JPH05136209A - フリツプチツプ実装構造 - Google Patents
フリツプチツプ実装構造Info
- Publication number
- JPH05136209A JPH05136209A JP32509491A JP32509491A JPH05136209A JP H05136209 A JPH05136209 A JP H05136209A JP 32509491 A JP32509491 A JP 32509491A JP 32509491 A JP32509491 A JP 32509491A JP H05136209 A JPH05136209 A JP H05136209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin layer
- mounting structure
- bump
- flip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装工程におけるタクトタイムを増大させる
ことなくＩＣチップの重量を増加して各バンプに掛かる
分荷重を大きくし、バンプの高さバラツキを吸収して安
定した半田接続を得ることができる、フリップチップ実
装構造を提供すること。 【構成】 基板１１上に導体パターン１２を形成すると
共に、ＩＣチップ１３の電極部１３ａにバンプ１４を形
成し、これらをリフロー処理により半田接続するフリッ
プチップ実装構造において、上記ＩＣチップ１３の実装
面と相反する面に、樹脂層１６を形成する。
ことなくＩＣチップの重量を増加して各バンプに掛かる
分荷重を大きくし、バンプの高さバラツキを吸収して安
定した半田接続を得ることができる、フリップチップ実
装構造を提供すること。 【構成】 基板１１上に導体パターン１２を形成すると
共に、ＩＣチップ１３の電極部１３ａにバンプ１４を形
成し、これらをリフロー処理により半田接続するフリッ
プチップ実装構造において、上記ＩＣチップ１３の実装
面と相反する面に、樹脂層１６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフリップチップ実装構造
に係り、特にＩＣチップの構造を改良したフリップチッ
プ実装構造に関する。
に係り、特にＩＣチップの構造を改良したフリップチッ
プ実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフリップチップ実装構造は、図２
に示されているように、構成されていた。図示されてい
るように、絶縁体によって形成された基板１上には、フ
ォトリソグラフィ技術等によってＡｌ等の導体パターン
２が形成されている。また、該基板１上に実装するＩＣ
チップ３の電極部３ａには、電気メッキ等によって半田
等のバンプ４が形成されている。
に示されているように、構成されていた。図示されてい
るように、絶縁体によって形成された基板１上には、フ
ォトリソグラフィ技術等によってＡｌ等の導体パターン
２が形成されている。また、該基板１上に実装するＩＣ
チップ３の電極部３ａには、電気メッキ等によって半田
等のバンプ４が形成されている。
【０００３】そして、上記ＩＣチップ３のバンプ４と、
上記基板１の導体パターン２との接続は、これらの間に
接合材としてリフロー半田５を介設し、これを所謂リフ
ロー処理することにより成されていた。
上記基板１の導体パターン２との接続は、これらの間に
接合材としてリフロー半田５を介設し、これを所謂リフ
ロー処理することにより成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のフ
リップチップ実装構造にあっては、ＩＣチップ３の大き
さが極めて小さい場合や端子数が多い場合に、これに形
成されるバンプ４の各々に掛かる分荷重が極めて小さく
なる。そのため、図３に示されているように、上記バン
プ４の高さＨにバラツキがあると、そのうちの高さＨの
低いバンプ４と上記基板１の導体パターン２との間に隙
間Ｄが生じ、リフロー処理によっても半田接続されない
という問題があった。
リップチップ実装構造にあっては、ＩＣチップ３の大き
さが極めて小さい場合や端子数が多い場合に、これに形
成されるバンプ４の各々に掛かる分荷重が極めて小さく
なる。そのため、図３に示されているように、上記バン
プ４の高さＨにバラツキがあると、そのうちの高さＨの
低いバンプ４と上記基板１の導体パターン２との間に隙
間Ｄが生じ、リフロー処理によっても半田接続されない
という問題があった。
【０００５】その防止策として、上記ＩＣチップ３上に
金属シートを載せて、その重量を増加させる場合があ
る。しかし、この金属シートはウエハからＩＣチップ３
を製造した後のチップの実装工程で装着するようになる
ため、該金属シートを種類の異なる各ＩＣチップ毎に対
応させる必要があり、ＩＣチップ３の大きさや端子数に
応じて種々の金属シートを用意しなければならなかっ
た。そのため、実装工程におけるタクトタイムが増大す
るという問題があった。
金属シートを載せて、その重量を増加させる場合があ
る。しかし、この金属シートはウエハからＩＣチップ３
を製造した後のチップの実装工程で装着するようになる
ため、該金属シートを種類の異なる各ＩＣチップ毎に対
応させる必要があり、ＩＣチップ３の大きさや端子数に
応じて種々の金属シートを用意しなければならなかっ
た。そのため、実装工程におけるタクトタイムが増大す
るという問題があった。
【０００６】このタクトタイムを短縮するためにウエハ
自体を厚く形成することも考えられるが、この対策を採
るとダイシング処理時にウエハに斜め割れ等が生じ、こ
れらの箇所にはＩＣチップ３を製造することができない
という問題があった。
自体を厚く形成することも考えられるが、この対策を採
るとダイシング処理時にウエハに斜め割れ等が生じ、こ
れらの箇所にはＩＣチップ３を製造することができない
という問題があった。
【０００７】本発明の目的は、上記課題に鑑み、実装工
程におけるタクトタイムを増大させることなくＩＣチッ
プの重量を増加して各バンプに掛かる分荷重を大きく
し、バンプの高さバラツキを吸収して安定した半田接続
を得ることができる、フリップチップ実装構造を提供す
るにある。
程におけるタクトタイムを増大させることなくＩＣチッ
プの重量を増加して各バンプに掛かる分荷重を大きく
し、バンプの高さバラツキを吸収して安定した半田接続
を得ることができる、フリップチップ実装構造を提供す
るにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
るフリップチップ実装構造によれば、基板上に導体パタ
ーンを形成すると共に、ＩＣチップの電極部にバンプを
形成し、これらをリフロー処理により半田接続するフリ
ップチップ実装構造において、上記ＩＣチップの実装面
と相反する面に、樹脂層を形成することにより、達成さ
れる。
るフリップチップ実装構造によれば、基板上に導体パタ
ーンを形成すると共に、ＩＣチップの電極部にバンプを
形成し、これらをリフロー処理により半田接続するフリ
ップチップ実装構造において、上記ＩＣチップの実装面
と相反する面に、樹脂層を形成することにより、達成さ
れる。
【０００９】好ましくは、上記樹脂層は、ＩＣチップ製
造前のウエハ上に形成される。
造前のウエハ上に形成される。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、ＩＣチップには、その実装
面と相反する面に、樹脂層を備えている。
面と相反する面に、樹脂層を備えている。
【００１１】上記樹脂層は、その重量がＩＣチップに加
えられることにより、このＩＣチップの重量が増加し、
これをコントロールすることも可能になる。すなわち、
樹脂層の厚さを増加すればＩＣチップの重量が増加す
る。また、比重の大きい材質を選定すれば、同じ厚さで
もＩＣチップの重量が増加する。
えられることにより、このＩＣチップの重量が増加し、
これをコントロールすることも可能になる。すなわち、
樹脂層の厚さを増加すればＩＣチップの重量が増加す
る。また、比重の大きい材質を選定すれば、同じ厚さで
もＩＣチップの重量が増加する。
【００１２】さらに、この樹脂層はＩＣチップの実装面
と相反する面にコーティングするだけで簡単に形成する
ことができるので、各ＩＣチップ毎に対応させる必要が
なく、実装工程におけるタクトタイムを増大させること
なくＩＣチップの重量を増加することができる。その結
果、ＩＣチップの電極部に形成した各バンプに掛かる分
荷重が大きくなり、これによりバンプの高さバラツキが
吸収され、上記基板の導体パターンと該バンプとをリフ
ロー処理により安定して半田接続することができるもの
である。
と相反する面にコーティングするだけで簡単に形成する
ことができるので、各ＩＣチップ毎に対応させる必要が
なく、実装工程におけるタクトタイムを増大させること
なくＩＣチップの重量を増加することができる。その結
果、ＩＣチップの電極部に形成した各バンプに掛かる分
荷重が大きくなり、これによりバンプの高さバラツキが
吸収され、上記基板の導体パターンと該バンプとをリフ
ロー処理により安定して半田接続することができるもの
である。
【００１３】特に、上記樹脂層をＩＣチップ製造前のウ
エハ上に形成すれば、ＩＣチップの製造工程で樹脂層が
形成されるため、実装工程におけるタクトタイムは著し
く短縮される。また、このように樹脂層をウエハ上に形
成しても、樹脂層は金属に比して柔らかいので、ダイシ
ング処理時に、このウエハに割れ等が生じることもな
い。
エハ上に形成すれば、ＩＣチップの製造工程で樹脂層が
形成されるため、実装工程におけるタクトタイムは著し
く短縮される。また、このように樹脂層をウエハ上に形
成しても、樹脂層は金属に比して柔らかいので、ダイシ
ング処理時に、このウエハに割れ等が生じることもな
い。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の好適な一実施例を添付図面に
基づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様に限られるものではない。
基づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様に限られるものではない。
【００１５】本発明に係るフリップチップ実装構造の一
実施例は、図１に示されているように、構成されてい
る。図示されているように、平板状の基板１１はＳｉ等
の絶縁体によって形成されており、この基板１１上に
は、フォトリソグラフィ等の周知の技術によってＡｌ等
の導体パターン１２が形成されている。
実施例は、図１に示されているように、構成されてい
る。図示されているように、平板状の基板１１はＳｉ等
の絶縁体によって形成されており、この基板１１上に
は、フォトリソグラフィ等の周知の技術によってＡｌ等
の導体パターン１２が形成されている。
【００１６】また、上記基板１１上に実装されるＩＣチ
ップ１３の実装面に形成された電極部１３ａには、電気
メッキ等によって半田等のバンプ１４がこのＩＣチップ
１３の厚さ方向外方に突き出して形成されている。
ップ１３の実装面に形成された電極部１３ａには、電気
メッキ等によって半田等のバンプ１４がこのＩＣチップ
１３の厚さ方向外方に突き出して形成されている。
【００１７】さらに、このＩＣチップ１３の実装面と相
反する面には、所定厚さ及び所定材質の樹脂層１６が形
成されている。この樹脂層１６の材質には、例えば、エ
ポキシ樹脂，シリコン樹脂或いはウレタン樹脂等が採用
される。そして、樹脂層１６の厚さは、例えば、２０〜
５０マイクロメートルに設定される。但し、上記樹脂層
１６の材質及び厚さは、上記ＩＣチップ１３の大きさに
応じて所望の重量を得るべく、適宜選択，設定されるも
のである。具体的には、この樹脂層１６は、例えば、上
記ＩＣチップ１３の製造前のウエハ（図示せず）上に形
成される。すなわち、ウエハをスピナーで回転させ、そ
の上方から樹脂溶剤を滴下して、ウエハ上に均一にコー
ティングが成される。このようにウエハ上に所定厚さ及
び所定材質の樹脂層１６を均一に形成した後、該ウエハ
にダイシング処理が施され、上記樹脂層１６の形成され
たＩＣチップ１３が製造される。
反する面には、所定厚さ及び所定材質の樹脂層１６が形
成されている。この樹脂層１６の材質には、例えば、エ
ポキシ樹脂，シリコン樹脂或いはウレタン樹脂等が採用
される。そして、樹脂層１６の厚さは、例えば、２０〜
５０マイクロメートルに設定される。但し、上記樹脂層
１６の材質及び厚さは、上記ＩＣチップ１３の大きさに
応じて所望の重量を得るべく、適宜選択，設定されるも
のである。具体的には、この樹脂層１６は、例えば、上
記ＩＣチップ１３の製造前のウエハ（図示せず）上に形
成される。すなわち、ウエハをスピナーで回転させ、そ
の上方から樹脂溶剤を滴下して、ウエハ上に均一にコー
ティングが成される。このようにウエハ上に所定厚さ及
び所定材質の樹脂層１６を均一に形成した後、該ウエハ
にダイシング処理が施され、上記樹脂層１６の形成され
たＩＣチップ１３が製造される。
【００１８】そして、上記樹脂層１６の形成されたＩＣ
チップ１３のバンプ１４と、上記基板１１の導体パター
ン１２との接続は、これらの間に接合材としてリフロー
半田１５を介設し、これをリフロー炉に収容して所謂リ
フロー処理することにより成されるものである。
チップ１３のバンプ１４と、上記基板１１の導体パター
ン１２との接続は、これらの間に接合材としてリフロー
半田１５を介設し、これをリフロー炉に収容して所謂リ
フロー処理することにより成されるものである。
【００１９】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述したように、ＩＣチップ１３には、その実装面と相
反する面に、所定厚さ及び所定材質の樹脂層１６が形成
されている。この樹脂層１６は、上記ＩＣチップ１３の
製造前にウエハ上に形成されるが、この樹脂層１６は金
属に比して柔らかいので、ウエハのダイシング処理時に
これに斜め割れ等が生じることがなく、品質上問題のな
いＩＣチップ１３が製造される。
上述したように、ＩＣチップ１３には、その実装面と相
反する面に、所定厚さ及び所定材質の樹脂層１６が形成
されている。この樹脂層１６は、上記ＩＣチップ１３の
製造前にウエハ上に形成されるが、この樹脂層１６は金
属に比して柔らかいので、ウエハのダイシング処理時に
これに斜め割れ等が生じることがなく、品質上問題のな
いＩＣチップ１３が製造される。
【００２０】さらに、ＩＣチップ１３上に形成する樹脂
層１６の厚さを増加したり、樹脂層１６の材質として比
重の大きい材質を選定すれば、ＩＣチップ１３の重量を
増加させることができる。すなわち、樹脂層１６の厚さ
及び材質を変化させると、リフロー処理に必要な重量の
ＩＣチップ１３を得ることができ、その結果、ＩＣチッ
プ１３の電極部１３ａに形成した各バンプ１４に掛かる
分荷重が大きくなる。このように、ＩＣチップ１３の重
量を樹脂層１６により増加して各バンプ１４に掛かる分
荷重を大きくすると、その分荷重により高さＨの高いバ
ンプ１４を構成する半田が溶けて、ＩＣチップ１３は上
記導体パターン１２側へある程度沈み込み、これにより
バンプ１４の高さＨのバラツキが吸収されて高さＨの低
いバンプ１４も上記導体パターン１２と確実に接続され
ることになる。従って、上記基板１１の導体パターン１
２と、上記ＩＣチップ１３の全てのバンプ１４とを、リ
フロー処理により安定して半田接続することができる。
層１６の厚さを増加したり、樹脂層１６の材質として比
重の大きい材質を選定すれば、ＩＣチップ１３の重量を
増加させることができる。すなわち、樹脂層１６の厚さ
及び材質を変化させると、リフロー処理に必要な重量の
ＩＣチップ１３を得ることができ、その結果、ＩＣチッ
プ１３の電極部１３ａに形成した各バンプ１４に掛かる
分荷重が大きくなる。このように、ＩＣチップ１３の重
量を樹脂層１６により増加して各バンプ１４に掛かる分
荷重を大きくすると、その分荷重により高さＨの高いバ
ンプ１４を構成する半田が溶けて、ＩＣチップ１３は上
記導体パターン１２側へある程度沈み込み、これにより
バンプ１４の高さＨのバラツキが吸収されて高さＨの低
いバンプ１４も上記導体パターン１２と確実に接続され
ることになる。従って、上記基板１１の導体パターン１
２と、上記ＩＣチップ１３の全てのバンプ１４とを、リ
フロー処理により安定して半田接続することができる。
【００２１】また、上記樹脂層１６はＩＣチップ１３の
実装面と相反する面にコーティングするだけで簡単に形
成することができるので、各ＩＣチップ１３毎に対応さ
せる必要がなく、実装工程におけるタクトタイムを増大
させることなくＩＣチップ１３の重量を増加することが
できる。特に、本実施例のように樹脂層１６が上記ＩＣ
チップ１３の製造前にウエハ上に形成されると、ＩＣチ
ップ１３の製造工程で樹脂層１６が形成されるため、実
装工程におけるタクトタイムは著しく短縮される。
実装面と相反する面にコーティングするだけで簡単に形
成することができるので、各ＩＣチップ１３毎に対応さ
せる必要がなく、実装工程におけるタクトタイムを増大
させることなくＩＣチップ１３の重量を増加することが
できる。特に、本実施例のように樹脂層１６が上記ＩＣ
チップ１３の製造前にウエハ上に形成されると、ＩＣチ
ップ１３の製造工程で樹脂層１６が形成されるため、実
装工程におけるタクトタイムは著しく短縮される。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るフリッ
プチップ実装構造によれば、実装工程においてタクトタ
イムを増大させないでもＩＣチップの重量を増加して各
バンプに掛かる分荷重を大きくすることができ、これに
より、バンプの高さバラツキを吸収して安定した半田接
続を得ることができる、という優れた効果を発揮する。
プチップ実装構造によれば、実装工程においてタクトタ
イムを増大させないでもＩＣチップの重量を増加して各
バンプに掛かる分荷重を大きくすることができ、これに
より、バンプの高さバラツキを吸収して安定した半田接
続を得ることができる、という優れた効果を発揮する。
【図１】本発明に係るフリップチップ実装構造の一実施
例を示す概略図である。
例を示す概略図である。
【図２】従来のフリップチップ実装構造の一例を示す概
略図である。
略図である。
【図３】従来のフリップチップ実装構造における不具合
を示す概略図である。
を示す概略図である。
１１ 基板 １２ 導体パターン １３ ＩＣチップ １３ａ 電極部 １４ バンプ １６ 樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒川 節子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に導体パターンを形成すると共
に、ＩＣチップの電極部にバンプを形成し、これらをリ
フロー処理により半田接続するフリップチップ実装構造
において、 上記ＩＣチップの実装面と相反する面に、樹脂層を形成
することを特徴とする、フリップチップ実装構造。 - 【請求項２】前記樹脂層が、ＩＣチップ製造前のウエハ
上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のフ
リップチップ実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32509491A JPH05136209A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | フリツプチツプ実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32509491A JPH05136209A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | フリツプチツプ実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136209A true JPH05136209A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18173073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32509491A Pending JPH05136209A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | フリツプチツプ実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136209A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028135A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP32509491A patent/JPH05136209A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028135A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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