６とこの第２電極６の開口部６ａ内の誘電体層４および
接着剤層５の上に形成されたシランカップリング剤層７
の表面に、予め紫外線を照射することにより、シランカ
ップリング剤層７の表面の官能機を酸化させて水酸基・
カルボキシル基・メトシル基等の極性基の量を増加させ
ることができるので、シランカップリング剤層７を介し
た誘電体層４、シリコーン系接着剤層５および第２電極
６と絶縁体層８との密着性を一層向上させることができ
る。

【００４９】また、次の第４の実施例のようにしてもよ
い。この実施例では誘電体層４、シリコーン系接着剤層
５および第２電極６…上にシランカップリング剤層７を
形成する前に、予め１２０℃、６０分間でシリコーン系
接着剤層５を加熱硬化させる。

【００５０】次に、第１の実施例と同様に誘電体層４お
よび第２電極６…上にシランカップリング剤層７を形成
した後、室温で３０分間放置し、エタノールを揮発・乾
燥させる。続いて、シランカップリング剤層７を１２０
℃で５分間加熱硬化させる。

【００５１】さらに、シランカップリング剤層７上に絶
縁体層８を形成し、この絶縁体層８に開口部８ａを形成
した後、絶縁体層８が形成されたイオンフロー静電記録
ヘッド１の積層体をシリコーン溶解剤に浸漬し、超音波
洗浄して絶縁体層８の開口部８ａ…内に残るシランカッ
プリング剤層７を除去する。その後、処理済みの積層体
は純水中に浸漬され、シリコーン溶解剤が除去される。

【００５２】したがって、誘電体層４、シリコーン系接
着剤層５および第２電極６と絶縁体層８との間にシラン
カップリング剤層７が介設されているので、この場合も
第１の実施例と同様に誘電体層４および第２電極６と絶
縁体層８との間の密着性を向上させることができる。

【００５３】また、第５の実施例では誘電体層４、シリ
コーン系接着剤層５および第２電極６…上にシランカッ
プリング剤層７を形成する前に、予め１２０℃、６０分
間でシリコーン系接着剤層５を加熱硬化したのち、続い
てシリコーン溶解剤に浸漬し、超音波洗浄して第２電極
６の開口部６ａ…内に残るシリコーン系接着剤層５を除
去する。その後、純水中に浸漬され、シリコーン溶解剤
が除去される。

【００５４】次に、第１の実施例と同様に誘電体層４お
よび第２電極６…上にシランカップリング剤層７を形成
する。さらに、このシランカップリング剤層７上に絶縁
体層８を形成し、この絶縁体層８に開口部８ａを形成し
た後、絶縁体層８が形成されたイオンフロー静電記録ヘ
ッド１の積層体をシリコーン溶解剤に浸漬し、超音波洗
浄して絶縁体層８の開口部８ａ…内に残るシランカップ
リング剤層７を除去する。その後、処理済みの積層体は
純水中に浸漬され、シリコーン溶解剤が除去される。

【００５５】したがって、誘電体層４および第２電極６
と絶縁体層８との間にシランカップリング剤層７が介設
されているので、この場合も第１の実施例と同様に誘電
体層４および第２電極６と絶縁体層８との間の密着性を
向上させることができる。

【００５６】また、第１の実施例では誘電体層４を形成
する誘電体ペーストとして酸化チタンをフィラーとし、
付加型変性シリコーン系ワニス樹脂をバインダーとした
ものを示したが、フィラーとなる誘電体粉末としてはチ
タン酸バリウム、ジルコン酸鉛等を用いることができ
る。

【００５７】さらに、第２電極６…、誘電体層４および
絶縁基板２上にシランカップリング剤を塗布し、シラン
カップリング剤層７を形成する前処理工程で使用される
シランカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等のエ
ポキシ基と化学反応するアミノ基を持ち、さらに無機材
料（誘電体層４、シリコーン系接着剤層５および第２電
極６）と化学反応するエトキシ基、メトキシ基およびシ
ラノール基を持つ各種シランカップリング剤が用いられ
る。

【００５８】また、シランカップリング剤層７の形成時
には水またはエタノールのような低級アルコールを希釈
溶剤として濃度が５重量％以下になるようにシランカッ
プリング剤を希釈し、スプレーまたはディッピングによ
って第２電極６…、誘電体層４および絶縁基板２に塗布
し、さらに希釈溶剤を乾燥させたのち、加熱硬化するよ
うにしている。さらに、その他この発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形実施できることは勿論である。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば少なくとも第２電極およ
び誘電体層上にシランカップリング剤を塗布し、シラン
カップリング剤層を形成する前処理工程を設け、この前
処理された誘電体層および第２電極の表面上に絶縁体層
を形成したので、誘電体層の表面、シリコーン系接着剤
層の表面および第２電極の表面と絶縁体層との密着性を
高めて絶縁体層の膜厚を均一化することができるととも
に、誘電体層の表面および第２電極の表面と絶縁体層表
面との間に空隙が発生することを防止し、かつ絶縁体層
の破れを防止してイオンを確実に発生させ、イオンを被
帯電部材上に正しく導き、被帯電部材上に正しくドット
潜像を形成して画像品質の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例を示すもので、（Ａ）は
イオンフロ−静電記録ヘッドの概略構成を示す要部の縦
断面図、（Ｂ）はイオンフロ−静電記録ヘッドの断面斜
視図。

【図２】 誘電体層上に接着剤層を設けた状態を示す要
部の縦断面図。

【図３】 絶縁体層形成工程を示す要部の縦断面図。

【符号の説明】

２…絶縁基板，３…第１電極，４…誘電体層，５…接着
剤層，６…第２電極，６ａ，８ａ，９ａ…開口部，７…
シランカップリング剤層，８…絶縁体層，９…第３電
極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に同方向に略直線状に延設さ
   れ、略平行に並設される複数の第１電極を形成する第１
   電極形成工程と、誘電体ペーストを前記絶縁基板および
   前記第１電極上に塗布したのち、硬化させて前記誘電体
   層を形成する誘電体層形成工程と、この誘電体層上に前
   記第１電極の延設方向と異なる方向に延設され、前記第
   １電極とともにマトリックスを構成し、かつこのマトリ
   ックスと対応する部位に開口部が形成された複数の第２
   電極をシリコーン系接着剤を介して固着する第２電極固
   着工程と、少なくとも前記第２電極および前記誘電体層
   上にシランカップリング剤を塗布し、シランカップリン
   グ剤層を形成する前処理工程と、この前処理された前記
   誘電体層および第２電極の表面上に前記絶縁体層を形成
   する絶縁体層形成工程と、前記絶縁体層における前記マ
   トリックスと対応する部位にイオン流通過用の開口部を
   形成するイオン流通過口形成工程と、前記マトリックス
   と対応する部位にイオン流通過用の開口部が形成された
   第３電極を前記絶縁体層の上に積層する第３電極積層工
   程とを具備したことを特徴とするイオンフロー静電記録
   ヘッドの製造方法。