JPH05129198A

JPH05129198A - 自動液管理装置

Info

Publication number: JPH05129198A
Application number: JP13145891A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Takaiwa; 聡高岩
Original assignee: Tokico Ltd
Current assignee: Tokico Ltd
Priority date: 1991-06-03
Filing date: 1991-06-03
Publication date: 1993-05-25

Abstract

(57)【要約】【目的】レジスト剥離液の有効成分を正確に測定する
ことができる自動液管理装置の提供を目的とする。【構成】検出手段５４の前段に、サンプリング手段５
１によりサンプリングされたレジスト剥離液を加熱する
ための加熱手段５３を設け、この加熱手段５３により、
該レジスト剥離液の温度を、有効成分の安定した測定が
できる例えば６５℃以上の領域にまで上昇させ、これに
よって有効成分を測定する際の不安定要素とされる、中
間物質の生成を防止した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、処理液が劣化したか
否かを判定する自動液管理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体の製造工程等で用いら
れるレジスト剥離液(処理液)は自動、手動を問わず様々
な方法で分析、管理されていた。具体的には、レジスト
剥離液を、ポンプとバルブの開閉とにより間欠的にサン
プリングした後、該レジスト剥離液を分析機器内に注入
し、この反応セル内において、滴定分析を行うようにし
ている。そして、このような自動液管理装置では、制御
手段内に設けられたコンピュータにより、ポンプの駆
動、バルブの開閉等の動作を制御するとともに、反応セ
ル内に滴下した試薬の滴下量に基づき、処理液中の有効
成分である硫酸あるいは過酸化水素の濃度を算出し、こ
れらの算出結果をＣＲＴあるいはプリンタに出力してい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なレジスト剥離液の自動液管理装置では、通常、室温に
てレジスト剥離液の分析を行うようにしているが、この
とき室温が変化すると、該レジスト剥離液の分析値も微
妙に変化するという問題があり、この点において、処理
液を正確に分析できる自動液管理装置の提供が期待され
ていた。

【０００４】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、レジスト剥離液（処理液）の温度と該レ
ジスト剥離液の有効成分の分析値との相関関係に基づ
き、該レジスト剥離液を、分析値が安定する最適な温度
領域内に設定し、これにより該レジスト剥離液の有効成
分を正確に測定することができる自動液管理装置の提供
を目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の発明では、処理液をサンプリングするサン
プリング手段と、サンプリングされた処理液の有効成分
の量を検出する検出手段とを有し、検出手段からの検出
データに基づき処理液の有効成分濃度を演算するように
した自動液管理装置において、前記検出手段の前段に、
前記サンプリング手段によりサンプリングされた処理液
を加熱するための加熱手段を設けるようにしている。第
２の発明では、前記加熱手段を制御する制御手段と、前
記加熱手段に設けられて、前記加熱手段により加熱され
た処理液の温度を検出する温度検出手段とを具備し、前
記制御手段により、温度検出手段の温度データに基づい
て、処理液の温度を少なくとも６５℃以上となるように
加熱手段を制御するようにしている。第３の発明では、
前記サンプリング手段によりサンプリングされる処理液
は、有効成分としてＨ₂ＳＯ₄及びＨ₂Ｏ₂を含む、あるい
はＨ₂ＳＯ₄及びＯ₃ を含むことを特徴としている。第４
の発明では、処理液をサンプリングするサンプリング手
段と、該サンプリング手段によりサンプリングされた処
理液の吸光度を検出する吸光度検出手段と、該吸光度検
出手段の前段に設けられて、前記サンプリング手段によ
りサンプリングされた処理液を加熱するための加熱手段
と、前記吸光度検出手段において検出された吸光度から
前記処理液の有効成分濃度を演算する演算手段とを設け
るようにしている。

【０００６】

【作用】第１〜第３の発明として示される自動液管理装
置では、検出手段の前段に、サンプリング手段によりサ
ンプリングされた処理液を加熱するための加熱手段が設
けられていることから、この加熱手段による処理液の加
熱により、該処理液の温度を、有効成分の安定した測定
ができる例えば６５℃以上の領域にまで上昇させること
ができ、これによって有効成分を測定する際の不安定要
素とされる、中間物質の生成を防止することができ、こ
れによって該処理液の有効成分の濃度を安定した状態で
測定できる。第４の発明として示される自動液管理装置
では、吸光度検出手段の前段に、サンプリング手段によ
りサンプリングされた処理液を加熱する加熱手段を設け
たことから、第１〜第３の発明に示される自動液管理装
置と同様に、処理液の温度を、有効成分を測定する際の
不安定要素とされる中間物質の生成を防止できる、例え
ば６５℃以上の領域にまで上昇させることができ、これ
によって該処理液の劣化度を検出するための吸光度を安
定した状態で測定できる。

【０００７】

【実施例】この発明の第１実施例を図１〜図３を参照し
て説明する。まず、図１を参照して、本発明に係る自動
液管理装置の概略構成について説明する。図１におい
て、符号５０で示すものは、半導体用シリコンウエハ上
のレジスト（ノボラック樹脂等）を剥離して溶解するレ
ジスト剥離液が貯留される貯留槽である。なお、前記レ
ジスト剥離液中には、レジストを剥離して溶解するため
の硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）及び過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）等の有効
成分が含有され、あるいは硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）及びオゾン
（Ｏ₃ ）等の有効成分が含有されている。また、前記貯
留槽５０には、レジスト剥離液を輸送するサンプリング
ポンプ５１（サンプリング手段）を途中に有する経路５
２が設けられ、この経路５２の途中であり、かつ前記サ
ンプリングポンプ５１の下流側には、加熱手段５３と、
検出手段５４とが順次設けられている。

【０００８】前記加熱手段５３は、前記サンプリングポ
ンプ５１によりサンプリングされたレジスト剥離液を加
熱するヒータを有するものであり、このヒータによる加
熱により、該レジスト剥離液の温度を、有効成分の安定
した測定ができる例えば６５℃以上の領域にまで上昇さ
せるようにしている。なお、前記加熱手段５３によるレ
ジスト剥離液の加熱温度については図３を参照して後述
する。また、この加熱手段５３には、加熱したレジスト
剥離液の温度を測定するための熱電対等の温度センサ５
３Ａ（温度検出手段）が設けられており、この温度セン
サ５３Ａにより測定されたレジスト剥離液の温度を示す
温度データ（Ａ）は、後述する制御手段５５に供給され
るようになっている。

【０００９】前記検出手段５４は、前記経路５２により
送られた一定量のレジスト剥離液に試薬を滴下し、この
ときのレジスト剥離液の電位を測定するものであって、
この検出手段５４において検出された電位を示す測定デ
ータは演算手段５６に供給され、この演算手段５６にお
いて、試薬を滴下した場合の電位の変化、及び試薬の滴
下量からレジスト剥離液中の有効成分の濃度を算出する
ようにしている。つまり、前記演算手段５６において
は、酸化還元電位が飛躍した点を反応の終点として、こ
の反応の終点における試薬の滴下量から、前記レジスト
剥離液の有効成分である硫酸及び過酸化水素濃度、ある
いは硫酸及びオゾン濃度がそれぞれ算出されるものであ
る。

【００１０】また、前記サンプリングポンプ５１、加熱
手段５３、検出手段５４はそれぞれ制御手段５５により
制御されるようになっている。すなわち、制御手段５５
からは、前記サンプリングポンプ５１、加熱手段５３、
検出手段５４をそれぞれ駆動するための駆動信号がそれ
ぞれ出力されるようになっている。一方、この制御手段
５５には、加熱手段５３の温度センサ５３Ａにおいて検
出されたレジスト剥離液の温度が温度データ（Ａ）とし
て入力されるようになっており、この制御手段５５は、
前記温度データに基づき加熱手段５３がレジスト剥離液
を一定の温度で加熱すべく、前記駆動信号（符号（Ｂ）
で示す）の出力を調整するようにしている。すなわち、
この制御手段５５は、前記温度データ（Ａ）に基づき、
レジスト剥離液の温度が定められた値となるように加熱
手段５３をフィードバック制御するようにしている。な
お、図１において符号５７で示すものは、加熱手段５３
によるレジスト剥離液の加熱温度を設定する（例えば６
５℃に設定する）ための入力手段であり、符号５８で示
すものは、検出手段５４において有効成分濃度が測定さ
れた後のレジスト剥離液をドレンとして貯留するための
ドレン貯留部である。

【００１１】次に、図１に示した加熱手段５３の具体的
構成について図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照して説明
する。まず、図２（ａ）において符号６０で示すものは
熱電導性に優れるアルミ等の金属で形成された円柱状の
ブロックであって、このブロック６０の中心部には、上
下に向けて棒状のヒータ６１が配置されている。なお、
このヒータ６１は、前述したように制御手段５５から出
力された駆動信号により駆動されるようになっている。
また、前記円柱状のブロック６０の周囲には、一点鎖線
で示すように、経路５２によって送られたレジスト剥離
液が流通するテフロンチューブ６２が螺旋状に巻回され
ており、これによりヒータ６１の熱が、ブロック６０を
介して間接的にテフロンチューブ６２内のレジスト剥離
液に伝達されるようになっている。また、前記テフロン
チューブ６２には、テフロンチューブ６２の外面のレジ
スト剥離液の温度を測定するための熱電対６３（温度検
出手段５３Ａ）が配置され、この熱電対６３において検
出されたレジスト剥離液の温度を示す温度データは、前
述した制御手段５５に供給され、この制御手段５５にお
いて、温度データに基づき、レジスト剥離液の温度が定
められた値（例えば６５℃）となるようにヒータ６１を
フィードバック制御するようにしている。

【００１２】次に、図２（ｂ）に示す加熱手段５３の具
体的構成について説明する。この図２（ｂ）において、
符号６４で示すものは経路５２によって送られたレジス
ト剥離液が流通するテフロンチューブであって、このテ
フロンチューブ６４の周囲には、その内部のレジスト剥
離液を、該テフロンチューブ６４を介して間接的に加熱
するためのヒータ６５としてのニクロム線が巻回されて
いる。なお、このヒータ６５は、上記ヒータ６１と同様
に、制御手段５５から出力された駆動信号により駆動さ
れる。また、前記テフロンチューブ６４には、テフロン
チューブ６４内のレジスト剥離液の温度を測定するため
の熱電対６６（温度検出手段５３Ａ）が配置され、この
熱電対６６において検出されたレジスト剥離液の温度を
示す温度データは、前述した制御手段５５に供給され、
この制御手段５５では、温度データに基づき、レジスト
剥離液の温度が定められた値となるようにヒータ６５へ
の制御信号の出力をフィードバック制御するようにして
いる。

【００１３】ここで、図３を参照して、入力手段５７に
おいて、加熱手段５３によるレジスト剥離液の加熱温度
を６５℃以上と設定した理由を説明する。図３に示すグ
ラフは、過酸化水素の濃度の異なる二種類のレジスト剥
離液について、これらの濃度測定値が、前記レジスト剥
離液の温度とどのような関係にあるかを示すものであ
る。そして、これらの測定結果を参照して判るように、
レジスト剥離液の温度が６５℃以下の場合には、温度の
上昇に伴って、過酸化水素の濃度測定値も上昇してゆ
く。すなわち、レジスト剥離液の温度が６５℃以下であ
る場合には、過酸化水素の濃度測定値が不安定であるこ
とが判る。なお、レジスト剥離液の温度が６５℃以下で
ある場合に、過酸化水素の濃度測定値が不安定となる理
由については、温度が６５℃以下であると、過酸化水素
と硫酸とが反応して、あるいはオゾンと硫酸とが反応し
て、不安定な中間物質を形成し、この不安定な中間物質
が、過酸化水素の濃度測定値の不安定要因となると考え
られている。

【００１４】一方、レジスト剥離液の温度が６５℃以上
の場合には、温度が上昇しても、過酸化水素の濃度測定
値は殆ど変化しない。すなわち、レジスト剥離液の温度
が６５℃以上である場合には、不安定な中間物質が形成
されず、過酸化水素の濃度測定値がほぼ一定の値を示す
ことが判る。そして、このような過酸化水素の濃度測定
値と、レジスト剥離液の温度との関係に基づいて、入力
手段５７において、加熱手段５３の温度が６５℃以上と
なるような設定を行わせ、これによって安定したレジス
ト剥離液の有効成分の分析を行わせるようにしている。

【００１５】なお、図３では、レジスト剥離液の有効成
分である過酸化水素について、濃度測定値と温度との関
係を示したものであるが、この関係と同様に、他の有効
成分である硫酸あるいはオゾンについても、これら各濃
度測定値が温度が所定値以下では、一定とならないこと
が実験により確かめられている。これによって、硫酸あ
るいはオゾンの濃度を分析する場合においても、レジス
ト剥離液の温度を所定値（例えば、６５℃以上）以上に
設定する必要がある。また、前記入力手段５７において
設定されるレジスト剥離液の加熱温度は６５℃に限定さ
れるものではなく、６５℃以上の例えば１００℃であっ
ても良い。

【００１６】次に、図１に示す構成を更に具体化した自
動液管理装置を、本発明の第２実施例として図４を参照
して説明する。まず、図４において符号１で示すもの
は、図示しない処理槽からレジスト剥離液が供給される
処理液供給経路である。なお、前記レジスト剥離液に
は、半導体用シリコンウエハ上のレジスト（ノボラック
樹脂等）を剥離して溶解する硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）及び過酸
化水素（Ｈ₂Ｏ₂）等の有効成分が含有されているもの、
あるいは、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）及びオゾン（Ｏ₃ ）等の有
効成分が含有されているものも使用される。

【００１７】前記処理液供給経路１の途中にはレジスト
剥離液の流通方向Ｘに沿って、レジスト剥離液を冷却す
る冷却器２、未溶解物等の不純物を除去するフィルタ
３、フォトセル４、六方電磁弁５が順次設けられてい
る。前記フォトセル４は、前記経路１によって送られて
きたレジスト剥離液をセル（図示略）内に導き、該レジ
スト剥離液に一定波長の光線を照射することにより、当
該レジスト剥離液の吸光度を測定するものである。な
お、前記六方電磁弁５は、（一）通常は実線で示すよう
に配置されており、前記レジスト剥離液をループ１０及
び経路６・７を通じて処理槽（図示略）に、経路６・８
を通じてドレンタンク９にそれぞれ案内する、（二）レ
ジスト剥離液中の硫酸、過酸化水素濃度を測定する際
に、点線で示す位置に切り換え、前記実線の位置に配置
されている間にループ１０に一時貯留されたレジスト剥
離液を、純水供給系１１（後述する）を通じて送られた
純水により押し出し、反応セル（後述する）に案内す
る。なお、前記ループ１０は、その内部に貯留されるレ
ジスト剥離液の量が予め設定されている、つまり定量の
ために用いるものである。

【００１８】また、前記経路６〜８の分岐部に設けられ
たものは、特に汚れたレジスト剥離液をドレンタンク９
に案内するための三方電磁弁１２、前記経路６の途中に
設けられたものはポンプ１３、前記経路８の途中に設け
られたものは、レジスト剥離液のＰＨを測定するＰＨ電
極１４である。なお、ポンプ１３はこの位置に限られた
ものではなく、フォトセル４あるいは六方電磁弁５の前
段に適宜設けるようにしても良い。前記純水供給系１１
は、純水の供給経路１５に沿って設けられた二方電磁弁
１６、中間トラップ１７、ポンプ１８と、分岐した経路
１９に設けられて、該純水の供給圧力を一定値以下に保
持するリリーフ弁２０とにより構成されるものである。
また、このリリーフ弁２０により排出された純水は、前
記ドレンタンク９に案内される。なお、前記純水供給系
１１は、二方電磁弁１６、中間トラップ１７、ポンプ１
８、リリーフ弁２０を有するものであるが、これに限定
されずポンプ１８のみにより構成しても良い。

【００１９】一方、前記ループ１０に一時貯留された
後、純水により押し出されたレジスト剥離液は経路２１
を通じて反応セル２５（後述する）か、反応セル２６
（後述する）のいずれかに案内される。前記経路２１の
途中には、レジスト剥離液を加熱するための加熱手段１
００が設けられている。この加熱手段１００は、例えば
図２（ａ）に示すように、ヒータ６１が内部に配置され
たアルミ等の円柱状ブロック６０の周囲に、経路２１の
レジスト剥離液が流通するテフロンチューブ６２が螺旋
状に巻回されたものであって、これにより、テフロンチ
ューブ６２内のレジスト剥離液が、円柱状ブロック６０
を介してヒータ６１により間接的に加熱されるようにな
っている。また、加熱手段１００は、図２（ａ）で示す
構造のものに限定されず、例えば図２（ｂ）に示すよう
に、経路２１によって送られたレジスト剥離液が流通す
るテフロンチューブ６４の周囲に、その内部のレジスト
剥離液を加熱するためのヒータ６５としてのニクロム線
を巻回したものであっても良い。また、前記加熱手段１
００には、図２（ａ）及び図（ｂ）に示す熱電対６３、
６６と同様の温度検出手段が設けられており、該温度検
出手段において検出された温度データ（ハ）は制御手段
１１０に供給される。この制御手段１１０については後
述する。

【００２０】また、前記加熱手段１００のテフロンチュ
ーブを経由した経路２１’は、三方電磁弁２４を介して
経路２２と経路２３とに分岐しており、最終的に反応セ
ル２５・２６に至っている。また、前記反応セル２５・
２６には、前記経路２２・２３により供給されたレジス
ト剥離液に対して、試薬を供給するための試薬供給系２
７〜２９と、前記反応セル２５・２６内の溶液の電位を
測定するための電極３０・３１とがそれぞれ設けられて
いる。前記試薬供給系２７〜２９は、フラスコ２７Ａ〜
２９Ａに貯留された各試薬を、滴定ポンプ２７Ｂ〜２９
Ｂにより経路２７Ｃ〜２９Ｃを経由させて、前記反応セ
ル２５・２６に少量ずつ供給するものであり、前記電極
３０・３１は、試薬を滴下した場合におけるレジスト剥
離液の電位をそれぞれ検出するものであって、これら電
位の変化からレジスト剥離液の硫酸、過酸化水素、オゾ
ン濃度が算出できるようになっている。つまり、電位が
飛躍した点を反応の終点として、この反応の終点におけ
る試薬の滴下量（この滴下量を示すデータ（イ）は滴定
ポンプ２７Ｂ〜２９Ｂからそれぞれ出力される。また、
電位を示すデータ（ロ）は電極３０・３１からそれぞれ
出力される）から、前記レジスト剥離液の有効成分であ
る硫酸、過酸化水素濃度がそれぞれ算出されるようにな
っている。

【００２１】また、前記フラスコ２７Ａ〜２９Ａに貯留
される試薬としては、水酸化ナトリウム等のアルカリ標
準液、過マンガン酸カリウム溶液等の酸化還元反応を起
こす標準液等が適当である。一方、反応セル２５・２６
の下部には、測定が終了する毎に該反応セル２５・２６
内のレジスト剥離液を排出するための経路３２〜３４が
設けられ、これら経路３２〜３４の途中には、フィルタ
３５・３６、反応セル２５・２６からの溶液の排出動作
を行うための二方電磁弁３７・３８、排液ポンプ３９が
順次設けられている。そして、前記経路３２〜３４を通
じて排出された溶液は、前述したドレンタンク９内に送
られるようになっている。

【００２２】なお、図４に示す自動液管理装置の系統図
において、符号１０１の範囲で示すものは図１のサンプ
リングポンプ５１に相当するサンプリング手段であり、
符号１０２で示す範囲のものは図１の検出手段５４に相
当する検出手段である。次に、図４に符号１１０で示す
制御手段には、加熱手段１００の温度検出手段から出力
された、レジスト剥離液の温度を測定する温度データ
（ハ）が入力され、この温度データ（ハ）に基づき制御
手段１１０は、加熱手段１００がレジスト剥離液を例え
ば６５℃以上の一定の温度で加熱すべく、加熱手段１０
０のヒータに対する駆動信号（ニ）の出力をフィードバ
ック制御するようにしている。なお、制御手段１１０
が、加熱手段１００に対して設定する加熱温度は、図１
の入力手段５７と同様の入力手段１１１において設定さ
れる。一方、符号１１２で示す演算手段には、検出手段
１０２の滴下ポンプ２７Ｂ〜２９Ｂから出力された試薬
の滴下量を示すデータ（イ）と、電極３０・３１から出
力された電位を示すデータ（ロ）とがそれぞれ入力され
るようになっており、この演算手段１１２において、電
位が飛躍した点を反応の終点として、この反応の終点に
おける試薬の滴下量から、前記レジスト剥離液の有効成
分である硫酸、過酸化水素濃度がそれぞれ算出され、更
にこの算出結果に基づき、レジスト剥離液が劣化した状
態にあるか否かを判定する。なお、この演算手段１１２
で演算されたレジスト剥離液の有効成分の濃度、及びレ
ジスト剥離液の劣化度は、ＣＲＴあるいはプリンタに出
力される。また、前記制御手段１１０からは、図示して
いないが、サンプリング手段１０１の六方電磁弁５、三
方電磁弁１２、二方電磁弁１６、ポンプ１８等を駆動す
るための駆動信号、及び検出手段１０２の三方電磁弁２
４、滴定ポンプ２７Ｂ〜２９Ｂ、二方電磁弁３７・３
８、排液ポンプ３９を駆動するための駆動信号がそれぞ
れ出力されている。

【００２３】次に、本発明の第３実施例を図５を参照し
て説明する。図５において符号７０で示すものは、レジ
スト剥離液をサンプリングし、該サンプリングしたレジ
スト剥離液を経路７１を通じて輸送するためのサンプリ
ングポンプ（サンプリング手段）であり、符号７２で示
すものは、サンプリングしたレジスト剥離液を加熱する
ための加熱手段であり、符号７３で示すものは、レジス
ト剥離液の有効成分の濃度を検出するための吸光度検出
手段である。なお、前記レジスト剥離液の有効成分とし
ては、第１、第２実施例のレジスト剥離液と同様に、硫
酸（Ｈ₂ＳＯ₄）及び過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、あるいは硫
酸（Ｈ₂ＳＯ₄）及びオゾン（Ｏ₃ ）等がある。

【００２４】前記加熱手段７２は、第１、第２実施例の
加熱手段５３、１００と同様のものである、すなわち、
図２（ａ）あるいは図２（ｂ）に示すように、ヒータ６
１が内部に配置されたアルミ等の円柱状ブロック６０の
周囲に、経路７１によって送られたレジスト剥離液が流
通するテフロンチューブ６２が螺旋状に巻回されたも
の、あるいは、経路７１によって送られたレジスト剥離
液が流通するテフロンチューブ６４の周囲に、その内部
のレジスト剥離液を加熱するためのヒータ６５としての
ニクロム線を巻回したもの等が適用される。また、前記
加熱手段７２には、図２（ａ）及び図（ｂ）に示す熱電
対６３、６６と同様の温度検出手段が設けられており、
該温度検出手段において検出された温度データ（ホ）は
制御手段８０（後述する）に供給される。前記吸光度検
出手段７３は、光源７４と、前記経路７１を通じて送ら
れたレジスト剥離液が流通するとともに、このレジスト
剥離液中に前記光源７４からの光が照射されるフローセ
ル７５と、フローセル７５を経由した光の中で、特定波
長の光のみを取り出す干渉フィルタ７６と、該干渉フィ
ルタ７６を経由した光の強度を測定するための光センサ
７７とを具備するものであって、この光センサ７７にお
いて測定された検出データは、演算手段８１（後述す
る）に供給されるようになっている。

【００２５】次に、制御手段８０、演算手段８１につい
て説明する。制御手段８０は、サンプリングポンプ７
０、加熱手段７２のヒータ６１、６５、光源７４を駆動
するための駆動信号を出力するものである。また、この
制御手段８０には、加熱手段７２の温度検出手段から出
力された、レジスト剥離液の温度を測定する温度データ
（ホ）が入力され、この温度データ（ホ）に基づき制御
手段８０は、加熱手段７２がレジスト剥離液を一定の温
度で加熱すべく、加熱手段７２のヒータ６１、６５に対
する駆動信号（符号（ヘ）で示す）の出力をフィードバ
ック制御するようにしている。なお、制御手段８０が、
加熱手段７２に対して設定する加熱温度は、第１、第２
実施例の入力手段５７、１１１と同様、入力手段８２に
おいて設定される。符号８１で示す演算手段には、光セ
ンサ７７において検出された光の強度を示す検出データ
が入力されるようになっており、この演算手段８１で
は、この検出データを、予め記憶させておいた基準デー
タと比較することにより、レジスト剥離液の吸光度を検
出し、この検出結果からレジスト剥離液が劣化したか否
かを判定するようにしている。なお、本実施例におい
て、符号７８Ａ〜７８Ｃで示すものは、光源７４から出
力された光を屈曲させるための反射板である。

【００２６】以上詳細に説明したように、これら実施例
に示す自動液管理装置によれば、検出手段５４、１０
２、７３の前段に、サンプリング手段（あるいはサンプ
リングポンプ）５１、１０１、７０によりサンプリング
されたレジスト剥離液を加熱するための加熱手段５４、
１００、７２が設けられていることから、図３に示すよ
うに、これら加熱手段５４、１００、７２により、レジ
スト剥離液の温度を、有効成分の安定した測定ができる
例えば６５℃以上の領域にまで上昇させることができ、
これによって有効成分を測定する際の不安定要素とされ
る、中間物質の生成を防止することができ、該レジスト
剥離液中の劣化度を安定した状態で正確に測定すること
ができる効果が得られる。

【００２７】

【発明の効果】以上の説明から明かなように、第１〜第
３の発明によれば、加熱手段により、、該処理液の温度
を、有効成分の安定した測定ができる例えば６５℃以上
の領域にまで上昇させることができ、これによって有効
成分を測定する際の不安定要素とされる、中間物質の生
成を防止することができ、該処理液中の有効成分を安定
した状態で正確に測定することができる効果が得られ
る。また、第４の発明では、第１〜第３の発明の自動液
管理装置と同様に、処理液の温度を、有効成分を測定す
る際の不安定要素とされる中間物質の生成を防止でき
る、例えば６５℃以上の領域にまで上昇させることがで
き、これによって該処理液の劣化度を検出するための吸
光度を、安定した状態で、かつ正確に測定できる効果が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す自動液管理装置の全
体概略構成図。

【図２】（ａ）及び（ｂ）は自動液管理装置の加熱手段
５３・７２・１００を具体化した図。

【図３】レジスト剥離液の有効成分である過酸化水素の
測定濃度と、温度との関係を示したグラフ。

【図４】本発明の第２実施例を示す自動液管理装置の全
体概略構成図。

【図５】本発明の第３実施例を示す自動液管理装置の全
体概略構成図。

【符号の説明】

５１サンプリングポンプ（サンプリング手段）５３加熱手段５３Ａ温度センサ（温度検出手段）５４検出手段５５制御手段６３熱電対（温度検出手段）６６熱電対（温度検出手段）７０サンプリングポンプ（サンプリング手段）７２加熱手段７３吸光度検出手段８０制御手段１００加熱手段１０１サンプリング手段１０２検出手段１１０制御手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液をサンプリングするサンプリング
手段と、サンプリングされた処理液の有効成分の量を検
出する検出手段とを有し、検出手段からの検出データに
基づき処理液の有効成分濃度を演算するようにした自動
液管理装置において、前記検出手段の前段には、前記サンプリング手段により
サンプリングされた処理液を加熱するための加熱手段が
設けられていることを特徴とする自動液管理装置。
【請求項２】前記加熱手段を制御する制御手段と、前
記加熱手段に設けられて、前記加熱手段により加熱され
た処理液の温度を検出する温度検出手段とを具備してな
り、前記制御手段は、温度検出手段の温度データに基づい
て、処理液の温度を少なくとも６５℃以上となるように
加熱手段を制御することを特徴とする請求項１記載の自
動液管理装置。
【請求項３】前記サンプリング手段によりサンプリン
グされる処理液は、有効成分としてＨ₂ＳＯ₄及びＨ₂Ｏ₂
を含むものである、あるいは、Ｈ₂ＳＯ₄及びＯ₃ を含む
ものであることを特徴とする請求項１記載の自動液管理
装置。
【請求項４】処理液をサンプリングするサンプリング
手段と、該サンプリング手段によりサンプリングされた
処理液の吸光度を検出する吸光度検出手段と、該吸光度
検出手段の前段に設けられて、前記サンプリング手段に
よりサンプリングされた処理液を加熱するための加熱手
段と、前記吸光度検出手段において検出された吸光度か
ら前記処理液の有効成分濃度を演算する演算手段とから
構成されていることを特徴とする自動液管理装置。