JPH05132778A - 金属窒化物被膜の形成方法 - Google Patents
金属窒化物被膜の形成方法Info
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- JPH05132778A JPH05132778A JP29558691A JP29558691A JPH05132778A JP H05132778 A JPH05132778 A JP H05132778A JP 29558691 A JP29558691 A JP 29558691A JP 29558691 A JP29558691 A JP 29558691A JP H05132778 A JPH05132778 A JP H05132778A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】残留ハロゲン量が少なく、膜特性の優れた金属
窒化物被膜を高い成膜速度で形成することが可能な方法
を提供しようとするものである。 【構成】直流プラズマＣＶＤ法により真空チャンバ１内
で基材１３表面に金属窒化物被膜を形成する方法におい
て、原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガ
スおよび水素ガスを用い、前記基材１３に印加する直流
バイアス電圧を−１００Ｖ〜−１２００、前記基材１３
の温度を４００℃以上、前記チャンバ１内の圧力を０．
１〜１０ｔｏｒｒにして成膜すること特徴としている。
窒化物被膜を高い成膜速度で形成することが可能な方法
を提供しようとするものである。 【構成】直流プラズマＣＶＤ法により真空チャンバ１内
で基材１３表面に金属窒化物被膜を形成する方法におい
て、原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガ
スおよび水素ガスを用い、前記基材１３に印加する直流
バイアス電圧を−１００Ｖ〜−１２００、前記基材１３
の温度を４００℃以上、前記チャンバ１内の圧力を０．
１〜１０ｔｏｒｒにして成膜すること特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属窒化物被膜の形成
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および課題】各種の低温プラズマを用いた
被膜形成法、例えばイオンプレーティング法などのＰＶ
Ｄ法は、高温で被膜形成を行う熱ＣＶＤ法に比較して５
５０℃以下の低温で金属窒化物被膜等のセラッミク被膜
を形成することが可能である。しかしながら、ＰＶＤ法
では立体形状基材に対する被膜の付き回り性が低いとい
う問題があった。特に、大型複雑立体形状基材では前記
付き回り性の低下が顕著となるため、実質的にＰＶＤ法
を適用することは困難であった。
被膜形成法、例えばイオンプレーティング法などのＰＶ
Ｄ法は、高温で被膜形成を行う熱ＣＶＤ法に比較して５
５０℃以下の低温で金属窒化物被膜等のセラッミク被膜
を形成することが可能である。しかしながら、ＰＶＤ法
では立体形状基材に対する被膜の付き回り性が低いとい
う問題があった。特に、大型複雑立体形状基材では前記
付き回り性の低下が顕著となるため、実質的にＰＶＤ法
を適用することは困難であった。
【０００３】このようなことから、ＣＶＤ法の良好な付
き回り性とＰＶＤ法の低温での被膜形成という両者の長
所を兼ね備えたプラズマＣＶＤ法が開発されつつある。
特に、直流プラズマＣＶＤ法は、プラズマの発生法が容
易で大型立体基材の表面全体にプラズマをほぼ均一に発
生でき、しかもプラズマ自体で前記基材を均一に加熱さ
せることも可能である。
き回り性とＰＶＤ法の低温での被膜形成という両者の長
所を兼ね備えたプラズマＣＶＤ法が開発されつつある。
特に、直流プラズマＣＶＤ法は、プラズマの発生法が容
易で大型立体基材の表面全体にプラズマをほぼ均一に発
生でき、しかもプラズマ自体で前記基材を均一に加熱さ
せることも可能である。
【０００４】ところで、プラズマＣＶＤ法により金属窒
化物被膜を形成するには、従来よりハロゲン化金属ガ
ス、窒素ガスおよび水素ガスを原料ガスとして用いるこ
とが行われている。しかしながら、ハロゲン化金属ガス
を原料ガスの一成分として用いると、形成された被膜中
にハロゲンが不純物として残留し、その残留量が多くな
ると膜質、特に耐食性を著しく低下させるという問題が
ある。また、窒素源として窒素ガスを用いて成膜する
と、ハロゲン化金属ガスとの反応性が低いために、成膜
速度を高める目的からプラズマへの供給電圧を大きく必
要がある。しかしながら、成膜時において、基材に印加
する直流電圧値を高くするほど、被膜中に残留するハロ
ゲン量が増大し、形成された金属窒化物被膜の耐食性等
が低下するという問題がある。
化物被膜を形成するには、従来よりハロゲン化金属ガ
ス、窒素ガスおよび水素ガスを原料ガスとして用いるこ
とが行われている。しかしながら、ハロゲン化金属ガス
を原料ガスの一成分として用いると、形成された被膜中
にハロゲンが不純物として残留し、その残留量が多くな
ると膜質、特に耐食性を著しく低下させるという問題が
ある。また、窒素源として窒素ガスを用いて成膜する
と、ハロゲン化金属ガスとの反応性が低いために、成膜
速度を高める目的からプラズマへの供給電圧を大きく必
要がある。しかしながら、成膜時において、基材に印加
する直流電圧値を高くするほど、被膜中に残留するハロ
ゲン量が増大し、形成された金属窒化物被膜の耐食性等
が低下するという問題がある。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたもので、残留ハロゲン量が少なく、膜特性
の優れた金属窒化物被膜を高い成膜速度で形成すること
が可能な方法を提供しようとするものである。
めになされたもので、残留ハロゲン量が少なく、膜特性
の優れた金属窒化物被膜を高い成膜速度で形成すること
が可能な方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、直流プラズマ
ＣＶＤ法により真空チャンバ内で基材表面に金属窒化物
被膜を形成する方法において、
ＣＶＤ法により真空チャンバ内で基材表面に金属窒化物
被膜を形成する方法において、
【０００７】原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アン
モニアガスおよび水素ガスを用い、前記基材に印加する
直流バイアス電圧を−１００Ｖ〜−１２００Ｖ、前記基
材温度を４００℃以上、前記チャンバ内の圧力を０．１
〜１０ｔｏｒｒとした条件にて成膜することを特徴とす
る金属窒化物被膜の形成方法である。前記ハロゲン化金
属ガスガスとしては、例えばＴｉＣｌ4 、ＭｏＣｌ2 、
ＷＣｌ6 、ＷＦ6 等を用いることができる。
モニアガスおよび水素ガスを用い、前記基材に印加する
直流バイアス電圧を−１００Ｖ〜−１２００Ｖ、前記基
材温度を４００℃以上、前記チャンバ内の圧力を０．１
〜１０ｔｏｒｒとした条件にて成膜することを特徴とす
る金属窒化物被膜の形成方法である。前記ハロゲン化金
属ガスガスとしては、例えばＴｉＣｌ4 、ＭｏＣｌ2 、
ＷＣｌ6 、ＷＦ6 等を用いることができる。
【０００８】前記成膜時における基材に印加する直流バ
イアス電圧、基材温度およびチャンバ内の圧力を限定し
たのは、次のような理由によるものである。前記直流バ
イアス電圧を−１００Ｖ未満にすると、成膜速度が低下
する。前記直流バイアス電圧が−１２００Ｖを越え、前
記チャンバ内の圧力が０．１〜１０ｔｏｒｒの範囲を逸
脱するとプラズマ空間において均一気相反応が起こり易
くなり、微粉末が発生して膜質の低下を招いたり、原料
ガスの供給ノズルの目詰まりを引き起こす。前記基材温
度を４００℃未満にすると、ハロゲン等の不純物が多量
に残留して緻密性等に欠ける金属窒化物被膜が成膜され
る。特に、前記直流バイアス電圧は−６００〜−１２０
０Ｖの範囲することがより好ましい。
イアス電圧、基材温度およびチャンバ内の圧力を限定し
たのは、次のような理由によるものである。前記直流バ
イアス電圧を−１００Ｖ未満にすると、成膜速度が低下
する。前記直流バイアス電圧が−１２００Ｖを越え、前
記チャンバ内の圧力が０．１〜１０ｔｏｒｒの範囲を逸
脱するとプラズマ空間において均一気相反応が起こり易
くなり、微粉末が発生して膜質の低下を招いたり、原料
ガスの供給ノズルの目詰まりを引き起こす。前記基材温
度を４００℃未満にすると、ハロゲン等の不純物が多量
に残留して緻密性等に欠ける金属窒化物被膜が成膜され
る。特に、前記直流バイアス電圧は−６００〜−１２０
０Ｖの範囲することがより好ましい。
【０００９】
【作用】本発明者らは、以下に説明する知見によりＳＫ
Ｈ５１やＳＵＳ３０４などからなる基材表面に残留ハロ
ゲン量が少なく、膜特性の優れた金属窒化物被膜を高い
成膜速度で形成し得る方法を見出した。
Ｈ５１やＳＵＳ３０４などからなる基材表面に残留ハロ
ゲン量が少なく、膜特性の優れた金属窒化物被膜を高い
成膜速度で形成し得る方法を見出した。
【００１０】すなわち、本発明者らは窒素源として窒素
ガスの代わりにアンモニアガスを用いて直流プラズマ法
で金属窒化物被膜を形成すると、窒素ガスを用いた場合
に比べて低いプラズマ印加電圧で残留ハロゲン量が少な
く、膜特性も良好な金属窒化物被膜を形成することが可
能であることを究明した。しかしながら、アンモニアガ
スは窒素ガスに比べて反応性が高いために、条件設定を
誤るとかえって膜質（例えば緻密性等）が悪化するとい
う問題を招くことがわかった。
ガスの代わりにアンモニアガスを用いて直流プラズマ法
で金属窒化物被膜を形成すると、窒素ガスを用いた場合
に比べて低いプラズマ印加電圧で残留ハロゲン量が少な
く、膜特性も良好な金属窒化物被膜を形成することが可
能であることを究明した。しかしながら、アンモニアガ
スは窒素ガスに比べて反応性が高いために、条件設定を
誤るとかえって膜質（例えば緻密性等）が悪化するとい
う問題を招くことがわかった。
【００１１】このようなことから、本発明者らは原料ガ
スとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスおよび水
素ガスを用いて直流プラズマＣＶＤ法により真空チャン
バ内で基材表面に金属窒化物被膜を形成するに際し、前
記基材に印加する直流バイアス電圧、前記基材温度、前
記チャンバ内の圧力をそれぞれ−１００Ｖ〜−１２００
Ｖ、４００℃以上、０．１〜１０ｔｏｒｒに設定して成
膜することによって、前記アンモニアガスの高い反応性
をコントロールできると共に、前記アンモニアガスの高
い反応性を生かして基材表面に残留ハロゲン量が少な
く、膜特性（結晶性、緻密性等）の優れた金属窒化物被
膜を高い成膜速度で形成し得る方法を見い出した。
スとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスおよび水
素ガスを用いて直流プラズマＣＶＤ法により真空チャン
バ内で基材表面に金属窒化物被膜を形成するに際し、前
記基材に印加する直流バイアス電圧、前記基材温度、前
記チャンバ内の圧力をそれぞれ−１００Ｖ〜−１２００
Ｖ、４００℃以上、０．１〜１０ｔｏｒｒに設定して成
膜することによって、前記アンモニアガスの高い反応性
をコントロールできると共に、前記アンモニアガスの高
い反応性を生かして基材表面に残留ハロゲン量が少な
く、膜特性（結晶性、緻密性等）の優れた金属窒化物被
膜を高い成膜速度で形成し得る方法を見い出した。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図１は、本実施例で使用した直流プラズマ
ＣＶＤ装置を示す概略図である。図中の１は、真空チャ
ンバである。このチャンバ１の中央下部には、回転式の
平板状電極２が設置されている。前記電極２には、ヒー
タ３が内蔵され、前記電極２上に載置される基材の温度
を制御できるようになっている。前記電極２には、直流
電源４が接続されている。前記チャンバ１の底部には、
排気管５が設けられており、かつ該排気管５の他端には
真空ポンプ６が連結されている。また、前記排気管５に
は前記チャンバ１内の圧力を調整するための圧力調整バ
ルブ７が介装されている。
ＣＶＤ装置を示す概略図である。図中の１は、真空チャ
ンバである。このチャンバ１の中央下部には、回転式の
平板状電極２が設置されている。前記電極２には、ヒー
タ３が内蔵され、前記電極２上に載置される基材の温度
を制御できるようになっている。前記電極２には、直流
電源４が接続されている。前記チャンバ１の底部には、
排気管５が設けられており、かつ該排気管５の他端には
真空ポンプ６が連結されている。また、前記排気管５に
は前記チャンバ１内の圧力を調整するための圧力調整バ
ルブ７が介装されている。
【００１４】前記電極２の上方のチャンバ１内には、２
本のガス供給ノズル８ａ、８ｂがそれぞれ配置され、か
つ前記各ガス供給ノズル８ａ、８ｂの他端は前記チャン
バ１上壁を貫通して外部に延出されている。前記一方の
ガス供給ノズル８ａには、ＴｉＣｌ4 ガスを導入するた
めのガス導入管９ａとＨ2ガスを導入するためのガス分
岐管１０ａが連結されている。前記他方のガス供給ノズ
ル８ｂには、Ｈ2 ガスを導入するためのガス分岐管１０
ｂとＮＨ3 ガスを導入するためのガス導入管９ｂが連結
されている。なお、前記ガス分岐管１０ａ、１０ｂは後
端で互いにガス導入管９ｃに連結されている。前記各ガ
ス導入管９ａ、９ｂ、ガス分岐管１０ａ、１０ｂには、
バルブ１１ａ〜１１ｄがそれぞれ介装されている。前記
バルブ１１ａ〜１１ｄの後端側の前記ガス導入管９ａ〜
９ｃには、マスフローコントローラ１２ａ〜１２ｃがそ
れぞれ介装されている。 実施例 前述した直流プラズマＣＶＤ装置を用いて窒化チタン被
膜を形成する方法を説明する。
本のガス供給ノズル８ａ、８ｂがそれぞれ配置され、か
つ前記各ガス供給ノズル８ａ、８ｂの他端は前記チャン
バ１上壁を貫通して外部に延出されている。前記一方の
ガス供給ノズル８ａには、ＴｉＣｌ4 ガスを導入するた
めのガス導入管９ａとＨ2ガスを導入するためのガス分
岐管１０ａが連結されている。前記他方のガス供給ノズ
ル８ｂには、Ｈ2 ガスを導入するためのガス分岐管１０
ｂとＮＨ3 ガスを導入するためのガス導入管９ｂが連結
されている。なお、前記ガス分岐管１０ａ、１０ｂは後
端で互いにガス導入管９ｃに連結されている。前記各ガ
ス導入管９ａ、９ｂ、ガス分岐管１０ａ、１０ｂには、
バルブ１１ａ〜１１ｄがそれぞれ介装されている。前記
バルブ１１ａ〜１１ｄの後端側の前記ガス導入管９ａ〜
９ｃには、マスフローコントローラ１２ａ〜１２ｃがそ
れぞれ介装されている。 実施例 前述した直流プラズマＣＶＤ装置を用いて窒化チタン被
膜を形成する方法を説明する。
【００１５】まず、真空チャンバ１内の平板状電極２上
にＳＫＨ５１製の平板状基材１３を載置した。つづい
て、真空ポンプ６を作動して排気管５を通して前記チャ
ンバ１内のガスを排気した後、マスフローコントローラ
１２ｂおよびバルブ１１ｃで流量調節された１０００ｓ
ｃｃｍのＨ2 ガスをガス供給ノズル８ｂを通して前記チ
ャンバ１内に供給し、圧力調整バルブ７によりチャンバ
１内の圧力を０．５ｔｏｒｒに保持した。この状態で直
流電源４から−１５００Ｖの直流電圧を前記平板状電極
２に印加し、前記チャンバ１内にプラズマを発生させて
チャンバ１内面、平板状電極２および平板状基材１３の
表面を３０分間水素プラズマにより清浄化した。
にＳＫＨ５１製の平板状基材１３を載置した。つづい
て、真空ポンプ６を作動して排気管５を通して前記チャ
ンバ１内のガスを排気した後、マスフローコントローラ
１２ｂおよびバルブ１１ｃで流量調節された１０００ｓ
ｃｃｍのＨ2 ガスをガス供給ノズル８ｂを通して前記チ
ャンバ１内に供給し、圧力調整バルブ７によりチャンバ
１内の圧力を０．５ｔｏｒｒに保持した。この状態で直
流電源４から−１５００Ｖの直流電圧を前記平板状電極
２に印加し、前記チャンバ１内にプラズマを発生させて
チャンバ１内面、平板状電極２および平板状基材１３の
表面を３０分間水素プラズマにより清浄化した。
【００１６】次いで、前記平板状電極２に印加する電圧
を−８００Ｖに調整し、マスフローコントローラ１２ｃ
およびバルブ１１ｄで流量調節された２００ｓｃｃｍの
ＮＨ3 とマスフローコントローラ１２ｂおよびバルブ１
１ｃで流量調節された２０００ｓｃｃｍのＨ2 ガスをガ
ス供給ノズル８ｂを通して前記チャンバ１内に供給し、
圧力調整バルブ７によりチャンバ１内の圧力を１ｔｏｒ
ｒに保持した。この時、ヒータ３により平板状基材１３
の表面温度を５００℃に制御した。この状態を３０分間
保持した後、マスフローコントローラ１２ａおよびバル
ブ１１ａで流量調節された５０ｓｃｃｍのＴｉＣｌ4 と
マスフローコントローラ１２ｂおよびバルブ１１ｂで流
量調節された１０００ｓｃｃｍのＨ2 ガスをガス供給ノ
ズル８ａを通して前記チャンバ１内に供給すると共に、
マスフローコントローラ１２ｃおよびバルブ１１ｄで流
量調節された２００ｓｃｃｍのＮＨ3 とマスフローコン
トローラ１２ｂおよびバルブ１１ｃで流量調節された１
０００ｓｃｃｍのＨ2 ガスをガス供給ノズル８ｂを通し
て前記チャンバ１内に供給し、前記基材１３表面に窒化
チタン被膜の成膜を開始した。かかる状態を２時間保持
した後、前記各原料ガスの供給および平板状電極２への
電圧印加を停止し、チャンバ１内を真空排気して窒化チ
タン被膜の成膜を終了した。 比較例 アンモニアガスの代わりに１５０ｓｃｃｍの窒素ガスを
用いた以外、実施例１と同様な条件で窒化チタン被膜を
成膜した。
を−８００Ｖに調整し、マスフローコントローラ１２ｃ
およびバルブ１１ｄで流量調節された２００ｓｃｃｍの
ＮＨ3 とマスフローコントローラ１２ｂおよびバルブ１
１ｃで流量調節された２０００ｓｃｃｍのＨ2 ガスをガ
ス供給ノズル８ｂを通して前記チャンバ１内に供給し、
圧力調整バルブ７によりチャンバ１内の圧力を１ｔｏｒ
ｒに保持した。この時、ヒータ３により平板状基材１３
の表面温度を５００℃に制御した。この状態を３０分間
保持した後、マスフローコントローラ１２ａおよびバル
ブ１１ａで流量調節された５０ｓｃｃｍのＴｉＣｌ4 と
マスフローコントローラ１２ｂおよびバルブ１１ｂで流
量調節された１０００ｓｃｃｍのＨ2 ガスをガス供給ノ
ズル８ａを通して前記チャンバ１内に供給すると共に、
マスフローコントローラ１２ｃおよびバルブ１１ｄで流
量調節された２００ｓｃｃｍのＮＨ3 とマスフローコン
トローラ１２ｂおよびバルブ１１ｃで流量調節された１
０００ｓｃｃｍのＨ2 ガスをガス供給ノズル８ｂを通し
て前記チャンバ１内に供給し、前記基材１３表面に窒化
チタン被膜の成膜を開始した。かかる状態を２時間保持
した後、前記各原料ガスの供給および平板状電極２への
電圧印加を停止し、チャンバ１内を真空排気して窒化チ
タン被膜の成膜を終了した。 比較例 アンモニアガスの代わりに１５０ｓｃｃｍの窒素ガスを
用いた以外、実施例１と同様な条件で窒化チタン被膜を
成膜した。
【００１７】本実施例及び比較例により成膜された窒化
チタン被膜について、厚さおよびビッカース硬さを測定
した。その結果、本実施例では厚さが約３μｍ、硬さが
２０００Ｈｖで、成膜速度が高く、高硬度であることが
わかった。これに対し、比較例では厚さが約０．５μ
ｍ、硬さが１２００Ｈｖであった。また、本実施例及び
比較例により成膜された窒化チタン被膜について電子線
マイクロアナライザにより残留塩素濃度およびＮ／Ｔｉ
の原子比を測定した。その結果、本実施例では残留塩素
濃度が１％以下と低い値を示し、Ｎ／Ｔｉの原子比はほ
ぼ１でＴｉＮ特有の金色を呈していた。これに対し、比
較例では残留塩素濃度が８％と高い値となり、Ｎ／Ｔｉ
の原子比も約０．７とＴｉＮの原子比率から相当外れて
いた。
チタン被膜について、厚さおよびビッカース硬さを測定
した。その結果、本実施例では厚さが約３μｍ、硬さが
２０００Ｈｖで、成膜速度が高く、高硬度であることが
わかった。これに対し、比較例では厚さが約０．５μ
ｍ、硬さが１２００Ｈｖであった。また、本実施例及び
比較例により成膜された窒化チタン被膜について電子線
マイクロアナライザにより残留塩素濃度およびＮ／Ｔｉ
の原子比を測定した。その結果、本実施例では残留塩素
濃度が１％以下と低い値を示し、Ｎ／Ｔｉの原子比はほ
ぼ１でＴｉＮ特有の金色を呈していた。これに対し、比
較例では残留塩素濃度が８％と高い値となり、Ｎ／Ｔｉ
の原子比も約０．７とＴｉＮの原子比率から相当外れて
いた。
【００１８】さらに、実施例および比較例において平板
状電極に印加する直流電圧を−６００〜−１６００Ｖの
範囲で変化させ、成膜された窒化チタン被膜中の残留塩
素濃度を測定したところ、図２に示す特性図が得られ
た。なお、比較例において直流電圧を増大させることに
より成膜速度を高くすることができる。
状電極に印加する直流電圧を−６００〜−１６００Ｖの
範囲で変化させ、成膜された窒化チタン被膜中の残留塩
素濃度を測定したところ、図２に示す特性図が得られ
た。なお、比較例において直流電圧を増大させることに
より成膜速度を高くすることができる。
【００１９】図２から明らかなようにアンモニアガスを
原料ガスの一成分として用いた本実施例では−６００〜
−１２００Ｖの範囲において残留塩素濃度の低い窒化チ
タン被膜を形成できることがわかる。これに対し、窒素
ガスを原料ガスの一成分として用いた比較例では印加す
る直流電圧の増大に伴って残留塩素濃度も増加する。こ
のため、窒素ガスを用いて残留塩素濃度が低く、優れた
膜特性を有する窒化チタン被膜を高い成膜速度で形成す
ることは困難である。
原料ガスの一成分として用いた本実施例では−６００〜
−１２００Ｖの範囲において残留塩素濃度の低い窒化チ
タン被膜を形成できることがわかる。これに対し、窒素
ガスを原料ガスの一成分として用いた比較例では印加す
る直流電圧の増大に伴って残留塩素濃度も増加する。こ
のため、窒素ガスを用いて残留塩素濃度が低く、優れた
膜特性を有する窒化チタン被膜を高い成膜速度で形成す
ることは困難である。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば残留
ハロゲン量が少なく、緻密性、結晶性等の膜特性の優れ
た金属窒化物被膜を高い成膜速度で形成することが可能
な金属窒化物被膜の形成方法を提供できる。
ハロゲン量が少なく、緻密性、結晶性等の膜特性の優れ
た金属窒化物被膜を高い成膜速度で形成することが可能
な金属窒化物被膜の形成方法を提供できる。
【図１】本発明の実施例で使用した直流プラズマＣＶＤ
装置を示す概略図。
装置を示す概略図。
【図２】平板状電極に印加する直流電圧と成膜された窒
化チタン被膜中の残留塩素濃度との関係を示す特性図。
化チタン被膜中の残留塩素濃度との関係を示す特性図。
１…真空チャンバ、２…平板状電極、３…ヒータ、４…
直流電源、５…排気管、８ａ、８ｂ…ガス供給ノズル、
１３…平板状基材。
直流電源、５…排気管、８ａ、８ｂ…ガス供給ノズル、
１３…平板状基材。
Claims (1)
- 【請求項１】 直流プラズマＣＶＤ法により真空チャン
バ内で基材表面に金属窒化物被膜を形成する方法におい
て、 原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスお
よび水素ガスを用い、前記基材に印加する直流バイアス
電圧を−１００Ｖ〜−１２００Ｖ、前記基材温度を４０
０℃以上、前記チャンバ内の圧力を０．１〜１０ｔｏｒ
ｒにして成膜することを特徴とする金属窒化物被膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29558691A JPH05132778A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 金属窒化物被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29558691A JPH05132778A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 金属窒化物被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132778A true JPH05132778A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17822549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29558691A Pending JPH05132778A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 金属窒化物被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132778A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253555A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Jfe Steel Kk | 被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29558691A patent/JPH05132778A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253555A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Jfe Steel Kk | 被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板 |
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