JPH05127365A - 位相シフトレテイクル欠陥検査装置 - Google Patents
位相シフトレテイクル欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH05127365A JPH05127365A JP3288397A JP28839791A JPH05127365A JP H05127365 A JPH05127365 A JP H05127365A JP 3288397 A JP3288397 A JP 3288397A JP 28839791 A JP28839791 A JP 28839791A JP H05127365 A JPH05127365 A JP H05127365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- reticle
- phase shift
- defect
- shift reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実際の転写装置を使用して半導体基板に転写
することなく位相シフトレティクルの欠陥を精度よく検
査することができ、検査作業の時間短縮と低価格化を実
現する。 【構成】 磁気記憶装置１に格納された所望パターンは
ビットマップ展開され（２）画像信号となる。位相シフ
トレティクル６を透過した光は実際の転写装置と同一の
光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズ７により画
像検出器８上に結像し画像信号となる。両画像信号は画
質処理（９）および位置ずれ補正（１１）をした後、レ
ティクル上の欠陥が検出される（１２）。
することなく位相シフトレティクルの欠陥を精度よく検
査することができ、検査作業の時間短縮と低価格化を実
現する。 【構成】 磁気記憶装置１に格納された所望パターンは
ビットマップ展開され（２）画像信号となる。位相シフ
トレティクル６を透過した光は実際の転写装置と同一の
光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズ７により画
像検出器８上に結像し画像信号となる。両画像信号は画
質処理（９）および位置ずれ補正（１１）をした後、レ
ティクル上の欠陥が検出される（１２）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路のパ
ターンをマスクを通して半導体基板上に転写する際、そ
れらのパターンを微細化することができる位相シフトレ
ティクルの欠陥検査を、実際に半導体基板に転写するこ
となく、精度良く行うことが出来る装置に関するもので
ある。
ターンをマスクを通して半導体基板上に転写する際、そ
れらのパターンを微細化することができる位相シフトレ
ティクルの欠陥検査を、実際に半導体基板に転写するこ
となく、精度良く行うことが出来る装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板に転写するパターン
は、石英硝子などの上に形成されたＣｒ，ＭｏＳｉ等の
遮光パターンを有するレティクルマスクを通して縮小投
影した光学像を、感光性樹脂（所謂レジスト）に転写し
た像として用いるものである。ところでこの半導体集積
回路パターンは年々縮小され、光の解像限界にまで近付
いてきた。この集積回路パターンを更に微細に転写する
技術として位相シフトマスクが最近注目されている。図
５はこの位相シフトレティクルを示す断面図、図６はそ
の平面図である。図において、２１は合成石英などの透
明ガラス基板、２２はＣｒ，ＭｏＳｉなどの材料で形成
された遮光パターンで、この部分へ入射した光を遮断す
る。２３はガラスや樹脂などの材料で形成されたシフタ
ーパターンで、この部分へ入射した光の位相を１８０゜
シフトさせる。
は、石英硝子などの上に形成されたＣｒ，ＭｏＳｉ等の
遮光パターンを有するレティクルマスクを通して縮小投
影した光学像を、感光性樹脂（所謂レジスト）に転写し
た像として用いるものである。ところでこの半導体集積
回路パターンは年々縮小され、光の解像限界にまで近付
いてきた。この集積回路パターンを更に微細に転写する
技術として位相シフトマスクが最近注目されている。図
５はこの位相シフトレティクルを示す断面図、図６はそ
の平面図である。図において、２１は合成石英などの透
明ガラス基板、２２はＣｒ，ＭｏＳｉなどの材料で形成
された遮光パターンで、この部分へ入射した光を遮断す
る。２３はガラスや樹脂などの材料で形成されたシフタ
ーパターンで、この部分へ入射した光の位相を１８０゜
シフトさせる。
【０００３】このような位相シフトレティクルの欠陥を
検査する装置として、図７に示すような装置がある。図
において、３はレティクルを照明する光源、４は光源３
からの光をレティクルに照明する２個の照射系、５はレ
ティクルを載置・移動するステージ、６はレティクル、
１４はレティクルを透過した像を拡大投影する２個のレ
ンズ、１５は投影された像を検出する２個の画像検出
器、９はこれらの画像を改良する画像処理装置、１０は
それぞれの画像を格納する２個の画像メモリー、１１は
両画像間の位置ずれをを検出補正する画像位置合わせ回
路、１２は両画像間の差異を検出する欠陥検出回路、１
３は検出された欠陥の位置・サイズなどを記録する欠陥
位置情報メモリーである。
検査する装置として、図７に示すような装置がある。図
において、３はレティクルを照明する光源、４は光源３
からの光をレティクルに照明する２個の照射系、５はレ
ティクルを載置・移動するステージ、６はレティクル、
１４はレティクルを透過した像を拡大投影する２個のレ
ンズ、１５は投影された像を検出する２個の画像検出
器、９はこれらの画像を改良する画像処理装置、１０は
それぞれの画像を格納する２個の画像メモリー、１１は
両画像間の位置ずれをを検出補正する画像位置合わせ回
路、１２は両画像間の差異を検出する欠陥検出回路、１
３は検出された欠陥の位置・サイズなどを記録する欠陥
位置情報メモリーである。
【０００４】次に動作について説明する。光源３は水銀
ランプなどの光源で、照射系４にてコリメートされた光
がステージ５を通してレティクル６に照射される。レテ
ィクル６を通過した光は、拡大投影レンズ１４によって
５０〜１００倍に拡大されて、固体撮像素子などの検出
器１５に投影される。拡大をするのは、レティクルパタ
ーンの線幅は２〜３μｍであり、これに対し固体撮像素
子の画素分解能は２０〜４０μｍであり等倍投影では充
分な分解能が得られないからである。照射系、レンズ、
検出器がそれぞれ２個あるのはレティクル上の複数のチ
ップを比較検査するためである。検出器で検出した画像
信号は、画像の質が画像処理回路９にて改良され、画像
メモリー１０にそれぞれ格納される。画像メモリーの像
は画像間位置合わせ回路１１にて位置補正をされた後、
画像差異が欠陥検出回路１２にて検出される。その位置
情報や欠陥サイズなどの情報がメモリー１３に保持され
ながら、ステージを移動させレティクル全面の欠陥検査
が行われる。
ランプなどの光源で、照射系４にてコリメートされた光
がステージ５を通してレティクル６に照射される。レテ
ィクル６を通過した光は、拡大投影レンズ１４によって
５０〜１００倍に拡大されて、固体撮像素子などの検出
器１５に投影される。拡大をするのは、レティクルパタ
ーンの線幅は２〜３μｍであり、これに対し固体撮像素
子の画素分解能は２０〜４０μｍであり等倍投影では充
分な分解能が得られないからである。照射系、レンズ、
検出器がそれぞれ２個あるのはレティクル上の複数のチ
ップを比較検査するためである。検出器で検出した画像
信号は、画像の質が画像処理回路９にて改良され、画像
メモリー１０にそれぞれ格納される。画像メモリーの像
は画像間位置合わせ回路１１にて位置補正をされた後、
画像差異が欠陥検出回路１２にて検出される。その位置
情報や欠陥サイズなどの情報がメモリー１３に保持され
ながら、ステージを移動させレティクル全面の欠陥検査
が行われる。
【０００５】しかし、最近では、レティクル上のチップ
が大きくなってきているため、チップ同士を比較して検
査する方式に替わってチップパターンと設計データとを
比較して検査する方式の欠陥検査装置が開発されてい
る。この様な検査装置としては図８に示すような装置が
ある。本装置は図９のようなレティクル上の遮光パター
ン像２２と設計データとを比較して検査する装置であ
る。図８において、３はレティクルを照明する光源、４
は光源３からの光をレティクルに照明する照射系、５は
レティクルを載置・移動するステージ、６はレティク
ル、１４はレティクルを透過した像を拡大投影するレン
ズ、１５は投影された像を検出する画像検出器、１６は
設計データを格納する磁気記憶装置、１７は設計データ
を画像展開する回路、９はこれらの画像を改良する画像
処理装置、１０はそれぞれの画像を格納する２個の画像
メモリー、１１は両画像間の位置ずれを検出補正する画
像位置合わせ回路、１２は両画像間の差異を検出する欠
陥検出回路、１３は検出された欠陥の位置・サイズなど
を記録する欠陥位置情報メモリーである。
が大きくなってきているため、チップ同士を比較して検
査する方式に替わってチップパターンと設計データとを
比較して検査する方式の欠陥検査装置が開発されてい
る。この様な検査装置としては図８に示すような装置が
ある。本装置は図９のようなレティクル上の遮光パター
ン像２２と設計データとを比較して検査する装置であ
る。図８において、３はレティクルを照明する光源、４
は光源３からの光をレティクルに照明する照射系、５は
レティクルを載置・移動するステージ、６はレティク
ル、１４はレティクルを透過した像を拡大投影するレン
ズ、１５は投影された像を検出する画像検出器、１６は
設計データを格納する磁気記憶装置、１７は設計データ
を画像展開する回路、９はこれらの画像を改良する画像
処理装置、１０はそれぞれの画像を格納する２個の画像
メモリー、１１は両画像間の位置ずれを検出補正する画
像位置合わせ回路、１２は両画像間の差異を検出する欠
陥検出回路、１３は検出された欠陥の位置・サイズなど
を記録する欠陥位置情報メモリーである。
【０００６】次に動作について説明する。光源３は水銀
ランプなどの光源で、照射系４にてコリメートされた光
がステージ５を通してレティクル６に照射される。レテ
ィクル６を通過した光は、図７と同様に拡大投影レンズ
１４によって５０〜１００倍に拡大されて、固体撮像素
子などの検出器１５に投影される。検出器で検出した画
像信号は、画像の質が画像処理回路９にて改良され、画
像メモリー１０に格納される。磁気記憶装置１６に格納
された設計データは、画像展開回路１７によって画像化
され、同じく画像処理を受け、画像メモリー１０に格納
される。２個の画像メモリーの像は画像位置合わせ回路
１１にて位置補正をされた後、画像差異が欠陥検出回路
１２にて検出される。その位置情報や欠陥サイズなどの
情報が欠陥位置情報メモリー１３に保持されながら、ス
テージを移動させレティクル全面の欠陥検査が行われ
る。
ランプなどの光源で、照射系４にてコリメートされた光
がステージ５を通してレティクル６に照射される。レテ
ィクル６を通過した光は、図７と同様に拡大投影レンズ
１４によって５０〜１００倍に拡大されて、固体撮像素
子などの検出器１５に投影される。検出器で検出した画
像信号は、画像の質が画像処理回路９にて改良され、画
像メモリー１０に格納される。磁気記憶装置１６に格納
された設計データは、画像展開回路１７によって画像化
され、同じく画像処理を受け、画像メモリー１０に格納
される。２個の画像メモリーの像は画像位置合わせ回路
１１にて位置補正をされた後、画像差異が欠陥検出回路
１２にて検出される。その位置情報や欠陥サイズなどの
情報が欠陥位置情報メモリー１３に保持されながら、ス
テージを移動させレティクル全面の欠陥検査が行われ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の図７のチップ比
較型欠陥検査装置では、チップサイズの増大によって欠
陥検査自体が不可能になってきている。図８のようなデ
ータ比較型欠陥検査装置では、図６のようなパターンが
重なった位相シフトマスクをデータ比較検査することは
不可能であった。また図１０（ａ）のようなシフターの
欠陥がはっきりとしたエッジの場合は欠陥検出できる
が、図１０（ｂ）のようにシフターパターンの膜厚変動
などのシフターエッジの定義しにくい欠陥は従来の光学
系では検出することが出来ず、実際に半導体基板上に転
写してレジストパターンを調べてみて始めて欠陥と分か
る場合がある。この場合レティクルマスクの移動、転写
等の別作業を伴うため煩わしく、かつこの際に別の異物
などの欠陥を誘発する恐れがある。
較型欠陥検査装置では、チップサイズの増大によって欠
陥検査自体が不可能になってきている。図８のようなデ
ータ比較型欠陥検査装置では、図６のようなパターンが
重なった位相シフトマスクをデータ比較検査することは
不可能であった。また図１０（ａ）のようなシフターの
欠陥がはっきりとしたエッジの場合は欠陥検出できる
が、図１０（ｂ）のようにシフターパターンの膜厚変動
などのシフターエッジの定義しにくい欠陥は従来の光学
系では検出することが出来ず、実際に半導体基板上に転
写してレジストパターンを調べてみて始めて欠陥と分か
る場合がある。この場合レティクルマスクの移動、転写
等の別作業を伴うため煩わしく、かつこの際に別の異物
などの欠陥を誘発する恐れがある。
【０００８】この発明は以上のような問題点を解消する
ためになされたもので、検査対象である位相シフトレテ
ィクルを使用して実際に半導体基板上に転写することな
く、短時間で少ない費用での検査を可能とする位相シフ
トレティクル欠陥検査装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、検査対象である位相シフトレテ
ィクルを使用して実際に半導体基板上に転写することな
く、短時間で少ない費用での検査を可能とする位相シフ
トレティクル欠陥検査装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る位相シフ
トレティクル欠陥検査装置は、半導体集積回路の所望パ
ターンデータをビットマップ展開する画像展開回路、検
査対象である位相シフトレティクルに光を照射する光学
系、レティクル像を半導体基板に転写する転写装置と同
一の光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズ、上記
位相シフトレティクルを透過し上記拡大投影レンズによ
り結像された投影像を検出する画像検出器、および上記
画像展開回路と画像検出器との画像出力を比較して上記
位相シフトレティクルの欠陥を検出する欠陥検出回路を
備えたものである。
トレティクル欠陥検査装置は、半導体集積回路の所望パ
ターンデータをビットマップ展開する画像展開回路、検
査対象である位相シフトレティクルに光を照射する光学
系、レティクル像を半導体基板に転写する転写装置と同
一の光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズ、上記
位相シフトレティクルを透過し上記拡大投影レンズによ
り結像された投影像を検出する画像検出器、および上記
画像展開回路と画像検出器との画像出力を比較して上記
位相シフトレティクルの欠陥を検出する欠陥検出回路を
備えたものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、実際の転写装置と同一の
光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズを用いて位
相シフトレティクルの投影画像を求め、これを所望パタ
ーンデータをビットマップ展開して得られる画像と比較
し、後者の画像との間に差異が検出されると欠陥有りと
判定する。
光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズを用いて位
相シフトレティクルの投影画像を求め、これを所望パタ
ーンデータをビットマップ展開して得られる画像と比較
し、後者の画像との間に差異が検出されると欠陥有りと
判定する。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例による位相シフト
レティクル欠陥検査装置を示す構成図である。図におい
て、３〜６，９〜１３は従来と同等のもので説明は省略
する。１は図２に示すような基準となる所望のパターン
データ２４を格納する磁気記憶装置、２は所望パターン
データをビットマップ展開する画像展開回路、７はレテ
ィクル像を半導体基板に転写する実際の転写装置と同一
の光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズ、８はそ
の投影像を検出する画像検出器である。
レティクル欠陥検査装置を示す構成図である。図におい
て、３〜６，９〜１３は従来と同等のもので説明は省略
する。１は図２に示すような基準となる所望のパターン
データ２４を格納する磁気記憶装置、２は所望パターン
データをビットマップ展開する画像展開回路、７はレテ
ィクル像を半導体基板に転写する実際の転写装置と同一
の光学レンズ伝達特性を有する拡大投影レンズ、８はそ
の投影像を検出する画像検出器である。
【００１２】動作については、従来の図８で示す装置の
場合とほぼ同様であるが、以下、本願発明の特徴である
拡大光学系につき図３、図４により説明する。先ず図３
は、実際の半導体製造過程における転写状況を説明する
もので、ここでは縮小投影レンズ３３が使用される。そ
して光源からの光３０はレティクル６を透過し、この透
過した光３１は縮小投影レンズ３３を経て半導体基板３
６の表面に形成された感光性樹脂（レジスト）３５上に
像を結ぶ
場合とほぼ同様であるが、以下、本願発明の特徴である
拡大光学系につき図３、図４により説明する。先ず図３
は、実際の半導体製造過程における転写状況を説明する
もので、ここでは縮小投影レンズ３３が使用される。そ
して光源からの光３０はレティクル６を透過し、この透
過した光３１は縮小投影レンズ３３を経て半導体基板３
６の表面に形成された感光性樹脂（レジスト）３５上に
像を結ぶ
【００１３】図４はこの発明になる拡大投影レンズ７を
使用したもので実際のレンズ３３とはその拡大縮小率は
異なるが、この大小成分を除き位相シフトレティクル６
のパターンとレンズによる投影画像との間の光学レンズ
伝達特性が同一となるよう設定されている。従って、レ
ティクル６を透過し、この透過した光３１は拡大投影レ
ンズ７を経て画像検出器８上に像を結ぶが、その得られ
る画像出力は実際の転写装置で得られる結像画像をその
まま拡大したものとなる。即ち、図１０（ａ）で示した
欠陥は勿論、同図（ｂ）で示した微妙な欠陥も画像検出
器８により検出可能となる。
使用したもので実際のレンズ３３とはその拡大縮小率は
異なるが、この大小成分を除き位相シフトレティクル６
のパターンとレンズによる投影画像との間の光学レンズ
伝達特性が同一となるよう設定されている。従って、レ
ティクル６を透過し、この透過した光３１は拡大投影レ
ンズ７を経て画像検出器８上に像を結ぶが、その得られ
る画像出力は実際の転写装置で得られる結像画像をその
まま拡大したものとなる。即ち、図１０（ａ）で示した
欠陥は勿論、同図（ｂ）で示した微妙な欠陥も画像検出
器８により検出可能となる。
【００１４】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、実際の転写装置を使用して半導体基板に転写する
ことなく位相シフトレティクルの欠陥を精度良く検査す
ることができ、検査作業の時間短縮、低価格化が実現す
る。
ので、実際の転写装置を使用して半導体基板に転写する
ことなく位相シフトレティクルの欠陥を精度良く検査す
ることができ、検査作業の時間短縮、低価格化が実現す
る。
【図１】この発明の一実施例による位相シフトレティク
ル欠陥検査装置を示す構成図である。
ル欠陥検査装置を示す構成図である。
【図２】半導体基板上に形成すべき所望パターンの一例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】半導体基板上にレティクルパターンを縮小投影
する実際の転写装置における光学系を説明する図であ
る。
する実際の転写装置における光学系を説明する図であ
る。
【図４】半導体基板上にレティクルパターンを拡大投影
する本発明装置における光学系を説明する図である。
する本発明装置における光学系を説明する図である。
【図５】位相シフトレティクルの一例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】位相シフトレティクルの一例を示す平面図であ
る。
る。
【図７】従来のチップ比較型レティクル欠陥検査装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図８】従来のデータ比較型レティクル欠陥検査装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図９】図８の装置の検査対象である遮光パターン配置
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図１０】位相シフトレティクルの欠陥例を示す断面図
である。
である。
２ 画像展開回路 ３，４ 光学系としての光源および照射系 ６ 位相シフトレティクル ７ 拡大投影レンズ ８ 画像検出器 １２ 欠陥検出回路
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路の所望パターンデータを
ビットマップ展開する画像展開回路、検査対象である位
相シフトレティクルに光を照射する光学系、レティクル
像を半導体基板に転写する転写装置と同一の光学レンズ
伝達特性を有する拡大投影レンズ、上記位相シフトレテ
ィクルを透過し上記拡大投影レンズにより結像された投
影像を検出する画像検出器、および上記画像展開回路と
画像検出器との画像出力を比較して上記位相シフトレテ
ィクルの欠陥を検出する欠陥検出回路を備えた位相シフ
トレティクル欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288397A JPH05127365A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 位相シフトレテイクル欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288397A JPH05127365A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 位相シフトレテイクル欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127365A true JPH05127365A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17729680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3288397A Pending JPH05127365A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 位相シフトレテイクル欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05127365A (ja) |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3288397A patent/JPH05127365A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4095621B2 (ja) | 光学画像取得装置、光学画像取得方法、及びマスク検査装置 | |
| US5539514A (en) | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination | |
| US4641353A (en) | Inspection method and apparatus for a mask pattern used in semiconductor device fabrication | |
| JPH05303193A (ja) | マスク検査方法およびマスク検出装置 | |
| US20040179726A1 (en) | Process for detecting defects in photomasks | |
| JP2008112178A (ja) | マスク検査装置 | |
| JP2002544555A (ja) | マスターとの比較による物品の検査方法および装置 | |
| JPH11153550A (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
| US20050213083A1 (en) | Mask defect inspection apparatus | |
| JPS6076606A (ja) | マスクの欠陥検査方法 | |
| JP2017090133A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| US4778745A (en) | Defect detection method of semiconductor wafer patterns | |
| US5353116A (en) | Defect inspection system for phase shift masks | |
| JPS5832147A (ja) | レチクル検査方法 | |
| JPS6043657B2 (ja) | 物体状態検査方法 | |
| JP2002049143A (ja) | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 | |
| JP2000193596A (ja) | 検査方法 | |
| US5164794A (en) | Optical reticle inspection system and method | |
| JPH04328548A (ja) | フォトマスクの検査方法および装置 | |
| JPH05127365A (ja) | 位相シフトレテイクル欠陥検査装置 | |
| JP2003107670A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| Broadbent et al. | Field results from a new die-to-database reticle inspection platform | |
| JPH06232229A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| JP4554635B2 (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法及びプログラム | |
| JP2616732B2 (ja) | レチクルの検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090524 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100524 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110524 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110524 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120524 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120524 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130524 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130524 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140524 Year of fee payment: 12 |