JPH05129180A - 微細パターンの修正方法およびその装置 - Google Patents
微細パターンの修正方法およびその装置Info
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- JPH05129180A JPH05129180A JP29155691A JP29155691A JPH05129180A JP H05129180 A JPH05129180 A JP H05129180A JP 29155691 A JP29155691 A JP 29155691A JP 29155691 A JP29155691 A JP 29155691A JP H05129180 A JPH05129180 A JP H05129180A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】修正に要する時間が短く、しかも取残し部分の
少ない微細パターンの修正技術の実現にある。 【構成】本発明の微細パターンの修正方法は、荷電粒子
ビームを照射して微細パターンの欠陥箇所を除去する修
正方法であって、前記粒子ビームのスポット径を前記欠
陥箇所の大きさに応じて可変設定することを特徴とす
る。また、その装置は、微細パターンの欠陥サイズの大
きさを判定する判定手段と、判定手段の判定結果に従っ
て荷電粒子ビームのスポット径の制御量を演算する制御
量演算手段と、該制御量に基づいてビーム発生源から発
射された荷電粒子ビームのスポット径を操作する操作手
段と、を備えたことを特徴とする。
少ない微細パターンの修正技術の実現にある。 【構成】本発明の微細パターンの修正方法は、荷電粒子
ビームを照射して微細パターンの欠陥箇所を除去する修
正方法であって、前記粒子ビームのスポット径を前記欠
陥箇所の大きさに応じて可変設定することを特徴とす
る。また、その装置は、微細パターンの欠陥サイズの大
きさを判定する判定手段と、判定手段の判定結果に従っ
て荷電粒子ビームのスポット径の制御量を演算する制御
量演算手段と、該制御量に基づいてビーム発生源から発
射された荷電粒子ビームのスポット径を操作する操作手
段と、を備えたことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターンの修正方
法およびその装置に関する。近時、半導体集積回路の高
密度化、大規模化に伴って、露光マスク等のパターンが
きわめて微細化し、プロセス欠陥の発生確率が高まって
いる。このため、微細パターンの欠陥を、高精度かつ短
時間に修正できる技術が要求される。
法およびその装置に関する。近時、半導体集積回路の高
密度化、大規模化に伴って、露光マスク等のパターンが
きわめて微細化し、プロセス欠陥の発生確率が高まって
いる。このため、微細パターンの欠陥を、高精度かつ短
時間に修正できる技術が要求される。
【0002】
【従来の技術】微細パターンの欠陥修正に好適なものと
して、収束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)
等の荷電粒子ビームを利用する技術が知られている。例
えば「精密工学会誌」(第53巻 第6号 第15頁〜第
18頁 昭和62年6月5日 精密工学会発行)には、金
属イオン源によって、0.1μm以下のビーム径、1A
/cm2以上の高輝度FIBを発生し、このFIBを、
例えばフォトマスクに照射してパターン欠陥(黒・白欠
陥)を修正するマスクリペア装置が記載されている。
して、収束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)
等の荷電粒子ビームを利用する技術が知られている。例
えば「精密工学会誌」(第53巻 第6号 第15頁〜第
18頁 昭和62年6月5日 精密工学会発行)には、金
属イオン源によって、0.1μm以下のビーム径、1A
/cm2以上の高輝度FIBを発生し、このFIBを、
例えばフォトマスクに照射してパターン欠陥(黒・白欠
陥)を修正するマスクリペア装置が記載されている。
【0003】図5はかかる公知の装置を用いた例えば黒
欠陥の修正概念図である。パターンA、B間に発生した
黒欠陥に所定スポット径(φa)のFIBを照射し、こ
れを面方向に任意回数(n)だけ繰返すことにより、φ
a×nに相当する大きさの欠陥を除去することができ
る。但し、オーバラップ部分を無視した場合。
欠陥の修正概念図である。パターンA、B間に発生した
黒欠陥に所定スポット径(φa)のFIBを照射し、こ
れを面方向に任意回数(n)だけ繰返すことにより、φ
a×nに相当する大きさの欠陥を除去することができ
る。但し、オーバラップ部分を無視した場合。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術にあっては、スポット径を固定としたFIBを
任意回数照射するものであったため、小スポット径の場
合には照射回数に比例して修正時間が長くなり、一方、
大スポット径の場合には図6に示すように欠陥の取残し
部分(以下、残留欠陥)が多くなるといった問題点があ
った。
従来技術にあっては、スポット径を固定としたFIBを
任意回数照射するものであったため、小スポット径の場
合には照射回数に比例して修正時間が長くなり、一方、
大スポット径の場合には図6に示すように欠陥の取残し
部分(以下、残留欠陥)が多くなるといった問題点があ
った。
【0005】そこで、本発明の目的は、修正に要する時
間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パターンの修
正技術の実現にある。
間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パターンの修
正技術の実現にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターンの
修正方法は、荷電粒子ビームを照射して微細パターンの
欠陥箇所を除去する修正方法であって、前記粒子ビーム
のスポット径を前記欠陥箇所の大きさに応じて可変設定
することを特徴とする。また、その装置は、微細パター
ンの欠陥サイズの大きさを判定する判定手段と、判定手
段の判定結果に従って荷電粒子ビームのスポット径の制
御量を演算する制御量演算手段と、該制御量に基づいて
ビーム発生源から発射された荷電粒子ビームのスポット
径を操作する操作手段と、を備えたことを特徴とする。
修正方法は、荷電粒子ビームを照射して微細パターンの
欠陥箇所を除去する修正方法であって、前記粒子ビーム
のスポット径を前記欠陥箇所の大きさに応じて可変設定
することを特徴とする。また、その装置は、微細パター
ンの欠陥サイズの大きさを判定する判定手段と、判定手
段の判定結果に従って荷電粒子ビームのスポット径の制
御量を演算する制御量演算手段と、該制御量に基づいて
ビーム発生源から発射された荷電粒子ビームのスポット
径を操作する操作手段と、を備えたことを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明では、小サイズの欠陥に対しては小スポ
ット径の粒子ビームが、また、大サイズの欠陥に対して
は大スポット径の粒子ビームが用いられる。さらに、当
該大スポット径の粒子ビームによって生じる残留欠陥に
対しては、その残留欠陥サイズに対応した大きさのスポ
ット径の粒子ビームが用いられる。
ット径の粒子ビームが、また、大サイズの欠陥に対して
は大スポット径の粒子ビームが用いられる。さらに、当
該大スポット径の粒子ビームによって生じる残留欠陥に
対しては、その残留欠陥サイズに対応した大きさのスポ
ット径の粒子ビームが用いられる。
【0008】したがって、前記φaを可変として常に適
切なスポット径の粒子ビームを用いることができ、粒子
ビームの総照射回数(nに相当)を少なくできる。しか
も、小スポット径の粒子ビームによって残留欠陥を局限
できる。
切なスポット径の粒子ビームを用いることができ、粒子
ビームの総照射回数(nに相当)を少なくできる。しか
も、小スポット径の粒子ビームによって残留欠陥を局限
できる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1〜図4は本発明に係る微細パターンの修正方
法を適用するその装置(例えばマスクリペア装置)の一
実施例を示す図である。図1において、10はマスクリ
ペア装置であり、マスクリペア装置10は、収束イオン
ビーム等の荷電粒子ビーム(以下、単にビームというこ
ともある)11を発生するガリウムなどの液体イオン源
(ビーム発生源)12、電極電圧に応じた大きさのビー
ム電流(IB)をもつビーム11を液体イオン源12か
ら引き出すための引出し電極13、ビーム11を電子的
に収束するレンズ電極14、偏向電圧に従ってビーム1
1を偏向する偏向電極15、修正すべきパターンを形成
した試料(例えばマスク)16を載置するステージ1
7、収束イオンビームCVD法のための原料ガス(例え
ばW(CO)6)を試料16の表面に供給するガス導入
口18、試料16の表面からの二次電子あるいは二次イ
オンを検出する検出器19を備えるとともに、液体イオ
ン源12のイオン加速用電圧を発生する第1電源部2
0、引出し電極13の電極電圧を発生する第2電源部2
1、レンズ電極14の電極電圧を発生する第3電源部2
2、所定の偏向データに従って偏向電圧を発生する第4
電源部23、検出器19の検出信号から試料16の表面
情報を再生し例えばCRT画像信号として出力する検出
部24、ステージ17のX−Y位置を制御するステージ
制御部25、原料ガスの供給/停止やその供給量などを
制御するガス導入制御部26、サイズ判定及びスポット
径選択部27、装置全体の動作を制御する中央制御部2
8を備える。
する。図1〜図4は本発明に係る微細パターンの修正方
法を適用するその装置(例えばマスクリペア装置)の一
実施例を示す図である。図1において、10はマスクリ
ペア装置であり、マスクリペア装置10は、収束イオン
ビーム等の荷電粒子ビーム(以下、単にビームというこ
ともある)11を発生するガリウムなどの液体イオン源
(ビーム発生源)12、電極電圧に応じた大きさのビー
ム電流(IB)をもつビーム11を液体イオン源12か
ら引き出すための引出し電極13、ビーム11を電子的
に収束するレンズ電極14、偏向電圧に従ってビーム1
1を偏向する偏向電極15、修正すべきパターンを形成
した試料(例えばマスク)16を載置するステージ1
7、収束イオンビームCVD法のための原料ガス(例え
ばW(CO)6)を試料16の表面に供給するガス導入
口18、試料16の表面からの二次電子あるいは二次イ
オンを検出する検出器19を備えるとともに、液体イオ
ン源12のイオン加速用電圧を発生する第1電源部2
0、引出し電極13の電極電圧を発生する第2電源部2
1、レンズ電極14の電極電圧を発生する第3電源部2
2、所定の偏向データに従って偏向電圧を発生する第4
電源部23、検出器19の検出信号から試料16の表面
情報を再生し例えばCRT画像信号として出力する検出
部24、ステージ17のX−Y位置を制御するステージ
制御部25、原料ガスの供給/停止やその供給量などを
制御するガス導入制御部26、サイズ判定及びスポット
径選択部27、装置全体の動作を制御する中央制御部2
8を備える。
【0010】ここで、上記の中央制御部28は、検出部
24からの画像信号を処理して欠陥部分を抽出し、この
欠陥部分のサイズ情報をサイズ判定及びスポット径選択
部27に転送する。サイズ判定及びスポット径選択部2
7は、発明の要旨に記載の判定手段および演算手段とし
ての機能を有し、欠陥部分のサイズがどの程度の大きさ
であるかを判定するとともに、その判定結果に基づいて
ビーム11のスポット径の制御量を演算する。第2電源
部21は発明の要旨に記載の操作手段としての機能を有
し、サイズ判定及びスポット径選択部27で演算された
制御量に基づいて引出し電極13の電極電圧を増減操作
し、液体イオン源12から発射された荷電粒子ビームの
スポット径を操作する。また、サイズ判定及びスポット
径選択部27は、その判定結果に基づいて第4電源部2
3をコントロールし、偏向電極15の偏向電圧を増減操
作する機能も有している。
24からの画像信号を処理して欠陥部分を抽出し、この
欠陥部分のサイズ情報をサイズ判定及びスポット径選択
部27に転送する。サイズ判定及びスポット径選択部2
7は、発明の要旨に記載の判定手段および演算手段とし
ての機能を有し、欠陥部分のサイズがどの程度の大きさ
であるかを判定するとともに、その判定結果に基づいて
ビーム11のスポット径の制御量を演算する。第2電源
部21は発明の要旨に記載の操作手段としての機能を有
し、サイズ判定及びスポット径選択部27で演算された
制御量に基づいて引出し電極13の電極電圧を増減操作
し、液体イオン源12から発射された荷電粒子ビームの
スポット径を操作する。また、サイズ判定及びスポット
径選択部27は、その判定結果に基づいて第4電源部2
3をコントロールし、偏向電極15の偏向電圧を増減操
作する機能も有している。
【0011】次に、作用を説明する。図2は、サイズ判
定及びスポット径選択部27における動作のフローチャ
ートである。このフローチャートでは、まず、ステップ
30で中央制御部28からの欠陥情報に従って修正箇所
を特定し、次いで、ステップ31で欠陥サイズを判定す
る。ここでの判定は、大、中、小といった段階的な判定
であってもよいし、あるいは連続的な判定であってもよ
いが、説明の簡単化のために、大、中、小の3段階判定
とする。
定及びスポット径選択部27における動作のフローチャ
ートである。このフローチャートでは、まず、ステップ
30で中央制御部28からの欠陥情報に従って修正箇所
を特定し、次いで、ステップ31で欠陥サイズを判定す
る。ここでの判定は、大、中、小といった段階的な判定
であってもよいし、あるいは連続的な判定であってもよ
いが、説明の簡単化のために、大、中、小の3段階判定
とする。
【0012】サイズ判定を終了すると、次に、ステップ
32で上記の判定結果に従ってスポット径を選択する。
ここでは、サイズ判定に合わせて、大(L)、中
(M)、小(S)の3つのスポット径の1つを選択する
ものとする。そして、ステップ33で引出し電極13の
電極電圧を操作して選択スポット径となるようにビーム
電流IBを操作するとともに、ビーム11が欠陥部分を
まんべんなく走査するように偏向電圧を操作する。図3
はビーム電流IBとビームスポット径の代表的な相関図
である。ビーム電流IBを上げてゆくとスポット径が大
きくなり、反対に下げてゆくと小さくなる。すなわち、
引出し電極13の電極電圧を操作してビーム電流IBを
変えることにより、ビームスポット径を自在に制御する
ことができる。
32で上記の判定結果に従ってスポット径を選択する。
ここでは、サイズ判定に合わせて、大(L)、中
(M)、小(S)の3つのスポット径の1つを選択する
ものとする。そして、ステップ33で引出し電極13の
電極電圧を操作して選択スポット径となるようにビーム
電流IBを操作するとともに、ビーム11が欠陥部分を
まんべんなく走査するように偏向電圧を操作する。図3
はビーム電流IBとビームスポット径の代表的な相関図
である。ビーム電流IBを上げてゆくとスポット径が大
きくなり、反対に下げてゆくと小さくなる。すなわち、
引出し電極13の電極電圧を操作してビーム電流IBを
変えることにより、ビームスポット径を自在に制御する
ことができる。
【0013】1つの欠陥部分に対する1回の修正処理を
終了すると、ステップ34で残留欠陥の有無を判定し、
残留欠陥ありの場合には、ステップ31以降を繰り返
す。ここで、残留欠陥のサイズは先の欠陥のサイズより
も当然にサイズが小さくなっている。例えば先の欠陥が
Lサイズであれば、その残留欠陥はMサイズ若しくはS
サイズである。したがって、残留欠陥に対しては、Mサ
イズ若しくはSサイズのスポット径が適用される。
終了すると、ステップ34で残留欠陥の有無を判定し、
残留欠陥ありの場合には、ステップ31以降を繰り返
す。ここで、残留欠陥のサイズは先の欠陥のサイズより
も当然にサイズが小さくなっている。例えば先の欠陥が
Lサイズであれば、その残留欠陥はMサイズ若しくはS
サイズである。したがって、残留欠陥に対しては、Mサ
イズ若しくはSサイズのスポット径が適用される。
【0014】以上の処理ステップを実行して、残留欠陥
が無くなったことを判定すると、ステップ35で他の欠
陥の有無を判定し、他の欠陥があれば、ステップ30以
降を繰返し、なければ処理を終了する。以上述べたよう
に、本実施例では、欠陥のサイズに応じてビームのスポ
ット径を可変としたので、例えば図4(a)に示すよう
に、中程度の欠陥(黒欠陥)に対しては、最初に中
(M)スポット径のビームによって大まかに欠陥を除去
し、その後、小(S)スポット径のビームによって残留
欠陥を除去することができる。また、図4(b)に示す
ように、小サイズの欠陥に対しては最初から小(S)ス
ポット径のビームを適用できる。あるいは、図4(c)
に示すように、大サイズの欠陥に対しては、大(L)ス
ポット径のビームから中(M)または(S)スポット径
のビームへと順次に切り換えることができる。
が無くなったことを判定すると、ステップ35で他の欠
陥の有無を判定し、他の欠陥があれば、ステップ30以
降を繰返し、なければ処理を終了する。以上述べたよう
に、本実施例では、欠陥のサイズに応じてビームのスポ
ット径を可変としたので、例えば図4(a)に示すよう
に、中程度の欠陥(黒欠陥)に対しては、最初に中
(M)スポット径のビームによって大まかに欠陥を除去
し、その後、小(S)スポット径のビームによって残留
欠陥を除去することができる。また、図4(b)に示す
ように、小サイズの欠陥に対しては最初から小(S)ス
ポット径のビームを適用できる。あるいは、図4(c)
に示すように、大サイズの欠陥に対しては、大(L)ス
ポット径のビームから中(M)または(S)スポット径
のビームへと順次に切り換えることができる。
【0015】したがって、ビームの照射回数を減少する
ことができ、修正に要する時間を短縮化できる。しか
も、残留欠陥を無視できる程度に少なくすることがで
き、パターン修正の精度を向上することができる。な
お、実施例では黒欠陥について説明したが、パターンの
一部が欠損する欠陥(白欠陥)についても同様に適用で
きる。すなわち、原料ガスを試料表面に供給し、白欠陥
のサイズに応じたスポット径のビームを発射すればよ
い。
ことができ、修正に要する時間を短縮化できる。しか
も、残留欠陥を無視できる程度に少なくすることがで
き、パターン修正の精度を向上することができる。な
お、実施例では黒欠陥について説明したが、パターンの
一部が欠損する欠陥(白欠陥)についても同様に適用で
きる。すなわち、原料ガスを試料表面に供給し、白欠陥
のサイズに応じたスポット径のビームを発射すればよ
い。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、粒子ビームのスポット
径を欠陥箇所の大きさに応じて可変としたので、修正に
要する時間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パタ
ーンの修正技術を実現できる。
径を欠陥箇所の大きさに応じて可変としたので、修正に
要する時間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パタ
ーンの修正技術を実現できる。
【図1】一実施例の構成図である。
【図2】一実施例のフローチャートである。
【図3】一実施例のビーム電流IBとビームスポット径
の相関図である。
の相関図である。
【図4】一実施例の欠陥除去の概念図である。
【図5】従来例の小サイズ欠陥除去の概念図である。
【図6】従来例の大サイズ欠陥除去の概念図である。
11:荷電粒子ビーム 12:液体イオン源(ビーム発生源) 21:第2電源部(操作手段) 27:サイズ判定及びスポット径選択部(判定手段、演
算手段)
算手段)
Claims (2)
- 【請求項1】荷電粒子ビームを照射して微細パターンの
欠陥箇所を除去する修正方法であって、前記粒子ビーム
のスポット径を前記欠陥箇所の大きさに応じて可変設定
することを特徴とする微細パターンの修正方法。 - 【請求項2】微細パターンの欠陥サイズの大きさを判定
する判定手段と、 判定手段の判定結果に従って荷電粒子ビームのスポット
径の制御量を演算する制御量演算手段と、 該制御量に基づいてビーム発生源から発射された荷電粒
子ビームのスポット径を操作する操作手段と、を備えた
ことを特徴とする微細パターンの修正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29155691A JPH05129180A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 微細パターンの修正方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29155691A JPH05129180A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 微細パターンの修正方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05129180A true JPH05129180A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17770448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29155691A Withdrawn JPH05129180A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 微細パターンの修正方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05129180A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034192A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 回路パターンの補正方法及びその装置 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP29155691A patent/JPH05129180A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034192A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 回路パターンの補正方法及びその装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |