JPH05122840A - 活線挿抜回路 - Google Patents
活線挿抜回路Info
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- JPH05122840A JPH05122840A JP3283006A JP28300691A JPH05122840A JP H05122840 A JPH05122840 A JP H05122840A JP 3283006 A JP3283006 A JP 3283006A JP 28300691 A JP28300691 A JP 28300691A JP H05122840 A JPH05122840 A JP H05122840A
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- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 突入電流制限素子を自動的に短絡でき、信頼
性を高める。 【構成】 被電圧供給装置に対して並列に接続されたバ
イパスコンデンサＣと、該バイパスコンデンサＣの突入
電流制限用のチョークコイルＬ1 とチョークコイルＬ1
の両端を短絡するための第１のリレー接点ｒｌ1 とから
なる突入電流制限回路５ｂと、前記バイパスコンデンサ
Ｃの充電電圧が第１の基準電圧を越えたとき、前記第１
のリレー接点ｒｌ1 を駆動して前記チョークコイルＬ1
の両端を短絡させるリレードライブ回路５ａと、前記充
電電圧が前記第１の基準電圧より低い第２の基準電圧を
下まわったときチョークコイルＬ1の短絡を解除するよ
うリレードライブ回路５ａの動作にヒステリシス特性を
もたせて設定する第１および第２の基準電圧回路５ｃ，
５ｄとを有している。
性を高める。 【構成】 被電圧供給装置に対して並列に接続されたバ
イパスコンデンサＣと、該バイパスコンデンサＣの突入
電流制限用のチョークコイルＬ1 とチョークコイルＬ1
の両端を短絡するための第１のリレー接点ｒｌ1 とから
なる突入電流制限回路５ｂと、前記バイパスコンデンサ
Ｃの充電電圧が第１の基準電圧を越えたとき、前記第１
のリレー接点ｒｌ1 を駆動して前記チョークコイルＬ1
の両端を短絡させるリレードライブ回路５ａと、前記充
電電圧が前記第１の基準電圧より低い第２の基準電圧を
下まわったときチョークコイルＬ1の短絡を解除するよ
うリレードライブ回路５ａの動作にヒステリシス特性を
もたせて設定する第１および第２の基準電圧回路５ｃ，
５ｄとを有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧を出力している活
線状態の電源装置に対して挿抜される被電圧供給装置に
設けられる活線挿抜回路に関する。
線状態の電源装置に対して挿抜される被電圧供給装置に
設けられる活線挿抜回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の活線挿抜回路は、図６に
示すように、電源装置と被電圧供給装置との接続時の突
入電流を制限するための抵抗Ｒ1 と、一定時間後これを
短絡するためのスイッチＳＷと、バイパスコンデンサＣ
とから構成されていた。
示すように、電源装置と被電圧供給装置との接続時の突
入電流を制限するための抵抗Ｒ1 と、一定時間後これを
短絡するためのスイッチＳＷと、バイパスコンデンサＣ
とから構成されていた。
【０００３】このような活線挿抜回路はスイッチＳＷが
開いた状態で電源装置に接続されると、抵抗Ｒ1 を通し
てバイパスコンデンサＣの充電が開始され、充電が完了
したと思われる一定時間（例えば、５・τ＝５・Ｃ・Ｒ
1 秒後であれば９９．３％まで充電される）後、人手に
よりスイッチＳＷを操作することで抵抗Ｒ1 を短絡して
いた。
開いた状態で電源装置に接続されると、抵抗Ｒ1 を通し
てバイパスコンデンサＣの充電が開始され、充電が完了
したと思われる一定時間（例えば、５・τ＝５・Ｃ・Ｒ
1 秒後であれば９９．３％まで充電される）後、人手に
よりスイッチＳＷを操作することで抵抗Ｒ1 を短絡して
いた。
【０００４】上述のような活線挿抜回路は、図２に示す
ように、被電圧供給装置である論理回路７とともにパッ
ケージ化されており、このパッケージ９がコネクタ８を
介して電源装置である直流電源６と電気的に接続される
構成となっている。
ように、被電圧供給装置である論理回路７とともにパッ
ケージ化されており、このパッケージ９がコネクタ８を
介して電源装置である直流電源６と電気的に接続される
構成となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の活線挿抜回路は、必ず人手が介入することにな
るため誤操作の危険があった。すなわち、スイッチＳＷ
をオンしたままでパッケージを挿入してしまった場合突
入電流が発生し、そのため電源装置が過電流でダウンす
るだけでなくバイパスコンデンサＣにダメージを与える
という問題点があった。
た従来の活線挿抜回路は、必ず人手が介入することにな
るため誤操作の危険があった。すなわち、スイッチＳＷ
をオンしたままでパッケージを挿入してしまった場合突
入電流が発生し、そのため電源装置が過電流でダウンす
るだけでなくバイパスコンデンサＣにダメージを与える
という問題点があった。
【０００６】また、逆にスイッチＳＷをオフしたままで
運用した場合、抵抗Ｒ1 により電圧降下を生じた電源が
被電圧供給回路に供給され続けることになり、被電圧供
給回路の誤動作、特に間欠障害を招くという問題点もあ
った。
運用した場合、抵抗Ｒ1 により電圧降下を生じた電源が
被電圧供給回路に供給され続けることになり、被電圧供
給回路の誤動作、特に間欠障害を招くという問題点もあ
った。
【０００７】さらに、パッケージ挿入からスイッチＳＷ
をオンするまでの時間は、人間が計測しなければならな
いが、バイパスコンデンサの容量の大小に応じてオンす
るまでの時間を調整しなければならいという問題点もあ
った。
をオンするまでの時間は、人間が計測しなければならな
いが、バイパスコンデンサの容量の大小に応じてオンす
るまでの時間を調整しなければならいという問題点もあ
った。
【０００８】本発明は、上記従来の技術が有する問題点
に鑑みてなされたもので、突入電流制限素子を自動的に
短絡でき、信頼性の高い活線挿抜回路を提供することを
目的としている。
に鑑みてなされたもので、突入電流制限素子を自動的に
短絡でき、信頼性の高い活線挿抜回路を提供することを
目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、電圧を出力し
ている活線状態の電源装置に対して挿抜される被電圧供
給装置に設けられる、前記被電圧供給装置に対して並列
に接続されたバイパスコンデンサと、該バイパスコンデ
ンサの突入電流制限素子と該突入電流制限素子の両端を
短絡するためのスイッチング手段とからなる突入電流制
限回路とを備えた活線挿抜回路において、前記バイパス
コンデンサの充電電圧が第１の基準電圧を越えたとき、
前記スイッチング手段を駆動して前記突入電流制限素子
の両端を短絡させる短絡駆動回路と、前記バイパスコン
デンサの充電電圧を検出し、この充電電圧が前記第１の
基準電圧より低い第２の基準電圧を下まわったとき、前
記突入電流制限素子の短絡を解除するよう前記短絡駆動
回路の動作にヒステリシス特性を持たせた基準電圧回路
とを有するものであり、前記基準電圧回路は、第１のツ
ェナーダイオードと、該第１のツェナーダイオードの第
１のツェナー電圧より小さい第２のツェナー電圧をもつ
第２のツェナーダイオードと電磁リレーとからなる直列
回路と、を並列に接続したものであり、短絡駆動回路
は、バイパスコンデンサの充電電圧が前記第１のツェナ
ー電圧を越えたとき、突入電流制限回路のスイッチング
手段を駆動するとともに、前記基準電圧回路の電磁リレ
ーをメークさせる場合と、前記基準電圧回路は、第１の
ツェナーダイオードと第２のツェナーダイオードとの直
列回路と、前記第１のツェナーダイオードあるいは第２
のツェナーダイオードのうち一方を短絡するための電磁
リレーとからなり、短絡駆動回路は、バイパスコンデン
サの充電電圧が第１のツェナーダイオードの第１のツェ
ナー電圧と前記第２のツェナーダイオードの第２のツェ
ナー電圧との和に相当する電圧値を越えたとき、突入電
流制限回路のスイッチング手段を駆動するとともに前記
基準電圧回路の電磁リレーをメークさせる場合とがあ
る。
ている活線状態の電源装置に対して挿抜される被電圧供
給装置に設けられる、前記被電圧供給装置に対して並列
に接続されたバイパスコンデンサと、該バイパスコンデ
ンサの突入電流制限素子と該突入電流制限素子の両端を
短絡するためのスイッチング手段とからなる突入電流制
限回路とを備えた活線挿抜回路において、前記バイパス
コンデンサの充電電圧が第１の基準電圧を越えたとき、
前記スイッチング手段を駆動して前記突入電流制限素子
の両端を短絡させる短絡駆動回路と、前記バイパスコン
デンサの充電電圧を検出し、この充電電圧が前記第１の
基準電圧より低い第２の基準電圧を下まわったとき、前
記突入電流制限素子の短絡を解除するよう前記短絡駆動
回路の動作にヒステリシス特性を持たせた基準電圧回路
とを有するものであり、前記基準電圧回路は、第１のツ
ェナーダイオードと、該第１のツェナーダイオードの第
１のツェナー電圧より小さい第２のツェナー電圧をもつ
第２のツェナーダイオードと電磁リレーとからなる直列
回路と、を並列に接続したものであり、短絡駆動回路
は、バイパスコンデンサの充電電圧が前記第１のツェナ
ー電圧を越えたとき、突入電流制限回路のスイッチング
手段を駆動するとともに、前記基準電圧回路の電磁リレ
ーをメークさせる場合と、前記基準電圧回路は、第１の
ツェナーダイオードと第２のツェナーダイオードとの直
列回路と、前記第１のツェナーダイオードあるいは第２
のツェナーダイオードのうち一方を短絡するための電磁
リレーとからなり、短絡駆動回路は、バイパスコンデン
サの充電電圧が第１のツェナーダイオードの第１のツェ
ナー電圧と前記第２のツェナーダイオードの第２のツェ
ナー電圧との和に相当する電圧値を越えたとき、突入電
流制限回路のスイッチング手段を駆動するとともに前記
基準電圧回路の電磁リレーをメークさせる場合とがあ
る。
【００１０】
【作用】本発明の活線挿抜回路は、その出力電圧である
バイパスコンデンサの充電電圧を検出してその充電電圧
が第１の基準電圧を越えたとき、突入電流制限素子を短
絡させ、さらに、前記充電電圧が第１の基準電圧より低
い第２の基準電圧を下まわったとき、前記突入電流制限
素子の短絡を解除するよう短絡駆動回路の動作にヒステ
リシス特性をもたせているので、被電圧供給装置を電源
装置に接続する際、それらの接続部で発生するチャタリ
ングに対して、短絡駆動回路のスイッチング手段が反応
することなく突入電流制限素子を自動的に短絡させるこ
とができる。
バイパスコンデンサの充電電圧を検出してその充電電圧
が第１の基準電圧を越えたとき、突入電流制限素子を短
絡させ、さらに、前記充電電圧が第１の基準電圧より低
い第２の基準電圧を下まわったとき、前記突入電流制限
素子の短絡を解除するよう短絡駆動回路の動作にヒステ
リシス特性をもたせているので、被電圧供給装置を電源
装置に接続する際、それらの接続部で発生するチャタリ
ングに対して、短絡駆動回路のスイッチング手段が反応
することなく突入電流制限素子を自動的に短絡させるこ
とができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は本発明の活線挿抜回路の一実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【００１３】本実施例の活線挿抜回路は、リレードライ
ブ回路５ａと突入電流制限回路５ｂと第１および第２の
２つの基準電圧回路５ｃ，５ｄとバイパスコンデンサＣ
とを備えている。
ブ回路５ａと突入電流制限回路５ｂと第１および第２の
２つの基準電圧回路５ｃ，５ｄとバイパスコンデンサＣ
とを備えている。
【００１４】この活線挿抜回路は、図２に示すように、
活線挿抜回路として被電圧供給装置である論理回路７と
ともにパッケージ化されて、そのパッケージ９に設けら
れているコネクタ８を介して電源装置である直流電源６
に接続することで該直流電源６と論理回路７との間に実
装される。
活線挿抜回路として被電圧供給装置である論理回路７と
ともにパッケージ化されて、そのパッケージ９に設けら
れているコネクタ８を介して電源装置である直流電源６
に接続することで該直流電源６と論理回路７との間に実
装される。
【００１５】リレードライブ回路５ａは、ＮＰＮトラン
ジスタＱ1 と、該ＮＰＮトランジスタＱ1 のコレクタ出
力によって励磁される電磁コイルＲＬと、該電磁コイル
ＲＬに対するホィーリングダイオードＤ1 と、ＮＰＮト
ランジスタＱ1 のベース・エミッタ間抵抗Ｒ3とから構
成されている。
ジスタＱ1 と、該ＮＰＮトランジスタＱ1 のコレクタ出
力によって励磁される電磁コイルＲＬと、該電磁コイル
ＲＬに対するホィーリングダイオードＤ1 と、ＮＰＮト
ランジスタＱ1 のベース・エミッタ間抵抗Ｒ3とから構
成されている。
【００１６】突入電流制限回路５ｂは、被電圧供給装置
に対する突入電流制限素子であるチョークコイルＬ1
と、前記電磁コイルＲＬが励磁することによって動作
し、前記チョークコイルＬ1 の両端を短絡する第１のリ
レー接点ｒｌ1 と、前記チョークコイルＬ1 に対するホ
ィーリングダイオードＤ2 とから構成されている。
に対する突入電流制限素子であるチョークコイルＬ1
と、前記電磁コイルＲＬが励磁することによって動作
し、前記チョークコイルＬ1 の両端を短絡する第１のリ
レー接点ｒｌ1 と、前記チョークコイルＬ1 に対するホ
ィーリングダイオードＤ2 とから構成されている。
【００１７】第１の基準電圧回路５ｃは、第１ツェナー
ダイオードＺ1 と抵抗Ｒ2 とからなる。
ダイオードＺ1 と抵抗Ｒ2 とからなる。
【００１８】第２の基準電圧回路５ｄは、第２のツェナ
ーダイオードＺ2と前記電磁コイルＲＬが励磁すること
によって動作する第２のリレー接点ｒｌ2 との直列回路
からなり、前記第１の基準電圧回路５ｃに並列に接続さ
れている。
ーダイオードＺ2と前記電磁コイルＲＬが励磁すること
によって動作する第２のリレー接点ｒｌ2 との直列回路
からなり、前記第１の基準電圧回路５ｃに並列に接続さ
れている。
【００１９】前記第１のツェナーダイオードＺ1 の第１
のツェナー電圧Ｖz1と前記第２のツェナーダイオードの
第２のツェナー電圧Ｖz2との関係は、第１のツェナー電
圧Ｖ z1＞第２のツェナー電圧Ｖz2である。
のツェナー電圧Ｖz1と前記第２のツェナーダイオードの
第２のツェナー電圧Ｖz2との関係は、第１のツェナー電
圧Ｖ z1＞第２のツェナー電圧Ｖz2である。
【００２０】本実施例において、リレードライブ回路５
ａではＮＰＮトランジスタＱ1 がオン状態となることで
電磁コイルＲＬが励磁し、その状態のとき、突入電流制
限回路５ｂの第１のリレー接点ｒｌ1 と、第２の基準電
圧回路５ｄの第２のリレー接点ｒｌ2 とがメークする。
ａではＮＰＮトランジスタＱ1 がオン状態となることで
電磁コイルＲＬが励磁し、その状態のとき、突入電流制
限回路５ｂの第１のリレー接点ｒｌ1 と、第２の基準電
圧回路５ｄの第２のリレー接点ｒｌ2 とがメークする。
【００２１】リレードライブ回路５ａのＮＰＮトランジ
スタＱ1 は、本実施例の出力電圧Ｅ2 が該ＮＰＮトラン
ジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEと前記第１の
基準電圧回路５ｃの第１のツェナーダイオードＺ1 の第
１のツェナー電圧Ｖz1とで決まる第１の基準電圧ＶM ＝
ＶZ1＋ＶBE を越えると、オン状態となるような構成と
なっている。
スタＱ1 は、本実施例の出力電圧Ｅ2 が該ＮＰＮトラン
ジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEと前記第１の
基準電圧回路５ｃの第１のツェナーダイオードＺ1 の第
１のツェナー電圧Ｖz1とで決まる第１の基準電圧ＶM ＝
ＶZ1＋ＶBE を越えると、オン状態となるような構成と
なっている。
【００２２】次に、活線挿抜時の動作について、図３に
示すタイミングチャートに沿って説明する。
示すタイミングチャートに沿って説明する。
【００２３】まず、時刻ｔ0 で活線挿抜回路５を含むパ
ッケージ９を、コネクタ８を介して直流電源６に接続す
ると、突入電流制限用のチョークコイルＬ1 を通して、
バイパスコンデンサＣの充電が開始される。すると活線
挿抜回路５の出力電圧Ｅ2 、すなわち前記バイパスコン
デンサＣの充電電圧が図３に示されているように上昇す
る。
ッケージ９を、コネクタ８を介して直流電源６に接続す
ると、突入電流制限用のチョークコイルＬ1 を通して、
バイパスコンデンサＣの充電が開始される。すると活線
挿抜回路５の出力電圧Ｅ2 、すなわち前記バイパスコン
デンサＣの充電電圧が図３に示されているように上昇す
る。
【００２４】ところで、一般に保守時のパッケージ９の
交換は人手で行なわれるため、コネクタ部でのチャタリ
ングは必ず発生する。したがって、ここでは時刻ｔ1 に
おいてチャタリング（期間Ｔ0 ）が発生する場合を説明
する。このとき活線挿抜回路の入力電圧Ｅ1 、すなわち
直流電源６の出力電圧は、期間Ｔ0 の間パルス状の波形
となるが、その出力電圧Ｅ2 は充放電を繰り返しながら
上昇していく。しかし、出力電圧Ｅ2 が第１のツェナー
ダイオードＺ1 の第１のツェナー電圧Ｖz1およびＮＰＮ
トランジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEによっ
て決まる第１の基準電圧ＶM ＝Ｖz1＋ＶBEを越えるまで
は（時刻ｔ0 〜ｔ2 ）、ＮＰＮトランジスタＱ1 はオフ
したままである。したがって電磁コイルＲＬも励磁せず
第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，ｒｌ2 はブレーク
したままである。
交換は人手で行なわれるため、コネクタ部でのチャタリ
ングは必ず発生する。したがって、ここでは時刻ｔ1 に
おいてチャタリング（期間Ｔ0 ）が発生する場合を説明
する。このとき活線挿抜回路の入力電圧Ｅ1 、すなわち
直流電源６の出力電圧は、期間Ｔ0 の間パルス状の波形
となるが、その出力電圧Ｅ2 は充放電を繰り返しながら
上昇していく。しかし、出力電圧Ｅ2 が第１のツェナー
ダイオードＺ1 の第１のツェナー電圧Ｖz1およびＮＰＮ
トランジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEによっ
て決まる第１の基準電圧ＶM ＝Ｖz1＋ＶBEを越えるまで
は（時刻ｔ0 〜ｔ2 ）、ＮＰＮトランジスタＱ1 はオフ
したままである。したがって電磁コイルＲＬも励磁せず
第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，ｒｌ2 はブレーク
したままである。
【００２５】そして、時刻ｔ2 で出力電圧Ｅ2 が第１の
基準電圧ＶM を越えると、ＮＰＮトランジスタＱ1 がオ
ンして電磁コイルＲＬが励磁するため、第１および第２
の接点ｒｌ1 ，ｒｌ2 はメークする。この第１のリレー
接点ｒｌ1 のメークにより突入電流制限用のチョークコ
イルＬ1 は両端が短絡され、論理回路７には、直流電源
６の出力電圧Ｅ1 がそのまま印加されることになる。
基準電圧ＶM を越えると、ＮＰＮトランジスタＱ1 がオ
ンして電磁コイルＲＬが励磁するため、第１および第２
の接点ｒｌ1 ，ｒｌ2 はメークする。この第１のリレー
接点ｒｌ1 のメークにより突入電流制限用のチョークコ
イルＬ1 は両端が短絡され、論理回路７には、直流電源
６の出力電圧Ｅ1 がそのまま印加されることになる。
【００２６】一方、第２のリレー接点ｒｌ2 のメークに
より、第１および第２のツェナーダイオードＺ1 ，Ｚ2
とが並列に接続された状態となる。ここではそれらのツ
ェナー電圧をＶz1＞Ｖz2に設定してあるためリレードラ
イブ回路５ａの入出力特性であるＮＰＮトランジスタＱ
1 のオンオフ特性は図４に示すようなヒステリシス特性
をもつことになる。
より、第１および第２のツェナーダイオードＺ1 ，Ｚ2
とが並列に接続された状態となる。ここではそれらのツ
ェナー電圧をＶz1＞Ｖz2に設定してあるためリレードラ
イブ回路５ａの入出力特性であるＮＰＮトランジスタＱ
1 のオンオフ特性は図４に示すようなヒステリシス特性
をもつことになる。
【００２７】このリレードライブ回路５ａのヒステリシ
ス特性により、突入電流制限用のチョークコイルＬ1 の
両端を短絡するための第１のリレー接点ｒｌ1がブレー
ク状態からメーク状態へと変化するためには、出力電圧
Ｅ2 、すなわちバイパスコンデンサＣの充電電圧Ｅ2 が
第１の基準電圧ＶM の電圧値を越えなければならない。
これに対して第１のリレー接点ｒｌ1 がメーク状態から
ブレーク状態へと変化するためには、バイパスコンデン
サＣの充電電圧Ｅ2 が第２の基準電圧回路５ｄの第２の
ツェナーダイオードＺ2 の第２のツェナー電圧Ｖz2とＮ
ＰＮトランジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEと
で決まる第２の基準電圧ＶB ＝Ｖz2＋Ｖ BEの電圧値より
低下しなければならない。よって、パッケージ９挿入時
における第１のリレー接点ｒｌ1 のチャタリングを有効
に防止できるのである。
ス特性により、突入電流制限用のチョークコイルＬ1 の
両端を短絡するための第１のリレー接点ｒｌ1がブレー
ク状態からメーク状態へと変化するためには、出力電圧
Ｅ2 、すなわちバイパスコンデンサＣの充電電圧Ｅ2 が
第１の基準電圧ＶM の電圧値を越えなければならない。
これに対して第１のリレー接点ｒｌ1 がメーク状態から
ブレーク状態へと変化するためには、バイパスコンデン
サＣの充電電圧Ｅ2 が第２の基準電圧回路５ｄの第２の
ツェナーダイオードＺ2 の第２のツェナー電圧Ｖz2とＮ
ＰＮトランジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEと
で決まる第２の基準電圧ＶB ＝Ｖz2＋Ｖ BEの電圧値より
低下しなければならない。よって、パッケージ９挿入時
における第１のリレー接点ｒｌ1 のチャタリングを有効
に防止できるのである。
【００２８】以上のように、パッケージ９挿入動作によ
り第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，ｒｌ2 のメーク
状態で、論理回路７に対して直流電源６の出力電圧Ｅ1
が供給され、該論理回路６は所定の動作を行なう。
り第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，ｒｌ2 のメーク
状態で、論理回路７に対して直流電源６の出力電圧Ｅ1
が供給され、該論理回路６は所定の動作を行なう。
【００２９】次に、時刻ｔ3 でパッケージを抜去する場
合を説明する。このときも人手が介入するため、同様に
コネクタ８において図３のようにチャタリング（期間Ｔ
1 ）が発生する。
合を説明する。このときも人手が介入するため、同様に
コネクタ８において図３のようにチャタリング（期間Ｔ
1 ）が発生する。
【００３０】このとき、活線挿抜回路５への入力電圧Ｅ
1 は上述の挿入時の期間Ｔ0 の場合と同様にパルス状の
波形となるが、その出力電圧Ｅ2 は充放電を繰り返しな
がら下降していく、しかし、上述したリレードライブ回
路５ａがヒステリシス特性を有するため、前記出力電圧
Ｅ2 が第２の基準電圧ＶB ＝Ｖz2＋ＶBE1 を下まわるま
では（時刻ｔ3 〜ｔ4 ）、ＮＰＮトランジスタＱ1 はオ
ンし続けて電磁コイルＲＬが励磁した状態となってお
り、第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，ｒｌ2はメー
クしたままである。そして、時刻ｔ4 で出力電圧Ｅ2 が
第２の基準電圧ＶBを下まわると、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ1 がオフするため電磁コイルＲＬが非励磁状態とな
る。したがって、第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，
ｒｌ2 はチャタリングを起こすことなくブレークして初
期状態に戻る。
1 は上述の挿入時の期間Ｔ0 の場合と同様にパルス状の
波形となるが、その出力電圧Ｅ2 は充放電を繰り返しな
がら下降していく、しかし、上述したリレードライブ回
路５ａがヒステリシス特性を有するため、前記出力電圧
Ｅ2 が第２の基準電圧ＶB ＝Ｖz2＋ＶBE1 を下まわるま
では（時刻ｔ3 〜ｔ4 ）、ＮＰＮトランジスタＱ1 はオ
ンし続けて電磁コイルＲＬが励磁した状態となってお
り、第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，ｒｌ2はメー
クしたままである。そして、時刻ｔ4 で出力電圧Ｅ2 が
第２の基準電圧ＶBを下まわると、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ1 がオフするため電磁コイルＲＬが非励磁状態とな
る。したがって、第１および第２のリレー接点ｒｌ1 ，
ｒｌ2 はチャタリングを起こすことなくブレークして初
期状態に戻る。
【００３１】なお、本実施例の活線挿抜回路５におい
て、リレードライブ回路５ａのホィーリングダイオード
Ｄ1 は、ＮＰＮトランジスタＱ1がオフしたときに電磁
コイルＲＬに流れていた励磁電流を戻すためのダイオー
ドであり、また、ホィーリングダイオードＤ2 は本活線
挿抜回路５を搭載したパッケージ９をコネクタ８に挿入
後、第１のリレー接点ｒｌ1 がメークする直前に抜去し
たときにチョークコイルＬ1 に発生する逆起電力を抑え
るためのダイオードである。
て、リレードライブ回路５ａのホィーリングダイオード
Ｄ1 は、ＮＰＮトランジスタＱ1がオフしたときに電磁
コイルＲＬに流れていた励磁電流を戻すためのダイオー
ドであり、また、ホィーリングダイオードＤ2 は本活線
挿抜回路５を搭載したパッケージ９をコネクタ８に挿入
後、第１のリレー接点ｒｌ1 がメークする直前に抜去し
たときにチョークコイルＬ1 に発生する逆起電力を抑え
るためのダイオードである。
【００３２】また、リレードライブ回路５ａの抵抗Ｒ3
は第１の基準電圧回路５ｃの第１のツェナーダイオード
Ｚ1 の漏れ電流によりＮＰＮトランジスタＱ1 が誤って
オンするのを防止するためのバイパス抵抗である。
は第１の基準電圧回路５ｃの第１のツェナーダイオード
Ｚ1 の漏れ電流によりＮＰＮトランジスタＱ1 が誤って
オンするのを防止するためのバイパス抵抗である。
【００３３】次に、本発明の活線挿抜回路の他の実施例
について図５を参照して説明する。
について図５を参照して説明する。
【００３４】図５は本発明の活線挿抜回路の他の実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【００３５】本実施例の活線挿抜回路は、リレードライ
ブ回路５ａと突入電流制限回路５ｂと、基準電圧回路５
ｅとバイパスコンデンサＣとから構成されている。
ブ回路５ａと突入電流制限回路５ｂと、基準電圧回路５
ｅとバイパスコンデンサＣとから構成されている。
【００３６】この活線挿抜回路において、リレードライ
ブ回路５ａ、突入電流制限回路５ｂおよびバイパスコン
デンサＣについては前述の図１に示した実施例のものと
同一のものである。
ブ回路５ａ、突入電流制限回路５ｂおよびバイパスコン
デンサＣについては前述の図１に示した実施例のものと
同一のものである。
【００３７】本実施例の基準電圧回路５ｅについて説明
する。
する。
【００３８】基準電圧回路５ｅは、前記リレードライブ
回路５ａのＮＰＮトランジスタＱ1のオンオフ特性にヒ
ステリシス特性をもたせるための基準電圧を設定する第
３および第４の２つのツェナーダイオードＺ3 ，Ｚ4 と
抵抗Ｒ2 を直列に接続し、さらに、前記第３および第４
のツェナーダイオードＺ3 ，Ｚ4 のうち一方（本実施例
では第３のツェナーダイオードＺ3 ）を短絡する第２の
接点ｒｌ2 を備えたものである。
回路５ａのＮＰＮトランジスタＱ1のオンオフ特性にヒ
ステリシス特性をもたせるための基準電圧を設定する第
３および第４の２つのツェナーダイオードＺ3 ，Ｚ4 と
抵抗Ｒ2 を直列に接続し、さらに、前記第３および第４
のツェナーダイオードＺ3 ，Ｚ4 のうち一方（本実施例
では第３のツェナーダイオードＺ3 ）を短絡する第２の
接点ｒｌ2 を備えたものである。
【００３９】この基準電圧回路５ｅの第２のリレー接点
ｒｌ2 も、同様に、リレードライブ回路５ａの電磁コイ
ルＲＬが励磁することでメーク、ブレークの切り換えが
行なわれる。
ｒｌ2 も、同様に、リレードライブ回路５ａの電磁コイ
ルＲＬが励磁することでメーク、ブレークの切り換えが
行なわれる。
【００４０】本実施例の基準電圧回路５ｅでは、第１の
基準電圧ＶM は、前記第３および第４のツェナーダイオ
ードＺ3 ，Ｚ4 の各ツェナー電圧Ｖz3，Ｖz4の各ツェナ
ー電圧Ｖz3，Ｖz4とリレードライブ回路５ａのＮＰＮト
ランジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEとで決ま
りＶM ＝Ｖz3＋Ｖz4＋ＶBEである。第２の基準電圧Ｖ B
は、前記第２のリレー接点ｒｌ2 がメーク状態のとき、
決まるもので、ＶB ＝Ｖz4＋ＶBEである。
基準電圧ＶM は、前記第３および第４のツェナーダイオ
ードＺ3 ，Ｚ4 の各ツェナー電圧Ｖz3，Ｖz4の各ツェナ
ー電圧Ｖz3，Ｖz4とリレードライブ回路５ａのＮＰＮト
ランジスタＱ1 のベース・エミッタ間電圧ＶBEとで決ま
りＶM ＝Ｖz3＋Ｖz4＋ＶBEである。第２の基準電圧Ｖ B
は、前記第２のリレー接点ｒｌ2 がメーク状態のとき、
決まるもので、ＶB ＝Ｖz4＋ＶBEである。
【００４１】上述のような構成により、本実施例におい
ても、前述の実施例の場合と同様な動作を行なうものと
なる。
ても、前述の実施例の場合と同様な動作を行なうものと
なる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、活線挿抜
回路の出力電圧となるバイパスコンデンサの充電電圧を
検出し、その充電電圧と所定の第１および第２の基準電
圧とを比較して突入電流制限回路のスイッチング手段を
駆動するので、人手が介入することで生じる誤操作によ
る不具合を排除して自動的に所望の電源電圧を被電圧供
給装置に供給することが可能となるという効果がある。
回路の出力電圧となるバイパスコンデンサの充電電圧を
検出し、その充電電圧と所定の第１および第２の基準電
圧とを比較して突入電流制限回路のスイッチング手段を
駆動するので、人手が介入することで生じる誤操作によ
る不具合を排除して自動的に所望の電源電圧を被電圧供
給装置に供給することが可能となるという効果がある。
【００４３】また、短絡駆動回路の動作に、前記第１お
よび第２の基準電圧に対してヒステリシス特性をもたせ
ることで、電源装置と被電圧供給装置とを接続する際に
生じるチャタリングに対して前記スイッチング手段が反
応しなくなるので、前記被電圧供給回路へサージ電流等
の印加が完全に断たれるとともに、ノイズによる誤動作
が防止され被電圧供給回路の信頼性が向上するという効
果がある。
よび第２の基準電圧に対してヒステリシス特性をもたせ
ることで、電源装置と被電圧供給装置とを接続する際に
生じるチャタリングに対して前記スイッチング手段が反
応しなくなるので、前記被電圧供給回路へサージ電流等
の印加が完全に断たれるとともに、ノイズによる誤動作
が防止され被電圧供給回路の信頼性が向上するという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の活線挿抜回路の一実施例を示す回路図
である。
である。
【図２】活線挿抜回路と電源装置と被電圧供給装置との
実装位置関係の一例を示すブロック図である。
実装位置関係の一例を示すブロック図である。
【図３】本発明の活線挿抜回路の動作の一例を示すタイ
ミングチャートである。
ミングチャートである。
【図４】本発明の活線挿抜回路の基準電圧回路における
ヒステリシス特性の一例を示す特性図である。
ヒステリシス特性の一例を示す特性図である。
【図５】本発明の活線挿抜回路の他の実施例を示す回路
図である。
図である。
【図６】従来の活線挿抜回路の一例を示す回路図であ
る。
る。
１，２，３，４ 端子 ５ 活線挿抜回路 ５ａ リレードライブ回路 ５ｂ 突入電流制限回路 ５ｃ，５ｄ，５ｅ 基準電圧回路 ６ 直流電源 ７ 論理回路 ８ コネクタ
Claims (3)
- 【請求項１】 電圧を出力している活線状態の電源装置
に対して挿抜される被電圧供給装置に設けられる、前記
被電圧供給装置に対して並列に接続されたバイパスコン
デンサと、該バイパスコンデンサの突入電流制限素子と
該突入電流制限素子の両端を短絡するためのスイッチン
グ手段とからなる突入電流制限回路とを備えた活線挿抜
回路において、 前記バイパスコンデンサの充電電圧が第１の基準電圧を
越えたとき、前記スイッチング手段を駆動して前記突入
電流制限素子の両端を短絡させる短絡駆動回路と、 前記バイパスコンデンサの充電電圧を検出し、この充電
電圧が前記第１の基準電圧より低い第２の基準電圧を下
まわったとき、前記突入電流制限素子の短絡を解除する
よう前記短絡駆動回路の動作にヒステリシス特性を持た
せた基準電圧回路とを有することを特徴とする活線挿抜
回路。 - 【請求項２】 基準電圧回路は、第１のツェナーダイオ
ードと、該第１のツェナーダイオードの第１のツェナー
電圧より小さい第２のツェナー電圧をもつ第２のツェナ
ーダイオードと電磁リレーとからなる直列回路と、を並
列に接続したものであり、 短絡駆動回路は、バイパスコンデンサの充電電圧が前記
第１のツェナー電圧を越えたとき、突入電流制限回路の
スイッチング手段を駆動するとともに、前記基準電圧回
路の電磁リレーをメークさせることを特徴とする請求項
１記載の活線挿抜回路。 - 【請求項３】 基準電圧回路は、第１のツェナーダイオ
ードと第２のツェナーダイオードとの直列回路と、前記
第１のツェナーダイオードあるいは第２のツェナーダイ
オードのうち一方を短絡するための電磁リレーとからな
り、 短絡駆動回路は、バイパスコンデンサの充電電圧が第１
のツェナーダイオードの第１のツェナー電圧と前記第２
のツェナーダイオードの第２のツェナー電圧との和に相
当する電圧値を越えたとき、突入電流制限回路のスイッ
チング手段を駆動するとともに、前記基準電圧回路の電
磁リレーをメークさせることを特徴とする請求項１記載
の活線挿抜回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283006A JPH05122840A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 活線挿抜回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283006A JPH05122840A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 活線挿抜回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05122840A true JPH05122840A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17660008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3283006A Pending JPH05122840A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 活線挿抜回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05122840A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012217306A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Rinnai Corp | 突入電流を抑制する抵抗体を備えた電気機器 |
| JP2019077564A (ja) * | 2013-03-13 | 2019-05-23 | シムボティック エルエルシー | 保管および取出システムのローバーインターフェース |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270727A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-30 | Fuji Electric Co Ltd | 突入電流制限回路 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3283006A patent/JPH05122840A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270727A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-30 | Fuji Electric Co Ltd | 突入電流制限回路 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012217306A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Rinnai Corp | 突入電流を抑制する抵抗体を備えた電気機器 |
| JP2019077564A (ja) * | 2013-03-13 | 2019-05-23 | シムボティック エルエルシー | 保管および取出システムのローバーインターフェース |
| US11001444B2 (en) | 2013-03-13 | 2021-05-11 | Symbotic Llc | Storage and retrieval system rover interface |
| US11718475B2 (en) | 2013-03-13 | 2023-08-08 | Symbotic Llc | Storage and retrieval system rover interface |
| US12116205B2 (en) | 2013-03-13 | 2024-10-15 | Symbotic Llc | Storage and retrieval system rover interface |
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