JPH05135410A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH05135410A JPH05135410A JP3297231A JP29723191A JPH05135410A JP H05135410 A JPH05135410 A JP H05135410A JP 3297231 A JP3297231 A JP 3297231A JP 29723191 A JP29723191 A JP 29723191A JP H05135410 A JPH05135410 A JP H05135410A
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】相変化型において、記録、消去、再生を繰り返
し行なっても基板の熱変形が生じず、繰り返し特性が安
定で良好にすることができる光記録媒体およびその製造
方法を提供する。 【構成】光記録媒体は、光を照射することにより可逆的
な相変化を起こす記録層１３の両面に保護層１２，１４
を形成したものにおいて、前記保護層１２，１４の少な
くともいずれか一方を、立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構
造を有する窒化ホウ素を含有した窒化ホウ素膜層により
形成している。その光記録媒体の製造方法において、前
記窒化ホウ素膜層は、層形成面上への真空蒸着およびス
パッタのいずれか一方によるホウ素の被着と、同時、交
互および前記ホウ素の被着後に、前記層形成面上に窒素
イオンを含むイオンを照射することにより形成してい
る。
し行なっても基板の熱変形が生じず、繰り返し特性が安
定で良好にすることができる光記録媒体およびその製造
方法を提供する。 【構成】光記録媒体は、光を照射することにより可逆的
な相変化を起こす記録層１３の両面に保護層１２，１４
を形成したものにおいて、前記保護層１２，１４の少な
くともいずれか一方を、立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構
造を有する窒化ホウ素を含有した窒化ホウ素膜層により
形成している。その光記録媒体の製造方法において、前
記窒化ホウ素膜層は、層形成面上への真空蒸着およびス
パッタのいずれか一方によるホウ素の被着と、同時、交
互および前記ホウ素の被着後に、前記層形成面上に窒素
イオンを含むイオンを照射することにより形成してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光を照射して記録層
を加熱することにより情報の記録、消去および再生を行
うことが可能な相変化型の光記録媒体およびその製造方
法に関するものである。
を加熱することにより情報の記録、消去および再生を行
うことが可能な相変化型の光記録媒体およびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報の高密度化が進むにつれ、非接触で
記録密度を大きくとれる光記録媒体が注目されている。
この光記録媒体には、情報の読み出しだけが可能な再生
専用型や、記録・再生だけが可能な追記型があるが、記
録・消去・再生が可能な書換え型のものは、映像、音
響、コンピュータ用データ等の情報に対して幅広い用途
が可能になるため、最も期待されている。
記録密度を大きくとれる光記録媒体が注目されている。
この光記録媒体には、情報の読み出しだけが可能な再生
専用型や、記録・再生だけが可能な追記型があるが、記
録・消去・再生が可能な書換え型のものは、映像、音
響、コンピュータ用データ等の情報に対して幅広い用途
が可能になるため、最も期待されている。
【０００３】またこの書換え型の光記録媒体には、さら
に相変化型、光磁気型および有機色素型がある。すなわ
ち、相変化型の例えばカルコゲン元素を主成分とする光
記録媒体における情報の記録は、レーザ光をその光記録
媒体に照射して、その部分をスポット状に溶融させた
後、照射を止めて急冷させ光記録媒体をアモルファス
（非晶質）化させることにより行う。また情報の消去は
レーザ光を照射し光記録媒体を結晶化温度以上で融点以
下の温度にして再結晶化させて行う。さらに情報の読み
出しはレーザ光を光記録媒体に照射し、結晶化した部分
とアモルファス化した部分との反射率の違いを検出する
ことにより行う。
に相変化型、光磁気型および有機色素型がある。すなわ
ち、相変化型の例えばカルコゲン元素を主成分とする光
記録媒体における情報の記録は、レーザ光をその光記録
媒体に照射して、その部分をスポット状に溶融させた
後、照射を止めて急冷させ光記録媒体をアモルファス
（非晶質）化させることにより行う。また情報の消去は
レーザ光を照射し光記録媒体を結晶化温度以上で融点以
下の温度にして再結晶化させて行う。さらに情報の読み
出しはレーザ光を光記録媒体に照射し、結晶化した部分
とアモルファス化した部分との反射率の違いを検出する
ことにより行う。
【０００４】光磁気型における情報の記録は、レーザ光
を光記録媒体に照射して照射部分の温度をキュリー点以
上まで上昇させ、その後照射を止めて冷却させる際に光
記録媒体に対して垂直方向の磁化を印加することによっ
て行う。また情報の消去は、記録と逆向きの磁界を印加
することによって行う。さらに情報の読み出しは、直線
偏光したレーザ光を前記磁化された部分に照射し、その
際生じる偏光面の回転すなわちカー効果やファラデ−効
果を利用して行う。
を光記録媒体に照射して照射部分の温度をキュリー点以
上まで上昇させ、その後照射を止めて冷却させる際に光
記録媒体に対して垂直方向の磁化を印加することによっ
て行う。また情報の消去は、記録と逆向きの磁界を印加
することによって行う。さらに情報の読み出しは、直線
偏光したレーザ光を前記磁化された部分に照射し、その
際生じる偏光面の回転すなわちカー効果やファラデ−効
果を利用して行う。
【０００５】また有機色素型における情報の記録は、光
記録媒体に長波長のレーザ光を照射し、化学反応により
光記録媒体の光吸収波長を変化させ、光記録媒体の媒体
材料を着色または変色させることにより行い、情報の消
去は短波長光を照射することにより行う。また情報の読
み出しは記録媒体の光吸収波長の変化を検出することに
よって行う。
記録媒体に長波長のレーザ光を照射し、化学反応により
光記録媒体の光吸収波長を変化させ、光記録媒体の媒体
材料を着色または変色させることにより行い、情報の消
去は短波長光を照射することにより行う。また情報の読
み出しは記録媒体の光吸収波長の変化を検出することに
よって行う。
【０００６】しかし、この有機色素型の光記録媒体は、
記録層の温度を上昇させる必要はないが、光記録媒体へ
の情報の記録、消去および読み出しのくり返し性および
安定性が悪いという問題が避けられないため実用化され
ていない。これに対して、光磁気型では光記録媒体のキ
ュリー温度（150〜200℃）程度、相変化型では500〜600
℃程度まで記録層の温度を上昇させる必要があるため、
記録層の熱的な劣下や、基板の表面の熱による変形とい
う問題が生じる。
記録層の温度を上昇させる必要はないが、光記録媒体へ
の情報の記録、消去および読み出しのくり返し性および
安定性が悪いという問題が避けられないため実用化され
ていない。これに対して、光磁気型では光記録媒体のキ
ュリー温度（150〜200℃）程度、相変化型では500〜600
℃程度まで記録層の温度を上昇させる必要があるため、
記録層の熱的な劣下や、基板の表面の熱による変形とい
う問題が生じる。
【０００７】すなわち、相変化型の光記録媒体を用いて
記録・再生を繰り返した場合、記録層に加えられた熱が
基板にも拡散し、そのため基板に熱的な損傷が加えられ
て熱による変形が生じ、その結果記録、消去等の繰り返
し特性が劣化する。特に相変化型では、光記録媒体の媒
体材料の融点という高い温度まで熱を加える必要がある
が、相変化型の基板材料として用いられているポリメチ
ルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネイト
（ＰＣ）は軟化点が100 ℃前後であるため、熱的な損傷
が激しい。
記録・再生を繰り返した場合、記録層に加えられた熱が
基板にも拡散し、そのため基板に熱的な損傷が加えられ
て熱による変形が生じ、その結果記録、消去等の繰り返
し特性が劣化する。特に相変化型では、光記録媒体の媒
体材料の融点という高い温度まで熱を加える必要がある
が、相変化型の基板材料として用いられているポリメチ
ルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネイト
（ＰＣ）は軟化点が100 ℃前後であるため、熱的な損傷
が激しい。
【０００８】このため、相変化型の従来の光記録媒体は
図１に示すように、基板１１に設ける記録層１３の両面
に保護層１２，１４を形成し、これらの保護層１２，１
４を記録層１３のレーザ光による加熱が効率よく行なわ
れるように断熱性を有し、かつ耐熱性を有する、例えば
ZnS，SiO2等の物質で形成し、厚さを約400〜1000Åとし
ている。こうして、保護層１２は基板１１に与えられる
熱損傷を防ぎ、また保護層１４は記録層１３の酸化やレ
ーザ光の熱放射を防ぐ役割をしている。
図１に示すように、基板１１に設ける記録層１３の両面
に保護層１２，１４を形成し、これらの保護層１２，１
４を記録層１３のレーザ光による加熱が効率よく行なわ
れるように断熱性を有し、かつ耐熱性を有する、例えば
ZnS，SiO2等の物質で形成し、厚さを約400〜1000Åとし
ている。こうして、保護層１２は基板１１に与えられる
熱損傷を防ぎ、また保護層１４は記録層１３の酸化やレ
ーザ光の熱放射を防ぐ役割をしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、相変化
型の光記録媒体は、記録層の両面に耐熱性の保護層を設
け、基板の熱的な損傷を防いでいる。しかしながら、こ
の保護層を通して熱が基板に拡散されるため、完全に基
板の熱損傷は防ぐことができず、記録、消去、再生の繰
り返しが行なわれるに従い、基板の熱劣化が生じるのが
実状であった。
型の光記録媒体は、記録層の両面に耐熱性の保護層を設
け、基板の熱的な損傷を防いでいる。しかしながら、こ
の保護層を通して熱が基板に拡散されるため、完全に基
板の熱損傷は防ぐことができず、記録、消去、再生の繰
り返しが行なわれるに従い、基板の熱劣化が生じるのが
実状であった。
【００１０】したがって、この発明の目的は、相変化型
において、記録、消去、再生を繰り返し行なっても基板
の熱変形が生じず、繰り返し特性が安定で良好にするこ
とができる光記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とである。
において、記録、消去、再生を繰り返し行なっても基板
の熱変形が生じず、繰り返し特性が安定で良好にするこ
とができる光記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の光記録媒体
は、光を照射することにより可逆的な相変化を起こす記
録層の両面に保護層を形成した光記録媒体において、保
護層の少なくともいずれか一方は、立方晶系の閃亜鉛鉱
型の結晶構造を有する窒化ホウ素を含有した窒化ホウ素
膜層であることを特徴とするものである。
は、光を照射することにより可逆的な相変化を起こす記
録層の両面に保護層を形成した光記録媒体において、保
護層の少なくともいずれか一方は、立方晶系の閃亜鉛鉱
型の結晶構造を有する窒化ホウ素を含有した窒化ホウ素
膜層であることを特徴とするものである。
【００１２】請求項２の光記録媒体の製造方法は、請求
項１記載の光記録媒体の製造方法であって、窒化ホウ素
膜層は、層形成面上への真空蒸着およびスパッタのいず
れか一方によるホウ素の被着と、同時、交互または前記
ホウ素の被着後に、層形成面上に窒素イオンを含むイオ
ンを照射することを特徴とするものである。
項１記載の光記録媒体の製造方法であって、窒化ホウ素
膜層は、層形成面上への真空蒸着およびスパッタのいず
れか一方によるホウ素の被着と、同時、交互または前記
ホウ素の被着後に、層形成面上に窒素イオンを含むイオ
ンを照射することを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】請求項１の光記録媒体によれば、基板１１上に
設ける記録層１３の両面に保護層１２，１４を形成する
ことでは図１の構成と同様である（図１の符号を引用し
ている）。この場合において、保護層の少なくともいず
れか一方に窒化ホウ素膜層（以下ＢＮ層という）を形成
する。ＢＮ層は化学的安定性に優れているので記録層の
保護層としての機能に優れ、耐候性が向上し、光記録媒
体の長期安定性が確保される。またＢＮ層に含有された
立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する窒化ホウ素
（以下ｃ−ＢＮという）は熱伝導率が高いため、記録層
に加えられた熱は保護層内で拡散されるので、基板への
熱影響が緩和されて基板の熱変形を防止でき、したがっ
て安定で良好な繰り返し特性が得られる。
設ける記録層１３の両面に保護層１２，１４を形成する
ことでは図１の構成と同様である（図１の符号を引用し
ている）。この場合において、保護層の少なくともいず
れか一方に窒化ホウ素膜層（以下ＢＮ層という）を形成
する。ＢＮ層は化学的安定性に優れているので記録層の
保護層としての機能に優れ、耐候性が向上し、光記録媒
体の長期安定性が確保される。またＢＮ層に含有された
立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する窒化ホウ素
（以下ｃ−ＢＮという）は熱伝導率が高いため、記録層
に加えられた熱は保護層内で拡散されるので、基板への
熱影響が緩和されて基板の熱変形を防止でき、したがっ
て安定で良好な繰り返し特性が得られる。
【００１４】請求項２の光記録媒体の製造方法によれ
ば、層形成面上への真空蒸着およびスパッタのいずれか
一方によるホウ素の被着と、同時、交互または前記ホウ
素の被着後に、層形成面上に窒素イオンを含むイオンを
照射することにより、ＢＮ層を形成する。この実施装置
の一例を図２に示す。すなわち、１は基板、２は基板１
を支持するホルダ、３はホウ素元素を含有する物質を蒸
発させる蒸発源、４はイオンを照射させるためのイオン
源、５は下地材となる基板１等の層形成面上に蒸着され
るホウ素の個数およびその膜厚を計測するための、例え
ば水晶振動式膜厚計等の膜厚モニタ、６は層形成面に照
射される窒素イオンの個数を計測するための、たとえば
２次電子抑制電極を備えたファラデ−カップ等のイオン
電流測定器である。これらは図示していない真空容器内
に収納されている。
ば、層形成面上への真空蒸着およびスパッタのいずれか
一方によるホウ素の被着と、同時、交互または前記ホウ
素の被着後に、層形成面上に窒素イオンを含むイオンを
照射することにより、ＢＮ層を形成する。この実施装置
の一例を図２に示す。すなわち、１は基板、２は基板１
を支持するホルダ、３はホウ素元素を含有する物質を蒸
発させる蒸発源、４はイオンを照射させるためのイオン
源、５は下地材となる基板１等の層形成面上に蒸着され
るホウ素の個数およびその膜厚を計測するための、例え
ば水晶振動式膜厚計等の膜厚モニタ、６は層形成面に照
射される窒素イオンの個数を計測するための、たとえば
２次電子抑制電極を備えたファラデ−カップ等のイオン
電流測定器である。これらは図示していない真空容器内
に収納されている。
【００１５】この製造方法を実施するに当たって、まず
基板１をホルダ２に支持した後、真空容器内を１×１０
-5Torr以下の高真空に排気する。この場合、基板１に保
護層を形成する際（図１の保護層１２に相当）には基板
１自体をホルダ２に保持し、記録層に保護層を形成する
際（図１の保護層１４に相当）には基板１上に保護層と
記録層が形成されたものをホルダ２に保持する。
基板１をホルダ２に支持した後、真空容器内を１×１０
-5Torr以下の高真空に排気する。この場合、基板１に保
護層を形成する際（図１の保護層１２に相当）には基板
１自体をホルダ２に保持し、記録層に保護層を形成する
際（図１の保護層１４に相当）には基板１上に保護層と
記録層が形成されたものをホルダ２に保持する。
【００１６】そして、蒸発源３を駆動させてホウ素元素
を含有する物質３′を基板１に真空蒸着する。この際、
ホウ素元素を含有する物質としては、ホウ素単体、ホウ
素元素の酸化物、あるいは窒化物等が選ばれる。また、
蒸発源３の方式は特に限定されるものではなく、例え
ば、電子ビーム（ＥＢ）、レーザまたは高周波等の手段
を用いるものが適宜選択される。
を含有する物質３′を基板１に真空蒸着する。この際、
ホウ素元素を含有する物質としては、ホウ素単体、ホウ
素元素の酸化物、あるいは窒化物等が選ばれる。また、
蒸発源３の方式は特に限定されるものではなく、例え
ば、電子ビーム（ＥＢ）、レーザまたは高周波等の手段
を用いるものが適宜選択される。
【００１７】また、ホウ素元素を含有する物質３′は、
スパッタによって基板１上に膜形成されても良い。この
際、スパッタさせる手法も特に限定されず、イオンビ−
ム、マグネトロンあるいは高周波等の手段によってスパ
ッタされる。このホウ素元素を含有する物質３′の真空
蒸着およびスパッタのいずれか一方と同時、もしくは交
互に、または真空蒸着・スパッタ後に、イオン源４より
窒素イオンを含有するイオン４′が蒸着等される面に照
射される。イオン４′としては、窒素イオンや、窒素イ
オンに不活性ガスイオンもしくは水素イオンを混合した
ものが選ばれる。また、イオン源４の型式も特に限定さ
れるものではなく、例えば、カウフマン型、バケット型
等のものが選ばれる。
スパッタによって基板１上に膜形成されても良い。この
際、スパッタさせる手法も特に限定されず、イオンビ−
ム、マグネトロンあるいは高周波等の手段によってスパ
ッタされる。このホウ素元素を含有する物質３′の真空
蒸着およびスパッタのいずれか一方と同時、もしくは交
互に、または真空蒸着・スパッタ後に、イオン源４より
窒素イオンを含有するイオン４′が蒸着等される面に照
射される。イオン４′としては、窒素イオンや、窒素イ
オンに不活性ガスイオンもしくは水素イオンを混合した
ものが選ばれる。また、イオン源４の型式も特に限定さ
れるものではなく、例えば、カウフマン型、バケット型
等のものが選ばれる。
【００１８】この結果、基板１等上に窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）を含有する薄膜が形成され、また、蒸着物質とイオ
ンとの衝突・反跳により、下地材の層形成面の構成原子
とそれらの混合層が基板１等とＢＮ層との界面に形成さ
れ、密着性に優れたＢＮ層が層形成面に形成される。な
お、この際、照射されるイオンの加速エネルギ−は、イ
オン１個当り１０ＫｅＶ以下であることが好ましい。１
０ＫｅＶを超えた場合には、照射イオンによる基板の損
傷が過大になるので好ましくない。
Ｎ）を含有する薄膜が形成され、また、蒸着物質とイオ
ンとの衝突・反跳により、下地材の層形成面の構成原子
とそれらの混合層が基板１等とＢＮ層との界面に形成さ
れ、密着性に優れたＢＮ層が層形成面に形成される。な
お、この際、照射されるイオンの加速エネルギ−は、イ
オン１個当り１０ＫｅＶ以下であることが好ましい。１
０ＫｅＶを超えた場合には、照射イオンによる基板の損
傷が過大になるので好ましくない。
【００１９】また、ＢＮ層に含有されるホウ素と窒素の
原子数比（Ｂ／Ｎ組成比）が２０以下になる様に、成膜
中のホウ素含有物質の蒸発量と、窒素イオンを含有する
イオンの照射量を適宜調整する必要がある。これは、Ｂ
Ｎ層のＢ／Ｎ組成比が２０を超えた場合、層内に含有さ
れる窒化ホウ素の量が少なくなり、窒化ホウ素の特性が
充分に引き出されない危険性があるためである。このＢ
／Ｎ組成比の調整は、膜厚モニタ５並びにイオン電流測
定器６によって行なわれる。
原子数比（Ｂ／Ｎ組成比）が２０以下になる様に、成膜
中のホウ素含有物質の蒸発量と、窒素イオンを含有する
イオンの照射量を適宜調整する必要がある。これは、Ｂ
Ｎ層のＢ／Ｎ組成比が２０を超えた場合、層内に含有さ
れる窒化ホウ素の量が少なくなり、窒化ホウ素の特性が
充分に引き出されない危険性があるためである。このＢ
／Ｎ組成比の調整は、膜厚モニタ５並びにイオン電流測
定器６によって行なわれる。
【００２０】この製造方法によれば、層形成面上への真
空蒸着およびスパッタのいずれか一方によるホウ素の被
着と、同時、交互または前記ホウ素の被着後に、前記層
形成面上に窒素イオンを含むイオンを照射するという方
法により、軟質ながらも化学的安定性の高い六方晶系で
グラファイトに類似した結晶構造の窒化ホウ素（ｈ−Ｂ
Ｎ）がＢＮ層中に含有されるだけでなく、イオンと蒸着
されるホウ素原子との衝突によって当ホウ素原子が励起
されるので、化学的安定性が高くかつ熱伝導率の大きな
立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造のｃ−ＢＮの薄膜合成
が非熱平衡過程下で可能となる。このように、この製造
方法は低温下でｃ−ＢＮを合成することができるので、
基板や記録層への熱影響を回避することができる。他の
方法、例えばＣＶＤ法でこのｃ−ＢＮを合成する場合に
は高温を必要とするため、基板や記録層に熱的に損傷が
加えられやすく、基板上に薄膜として被覆させる事は困
難であった。
空蒸着およびスパッタのいずれか一方によるホウ素の被
着と、同時、交互または前記ホウ素の被着後に、前記層
形成面上に窒素イオンを含むイオンを照射するという方
法により、軟質ながらも化学的安定性の高い六方晶系で
グラファイトに類似した結晶構造の窒化ホウ素（ｈ−Ｂ
Ｎ）がＢＮ層中に含有されるだけでなく、イオンと蒸着
されるホウ素原子との衝突によって当ホウ素原子が励起
されるので、化学的安定性が高くかつ熱伝導率の大きな
立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造のｃ−ＢＮの薄膜合成
が非熱平衡過程下で可能となる。このように、この製造
方法は低温下でｃ−ＢＮを合成することができるので、
基板や記録層への熱影響を回避することができる。他の
方法、例えばＣＶＤ法でこのｃ−ＢＮを合成する場合に
は高温を必要とするため、基板や記録層に熱的に損傷が
加えられやすく、基板上に薄膜として被覆させる事は困
難であった。
【００２１】また、基板１を支持するホルダ２を水冷す
ることによって、ＢＮ層作成中の基板１を冷却すること
が可能であり、これにより成膜中の熱による損傷をさら
に防止することが可能である。なお、成膜中、基板１が
冷却されても、ＢＮ層と基板１との密着性、およびｃ−
ＢＮの含有量は変化しないことが確かめられている。
ることによって、ＢＮ層作成中の基板１を冷却すること
が可能であり、これにより成膜中の熱による損傷をさら
に防止することが可能である。なお、成膜中、基板１が
冷却されても、ＢＮ層と基板１との密着性、およびｃ−
ＢＮの含有量は変化しないことが確かめられている。
【００２２】
【実施例】基板１としてポリメチルメタアクリレート樹
脂を用い、その上にSiO2の保護層を500 Å、その上にＢ
Ｎ層よりなる保護層を500 Å、さらにその保護層上にGe
-Sb-Te系の記録層を600 Å形成し、さらにその記録層の
上にはSiO2よりなる保護層を1000Å形成した。
脂を用い、その上にSiO2の保護層を500 Å、その上にＢ
Ｎ層よりなる保護層を500 Å、さらにその保護層上にGe
-Sb-Te系の記録層を600 Å形成し、さらにその記録層の
上にはSiO2よりなる保護層を1000Å形成した。
【００２３】また、このＢＮ層は図２に示したような装
置を用いて、ホウ素（純度99.7％）の電子ビーム加熱に
よる真空蒸着と同時に窒素ガス（純度5Nすなわち99.999
％）をイオン化させ、加速エネルギー500eV でイオン照
射することによって形成した。なお、ＢＮ層を形成する
際のＢ／Ｎ輸送比は２であった。なお、Ｓｉの基板の
（１００）面を用いて、同じ方法によりＢＮ層を500nm
作成したものの、赤外吸収ピ−クを測定したところ、ｃ
−ＢＮによる1080cm-1付近の吸収ピ−クが認められ、こ
の方法によるＢＮ層内にｃ−ＢＮが形成していることが
確かめられた。
置を用いて、ホウ素（純度99.7％）の電子ビーム加熱に
よる真空蒸着と同時に窒素ガス（純度5Nすなわち99.999
％）をイオン化させ、加速エネルギー500eV でイオン照
射することによって形成した。なお、ＢＮ層を形成する
際のＢ／Ｎ輸送比は２であった。なお、Ｓｉの基板の
（１００）面を用いて、同じ方法によりＢＮ層を500nm
作成したものの、赤外吸収ピ−クを測定したところ、ｃ
−ＢＮによる1080cm-1付近の吸収ピ−クが認められ、こ
の方法によるＢＮ層内にｃ−ＢＮが形成していることが
確かめられた。
【００２４】この光記録媒体に対し、波長830nmの半導
体レーザを記録層に合焦させて、記録時にはパワー25m
W、パルス幅100nsec で照射し、消去時にはパワー12m
W、パルス幅100nsec で照射して記録層のアモルファス
化および再結晶化を10回および10 5 回繰り返し、光記録
媒体の反射率の繰り返し特性を求めた。その結果、記
録、消去を10回繰り返した後の、記録時の反射率は15
％、消去時は10％であり、105回繰り返した後の、記録
時の反射率も15％、消去時は10％と変化がなかった。
体レーザを記録層に合焦させて、記録時にはパワー25m
W、パルス幅100nsec で照射し、消去時にはパワー12m
W、パルス幅100nsec で照射して記録層のアモルファス
化および再結晶化を10回および10 5 回繰り返し、光記録
媒体の反射率の繰り返し特性を求めた。その結果、記
録、消去を10回繰り返した後の、記録時の反射率は15
％、消去時は10％であり、105回繰り返した後の、記録
時の反射率も15％、消去時は10％と変化がなかった。
【００２５】一方、比較例として、実施例におけるＢＮ
層がない光記録媒体において、記録、消去を10回、およ
び105 回繰り返した際の反射率を測定したところ、10回
繰り返した後の記録時の反射率は15％、消去時は10％で
あったが、105回繰り返した後の記録時の反射率は12
％、消去時は9 ％と低下した。また実施例および比較例
の光記録媒体において、記録層および保護層をエッチン
グにより除去し、光学顕微鏡により基板表面を観察した
ところ、実施例のものは何の異常も認められなかった
が、比較例のものは基板表面が熱変形していることが認
められた。よって、この比較例の反射率の低下は、基板
の熱変形が原因であることが判明した。
層がない光記録媒体において、記録、消去を10回、およ
び105 回繰り返した際の反射率を測定したところ、10回
繰り返した後の記録時の反射率は15％、消去時は10％で
あったが、105回繰り返した後の記録時の反射率は12
％、消去時は9 ％と低下した。また実施例および比較例
の光記録媒体において、記録層および保護層をエッチン
グにより除去し、光学顕微鏡により基板表面を観察した
ところ、実施例のものは何の異常も認められなかった
が、比較例のものは基板表面が熱変形していることが認
められた。よって、この比較例の反射率の低下は、基板
の熱変形が原因であることが判明した。
【００２６】なお、この発明における保護層は、ＢＮ層
を有すること以外は特に限定されず、そのＢＮ層も基板
と記録層の間、または記録層の基板と反対側のいずれ
か、または両方に設けても良く、さらに実施例のように
保護層の一部として設けられてもよい。さらに記録層や
基板の種類も特に限定されない。
を有すること以外は特に限定されず、そのＢＮ層も基板
と記録層の間、または記録層の基板と反対側のいずれ
か、または両方に設けても良く、さらに実施例のように
保護層の一部として設けられてもよい。さらに記録層や
基板の種類も特に限定されない。
【００２７】
【発明の効果】請求項１の光記録媒体によれば、基板上
に設ける記録層の両面に保護層を形成し、これらの少な
くともいずれか一方に窒化ホウ素膜層（ＢＮ層）を形成
したため、ＢＮ層は化学的安定性に優れているので記録
層の保護層としての機能に優れ、耐候性が向上し、光記
録媒体の長期安定性が確保される。またＢＮ層に含有さ
れた立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する窒化ホウ
素（ｃ−ＢＮ）は熱伝導率が高いため、記録層に加えら
れた熱が保護層内で拡散されるので、基板への熱の影響
が緩和されて基板の熱変形を防止でき、したがって安定
で良好な繰り返し特性が得られるという効果がある。
に設ける記録層の両面に保護層を形成し、これらの少な
くともいずれか一方に窒化ホウ素膜層（ＢＮ層）を形成
したため、ＢＮ層は化学的安定性に優れているので記録
層の保護層としての機能に優れ、耐候性が向上し、光記
録媒体の長期安定性が確保される。またＢＮ層に含有さ
れた立方晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する窒化ホウ
素（ｃ−ＢＮ）は熱伝導率が高いため、記録層に加えら
れた熱が保護層内で拡散されるので、基板への熱の影響
が緩和されて基板の熱変形を防止でき、したがって安定
で良好な繰り返し特性が得られるという効果がある。
【００２８】請求項２の光記録媒体の製造方法によれ
ば、層形成面上への真空蒸着およびスパッタのいずれか
一方によるホウ素の被着と、同時、交互または前記ホウ
素の被着後に、前記層形成面上に窒素イオンを含むイオ
ンを照射することにより、ＢＮ層を形成するため、低温
下でｃ−ＢＮを合成することができ、基板や記録層への
熱影響を回避することができるという効果がある。
ば、層形成面上への真空蒸着およびスパッタのいずれか
一方によるホウ素の被着と、同時、交互または前記ホウ
素の被着後に、前記層形成面上に窒素イオンを含むイオ
ンを照射することにより、ＢＮ層を形成するため、低温
下でｃ−ＢＮを合成することができ、基板や記録層への
熱影響を回避することができるという効果がある。
【図１】光記録媒体の層構造を説明する説明図である。
【図２】この発明の製造方法の実施装置の概略説明図で
ある。
ある。
１１ 基板 １２ 保護層 １３ 記録層 １４ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鞍谷 直人 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 光を照射することにより可逆的な相変化
を起こす記録層の両面に保護層を形成した光記録媒体に
おいて、前記保護層の少なくともいずれか一方は、立方
晶系の閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する窒化ホウ素を含有
した窒化ホウ素膜層であることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光記録媒体の製造方法で
あって、前記窒化ホウ素膜層は、層形成面上への真空蒸
着およびスパッタのいずれか一方によるホウ素の被着
と、同時、交互または前記ホウ素の被着後に、前記層形
成面上に窒素イオンを含むイオンを照射することを特徴
とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297231A JPH05135410A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297231A JPH05135410A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135410A true JPH05135410A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17843867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3297231A Pending JPH05135410A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05135410A (ja) |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP3297231A patent/JPH05135410A/ja active Pending
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