JPH05129180A - 微細パターンの修正方法およびその装置 - Google Patents
微細パターンの修正方法およびその装置Info
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- JPH05129180A JPH05129180A JP29155691A JP29155691A JPH05129180A JP H05129180 A JPH05129180 A JP H05129180A JP 29155691 A JP29155691 A JP 29155691A JP 29155691 A JP29155691 A JP 29155691A JP H05129180 A JPH05129180 A JP H05129180A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】修正に要する時間が短く、しかも取残し部分の
少ない微細パターンの修正技術の実現にある。 【構成】本発明の微細パターンの修正方法は、荷電粒子
ビームを照射して微細パターンの欠陥箇所を除去する修
正方法であって、前記粒子ビームのスポット径を前記欠
陥箇所の大きさに応じて可変設定することを特徴とす
る。また、その装置は、微細パターンの欠陥サイズの大
きさを判定する判定手段と、判定手段の判定結果に従っ
て荷電粒子ビームのスポット径の制御量を演算する制御
量演算手段と、該制御量に基づいてビーム発生源から発
射された荷電粒子ビームのスポット径を操作する操作手
段と、を備えたことを特徴とする。
少ない微細パターンの修正技術の実現にある。 【構成】本発明の微細パターンの修正方法は、荷電粒子
ビームを照射して微細パターンの欠陥箇所を除去する修
正方法であって、前記粒子ビームのスポット径を前記欠
陥箇所の大きさに応じて可変設定することを特徴とす
る。また、その装置は、微細パターンの欠陥サイズの大
きさを判定する判定手段と、判定手段の判定結果に従っ
て荷電粒子ビームのスポット径の制御量を演算する制御
量演算手段と、該制御量に基づいてビーム発生源から発
射された荷電粒子ビームのスポット径を操作する操作手
段と、を備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターンの修正方
法およびその装置に関する。近時、半導体集積回路の高
密度化、大規模化に伴って、露光マスク等のパターンが
きわめて微細化し、プロセス欠陥の発生確率が高まって
いる。このため、微細パターンの欠陥を、高精度かつ短
時間に修正できる技術が要求される。
法およびその装置に関する。近時、半導体集積回路の高
密度化、大規模化に伴って、露光マスク等のパターンが
きわめて微細化し、プロセス欠陥の発生確率が高まって
いる。このため、微細パターンの欠陥を、高精度かつ短
時間に修正できる技術が要求される。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンの欠陥修正に好適なものと
して、収束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）
等の荷電粒子ビームを利用する技術が知られている。例
えば「精密工学会誌」（第５３巻 第６号 第１５頁〜第
１８頁 昭和６２年６月５日 精密工学会発行）には、金
属イオン源によって、０．１μｍ以下のビーム径、１Ａ
／ｃｍ2以上の高輝度ＦＩＢを発生し、このＦＩＢを、
例えばフォトマスクに照射してパターン欠陥（黒・白欠
陥）を修正するマスクリペア装置が記載されている。
して、収束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）
等の荷電粒子ビームを利用する技術が知られている。例
えば「精密工学会誌」（第５３巻 第６号 第１５頁〜第
１８頁 昭和６２年６月５日 精密工学会発行）には、金
属イオン源によって、０．１μｍ以下のビーム径、１Ａ
／ｃｍ2以上の高輝度ＦＩＢを発生し、このＦＩＢを、
例えばフォトマスクに照射してパターン欠陥（黒・白欠
陥）を修正するマスクリペア装置が記載されている。
【０００３】図５はかかる公知の装置を用いた例えば黒
欠陥の修正概念図である。パターンＡ、Ｂ間に発生した
黒欠陥に所定スポット径（φａ）のＦＩＢを照射し、こ
れを面方向に任意回数（ｎ）だけ繰返すことにより、φ
ａ×ｎに相当する大きさの欠陥を除去することができ
る。但し、オーバラップ部分を無視した場合。
欠陥の修正概念図である。パターンＡ、Ｂ間に発生した
黒欠陥に所定スポット径（φａ）のＦＩＢを照射し、こ
れを面方向に任意回数（ｎ）だけ繰返すことにより、φ
ａ×ｎに相当する大きさの欠陥を除去することができ
る。但し、オーバラップ部分を無視した場合。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術にあっては、スポット径を固定としたＦＩＢを
任意回数照射するものであったため、小スポット径の場
合には照射回数に比例して修正時間が長くなり、一方、
大スポット径の場合には図６に示すように欠陥の取残し
部分（以下、残留欠陥）が多くなるといった問題点があ
った。
従来技術にあっては、スポット径を固定としたＦＩＢを
任意回数照射するものであったため、小スポット径の場
合には照射回数に比例して修正時間が長くなり、一方、
大スポット径の場合には図６に示すように欠陥の取残し
部分（以下、残留欠陥）が多くなるといった問題点があ
った。
【０００５】そこで、本発明の目的は、修正に要する時
間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パターンの修
正技術の実現にある。
間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パターンの修
正技術の実現にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターンの
修正方法は、荷電粒子ビームを照射して微細パターンの
欠陥箇所を除去する修正方法であって、前記粒子ビーム
のスポット径を前記欠陥箇所の大きさに応じて可変設定
することを特徴とする。また、その装置は、微細パター
ンの欠陥サイズの大きさを判定する判定手段と、判定手
段の判定結果に従って荷電粒子ビームのスポット径の制
御量を演算する制御量演算手段と、該制御量に基づいて
ビーム発生源から発射された荷電粒子ビームのスポット
径を操作する操作手段と、を備えたことを特徴とする。
修正方法は、荷電粒子ビームを照射して微細パターンの
欠陥箇所を除去する修正方法であって、前記粒子ビーム
のスポット径を前記欠陥箇所の大きさに応じて可変設定
することを特徴とする。また、その装置は、微細パター
ンの欠陥サイズの大きさを判定する判定手段と、判定手
段の判定結果に従って荷電粒子ビームのスポット径の制
御量を演算する制御量演算手段と、該制御量に基づいて
ビーム発生源から発射された荷電粒子ビームのスポット
径を操作する操作手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明では、小サイズの欠陥に対しては小スポ
ット径の粒子ビームが、また、大サイズの欠陥に対して
は大スポット径の粒子ビームが用いられる。さらに、当
該大スポット径の粒子ビームによって生じる残留欠陥に
対しては、その残留欠陥サイズに対応した大きさのスポ
ット径の粒子ビームが用いられる。
ット径の粒子ビームが、また、大サイズの欠陥に対して
は大スポット径の粒子ビームが用いられる。さらに、当
該大スポット径の粒子ビームによって生じる残留欠陥に
対しては、その残留欠陥サイズに対応した大きさのスポ
ット径の粒子ビームが用いられる。
【０００８】したがって、前記φａを可変として常に適
切なスポット径の粒子ビームを用いることができ、粒子
ビームの総照射回数（ｎに相当）を少なくできる。しか
も、小スポット径の粒子ビームによって残留欠陥を局限
できる。
切なスポット径の粒子ビームを用いることができ、粒子
ビームの総照射回数（ｎに相当）を少なくできる。しか
も、小スポット径の粒子ビームによって残留欠陥を局限
できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１〜図４は本発明に係る微細パターンの修正方
法を適用するその装置（例えばマスクリペア装置）の一
実施例を示す図である。図１において、１０はマスクリ
ペア装置であり、マスクリペア装置１０は、収束イオン
ビーム等の荷電粒子ビーム（以下、単にビームというこ
ともある）１１を発生するガリウムなどの液体イオン源
（ビーム発生源）１２、電極電圧に応じた大きさのビー
ム電流（ＩB）をもつビーム１１を液体イオン源１２か
ら引き出すための引出し電極１３、ビーム１１を電子的
に収束するレンズ電極１４、偏向電圧に従ってビーム１
１を偏向する偏向電極１５、修正すべきパターンを形成
した試料（例えばマスク）１６を載置するステージ１
７、収束イオンビームＣＶＤ法のための原料ガス（例え
ばＷ（ＣＯ）6）を試料１６の表面に供給するガス導入
口１８、試料１６の表面からの二次電子あるいは二次イ
オンを検出する検出器１９を備えるとともに、液体イオ
ン源１２のイオン加速用電圧を発生する第１電源部２
０、引出し電極１３の電極電圧を発生する第２電源部２
１、レンズ電極１４の電極電圧を発生する第３電源部２
２、所定の偏向データに従って偏向電圧を発生する第４
電源部２３、検出器１９の検出信号から試料１６の表面
情報を再生し例えばＣＲＴ画像信号として出力する検出
部２４、ステージ１７のＸ−Ｙ位置を制御するステージ
制御部２５、原料ガスの供給／停止やその供給量などを
制御するガス導入制御部２６、サイズ判定及びスポット
径選択部２７、装置全体の動作を制御する中央制御部２
８を備える。
する。図１〜図４は本発明に係る微細パターンの修正方
法を適用するその装置（例えばマスクリペア装置）の一
実施例を示す図である。図１において、１０はマスクリ
ペア装置であり、マスクリペア装置１０は、収束イオン
ビーム等の荷電粒子ビーム（以下、単にビームというこ
ともある）１１を発生するガリウムなどの液体イオン源
（ビーム発生源）１２、電極電圧に応じた大きさのビー
ム電流（ＩB）をもつビーム１１を液体イオン源１２か
ら引き出すための引出し電極１３、ビーム１１を電子的
に収束するレンズ電極１４、偏向電圧に従ってビーム１
１を偏向する偏向電極１５、修正すべきパターンを形成
した試料（例えばマスク）１６を載置するステージ１
７、収束イオンビームＣＶＤ法のための原料ガス（例え
ばＷ（ＣＯ）6）を試料１６の表面に供給するガス導入
口１８、試料１６の表面からの二次電子あるいは二次イ
オンを検出する検出器１９を備えるとともに、液体イオ
ン源１２のイオン加速用電圧を発生する第１電源部２
０、引出し電極１３の電極電圧を発生する第２電源部２
１、レンズ電極１４の電極電圧を発生する第３電源部２
２、所定の偏向データに従って偏向電圧を発生する第４
電源部２３、検出器１９の検出信号から試料１６の表面
情報を再生し例えばＣＲＴ画像信号として出力する検出
部２４、ステージ１７のＸ−Ｙ位置を制御するステージ
制御部２５、原料ガスの供給／停止やその供給量などを
制御するガス導入制御部２６、サイズ判定及びスポット
径選択部２７、装置全体の動作を制御する中央制御部２
８を備える。
【００１０】ここで、上記の中央制御部２８は、検出部
２４からの画像信号を処理して欠陥部分を抽出し、この
欠陥部分のサイズ情報をサイズ判定及びスポット径選択
部２７に転送する。サイズ判定及びスポット径選択部２
７は、発明の要旨に記載の判定手段および演算手段とし
ての機能を有し、欠陥部分のサイズがどの程度の大きさ
であるかを判定するとともに、その判定結果に基づいて
ビーム１１のスポット径の制御量を演算する。第２電源
部２１は発明の要旨に記載の操作手段としての機能を有
し、サイズ判定及びスポット径選択部２７で演算された
制御量に基づいて引出し電極１３の電極電圧を増減操作
し、液体イオン源１２から発射された荷電粒子ビームの
スポット径を操作する。また、サイズ判定及びスポット
径選択部２７は、その判定結果に基づいて第４電源部２
３をコントロールし、偏向電極１５の偏向電圧を増減操
作する機能も有している。
２４からの画像信号を処理して欠陥部分を抽出し、この
欠陥部分のサイズ情報をサイズ判定及びスポット径選択
部２７に転送する。サイズ判定及びスポット径選択部２
７は、発明の要旨に記載の判定手段および演算手段とし
ての機能を有し、欠陥部分のサイズがどの程度の大きさ
であるかを判定するとともに、その判定結果に基づいて
ビーム１１のスポット径の制御量を演算する。第２電源
部２１は発明の要旨に記載の操作手段としての機能を有
し、サイズ判定及びスポット径選択部２７で演算された
制御量に基づいて引出し電極１３の電極電圧を増減操作
し、液体イオン源１２から発射された荷電粒子ビームの
スポット径を操作する。また、サイズ判定及びスポット
径選択部２７は、その判定結果に基づいて第４電源部２
３をコントロールし、偏向電極１５の偏向電圧を増減操
作する機能も有している。
【００１１】次に、作用を説明する。図２は、サイズ判
定及びスポット径選択部２７における動作のフローチャ
ートである。このフローチャートでは、まず、ステップ
３０で中央制御部２８からの欠陥情報に従って修正箇所
を特定し、次いで、ステップ３１で欠陥サイズを判定す
る。ここでの判定は、大、中、小といった段階的な判定
であってもよいし、あるいは連続的な判定であってもよ
いが、説明の簡単化のために、大、中、小の３段階判定
とする。
定及びスポット径選択部２７における動作のフローチャ
ートである。このフローチャートでは、まず、ステップ
３０で中央制御部２８からの欠陥情報に従って修正箇所
を特定し、次いで、ステップ３１で欠陥サイズを判定す
る。ここでの判定は、大、中、小といった段階的な判定
であってもよいし、あるいは連続的な判定であってもよ
いが、説明の簡単化のために、大、中、小の３段階判定
とする。
【００１２】サイズ判定を終了すると、次に、ステップ
３２で上記の判定結果に従ってスポット径を選択する。
ここでは、サイズ判定に合わせて、大（Ｌ）、中
（Ｍ）、小（Ｓ）の３つのスポット径の１つを選択する
ものとする。そして、ステップ３３で引出し電極１３の
電極電圧を操作して選択スポット径となるようにビーム
電流ＩBを操作するとともに、ビーム１１が欠陥部分を
まんべんなく走査するように偏向電圧を操作する。図３
はビーム電流ＩBとビームスポット径の代表的な相関図
である。ビーム電流ＩBを上げてゆくとスポット径が大
きくなり、反対に下げてゆくと小さくなる。すなわち、
引出し電極１３の電極電圧を操作してビーム電流ＩBを
変えることにより、ビームスポット径を自在に制御する
ことができる。
３２で上記の判定結果に従ってスポット径を選択する。
ここでは、サイズ判定に合わせて、大（Ｌ）、中
（Ｍ）、小（Ｓ）の３つのスポット径の１つを選択する
ものとする。そして、ステップ３３で引出し電極１３の
電極電圧を操作して選択スポット径となるようにビーム
電流ＩBを操作するとともに、ビーム１１が欠陥部分を
まんべんなく走査するように偏向電圧を操作する。図３
はビーム電流ＩBとビームスポット径の代表的な相関図
である。ビーム電流ＩBを上げてゆくとスポット径が大
きくなり、反対に下げてゆくと小さくなる。すなわち、
引出し電極１３の電極電圧を操作してビーム電流ＩBを
変えることにより、ビームスポット径を自在に制御する
ことができる。
【００１３】１つの欠陥部分に対する１回の修正処理を
終了すると、ステップ３４で残留欠陥の有無を判定し、
残留欠陥ありの場合には、ステップ３１以降を繰り返
す。ここで、残留欠陥のサイズは先の欠陥のサイズより
も当然にサイズが小さくなっている。例えば先の欠陥が
Ｌサイズであれば、その残留欠陥はＭサイズ若しくはＳ
サイズである。したがって、残留欠陥に対しては、Ｍサ
イズ若しくはＳサイズのスポット径が適用される。
終了すると、ステップ３４で残留欠陥の有無を判定し、
残留欠陥ありの場合には、ステップ３１以降を繰り返
す。ここで、残留欠陥のサイズは先の欠陥のサイズより
も当然にサイズが小さくなっている。例えば先の欠陥が
Ｌサイズであれば、その残留欠陥はＭサイズ若しくはＳ
サイズである。したがって、残留欠陥に対しては、Ｍサ
イズ若しくはＳサイズのスポット径が適用される。
【００１４】以上の処理ステップを実行して、残留欠陥
が無くなったことを判定すると、ステップ３５で他の欠
陥の有無を判定し、他の欠陥があれば、ステップ３０以
降を繰返し、なければ処理を終了する。以上述べたよう
に、本実施例では、欠陥のサイズに応じてビームのスポ
ット径を可変としたので、例えば図４（ａ）に示すよう
に、中程度の欠陥（黒欠陥）に対しては、最初に中
（Ｍ）スポット径のビームによって大まかに欠陥を除去
し、その後、小（Ｓ）スポット径のビームによって残留
欠陥を除去することができる。また、図４（ｂ）に示す
ように、小サイズの欠陥に対しては最初から小（Ｓ）ス
ポット径のビームを適用できる。あるいは、図４（ｃ）
に示すように、大サイズの欠陥に対しては、大（Ｌ）ス
ポット径のビームから中（Ｍ）または（Ｓ）スポット径
のビームへと順次に切り換えることができる。
が無くなったことを判定すると、ステップ３５で他の欠
陥の有無を判定し、他の欠陥があれば、ステップ３０以
降を繰返し、なければ処理を終了する。以上述べたよう
に、本実施例では、欠陥のサイズに応じてビームのスポ
ット径を可変としたので、例えば図４（ａ）に示すよう
に、中程度の欠陥（黒欠陥）に対しては、最初に中
（Ｍ）スポット径のビームによって大まかに欠陥を除去
し、その後、小（Ｓ）スポット径のビームによって残留
欠陥を除去することができる。また、図４（ｂ）に示す
ように、小サイズの欠陥に対しては最初から小（Ｓ）ス
ポット径のビームを適用できる。あるいは、図４（ｃ）
に示すように、大サイズの欠陥に対しては、大（Ｌ）ス
ポット径のビームから中（Ｍ）または（Ｓ）スポット径
のビームへと順次に切り換えることができる。
【００１５】したがって、ビームの照射回数を減少する
ことができ、修正に要する時間を短縮化できる。しか
も、残留欠陥を無視できる程度に少なくすることがで
き、パターン修正の精度を向上することができる。な
お、実施例では黒欠陥について説明したが、パターンの
一部が欠損する欠陥（白欠陥）についても同様に適用で
きる。すなわち、原料ガスを試料表面に供給し、白欠陥
のサイズに応じたスポット径のビームを発射すればよ
い。
ことができ、修正に要する時間を短縮化できる。しか
も、残留欠陥を無視できる程度に少なくすることがで
き、パターン修正の精度を向上することができる。な
お、実施例では黒欠陥について説明したが、パターンの
一部が欠損する欠陥（白欠陥）についても同様に適用で
きる。すなわち、原料ガスを試料表面に供給し、白欠陥
のサイズに応じたスポット径のビームを発射すればよ
い。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、粒子ビームのスポット
径を欠陥箇所の大きさに応じて可変としたので、修正に
要する時間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パタ
ーンの修正技術を実現できる。
径を欠陥箇所の大きさに応じて可変としたので、修正に
要する時間が短く、しかも取残し部分の少ない微細パタ
ーンの修正技術を実現できる。
【図１】一実施例の構成図である。
【図２】一実施例のフローチャートである。
【図３】一実施例のビーム電流ＩBとビームスポット径
の相関図である。
の相関図である。
【図４】一実施例の欠陥除去の概念図である。
【図５】従来例の小サイズ欠陥除去の概念図である。
【図６】従来例の大サイズ欠陥除去の概念図である。
１１：荷電粒子ビーム １２：液体イオン源（ビーム発生源） ２１：第２電源部（操作手段） ２７：サイズ判定及びスポット径選択部（判定手段、演
算手段）
算手段）
Claims (2)
- 【請求項１】荷電粒子ビームを照射して微細パターンの
欠陥箇所を除去する修正方法であって、前記粒子ビーム
のスポット径を前記欠陥箇所の大きさに応じて可変設定
することを特徴とする微細パターンの修正方法。 - 【請求項２】微細パターンの欠陥サイズの大きさを判定
する判定手段と、 判定手段の判定結果に従って荷電粒子ビームのスポット
径の制御量を演算する制御量演算手段と、 該制御量に基づいてビーム発生源から発射された荷電粒
子ビームのスポット径を操作する操作手段と、を備えた
ことを特徴とする微細パターンの修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29155691A JPH05129180A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 微細パターンの修正方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29155691A JPH05129180A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 微細パターンの修正方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129180A true JPH05129180A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17770448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29155691A Withdrawn JPH05129180A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 微細パターンの修正方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010034192A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 回路パターンの補正方法及びその装置 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP29155691A patent/JPH05129180A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010034192A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 回路パターンの補正方法及びその装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |