JPH0513223A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPH0513223A JPH0513223A JP3186789A JP18678991A JPH0513223A JP H0513223 A JPH0513223 A JP H0513223A JP 3186789 A JP3186789 A JP 3186789A JP 18678991 A JP18678991 A JP 18678991A JP H0513223 A JPH0513223 A JP H0513223A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は優れた記録再生特性を備えた磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜
は、Ｆｅa Ｍc Ｂd Ｃe あるいは（Ｆｅ1-b Ｔb ）a Ｍ
c Ｂd Ｃe なる組成を有するものである。但しＭはＺ
ｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ、ＴはＣｏ，Ｎｉなどの元素であ
り、７０≦ａ≦９０、ｂ≦０．０５、５≦ｃ≦１５、
０．５≦ｄ≦１５、１≦ｄ＋ｅ≦２０（原子％）であ
る。 【効果】 本発明により得られた磁気ヘッドは、優れた
記録、再生特性を有し、高温の熱処理工程においても安
定した特性を維持できる磁気ヘッドを提供できる。
ッドを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜
は、Ｆｅa Ｍc Ｂd Ｃe あるいは（Ｆｅ1-b Ｔb ）a Ｍ
c Ｂd Ｃe なる組成を有するものである。但しＭはＺ
ｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ、ＴはＣｏ，Ｎｉなどの元素であ
り、７０≦ａ≦９０、ｂ≦０．０５、５≦ｃ≦１５、
０．５≦ｄ≦１５、１≦ｄ＋ｅ≦２０（原子％）であ
る。 【効果】 本発明により得られた磁気ヘッドは、優れた
記録、再生特性を有し、高温の熱処理工程においても安
定した特性を維持できる磁気ヘッドを提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高飽和磁束密度、高透磁
率を有する軟磁性合金膜を用いた磁気ヘッドに関する。
率を有する軟磁性合金膜を用いた磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、記録密度を
高めるために磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が進
行しているが、それに対応する磁気ヘッドの磁気コアの
材料として一般的に要求される諸特性は次の通りであ
る。
高めるために磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が進
行しているが、それに対応する磁気ヘッドの磁気コアの
材料として一般的に要求される諸特性は次の通りであ
る。
【０００３】１．飽和磁束密度（以下Ｂｓとする）が高
いこと。
いこと。
【０００４】２．透磁率（以下μとする）が高いこと。
【０００５】３．保磁力（以下Ｈｃとする）が低いこ
と。
と。
【０００６】４．磁歪定数（以下λｓとする）が小さい
こと。
こと。
【０００７】さらに、磁気ヘッドにおいては、ギャップ
形成等をガラス用着で行なう必要のある物もあり、ガラ
ス溶着工程などの高温に耐えうる以下の特性が要求され
る。
形成等をガラス用着で行なう必要のある物もあり、ガラ
ス溶着工程などの高温に耐えうる以下の特性が要求され
る。
【０００８】５．軟磁気特性が熱的に安定であること。
【０００９】従って、軟磁性合金膜あるいは磁気ヘッド
等を製造する場合、以上の観点から研究がなされて来
た。
等を製造する場合、以上の観点から研究がなされて来
た。
【００１０】そして、上述した各種の磁気ヘッドに用い
る高飽和磁束密度の軟磁性材料（膜）として、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ合金（センダスト）等が代表的なものである
が、近年、特開平１−１２５９１１号や特開平１−１８
１５０３号等に見られるような強磁性金属元素であるＣ
ｏを主成分とする非晶質合金膜や特開昭６１−２８８０
４８号に見られるようなＦｅを主成分とする非晶質合金
膜が開発されている。
る高飽和磁束密度の軟磁性材料（膜）として、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ合金（センダスト）等が代表的なものである
が、近年、特開平１−１２５９１１号や特開平１−１８
１５０３号等に見られるような強磁性金属元素であるＣ
ｏを主成分とする非晶質合金膜や特開昭６１−２８８０
４８号に見られるようなＦｅを主成分とする非晶質合金
膜が開発されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高記録
密度化に伴い、磁気ヘッドに用いられる軟磁性薄膜材料
として高飽和磁束密度のものが要求されている。また、
ギャップ形成等をガラス溶着で行なう必要のあるものも
ありガラス溶着工程での高温に耐えうる熱安定性も合わ
せて要求されている。
密度化に伴い、磁気ヘッドに用いられる軟磁性薄膜材料
として高飽和磁束密度のものが要求されている。また、
ギャップ形成等をガラス溶着で行なう必要のあるものも
ありガラス溶着工程での高温に耐えうる熱安定性も合わ
せて要求されている。
【００１２】ところが、前記センダストは軟磁気特性に
は優れているもののＢｓが１１ｋＧ程度と低い。
は優れているもののＢｓが１１ｋＧ程度と低い。
【００１３】さらに、前記Ｃｏ系やＦｅ系の非晶質合金
では、Ｂｓを９ＫＧ以下に抑えれば低融点ガラスによる
溶着は可能であるが６００℃以上での溶着は困難であ
り、耐環境性に優れた中〜高融点ガラスを使用すること
ができない。
では、Ｂｓを９ＫＧ以下に抑えれば低融点ガラスによる
溶着は可能であるが６００℃以上での溶着は困難であ
り、耐環境性に優れた中〜高融点ガラスを使用すること
ができない。
【００１４】本発明は上述したような課題に鑑みてなさ
れたものであり、良好な軟磁気特性と熱安定性とを兼ね
備えた軟磁性合金膜を使用した磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
れたものであり、良好な軟磁気特性と熱安定性とを兼ね
備えた軟磁性合金膜を使用した磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、前述した課題を解決するために、次式で示される組
成からなる軟磁性合金膜を磁気コア全体もしくは一部に
用いたことを特徴とする磁気ヘッドとしたものである。
は、前述した課題を解決するために、次式で示される組
成からなる軟磁性合金膜を磁気コア全体もしくは一部に
用いたことを特徴とする磁気ヘッドとしたものである。
【００１６】Ｆｅa Ｍc Ｂd Ｃe
但し、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａのうち少なくとも１
種又は２種以上の元素であり、７０≦ａ≦９０、５≦ｃ
≦１５、０．５≦ｄ≦１５、０．５≦ｅ≦１５、１≦ｄ
＋ｅ≦２０（原子％）である。
種又は２種以上の元素であり、７０≦ａ≦９０、５≦ｃ
≦１５、０．５≦ｄ≦１５、０．５≦ｅ≦１５、１≦ｄ
＋ｅ≦２０（原子％）である。
【００１７】請求項２に記載の発明は、前述した課題を
解決するために次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッドとしたものである。
解決するために次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッドとしたものである。
【００１８】（Ｆｅ1-b Ｔb ) a Ｍc Ｂd Ｃe
ただし、ＴはＣｏ，Ｎｉのうち少なくとも１種又は２種
の元素、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａのうち少なくとも
１種又は２種以上の元素であり、ｂ≦０．０５であり７
０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦１５、０．５≦ｄ≦１５、０．
５≦ｅ≦１５、１≦ｄ＋ｅ≦２０（原子％）である。
の元素、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａのうち少なくとも
１種又は２種以上の元素であり、ｂ≦０．０５であり７
０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦１５、０．５≦ｄ≦１５、０．
５≦ｅ≦１５、１≦ｄ＋ｅ≦２０（原子％）である。
【００１９】請求項３に記載の発明は、前述した課題を
解決するために前記請求項１または２に記載の軟磁性合
金膜に熱処理が施され、その金属組織が実質的に平均粒
径０．０８μm 以下の結晶粒からなる軟磁性合金膜を用
いた磁気ヘッドとしたものである。
解決するために前記請求項１または２に記載の軟磁性合
金膜に熱処理が施され、その金属組織が実質的に平均粒
径０．０８μm 以下の結晶粒からなる軟磁性合金膜を用
いた磁気ヘッドとしたものである。
【００２０】
【作用】本発明はＦｅまたはＦｅと前記Ｔ、前記Ｍ、ホ
ウ素Ｂ、炭素Ｃからなることを特徴としており、磁性を
担う元素であるＦｅが９０原子％以下含まれることによ
り軟磁気特性が得られ、７０原子％以上含まれることに
より１０ＫＧ以上のＢｓを得ることができる。
ウ素Ｂ、炭素Ｃからなることを特徴としており、磁性を
担う元素であるＦｅが９０原子％以下含まれることによ
り軟磁気特性が得られ、７０原子％以上含まれることに
より１０ＫＧ以上のＢｓを得ることができる。
【００２１】元素Ｔ（＝Ｃｏ，Ｎｉ）はＦｅ置換で５原
子％以下添加すれば１０-6台乃至１０-7台の磁歪定数が
得られる。しかし、ＢとＣの総和量が比較的多い場合は
Ｔを添加する必要はない。
子％以下添加すれば１０-6台乃至１０-7台の磁歪定数が
得られる。しかし、ＢとＣの総和量が比較的多い場合は
Ｔを添加する必要はない。
【００２２】元素Ｍ（＝Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａ）は５
〜１５原子％加えることにより軟磁気特性が良好とな
り、気相急冷法で作成した状態（熱処理を施す前の状
態）で非晶質相を得やすくなる。
〜１５原子％加えることにより軟磁気特性が良好とな
り、気相急冷法で作成した状態（熱処理を施す前の状
態）で非晶質相を得やすくなる。
【００２３】ホウ素Ｂは、０．５〜１５原子％以上添加
することによりＦｅを主成分とするｂ．ｃ．ｃ相の粒成
長を抑制し、さらに、軟磁気特性に悪影響を及ぼす化合
物相の成長を抑制できる。
することによりＦｅを主成分とするｂ．ｃ．ｃ相の粒成
長を抑制し、さらに、軟磁気特性に悪影響を及ぼす化合
物相の成長を抑制できる。
【００２４】炭素Ｃは０．５〜１５原子％加えることに
より、軟磁気特性を良好にする非晶質相が得やすくなる
とともに、熱処理を施した時にｂ．ｃ．ｃ相の析出を均
一にできる。
より、軟磁気特性を良好にする非晶質相が得やすくなる
とともに、熱処理を施した時にｂ．ｃ．ｃ相の析出を均
一にできる。
【００２５】また、以上のよあな軟磁性合金膜を高温で
熱処理することにより、熱安定性が向上する。
熱処理することにより、熱安定性が向上する。
【００２６】
【実施例】本発明の磁気ヘッドに使用する軟磁性合金膜
は、スパッタ法あるいは蒸着法等の気相急冷法により、
前記組成の非晶質合金あるいは非晶質相を含む結晶質合
金を得る過程と、これらの過程で得られた合金に熱処理
を施し、微細な結晶粒を析出させる熱処理工程とによっ
て得られる。
は、スパッタ法あるいは蒸着法等の気相急冷法により、
前記組成の非晶質合金あるいは非晶質相を含む結晶質合
金を得る過程と、これらの過程で得られた合金に熱処理
を施し、微細な結晶粒を析出させる熱処理工程とによっ
て得られる。
【００２７】ここで合金に熱処理を施す理由は、気相急
冷法で作成されたままの合金（ａｓｄｅ ｐｏ）は非晶
質相をかなり含んでおり、Ｂｓが低く、軟磁気特性も不
十分なためである。
冷法で作成されたままの合金（ａｓｄｅ ｐｏ）は非晶
質相をかなり含んでおり、Ｂｓが低く、軟磁気特性も不
十分なためである。
【００２８】スパッタ装置としては、ＲＦ２極スパッ
タ、マグネトロンスパッタ、３極スパッタ、イオンビー
ムスパッタ、対向ターゲット型スパッタ等の既存のもの
が使用できる。
タ、マグネトロンスパッタ、３極スパッタ、イオンビー
ムスパッタ、対向ターゲット型スパッタ等の既存のもの
が使用できる。
【００２９】以下の実施例の薄膜はＲＦ２極スパッタ装
置を用いてＦｅターゲット上にＣｏ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ（グラファイト）のペレットを
適宜選択配置した複合ターゲットをＡｒガスを用いてス
パッタすることにより、膜厚５〜６μm の膜を作成し
た。基板は４mm×２４mmの結晶化ガラス基板を用いた。
置を用いてＦｅターゲット上にＣｏ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ（グラファイト）のペレットを
適宜選択配置した複合ターゲットをＡｒガスを用いてス
パッタすることにより、膜厚５〜６μm の膜を作成し
た。基板は４mm×２４mmの結晶化ガラス基板を用いた。
【００３０】得られた各合金膜に種々の熱処理を施し
て、合金膜の組成がμ，Ｈｃ，λｓ，Ｂｓに及ぼす影響
を調べた。熱処理は全て無磁場中で行ない、設定温度ま
での昇温を４０分、設定温度から室温までの降温を１．
５℃／分で行なった。また、そのときの膜構造をＣｏ−
Ｋα線を使したＸ線回折装置を用いて調べた。
て、合金膜の組成がμ，Ｈｃ，λｓ，Ｂｓに及ぼす影響
を調べた。熱処理は全て無磁場中で行ない、設定温度ま
での昇温を４０分、設定温度から室温までの降温を１．
５℃／分で行なった。また、そのときの膜構造をＣｏ−
Ｋα線を使したＸ線回折装置を用いて調べた。
【００３１】透磁率μは８の字コイルを用いて測定し、
保磁力Ｈｃは直流Ｂ−Ｈループトレイサーにより測定
し、飽和磁束密度ＢｓはＶＳＭ、磁歪定数λｓは光てこ
法で測定した。
保磁力Ｈｃは直流Ｂ−Ｈループトレイサーにより測定
し、飽和磁束密度ＢｓはＶＳＭ、磁歪定数λｓは光てこ
法で測定した。
【００３２】以上のようにして測定された軟磁性合金膜
の特性を表１乃至表３、図１乃至図４に示す。
の特性を表１乃至表３、図１乃至図４に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１はＦｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃにおいて５５０
℃及び６５０℃の熱処理を施した後の１ＭＨｚの透磁率
μと保磁力Ｈｃ、磁歪定数λｓ、飽和磁束密度Ｂｓと膜
組成の関係を示したものである。表１から明らかに本発
明における軟磁性合金膜が特にサンプルＮｏ３において
は３０００以上のμ（１ＭＨｚ）０．１Ｏｅ以下のＨ
ｃ、１０-7台のλｓ、１５ｋＧ以上のＢｓを示してい
る。
℃及び６５０℃の熱処理を施した後の１ＭＨｚの透磁率
μと保磁力Ｈｃ、磁歪定数λｓ、飽和磁束密度Ｂｓと膜
組成の関係を示したものである。表１から明らかに本発
明における軟磁性合金膜が特にサンプルＮｏ３において
は３０００以上のμ（１ＭＨｚ）０．１Ｏｅ以下のＨ
ｃ、１０-7台のλｓ、１５ｋＧ以上のＢｓを示してい
る。
【００３５】図１は、表１のサンプルＮｏ．１のＦｅ
80.8Ｔａ7.0 Ｂ7.5 Ｃ4.7 膜のＸ線回折パターンであ
る。
80.8Ｔａ7.0 Ｂ7.5 Ｃ4.7 膜のＸ線回折パターンであ
る。
【００３６】図１より明らかなようにスパッタ直後の回
折パターンでは、ｂ．ｃ．ｃ−Ｆｅの｛１１０｝面と
｛２２０｝面の反射が現れている。Ｓｈｅｒｒｅｒの式
から求めた結晶粒径は約８ｎｍであり、微細なｂ．ｃ．
ｃ相を示していることがわかる。なお、サンプルＮｏ．
１にはｂ．ｃ．ｃ相以外の結晶相は析出していない。
折パターンでは、ｂ．ｃ．ｃ−Ｆｅの｛１１０｝面と
｛２２０｝面の反射が現れている。Ｓｈｅｒｒｅｒの式
から求めた結晶粒径は約８ｎｍであり、微細なｂ．ｃ．
ｃ相を示していることがわかる。なお、サンプルＮｏ．
１にはｂ．ｃ．ｃ相以外の結晶相は析出していない。
【００３７】図２は表１のサンプルＮｏ．１（黒丸）と
Ｎｏ．３の（白丸）のμ（１ＭＨｚ）と熱処理温度の関
係を示したグラフである。
Ｎｏ．３の（白丸）のμ（１ＭＨｚ）と熱処理温度の関
係を示したグラフである。
【００３８】図２から明らかに、サンプルＮｏ．１は５
００℃から６００℃の温度範囲において透磁率μが２０
００以上の値を示し、サンプルＮｏ．３は室温から約４
５０℃の範囲でμが１０００以上、約５５０℃から約６
５０℃の温度範囲で２０００以上の値を示している。
００℃から６００℃の温度範囲において透磁率μが２０
００以上の値を示し、サンプルＮｏ．３は室温から約４
５０℃の範囲でμが１０００以上、約５５０℃から約６
５０℃の温度範囲で２０００以上の値を示している。
【００３９】図３は、表１のサンプルＮｏ．１（黒丸）
とＮｏ．３（白丸）の磁歪λｓと熱処理温度の関係を示
したグラフである。図３より、サンプルＮｏ．１では約
６５０℃、サンプルＮｏ．３では約６００℃以上の熱処
理を施した場合、λｓが１０-7台と小さな値を示すこと
がわかる。
とＮｏ．３（白丸）の磁歪λｓと熱処理温度の関係を示
したグラフである。図３より、サンプルＮｏ．１では約
６５０℃、サンプルＮｏ．３では約６００℃以上の熱処
理を施した場合、λｓが１０-7台と小さな値を示すこと
がわかる。
【００４０】図４はサンプルＮｏ．１のＢｓと熱処理温
度の関係を示したものである。スパッタ直後の非晶質状
態での値は７ｋＧであるが、５５０℃以上の熱処理を施
し、ｂ．ｃ．ｃ相を析出させることにより１５．６ｋＧ
の値を示すことがわかる。これは、非晶質状態ではＦｅ
のモーメントがＴａ，Ｂ，Ｃによって減少されていたが
熱処理を施しＦｅを多く含むｂ．ｃ．ｃ相を析出させる
ことによりＴａ，Ｂ，Ｃによるモーメントの減少が少な
くなり、Ｂｓが上昇したものと考えられる。
度の関係を示したものである。スパッタ直後の非晶質状
態での値は７ｋＧであるが、５５０℃以上の熱処理を施
し、ｂ．ｃ．ｃ相を析出させることにより１５．６ｋＧ
の値を示すことがわかる。これは、非晶質状態ではＦｅ
のモーメントがＴａ，Ｂ，Ｃによって減少されていたが
熱処理を施しＦｅを多く含むｂ．ｃ．ｃ相を析出させる
ことによりＴａ，Ｂ，Ｃによるモーメントの減少が少な
くなり、Ｂｓが上昇したものと考えられる。
【００４１】
【表２】
【００４２】表２は、他の実施例として、Ｆｅ−Ｔａ−
Ｂ−ＣにおけるＴａをＺｒ，Ｈｆ，Ｎｂで全置換した時
の１ＭＨｚのμ，Ｈｃ，Ｂｓと膜組成の関係を示したも
のである。表１と同様、高飽和磁束密度、高透磁率、低
磁歪定数の軟磁気特性を示していることがわかる。
Ｂ−ＣにおけるＴａをＺｒ，Ｈｆ，Ｎｂで全置換した時
の１ＭＨｚのμ，Ｈｃ，Ｂｓと膜組成の関係を示したも
のである。表１と同様、高飽和磁束密度、高透磁率、低
磁歪定数の軟磁気特性を示していることがわかる。
【００４３】
【表３】
【００４４】表３はＦｅ−Ｔａ−Ｂ−ＣにＣｏ，Ｎｉを
添加した時の同様な関係を示したものである。Ｃｏまた
はＮｉの添加がλｓを正にシフトする効果があることが
分かる。軟磁気特性も良好でＢｓの低下も小さく抑えら
れている。また、高温の熱処理ではλｓは負になるが、
Ｃｏ，Ｎｉを少量添加することによりλｓを正にシフト
させ、ほぼゼロにすることが可能である。
添加した時の同様な関係を示したものである。Ｃｏまた
はＮｉの添加がλｓを正にシフトする効果があることが
分かる。軟磁気特性も良好でＢｓの低下も小さく抑えら
れている。また、高温の熱処理ではλｓは負になるが、
Ｃｏ，Ｎｉを少量添加することによりλｓを正にシフト
させ、ほぼゼロにすることが可能である。
【００４５】本実施例では熱処理は全て無磁場中で行な
っているが、静磁界中で熱処理を行ない磁化困難軸を磁
路として用いることにより、あるいは、回転磁界中で熱
処理を行ない巨視的な異方性分散を抑制することにより
軟磁気特性をさらに向上させることも可能である。
っているが、静磁界中で熱処理を行ない磁化困難軸を磁
路として用いることにより、あるいは、回転磁界中で熱
処理を行ない巨視的な異方性分散を抑制することにより
軟磁気特性をさらに向上させることも可能である。
【００４６】
【表４】
【００４７】表４は、本発明構成に対する比較例を示し
たものであり、本発明の組成範囲を越える部分のサンプ
ルである。表中、Ｈｃ，λｓの値がないのは±１００Ｏ
ｅの印加磁界でサンプルが未飽和で測定不能であったた
めである。
たものであり、本発明の組成範囲を越える部分のサンプ
ルである。表中、Ｈｃ，λｓの値がないのは±１００Ｏ
ｅの印加磁界でサンプルが未飽和で測定不能であったた
めである。
【００４８】表４より明らかなように本発明の組成範囲
を越えるとμ（１ＭＨｚ）が１０未満と極端に小さくな
り、磁気ヘッドのコア材として不適である。
を越えるとμ（１ＭＨｚ）が１０未満と極端に小さくな
り、磁気ヘッドのコア材として不適である。
【００４９】次に、以上説明した軟磁性合金膜を磁気ヘ
ッドに使用した実施例について説明する。図５は本発明
の一実施例による磁気ヘッドの斜視図である。この磁気
ヘッドは、ＭＩＧ（メタル・イン・ギャップ・ヘッド）
と呼ばれるものであり、Ｍｎ−Ｚｎフェライトな単結晶
から作成された磁気コア（１ａ）、（１ｂ）に軟磁性合
金膜（２）がスパッタリング法などによりそれぞれ形成
され、溶着ガラス（３）によって磁気コア（１ａ）、
（１ｂ）が接合一体化される。この時軟磁性合金膜
（２）の熱処理を同時に行う。さらに、磁気コア（１
ａ）、（１ｂ）の突き合わせ面にギャップ（４）が形成
され、巻線穴（６）巻線係止溝（７ａ）、（７ｂ）を通
して線材（５）を所定ターン巻回しコイル（８）を形成
する。
ッドに使用した実施例について説明する。図５は本発明
の一実施例による磁気ヘッドの斜視図である。この磁気
ヘッドは、ＭＩＧ（メタル・イン・ギャップ・ヘッド）
と呼ばれるものであり、Ｍｎ−Ｚｎフェライトな単結晶
から作成された磁気コア（１ａ）、（１ｂ）に軟磁性合
金膜（２）がスパッタリング法などによりそれぞれ形成
され、溶着ガラス（３）によって磁気コア（１ａ）、
（１ｂ）が接合一体化される。この時軟磁性合金膜
（２）の熱処理を同時に行う。さらに、磁気コア（１
ａ）、（１ｂ）の突き合わせ面にギャップ（４）が形成
され、巻線穴（６）巻線係止溝（７ａ）、（７ｂ）を通
して線材（５）を所定ターン巻回しコイル（８）を形成
する。
【００５０】このようにして形成された磁気ヘッドの諸
元は、表５の通りである。
元は、表５の通りである。
【００５１】
【表５】
【００５２】これらの磁気ヘッドをＨｃ＝１５００Ｏｅ
のメタルテープを使用して相対速度３．７５ｍ／ｓで自
己録再特性を評価した結果を図６に示す。なお、本発明
の実施例（実線で示す）としてＦｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃ，Ｆ
ｅ−Ｎｂ−Ｂ−Ｃ合金膜を用い、比較例（破線で示す）
としてＣｏ−Ｔａ−Ｈｆアモルファス合金膜を使用し、
合金膜の膜厚は６μｍで統一した。これらの合金膜は表
６に示すような磁気特性を有している。図６より明らか
なように、本発明による合金膜がいずれの周波数におい
ても比較例よりも２〜５ｄＢ高い自己録再出力を示し
た。
のメタルテープを使用して相対速度３．７５ｍ／ｓで自
己録再特性を評価した結果を図６に示す。なお、本発明
の実施例（実線で示す）としてＦｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃ，Ｆ
ｅ−Ｎｂ−Ｂ−Ｃ合金膜を用い、比較例（破線で示す）
としてＣｏ−Ｔａ−Ｈｆアモルファス合金膜を使用し、
合金膜の膜厚は６μｍで統一した。これらの合金膜は表
６に示すような磁気特性を有している。図６より明らか
なように、本発明による合金膜がいずれの周波数におい
ても比較例よりも２〜５ｄＢ高い自己録再出力を示し
た。
【００５３】
【表６】
【００５４】次に記録特性と再生特性を分離して評価し
た結果を表７に示す。なお表７は、比較例をＯｄＢとし
て規格化したデータである。表７より明らかなように本
実施例の磁気ヘッドが記録特性、再生特性のいずれも比
較例よりも優れていることがわかる。また、本発明によ
る他の組成の軟磁性合金膜を磁気ヘッドに用いても、上
記のような記録再生特性を有することは明らかである。
た結果を表７に示す。なお表７は、比較例をＯｄＢとし
て規格化したデータである。表７より明らかなように本
実施例の磁気ヘッドが記録特性、再生特性のいずれも比
較例よりも優れていることがわかる。また、本発明によ
る他の組成の軟磁性合金膜を磁気ヘッドに用いても、上
記のような記録再生特性を有することは明らかである。
【００５５】
【表７】
【００５６】以上説明したように本発明による軟磁性合
金膜を用いた磁気ヘッドが優れた記録、再生特性を示す
ことがわかる。
金膜を用いた磁気ヘッドが優れた記録、再生特性を示す
ことがわかる。
【００５７】
【効果】本発明による磁気ヘッドは、従来の軟磁性合金
膜と同等もしくはそれ以上の透磁率と保磁力を備え、か
つ、従来の軟磁性合金膜よりも優れた飽和磁束密度を有
し、さらに磁歪定数も±１０-6台〜１０-7台と良好な軟
磁性合金膜を使用しているため、優れた記録、再生特性
を有する。
膜と同等もしくはそれ以上の透磁率と保磁力を備え、か
つ、従来の軟磁性合金膜よりも優れた飽和磁束密度を有
し、さらに磁歪定数も±１０-6台〜１０-7台と良好な軟
磁性合金膜を使用しているため、優れた記録、再生特性
を有する。
【００５８】さらに、本発明の磁気ヘッドに使用する軟
磁性合金膜は、優れた熱安定性を備えているため、ギャ
ップ形成等をガラス溶着によって行なう際の作業温度を
高くでき耐環境性に優れ、高い強度を持った信頼性の高
い高融点のガラス材を用いることができる。
磁性合金膜は、優れた熱安定性を備えているため、ギャ
ップ形成等をガラス溶着によって行なう際の作業温度を
高くでき耐環境性に優れ、高い強度を持った信頼性の高
い高融点のガラス材を用いることができる。
【００５９】加えて、従来のアモルファス合金膜等は、
磁場中熱処理を行なわないと異方性分散が生じ、高透磁
率は得難いが、本発明の磁気ヘッドに用いられる軟磁性
合金膜は、無磁場での熱処理で高透磁率が得られるため
ガラス溶着工程を無磁場で行なうことができるので、工
程を簡素化することができる。
磁場中熱処理を行なわないと異方性分散が生じ、高透磁
率は得難いが、本発明の磁気ヘッドに用いられる軟磁性
合金膜は、無磁場での熱処理で高透磁率が得られるため
ガラス溶着工程を無磁場で行なうことができるので、工
程を簡素化することができる。
【図１】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
のＸ線回折パターンを示すグラフである。
のＸ線回折パターンを示すグラフである。
【図２】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
の透磁率μと熱処理温度の関係を示すグラフである。
の透磁率μと熱処理温度の関係を示すグラフである。
【図３】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
の磁歪定数λｓと熱処理温度の関係を示すグラフであ
る。
の磁歪定数λｓと熱処理温度の関係を示すグラフであ
る。
【図４】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
の飽和磁束密度Ｂｓと熱処理温度の関係を示すグラフで
ある。
の飽和磁束密度Ｂｓと熱処理温度の関係を示すグラフで
ある。
【図５】本発明の磁気ヘッドの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】本発明による磁気ヘッドの自己録再特性を示す
グラフである。
グラフである。
１ａ，１ｂ 磁気コア
２ 軟磁性合金膜
３ 溶着ガラス
４ ギャップ
５ 線材
６ 巻線穴
７ａ，７ｂ 巻線係止溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 竹谷 努
東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ
ス電気株式会社内
(72)発明者 寺田 委久
東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ
ス電気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッド。 Ｆｅa Ｍc Ｂd Ｃe 但し、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａのうち少なくとも１
種又は２種以上の元素であり、７０≦ａ≦９０、５≦ｃ
≦１５、０．５≦ｄ≦１５、０．５≦ｅ≦１５、１≦ｄ
＋ｅ≦２０（原子％）である。 - 【請求項２】 次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッド。 （Ｆｅ1-b Ｔb ) a Ｍc Ｂd Ｃe ただし、ＴはＣｏ，Ｎｉのうち少なくとも１種又は２種
の元素、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｔａのうち少なくとも
１種又は２種以上の元素であり、ｂ≦０．０５であ
り、，７０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦１５、０．５≦ｄ≦１
５、０．５≦ｅ≦１５、１≦ｄ＋ｅ≦２０（原子％）で
ある。 - 【請求項３】 上記磁気ヘッドの磁気コアの全体もしく
は一部に用いる軟磁性合金膜は熱処理が施され、その金
属組織が実質的に平均粒径０．０８μm 以下の結晶粒か
らなる請求項１又は２に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186789A JPH0513223A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186789A JPH0513223A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513223A true JPH0513223A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16194618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186789A Withdrawn JPH0513223A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5983473A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Kanzaki Shokai | Reinforcing bar binding machine |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3186789A patent/JPH0513223A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5983473A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Kanzaki Shokai | Reinforcing bar binding machine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |