JPH0513843A - Heat dissipating parts and semiconductor laser equipped with said heat dissipating parts - Google Patents
Heat dissipating parts and semiconductor laser equipped with said heat dissipating partsInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザー素子
の発熱を放散するための放熱部品および放熱部品を備え
た半導体レーザーの構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat dissipation component for dissipating heat generated by a semiconductor laser device and a structure of a semiconductor laser provided with the heat dissipation component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、光通信や光メモリなどの分野で半
導体レーザーの応用が急速に拡大している。これらの需
要に応じて、半導体レーザーは高出力化あるいは短波長
化のための技術開発が行なわれている。このような状況
下においては、半導体レーザー素子からの発熱量が増大
し、半導体レーザー素子の信頼性や寿命の低下といった
問題が生じてきた。このため半導体レーザー素子の発熱
を放散するために、高熱伝導性材料の放熱部品を用いた
半導体レーザーが使用され始めている。2. Description of the Related Art In recent years, applications of semiconductor lasers are rapidly expanding in the fields of optical communication and optical memories. In response to these demands, semiconductor lasers are being developed for higher output or shorter wavelength. Under such a situation, the amount of heat generated from the semiconductor laser element increases, and there has been a problem that the reliability and life of the semiconductor laser element are shortened. Therefore, in order to dissipate the heat generated by the semiconductor laser device, a semiconductor laser using a heat dissipation component made of a highly heat conductive material has begun to be used.
【０００３】図２は、従来の放熱部品を備えた半導体レ
ーザーの構造図である。図２を参照して、半導体レーザ
ー素子１はステム４の上面にサブマウント５を介在して
取付けられている。半導体レーザー素子１とサブマウン
ト５はロウ材２によって接合され、またサブマウント５
とステム４とはロウ材６によって接合されている。各部
品の材料が表１に示される。FIG. 2 is a structural diagram of a semiconductor laser provided with a conventional heat dissipation component. Referring to FIG. 2, semiconductor laser device 1 is mounted on the upper surface of stem 4 with submount 5 interposed. The semiconductor laser device 1 and the submount 5 are joined by a brazing material 2 and the submount 5
The stem 4 and the stem 4 are joined by a brazing material 6. The material of each part is shown in Table 1.
【０００４】[0004]
【表１】 [Table 1]
【０００５】動作時の半導体レーザー素子１の発熱は、
サブマウント５を通りステム４に伝導されることにより
放熱される。The heat generated by the semiconductor laser device 1 during operation is
The heat is dissipated by being conducted to the stem 4 through the submount 5.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】サブマウント５は半導
体レーザー素子１で発生した熱を効率よくステム４に伝
えるために設けられている。このために、サブマウント
５の材料としては高熱伝導率を有する物質、たとえば表
１に示されるＣｕ−Ｗ合金、ｃＢＮ（立方晶窒化ホウ
素）多結晶体あるいは単結晶ダイヤなどが用いられてい
る。しかしながら、従来の半導体レーザーではサブマウ
ント５とステム４との間にロウ材６が介在している。こ
のロウ材６はサブマウント５からステム４への熱伝導に
対する抵抗となり効率のよい放熱作用を妨げるものであ
った。The submount 5 is provided to efficiently transfer the heat generated in the semiconductor laser device 1 to the stem 4. Therefore, as the material of the submount 5, a substance having a high thermal conductivity, such as a Cu-W alloy shown in Table 1, a cBN (cubic boron nitride) polycrystal or a single crystal diamond, is used. However, in the conventional semiconductor laser, the brazing material 6 is interposed between the submount 5 and the stem 4. The brazing material 6 serves as a resistance against heat conduction from the submount 5 to the stem 4 and hinders efficient heat dissipation.
【０００７】また、単結晶ダイヤなどをサブマウント５
として用いた場合には、非常に高価なものであるため、
ステム４の上面よりも小さい形状のものが使用されてき
た。このために、サブマウント５とステム４との伝導面
が小さくなり、ステム４の熱拡散が主に縦方向（深さ方
向）に進み、横方向への熱の広がり効果が十分に発揮さ
れず、放熱効率が十分なものではなかった。Further, a single crystal diamond or the like is mounted on the submount 5
When used as, since it is very expensive,
A shape smaller than the upper surface of the stem 4 has been used. For this reason, the conduction surface between the submount 5 and the stem 4 becomes small, the heat diffusion of the stem 4 mainly proceeds in the vertical direction (depth direction), and the effect of spreading heat in the horizontal direction is not sufficiently exerted. , The heat dissipation efficiency was not enough.
【０００８】したがって、この発明は、上記のような問
題点を解消するためになされたもので、放熱効果の優れ
た放熱部品および良好な放熱効果により動作特性の優れ
た半導体レーザーを提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a heat dissipation component having an excellent heat dissipation effect and a semiconductor laser having an excellent operation property due to the good heat dissipation effect. To aim.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１ないし請求項６
に係る放熱部品は、半導体素子を載置する載置面を有す
るステムと、ステムの載置面の表面を覆う気相合成多結
晶ダイヤモンド層とを備えている。Claims 1 to 6
The heat dissipation component according to (1) includes a stem having a mounting surface on which a semiconductor element is mounted, and a vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer covering the surface of the mounting surface of the stem.
【００１０】また、請求項７ないし請求項１２に係る半
導体レーザーは放熱部品を備える。放熱部品は、半導体
レーザー素子を載置する載置面を有するステムと、ステ
ムの載置面の表面を覆う気相合成多結晶ダイヤモンド層
とを備えている。半導体レーザー素子は、気相合成多結
晶ダイヤモンド層の表面にろう付け接合されている。The semiconductor laser according to any one of claims 7 to 12 is provided with a heat dissipation component. The heat dissipation component includes a stem having a mounting surface on which the semiconductor laser element is mounted, and a vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer covering the surface of the mounting surface of the stem. The semiconductor laser device is brazed to the surface of the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer.
【００１１】[0011]
【作用】ステムの載置面の全面は気相合成により形成さ
れた多結晶ダイヤモンド層で被覆されている。このため
に、気相合成ダイヤモンド層とステムとの間のろう付け
層を省略することができる。これにより、気相合成ダイ
ヤモンド層からステムへの熱伝導効率を向上させる。ま
た、気相合成ダイヤモンド層は高熱伝導率を有してお
り、かつステムの載置面の全面あるいは、半導体レーザ
ー素子の形状に比べて広い面積でその一部を覆うことに
より、熱伝導面が大きくなり、半導体レーザー素子から
の熱の拡散がステムの深さ方向と同時にステムの載置面
の平面方向へ行なわれる。The entire mounting surface of the stem is covered with a polycrystalline diamond layer formed by vapor phase synthesis. For this reason, the brazing layer between the vapor phase synthetic diamond layer and the stem can be omitted. This improves the heat transfer efficiency from the vapor phase synthetic diamond layer to the stem. Further, the vapor-phase synthetic diamond layer has a high thermal conductivity, and by covering the entire mounting surface of the stem or a part thereof with a larger area than the shape of the semiconductor laser element, As a result, the heat is diffused from the semiconductor laser element in the depth direction of the stem and simultaneously in the plane direction of the mounting surface of the stem.
【００１２】[0012]
【実施例】図１はこの発明による半導体レーザーの構造
図である。半導体レーザー素子１はロウ材２を介在して
気相合成多結晶ダイヤモンド層３の表面に接合されてい
る。気相合成多結晶ダイヤモンド層３はステム４の上面
に気相合成法を用いて形成されている。図１に示す半導
体レーザーの各部品の材料等が表２に示される。1 is a structural view of a semiconductor laser according to the present invention. The semiconductor laser element 1 is bonded to the surface of the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer 3 with a brazing material 2 interposed therebetween. The vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer 3 is formed on the upper surface of the stem 4 by the vapor phase synthesis method. Table 2 shows materials and the like of each component of the semiconductor laser shown in FIG.
【００１３】[0013]
【表２】 [Table 2]
【００１４】気相合成多結晶ダイヤモンド層３はステム
４の上面の全面に合成されている。したがって、半導体
レーザー素子１で発生した熱は気相合成多結晶ダイヤモ
ンド層３に伝導し、気相合成多結晶ダイヤモンド層３の
内部で深さ方向および横方向へ拡散し、さらに気相合成
多結晶ダイヤモンド層３とステム４との界面からステム
４の内部に拡散する。このために、ステム４の放熱に寄
与する領域が広がり、放熱作用を効果的に行なうことが
できる。この発明による気相合成ダイヤモンド層３の熱
伝導率は５００〜２０００Ｗ／ｍ・Ｋが好ましい。熱伝
導率が５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下では十分な熱伝導作用を奏
し得ない。また、現状の技術では熱伝導率が２０００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の多結晶ダイヤモンド層を合成することが
できない。The vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer 3 is synthesized on the entire upper surface of the stem 4. Therefore, the heat generated in the semiconductor laser device 1 is conducted to the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer 3, diffused in the depth direction and the lateral direction inside the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer 3, and further, the vapor phase synthesized polycrystalline crystal. It diffuses from the interface between the diamond layer 3 and the stem 4 to the inside of the stem 4. For this reason, the region of the stem 4 that contributes to heat dissipation is expanded, and the heat dissipation effect can be effectively performed. The thermal conductivity of the vapor phase synthetic diamond layer 3 according to the present invention is preferably 500 to 2000 W / m · K. If the thermal conductivity is 500 W / m · K or less, a sufficient thermal conductivity cannot be obtained. Moreover, the current technology has a thermal conductivity of 2000 W.
It is not possible to synthesize a polycrystalline diamond layer of / m · K or more.
【００１５】また、気相合成ダイヤモンド層の比抵抗は
１０9 Ω・ｃｍ以上のものが好ましい。これは、絶縁性
を確保するために必要とされる。The vapor phase synthetic diamond layer preferably has a specific resistance of 10 9 Ω · cm or more. This is needed to ensure insulation.
【００１６】また、ダイヤモンド層の厚みは１０〜５０
０μｍが好ましい。これ以下の厚みでは薄すぎて効果的
な放熱を行なうことができなかった。また、これ以上の
範囲においては放熱効果は顕著には増大せずコスト増を
引き起こすのみである。The thickness of the diamond layer is 10 to 50.
0 μm is preferable. If the thickness is less than this, it is too thin to effectively radiate heat. Further, in the range beyond this range, the heat radiation effect does not significantly increase, but only increases the cost.
【００１７】また、熱伝導率の大きい気相合成ダイヤモ
ンド層を用いたことにより、ステム４の材料として従来
の材料（銅（Ｃｕ）、銅−タングステン（Ｗ）合金、銅
−Ｍｏ（モリブデン）合金、Ｃｕ−Ｗ−Ｍｏ合金）以外
に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭化珪
素（ＳｉＣ）焼結体、四窒化三珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）焼結
体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体なども用いるこ
とができる。Further, by using the vapor phase synthetic diamond layer having a large thermal conductivity, the conventional material (copper (Cu), copper-tungsten (W) alloy, copper-Mo (molybdenum) alloy is used as the material of the stem 4. , in addition to Cu-W-Mo alloy), tungsten (W), molybdenum (Mo), silicon carbide (SiC) sintered, four nitride three silicon (Si 3 N 4) sintered body, sintered aluminum nitride (AlN) A united body or the like can also be used.
【００１８】実施例１
マイクロ波プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、Ｃｕ製ステム
の上面（５×１０ｍｍ）に以下の条件で多結晶ダイヤモ
ンドを８時間合成した。 Example 1 Microwave plasma CVD (Chemical Vap)
or Deposition) method, polycrystalline diamond was synthesized on the upper surface (5 × 10 mm) of the Cu stem under the following conditions for 8 hours.
【００１９】
その結果、厚さが５０μｍの多結晶ダイヤモンドをス
テム上面の全面に被覆することができた。この多結晶ダ
イヤモンドは、熱伝導率が１６００Ｗ／ｍ・Ｋで、比抵
抗が１０1 0 Ω・ｃｍであった。[0019] As a result, it was possible to coat the entire upper surface of the stem with polycrystalline diamond having a thickness of 50 μm. The polycrystalline diamond has a thermal conductivity of at 1600 W / m · K, the specific resistance was 10 1 0 Ω · cm.
【００２０】次に、この多結晶ダイヤモンドの成長上面
に、大きさが０．２ｍｍ角のＧａ−Ａｌ−Ａｓからなる
光半導体素子をＡｕ−Ｓｎ合金ロウ材でろう付け接合
し、半導体レーザー（Ａ）を作製した。Next, an optical semiconductor element having a size of 0.2 mm square and made of Ga--Al--As is brazed with an Au--Sn alloy brazing material on the growth upper surface of the polycrystalline diamond, and a semiconductor laser (A ) Was produced.
【００２１】ステムの放熱効果を評価するために、この
半導体レーザー（Ａ）を出力２００ｍＷで連続発振さ
せ、半導体素子の温度上昇を計測した。In order to evaluate the heat radiation effect of the stem, this semiconductor laser (A) was continuously oscillated at an output of 200 mW and the temperature rise of the semiconductor element was measured.
【００２２】また、比較のために、ステム表面上のサブ
マウントとして、大きさが０．７５ｍｍ角で、熱伝導率
が２０００Ｗ／ｍ・Ｋの合成ダイヤモンド単結晶をろう
付けし、さらにその表面上に上記と同様の半導体レーザ
ー素子をろう付け接合した半導体レーザー（Ｂ）を作製
し、温度上昇を計測した。半導体レーザー（Ｂ）のロウ
材としては、ステムとサブマウントの接合にＡｕ−Ｓｉ
合金ロウ材を使用し、サブマウントと半導体レーザー素
子との接合にＡｕ−Ｓｎ合金ロウ材を使用した。For comparison, as a submount on the surface of the stem, a synthetic diamond single crystal having a size of 0.75 mm square and a thermal conductivity of 2000 W / mK was brazed, and further on the surface. A semiconductor laser (B) was prepared by brazing and joining the same semiconductor laser element as above to the above, and the temperature rise was measured. As a brazing material for the semiconductor laser (B), Au-Si is used for joining the stem and the submount.
An alloy brazing material was used, and an Au—Sn alloy brazing material was used for joining the submount and the semiconductor laser device.
【００２３】放熱効果の評価試験の結果を表３に示す。Table 3 shows the results of the heat dissipation effect evaluation test.
【００２４】[0024]
【表３】 [Table 3]
【００２５】表３に示すように、ステムの上面に多結晶
ダイヤモンドを形成した本発明の半導体レーザー（Ａ）
はサブマウントとして合成ダイヤモンド単結晶を用いた
半導体レーザー（Ｂ）に比べて半導体素子の温度が極め
て低く、放熱効果が優れることが明らかとなった。As shown in Table 3, the semiconductor laser of the present invention (A) in which polycrystalline diamond is formed on the upper surface of the stem
In comparison with the semiconductor laser (B) using a synthetic diamond single crystal as a submount, the temperature of the semiconductor element was extremely low, and it was revealed that the heat dissipation effect was excellent.
【００２６】実施例２
この実施例においては、ＳｉＣ製ステムが用いられる。
ＳｉＣ製ステムの上面（１５×１０ｍｍ）に、熱電子放
射材に直径０．５ｍｍ、長さ１００ｍｍの直線状タング
ステンフィラメントを用いた熱ＣＶＤ法により以下の条
件で多結晶ダイヤモンドを２０時間合成した。 Example 2 In this example, a SiC stem is used.
On the upper surface (15 × 10 mm) of the SiC stem, polycrystalline diamond was synthesized for 20 hours under the following conditions by a thermal CVD method using a linear tungsten filament having a diameter of 0.5 mm and a length of 100 mm as a thermoelectron emitting material.
【００２７】
その結果、厚さが１５０μｍの多結晶ダイヤモンドを
ステム上面の全面に被覆することができた。この多結晶
ダイヤモンドは、熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋで、比抵
抗が５×１０9 Ω・ｃｍであった。[0027] As a result, it was possible to coat the entire upper surface of the stem with polycrystalline diamond having a thickness of 150 μm. This polycrystalline diamond had a thermal conductivity of 800 W / m · K and a specific resistance of 5 × 10 9 Ω · cm.
【００２８】次に、この多結晶ダイヤモンドの成長上面
に、大きさが０．３ｍｍ角のＩｎ−Ｇａ−Ａｓ−Ｐから
なる半導体レーザー素子をＩｎ合金ロウ材でろう付け接
合し、半導体レーザー（Ｃ）を作製した。Next, a semiconductor laser element made of In-Ga-As-P having a size of 0.3 mm square was brazed with an In alloy brazing material to the growth upper surface of the polycrystalline diamond, and a semiconductor laser (C ) Was produced.
【００２９】このステムの放熱効果を評価するために、
半導体レーザー（Ｃ）を初期設定出力２５０ｍＷで７０
００時間連続発振させ、レーザー出力の時間変化を計測
した。In order to evaluate the heat radiation effect of this stem,
Semiconductor laser (C) 70 with initial setting output of 250 mW
The laser was continuously oscillated for 00 hours and the time change of the laser output was measured.
【００３０】また、比較のために、上記と同じステムの
表面上のサブマウントとして、大きさが１ｍｍ角で熱伝
導率が１２００Ｗ／ｍ・Ｋの天然ダイヤモンド単結晶を
ろう付けし、その表面上に半導体レーザー素子をろう付
け接合して半導体レーザー（Ｄ）の作製および評価を行
なった。なお、この半導体レーザー（Ｄ）のろう付け
は、ステムとサブマウントとの接合にＡｕ−Ｓｉ合金ロ
ウ材を使用し、サブマウントと光半導体素子の接合にＩ
ｎ合金ロウ材を使用した。For comparison, as a submount on the surface of the same stem as above, a natural diamond single crystal having a size of 1 mm square and a thermal conductivity of 1200 W / m · K was brazed on the surface. A semiconductor laser element was brazed and joined to the semiconductor laser (D) to manufacture and evaluate the semiconductor laser (D). In the brazing of this semiconductor laser (D), an Au-Si alloy brazing material is used for joining the stem and the submount, and I for joining the submount and the optical semiconductor element.
An n alloy brazing material was used.
【００３１】放熱効果の評価試験の結果を表４に示す。Table 4 shows the results of the evaluation test of the heat radiation effect.
【００３２】[0032]
【表４】 [Table 4]
【００３３】表４に示すように、比較品の半導体レーザ
ー（Ｄ）に比べて本発明の半導体レーザー（Ｃ）はレー
ザー出力の時間的変化が極めて少ないことが明らかとな
った。これは、半導体素子からの発熱を効率よく放散で
きるためである。As shown in Table 4, it was revealed that the semiconductor laser (C) of the present invention showed extremely little change in laser output with time as compared with the comparative semiconductor laser (D). This is because the heat generated from the semiconductor element can be efficiently dissipated.
【００３４】実施例３
次に、ステムの材料として種々の材料を用いた場合につ
いて説明する。表５は、ステムの材質とステムの上面に
被覆された多結晶ダイヤモンドの合成条件とを示してい
る。多結晶ダイヤモンドは熱フィラメント法により表５
に示す条件下で合成された。ステムの上面に被覆された
多結晶ダイヤモンドの特性を表６に示す。 Example 3 Next, the case where various materials are used as the material of the stem will be described. Table 5 shows the material of the stem and the synthesis conditions of the polycrystalline diamond coated on the upper surface of the stem. Polycrystalline diamond is produced by the hot filament method as shown in Table 5.
Was synthesized under the conditions shown in. The properties of the polycrystalline diamond coated on the top surface of the stem are shown in Table 6.
【００３５】[0035]
【表５】 [Table 5]
【００３６】[0036]
【表６】 [Table 6]
【００３７】次に、これらの多結晶ダイヤモンドの成長
上面に、大きさが０．３ｍｍ角のＧａ−Ａｌ−Ａｓから
なる光半導体素子をＡｕ−Ｓｎ合金ロウ材でろう付け接
合し、半導体レーザー（Ｅ〜Ｊ）を作製した。Next, an optical semiconductor element made of Ga--Al--As having a size of 0.3 mm square is brazed and joined to the growth upper surface of these polycrystalline diamonds with an Au--Sn alloy brazing material, and a semiconductor laser ( EJ) were produced.
【００３８】そして、ステムの放熱効果を評価するため
に、半導体レーザー（Ｅ〜Ｊ）を出力１８０ｍＷで連続
発振させ、半導体素子の温度上昇を計測した。Then, in order to evaluate the heat radiation effect of the stem, the semiconductor lasers (E to J) were continuously oscillated at an output of 180 mW, and the temperature rise of the semiconductor element was measured.
【００３９】放熱効果の評価試験の結果を表７に示す。Table 7 shows the results of the evaluation test of the heat radiation effect.
【００４０】[0040]
【表７】 [Table 7]
【００４１】Ｎｏ．Ｆ、Ｇ、Ｊの半導体レーザーは半導
体素子の温度が高くステムの放熱効果が十分現われてい
ないことがわかる。半導体レーザーＦにおいては、多結
晶ダイヤモンドの膜厚が薄いことが影響していると考え
られる。また、半導体レーザーＧにおいては、多結晶ダ
イヤモンドの熱伝導率が低いため、半導体素子の発熱が
十分にステムに伝わらなかったためと考えられる。さら
に、半導体レーザーＪは半導体素子が安定してレーザー
を発振することができなかった。これは、多結晶ダイヤ
モンド層の比抵抗値が小さかったためと考えられる。ま
た、半導体レーザーＥ、ＨおよびＩは半導体素子の温度
が低く、ステムからの放熱が効率よく行なわれたことが
わかる。No. It can be seen that the semiconductor lasers of F, G, and J have high temperature of the semiconductor element and the heat radiation effect of the stem is not sufficiently exhibited. In the semiconductor laser F, it is considered that the thin film thickness of polycrystalline diamond has an influence. In addition, in the semiconductor laser G, it is considered that the heat generation of the semiconductor element was not sufficiently transmitted to the stem because the thermal conductivity of polycrystalline diamond was low. Further, in the semiconductor laser J, the semiconductor element could not stably oscillate the laser. It is considered that this is because the resistivity value of the polycrystalline diamond layer was small. Further, it can be seen that the semiconductor lasers E, H, and I have low semiconductor element temperatures, and heat is efficiently radiated from the stem.
【００４２】[0042]
【発明の効果】このように、この発明による放熱部品
は、ステムの上面の全面に高熱伝導率を有する気相合成
多結晶ダイヤモンド層を形成したので、半導体レーザー
素子からの熱の伝導効率が向上し、半導体レーザー素子
の発熱による特性劣化を抑制することができる。As described above, in the heat dissipation component according to the present invention, since the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer having high thermal conductivity is formed on the entire upper surface of the stem, the efficiency of heat conduction from the semiconductor laser device is improved. However, it is possible to suppress characteristic deterioration due to heat generation of the semiconductor laser element.
【図１】この発明による半導体レーザーの断面構造図で
ある。FIG. 1 is a sectional structural view of a semiconductor laser according to the present invention.
【図２】従来の半導体レーザーの断面構造図である。FIG. 2 is a sectional structural view of a conventional semiconductor laser.
１ 半導体レーザー素子 ２ ロウ材 ３ 気相合成多結晶ダイヤモンド層 ４ ステム 1 Semiconductor laser device 2 brazing material 3 Vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer 4 stems
Claims (12)
テムと、 前記ステムの前記載置面の表面を覆う気相合成多結晶ダ
イヤモンド層とを備えた、放熱部品。1. A heat dissipation component comprising: a stem having a mounting surface on which a semiconductor element is mounted; and a vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer covering a surface of the mounting surface of the stem.
テムの前記載置面の全面を覆う、請求項１記載の放熱部
分。2. The heat radiating portion according to claim 1, wherein the vapor-phase synthetic diamond layer covers the entire mounting surface of the stem.
伝導率は、５００Ｗ／ｍ・Ｋ以上２０００Ｗ／ｍ・Ｋ以
下である、請求項１または請求項２のいずれかに記載の
放熱部品。3. The heat dissipation component according to claim 1, wherein the vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer has a thermal conductivity of 500 W / m · K or more and 2000 W / m · K or less.
抵抗値が１０9 Ω・ｃｍ以上である、請求項１ないし請
求項３のいずれかに記載の放熱部品。4. The heat dissipation component according to claim 1, wherein the vapor phase synthetic polycrystalline diamond layer has a specific resistance value of 10 9 Ω · cm or more.
みが、１０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１な
いし請求項４のいずれかに記載の放熱部品。5. The heat dissipation component according to claim 1, wherein the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer has a thickness of 10 μm or more and 500 μm or less.
ｕ−Ｍｏ合金、Ｃｕ−Ｗ−Ｍｏ合金、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ
焼結体、Ｓｉ3 Ｎ4 焼結体、ＡｌＮ焼結体のうちから選
ばれた１つの材料からなる、請求項１ないし請求項５の
いずれかに記載の放熱部品。6. The stem comprises Cu, Cu—W alloy, C
u-Mo alloy, Cu-W-Mo alloy, W, Mo, SiC
The heat dissipation component according to claim 1, which is made of one material selected from a sintered body, a Si 3 N 4 sintered body, and an AlN sintered body.
て、 前記放熱部品は、 半導体レーザ素子を載置する載置面を有するステムと、 前記ステムの前記載置面の表面を覆う気相合成多結晶ダ
イヤモンド層とを備え、 前記半導体レーザー素子は、前記気相合成多結晶ダイヤ
モンド層の表面にろう付け接合されている、半導体レー
ザー。7. A semiconductor laser including a heat dissipation component, wherein the heat dissipation component has a stem having a mounting surface on which a semiconductor laser element is mounted, and vapor phase synthesis covering a surface of the mounting surface of the stem. And a polycrystalline diamond layer, wherein the semiconductor laser element is brazed to the surface of the vapor phase synthesized polycrystalline diamond layer.
テムの前記載置面の全面を覆う、請求項７記載の半導体
レーザー。8. The semiconductor laser according to claim 7, wherein the vapor-phase synthetic diamond layer covers the entire mounting surface of the stem.
伝導率が、５００Ｗ／ｍ・Ｋ以上２０００Ｗ／ｍ・Ｋ以
下である、請求項７または請求項８のいずれかに記載の
半導体レーザー。9. The semiconductor laser according to claim 7, wherein the vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer has a thermal conductivity of 500 W / m · K or more and 2000 W / m · K or less.
比抵抗値が１０9Ω・ｃｍ以上である、請求項７または
請求項９のいずれかに記載の半導体レーザー。10. The semiconductor laser according to claim 7, wherein the vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer has a specific resistance value of 10 9 Ω · cm or more.
厚みが１０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項７な
いし請求項１０のいずれかに記載の半導体レーザー。11. The semiconductor laser according to claim 7, wherein the vapor-phase synthetic polycrystalline diamond layer has a thickness of 10 μm or more and 500 μm or less.
Ｃｕ−Ｍｏ合金、Ｃｕ−Ｗ−Ｍｏ合金、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｉ
Ｃ焼結体、Ｓｉ3 Ｎ4 焼結体、ＡｌＮ焼結体のうちから
選ばれた１つの材料からなる、請求項７ないし請求項１
１のいずれかに記載の半導体レーザー。12. The stem comprises Cu, a Cu—W alloy,
Cu-Mo alloy, Cu-W-Mo alloy, W, Mo, Si
7. A material selected from the group consisting of a C sintered body, a Si 3 N 4 sintered body and an AlN sintered body.
1. The semiconductor laser according to any one of 1.
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
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| DE69231790T DE69231790T2 (en) | 1991-07-01 | 1992-06-26 | Heat-dissipating component and semiconductor device provided therewith |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202322A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Nec Corp | Thermistor |
| US5598290A (en) * | 1993-06-30 | 1997-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Data transfer apparatus utilizing infrared rays |
| US6758264B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-07-06 | Tokuyama Corporation | Heat sink and its manufacturing method |
| WO2013175697A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | パナソニック株式会社 | Nitride semiconductor light emitting device |
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1991
- 1991-07-01 JP JP3160210A patent/JPH0513843A/en active Pending
-
1992
- 1992-07-01 ZA ZA924881A patent/ZA924881B/en unknown
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5598290A (en) * | 1993-06-30 | 1997-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Data transfer apparatus utilizing infrared rays |
| JPH07202322A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Nec Corp | Thermistor |
| US6758264B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-07-06 | Tokuyama Corporation | Heat sink and its manufacturing method |
| WO2013175697A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | パナソニック株式会社 | Nitride semiconductor light emitting device |
| JP5796181B2 (en) * | 2012-05-22 | 2015-10-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Nitride semiconductor light emitting device |
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| Publication number | Publication date |
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| ZA924881B (en) | 1993-03-31 |
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