JPH05136147A - インジウムバンプの形成方法 - Google Patents
インジウムバンプの形成方法Info
- Publication number
- JPH05136147A JPH05136147A JP3293354A JP29335491A JPH05136147A JP H05136147 A JPH05136147 A JP H05136147A JP 3293354 A JP3293354 A JP 3293354A JP 29335491 A JP29335491 A JP 29335491A JP H05136147 A JPH05136147 A JP H05136147A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｉｎバンプにバリなどの突起やバンプ表面に
凹凸のない、形状の均一なＩｎバンプを得る。 【構成】 半導体基板１上にレジストでパターンを形成
し、ＩｎにＩｎより低融点の物質を添加し、低融点化し
たＩｎ金属材料４を蒸着し、その後不活性ガス中でアニ
ール処理を行い、蒸着したＩｎ金属材料４の層を融か
す。その後リフトオフし、Ｉｎバンプ５を得る。 【効果】 アニール処理を行うことにより、蒸着したＩ
ｎ金属層が融けて、レジスト面上と金属パッド面上にＩ
ｎ金属が分かれ、リフトオフが容易になる。また、Ｉｎ
金属層が溶融したことにより、Ｉｎ金属層の表面が滑ら
かになり、バリ及びバンプ表面に凹凸の無い滑らかで形
状の整ったＩｎバンプが得られる。
凹凸のない、形状の均一なＩｎバンプを得る。 【構成】 半導体基板１上にレジストでパターンを形成
し、ＩｎにＩｎより低融点の物質を添加し、低融点化し
たＩｎ金属材料４を蒸着し、その後不活性ガス中でアニ
ール処理を行い、蒸着したＩｎ金属材料４の層を融か
す。その後リフトオフし、Ｉｎバンプ５を得る。 【効果】 アニール処理を行うことにより、蒸着したＩ
ｎ金属層が融けて、レジスト面上と金属パッド面上にＩ
ｎ金属が分かれ、リフトオフが容易になる。また、Ｉｎ
金属層が溶融したことにより、Ｉｎ金属層の表面が滑ら
かになり、バリ及びバンプ表面に凹凸の無い滑らかで形
状の整ったＩｎバンプが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上等にイン
ジウムバンプを形成する方法に関する。
ジウムバンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＨｇＣｄＴｅ結晶を用いた赤外線イメー
ジセンサは、信号読みだし用シリコンＩＣと光電変換用
のＨｇＣｄＴｅホトダイオードアレイとを互いに向き合
わせ、それぞれに形成されたバンプを介してこれらを圧
着し、電気的に接続させたハイブリッド構成となってい
る。
ジセンサは、信号読みだし用シリコンＩＣと光電変換用
のＨｇＣｄＴｅホトダイオードアレイとを互いに向き合
わせ、それぞれに形成されたバンプを介してこれらを圧
着し、電気的に接続させたハイブリッド構成となってい
る。
【０００３】この光電変換部に用いられているＨｇＣｄ
Ｔｅ結晶は、物理的応力に対して非常に弱いのでシリコ
ンＩＣとのハイブリッド化を行うために融点が低くやわ
らかい材料であるインジウム（Ｉｎ）をバンプ材料とし
て用いる必要がある。
Ｔｅ結晶は、物理的応力に対して非常に弱いのでシリコ
ンＩＣとのハイブリッド化を行うために融点が低くやわ
らかい材料であるインジウム（Ｉｎ）をバンプ材料とし
て用いる必要がある。
【０００４】このＩｎバンプを形成する方法としては、
メッキ法と蒸着法とがある。しかし、メッキ法は、プロ
セスが複雑で条件設定が難しいため、一般的には蒸着法
によるものが用いられている。形成方法は、図２に示す
ように、シリコンＩＣ基板上１にレジスト３でパターン
を形成し（図２（ａ））、Ｉｎ４を蒸着により全面に堆
積する（図２（ｂ））。
メッキ法と蒸着法とがある。しかし、メッキ法は、プロ
セスが複雑で条件設定が難しいため、一般的には蒸着法
によるものが用いられている。形成方法は、図２に示す
ように、シリコンＩＣ基板上１にレジスト３でパターン
を形成し（図２（ａ））、Ｉｎ４を蒸着により全面に堆
積する（図２（ｂ））。
【０００５】その後リフトオフを行い、不要なＩｎをレ
ジストと共に剥離し、Ｉｎバンプ５を形成する。また、
形成されたＩｎバンプ１個のサイズは、直径２５μｍ，
高さ１０μｍ程度で、図３で示すように基板上に１５μ
ｍ間隔でアレイ状に形成されている。
ジストと共に剥離し、Ｉｎバンプ５を形成する。また、
形成されたＩｎバンプ１個のサイズは、直径２５μｍ，
高さ１０μｍ程度で、図３で示すように基板上に１５μ
ｍ間隔でアレイ状に形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＩｎバ
ンプ形成方法には、以下に述べるような問題があった。
すなわち、上述した従来のＩｎバンプは、リフトオフに
より形成するため、そのＩｎバンプの形状は不均一にな
り易く、図２（ｃ）で示すようにバンプ高さのバラツキ
やバリ等が多く見られた。
ンプ形成方法には、以下に述べるような問題があった。
すなわち、上述した従来のＩｎバンプは、リフトオフに
より形成するため、そのＩｎバンプの形状は不均一にな
り易く、図２（ｃ）で示すようにバンプ高さのバラツキ
やバリ等が多く見られた。
【０００７】その結果、シリコンＩＣとホトダイオード
をハイブリッド化する際、隣接バンプとの接触やバンプ
結合不良などが発生し、これが画像化した時の画素欠陥
の原因となっていた。
をハイブリッド化する際、隣接バンプとの接触やバンプ
結合不良などが発生し、これが画像化した時の画素欠陥
の原因となっていた。
【０００８】本発明の目的は、リフトオフ法を用いるＩ
ｎバンプの形成において、均一な形状が得られるＩｎバ
ンプの形成方法を提供することにある。
ｎバンプの形成において、均一な形状が得られるＩｎバ
ンプの形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるインジウムバンプの形成方法において
は、半導体基板上にレジストでパターンを形成し、イン
ジウムを蒸着した後、リフトオフ法によりインジウムバ
ンプを形成する方法であって、前記インジウムにインジ
ウムより低融点の物質を添加したインジウムを蒸着し、
前記リフトオフを行う前に不活性ガス雰囲気中で、前記
低融点の物質を添加したインジウムの融点より高い温度
範囲でアニール処理を行う工程を含むものである。
め、本発明によるインジウムバンプの形成方法において
は、半導体基板上にレジストでパターンを形成し、イン
ジウムを蒸着した後、リフトオフ法によりインジウムバ
ンプを形成する方法であって、前記インジウムにインジ
ウムより低融点の物質を添加したインジウムを蒸着し、
前記リフトオフを行う前に不活性ガス雰囲気中で、前記
低融点の物質を添加したインジウムの融点より高い温度
範囲でアニール処理を行う工程を含むものである。
【００１０】
【作用】低融点のインジウムで蒸着を行い、その後不活
性ガス中で低融点化したインジウムの融点より高い温度
でアニール処理を行う。
性ガス中で低融点化したインジウムの融点より高い温度
でアニール処理を行う。
【００１１】このアニールをすることにより、蒸着して
形成されたＩｎ金属層は、加えた熱により融け、Ｉｎ金
属層がレジスト上と金属パッド上に分離することでバリ
などの発生要因が除かれ、後工程のリフトオフを容易に
することができる。また、Ｉｎが融け、Ｉｎ金属層の表
面が滑らかになることで、リフトオフ後のバンプ形状
は、表面に凹凸の少ない均一化したものとなる。
形成されたＩｎ金属層は、加えた熱により融け、Ｉｎ金
属層がレジスト上と金属パッド上に分離することでバリ
などの発生要因が除かれ、後工程のリフトオフを容易に
することができる。また、Ｉｎが融け、Ｉｎ金属層の表
面が滑らかになることで、リフトオフ後のバンプ形状
は、表面に凹凸の少ない均一化したものとなる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明のインジウムバンプの形成
プロセスの一実施例を説明するための模式図である。
て説明する。図１は、本発明のインジウムバンプの形成
プロセスの一実施例を説明するための模式図である。
【００１３】図１の（ａ）は、金属パッド２などが形成
されているシリコンＩＣ基板１上に、レジスト３でバン
プアレイ用パターンを形成した後の状態を示している。
図１の（ｂ）は、Ｉｎに異なる金属としてＢｉを添加
し、１２０℃程度まで低融点化したＩｎ金属材料４を、
蒸着した後の状態である。
されているシリコンＩＣ基板１上に、レジスト３でバン
プアレイ用パターンを形成した後の状態を示している。
図１の（ｂ）は、Ｉｎに異なる金属としてＢｉを添加
し、１２０℃程度まで低融点化したＩｎ金属材料４を、
蒸着した後の状態である。
【００１４】図１の（ｃ）は、（ｂ）で得られたものを
窒素雰囲気中で温度を１２５℃に上げ、アニール処理を
行い、Ｉｎを融かすことにより、蒸着されたＩｎ金属材
料４の層がリフトオフし易い形状になった後の状態であ
る。
窒素雰囲気中で温度を１２５℃に上げ、アニール処理を
行い、Ｉｎを融かすことにより、蒸着されたＩｎ金属材
料４の層がリフトオフし易い形状になった後の状態であ
る。
【００１５】図１の（ｄ）は、不要なレジストやＩｎを
除去するためのリフトオフを行った後の、バリやバンプ
上面に凹凸のない形状の整ったＩｎバンプ５が得られた
状態である。
除去するためのリフトオフを行った後の、バリやバンプ
上面に凹凸のない形状の整ったＩｎバンプ５が得られた
状態である。
【００１６】なお、以上実施例では半導体基板としてシ
リコンＩＣを用い、不活性ガスとして窒素ガスを用いた
が、特にこれらに限るものではない。
リコンＩＣを用い、不活性ガスとして窒素ガスを用いた
が、特にこれらに限るものではない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のインジウ
ムバンプの形成方法によれば、低融点化したＩｎを蒸着
し、その後に窒素雰囲気中でアニールを行えば、蒸着さ
れたＩｎが融け、その後のリフトオフが容易になり、ま
た、Ｉｎ表面が滑らかになることで、バリやバンプ上面
に凹凸のない形状の整ったＩｎバンプが得られる。
ムバンプの形成方法によれば、低融点化したＩｎを蒸着
し、その後に窒素雰囲気中でアニールを行えば、蒸着さ
れたＩｎが融け、その後のリフトオフが容易になり、ま
た、Ｉｎ表面が滑らかになることで、バリやバンプ上面
に凹凸のない形状の整ったＩｎバンプが得られる。
【００１８】従って、本発明によれば従来法に比べ、形
状の整ったＩｎバンプが形成でき、隣接バンプとの接触
やバンプ結合不良などが発生しにくく、ひいては画素欠
陥のない良好なハイブリッド赤外線センサを提供するこ
とができる効果を有する。
状の整ったＩｎバンプが形成でき、隣接バンプとの接触
やバンプ結合不良などが発生しにくく、ひいては画素欠
陥のない良好なハイブリッド赤外線センサを提供するこ
とができる効果を有する。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を説明す
るためのインジウムバンプの形成プロセスのサンプル状
態模式図である。
るためのインジウムバンプの形成プロセスのサンプル状
態模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、従来のインジウムバンプの
形成プロセスのサンプル状態模式図である。
形成プロセスのサンプル状態模式図である。
【図３】Ｉｎバンプのバンプアレイの模式図である。
１ 半導体基板 ２ 金属パッド ３ レジスト ４ インジウム金属材料 ５ インジウムバンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上にレジストでパターンを形
成し、インジウムを蒸着した後、リフトオフ法によりイ
ンジウムバンプを形成する方法であって、 前記インジウムにインジウムより低融点の物質を添加し
たインジウムを蒸着し、前記リフトオフを行う前に不活
性ガス雰囲気中で、前記低融点の物質を添加したインジ
ウムの融点より高い温度範囲でアニール処理を行う工程
を含むことを特徴とするインジウムバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293354A JPH05136147A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | インジウムバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293354A JPH05136147A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | インジウムバンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136147A true JPH05136147A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17793710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293354A Pending JPH05136147A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | インジウムバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8174118B2 (en) | 2009-01-05 | 2012-05-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Detection device and method for manufacturing the same |
| US8969851B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Detection device, photodiode array, and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3293354A patent/JPH05136147A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8174118B2 (en) | 2009-01-05 | 2012-05-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Detection device and method for manufacturing the same |
| US8969851B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Detection device, photodiode array, and method for manufacturing the same |
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